-
2001
Прусаков, Евгений Викторович
Многообразие инструментов, воздействующих на обрабатываемое изделие электрбнной техники, определяется параметрами и требованиями к этим изделиям, характеристиками материалов, формирующих конструкцию изделия, конструктивными особенностями и принципом действия данного конкретного изделия
-
2001
Яковлев, Сергей Петрович
Совершенствование способа ДСШ пластин кремния свободным абразивом необходимо и с точки зрения согласования этого способа с предшествующими и последующими операциями обработки пластин кремния, чего до настоящего времени сделано не было
-
2001
Львов, Борис Глебович
Трудности создания ВО усугубляются отличной от обычных технических объектов спецификой окружения оборудования, проявляющейся в физико-химической природе изготовления и свойствах изделия, которые обу-. словливают различные по составу и концентрации среды функционирования и новые техноэкологические требования, в частности, ограничения по
-
2001
Васильева, Ольга Вячеславовна
Для создания новых магнитодиэлектрических материалов (феррокомпозитов) на основе пермаллоя, содержащего 50% никеля, необходимо было выполнить следующие этапы работы
-
2001
Шарин, Андрей Геннадьевич
В нашей стране ведутся работы по созданию одно- и многоканальных сквидов с уровнем шумов до 10"4 Фо/Гц. Такие устройства могут найти применение при измерении слабых магнитных полей, прецизионных измерений электрического напряжения и тока, величины затухания высокочастотных (ВЧ) колебаний в радиочастотном диапазоне
-
2001
Чмырова, Ольга Леонидовна
Другим направлением, в котором современные достижения тесно связаны с развитием современной тонкопленочной технологии, является многослойная рентгеновская оптика: создание защитных и отражающих покрытий нормального и скользящего падения. Толщина отдельных слоев оптических покрытий может достигать 0,4.0,6 нм, а их количество - 200 и более, поэтому
-
2001
Сысоев, Андрей Александрович
Все отмеченное выше обуславливает повышенный интерес к полупроводниковому карбиду кремния, который особенно усилился в последнее годы. В США, Японии, Германии и других промышленно развитых странах ведутся интенсивные исследования по SiC, растет число фирм, занимающихся выращиванием кристаллов и эпитаксиальных слоев SiC, изготовлением приборов на
-
2001
Гаврилов, Сергей Александрович
Можно выделить два основных класса электрохимических процессов создания твердотельных наноструктур: 1) самоорганизация при анодном формировании пористых слоев 81 и пленок А1203, 2) искусственная локализация процессов осаждения и растворения с использованием наностру ктурированн ых масок на поверхности электрода. При этом часто маска
-
2001
Науменко, Наталья Васильевна
Использование для конструирования ФП " идеальных " гетероструктур вместо р - п -гомопереходов имеет ряд существенных преимуществ [ 9 ] . В частности, в ФП на основе гетероструктур возможно совмещать область генерации фотоносителей и их разделения благодаря тому , что излучение вводится через широкозонное «окно» . Это обстоятельство позволяет
-
2001
Образцов, Андрей Александрович
На основании полученных гетероструктур созданы первые в РФ макеты однокристальных преобразователей-усилителей света и преобразователей-генераторов импульсов тока и света
-
2001
Пинчук, Игорь Владимирович
Оптимизация конструкции полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и определение требований к гетероструктурам, используемых для их изготовления, проводится на основе физической модели работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода. Однако, существующая диффузионная модель работы полупрозрачного ОЭС-фотокатода не учитывает влияния рекомбинационно-оптических эффектов
-
2001
Карманенко, Сергей Федорович
Значительное снижение интереса к сегнетоэлектрическим пленкам (СЭП) совпало с открытием в перовскитных купратах высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) в 1986-87 годах [4]. В начале 90-х годов, после достижений в технологии ВТСП пленок, было отмечено перспективное для СВЧ применений сочетание перовскитных СЭП и ВТСП электродов [57^*1 На
-
2001
Дворников, Сергей Александрович
Проведено комплексное исследование процесса синтеза золь-гель методом стекловидных материалов в системах: ВгОз-ВЮг, ЗЮг-РгОз, ЗЮг-ВгОз-РгОз и Ва0-А120з-8102 и установлено влияние химического состава, температуры, вязкости раствора на время гелеобразования в указанньк системах
-
2001
Черномордик, Владимир Дмитриевич
Основная особенность солнечных элементов (СЭ) на основе аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) состоит в использовании этого материала в качестве активного слоя и имеющего более высокие, по сравнению с монокристаллическим кремнием, значения коэффициента поглощения и фоточувствительности, обусловленные разупорядоченностью структуры a-Si:H
-
2001
Труфманов, Алексей Петрович
Для реализации поставленной цели решались следующие задачи: разработка математической модели процессов ЗПГТ, позволяющей адекватно описать характер эволюции малых возмущений фронта растворения и кристаллизации; определение начально-краевых условий на исследуемых гетерофазных границах; анализ динамики развития морфологической нестабильности фронтов
-
2001
Жданов, Сергей Михайлович
Научная новизна данной работы заключается в том, что в ней впервые получены и детально исследованы композиционные эмиттеры на металлической основе со сложными оксидными соединениями и смесями. Созданы научные основы технологии изготовления таких эмиттеров и катодов на их основе для вакуумных сверхвысокочастотных приборов. Установлены
-
2001
Ломонова, Елена Евгеньевна
Исследования некоторых свойств этих монокристаллов[7-12] показали, что они обладают уникальными оптическими, механическими и электрическими характеристиками: это — изотропная оптическая среда с высоким показателем преломления (2,15-2,2) и широкой спектральной областью пропускания (250-7500 нм), обладающая большой твердостью (8,5 по Моосу
-
2001
Горбулин, Григорий Львович
При изготовлении оптоэлектронных приборов на основе аморфных полупроводников необходимо обеспечить формирование слоев «приборного качества» с высокой фоточувствительностью ^ph/c;d30o (не менее 100) и плотностью дефектов в щели подвижности материала, не превышающей 1018 см"3. Однако, получение слоев «приборного качества», оптимизация технологии
-
2000
Мальцев, Владимир Петрович
Используемые для микрогравировки элементов микросхем фоторезисты, являются специфичным сложным классом полимеров, адгезия которых является практически не изученным явлением, и от которого значительно зависит развитие техники фотолитографии
-
2000
Антоненко, Константин Иванович
Рост сложности интегральных, схем и соответствующее ужесточение технологических требований, связанных с увеличением количества стадий технологического цикла изготовления интегральных схем, увеличением диаметра пластин, микроминиатюризацией элементов, повышением однородности и качества слоев, стимулируют разработки новых технологий и
