автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Разработка и исследование гетероструктур InP/InGaAsP для систем волоконно-оптических линий связи и промышленной технологии их производства

Введение.

Глава 1 Состояние проблемы получения гетероструктур InP / InGaAsP для элементов BOJIC.

1.1 Краткая характеристика фотопрёмников для BOJIC.

1.2 Проблемы технологии гетероструктур для фотоприемников

1.2.1. Управление составом многокомпонентных TP в процессе ЖФЭ.

1.2.2. Проблема согласования параметров решеток.

1.2.3. Проблема получения чистого материала.

1.2.4. Проблема легирования и локализации р-п-перехода в гетероструктурах.

1.2.5. Проблема защиты поверхности.

1.3. Параметры фотоприемников.

1.4. Технические требования, предъявляемые к гетероструктурам для излучателей.

1.4.1. Электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев на основе InGaAsP.

1.4.2. Оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов InGaAsP.

1.4.3. Основные конструкции светодиодов, используемые в BOJIC.

В связи с успехами в технологии кварцевого стекловолокна в последние годы было установлено, что минимальные потери и близкая к нулю дисперсия в нём приходится на спектральный диапазон l.l-f-1.6 мкм [1]. Поэтому возникла необходимость создания в данном спектральном диапазоне излучающих и фотоприёмных приборов для обеспечения элементной базы волокно-оптических линий связи (ВОЛС).Элементная база излучателей ( лазеров, свеодиодов и фотоприёмников ( ФП ) ) на основе изопериодических гетероструктур InP/ InGaAsP в настоящее время недостаточно хорошо развита [2 - 8] . Это обусловлено, по-видимому ,тем , что к ним предъявляется комплекс достаточно жёстких требований [6 , 7] : высокая квантовая эффективность; высокое быстродействие и минимальный шум. Общие требования к материалу ФП для BOJIC сформулированы в работе [ 7 ] Предпочтительным оказывается материал имеющий :

1) прямую структуру энергетических зон для обеспечения высокого коэффициента поглощения падающих фотонов ;

2) высокую чистоту для того ,чтобы иметь минимальные темновые токи , и достаточную для поглощения падающих фотонов ширину слоя объёмного заряда;

3) высокое структурное совершенство с минимальной плотностью дефектов для уменьшения темновых токов .

Использование для конструирования ФП " идеальных " гетероструктур вместо р - п -гомопереходов имеет ряд существенных преимуществ [ 9 ] . В частности, в ФП на основе гетероструктур возможно совмещать область генерации фотоносителей и их разделения благодаря тому , что излучение вводится через широкозонное «окно» . Это обстоятельство позволяет получать в таких ФП квантовую эффективность, близкую к 100% в прямозонных материалах даже с высокой скоростью поверхностной рекомбинации и малыми дифузионными длинами носителей заряда, так как она в данном случае определяется только коэффициентом разделения электронно- дырочных пар. Эффект «окна» позволяет обеспечить как селективность ФП, так и расширение их области постоянной спектральной чувствительности , которая определяется только шириной запрещённых зон узкозонного материала и широкозонного «окна» . Наконец использование гетероструктуры даёт возможность повысить быстродействие и снизить обратные темновые токи по сравнению с ФП на основе гомоструктур.

Основная задача, решаемая излучающим диодом в BOJ1C - введение необходимой оптической мощности в волокно и обеспечение широкополосной модуляции сигнала.

В качестве излучателей систем BOJ1C находят применение лазерные диоды, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре, и диодные источники спонтанного излучения ( излучающие диоды ) . Лазеры обеспечивают наибольшее быстродействие BOJIC , однако преимущество излучающих диодов перед лазерами является стабильность спектрального состава излучения, простота изготовления, долговечность и меньшая стоимость.

На основе четверных TP, используя принцип изопереодического замещения [ 10,11 ] , возможно независимо изменять ширину запрещённой зоны и параметр решётки. Так, в четверной системе AlGaAsSb , применяя подложку GaSb , возможно получать изопериодические TP , перекрывающие спектральный диапазон 0.75ч-1.9 мкм (рис. 1).По этой причине , названным двум четверным системам TP и In 0.53 Ga 0.47 As , изопериодическому с In Р , и уделено в литературе основное внимание исследователей для разработки элементной базы BOJTC .

Наиболее развитым методом получения гетероструктур на основе TP

GaAs подложка InP

GaSb

0.5

1.0

--1.5 2.0 3.0 5.0 a, A

Рис.1. Зависимость Eg постоянной решетки (a) для четверных твердых растворов InGaAsP и AIGaAsSb.

InGaAsP является метод жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ) . Однако промышленное применение существующих методик эпитаксиального выращивания из растворов -расплавов ограничивается как сложностью получения в гетероструктурах слаболегированной активной области для фотоприёмников, так и получения быстродействующих гетероструктур для излучателей.

Поэтому целью настоящей работы является разработка гетероструктур InP/InGaAsP как материала для приборов элементной базы BOJ1C методом ЖФЭ и промышленной технологии их производства.

Научная новизна работы.

1. Разработаны и обоснованы технологические режимы процесса ЖФЭ гетероструктур InP/InGaAsP для излучателей и фотоприёмников (ФП) систем BOJIC.

2. Обоснованна возможность получения ростовых растворов-расплавов на основе индия с использованием термообработки и введением редкоземельных элементов (РЗЭ).

3. Установлены закономерности и проведён сравнительный анализ по легированию активных областей излучателей и ФП различными типами примесей.

4. Впервые показана возможность получения гетероструктуры для ФП с

• 15 3 концентрацией легирующей примеси в i-области меньше 10 см " .

5. Предложено использование гетероструктур с тонкой активной областью (Ь<1мкм) и высоким уровнем легирования для изготовления излучателей , что даёт возможность повысить быстродействие за счёт уменьшения эффективного времени жизни носителей и уменьшить ширину спектральной полосы излучения.

Практическая значимость и реализация результатов работы .

1. Разработаны и внедрены в производство технологические процессы ЖФЭ гетероструктур InP/InGaAsP для излучателей Яе 0.032.076ТУ и Яе 0.032.123ТУ.

2. Разработан и внедрён в производство технологический процесс получения p-i-n-фотодиодов для BOJIC -Яе0.032.115ТУ.

3. Реализован способ подготовки раствора-расплава для жидкофазной эпитаксии твердых растворов (TP) А3 В5 (А.с.СССР №1732705).

Положения выносимые на защиту.

1. Использование дополнительных растворов-расплавов в процессе эпитаксии позволяет создать противодавление легколетучих компонентов твердых растворов и стабилизировать состав растущего эпитаксиального слоя.

2. Использование значений упругости паров легколетучих компонентов в модели кристаллизации эпитаксиальных слоев твердых растворов InGaAsP позволяет более достоверно прогнозировать состав растущей пленки.

3. Учет кинетических явлений при ЖФЭ позволяет повысить прецезионность управления свойствами эпитаксиалных слоев на основе твердых растворов InGaAsP.

4. Введение редкоземельных элементов в раствор-расплав при ЖФЭ позволяет уменьшить содержание примесей - кислорода и углерода.

5. Промышленная технология получения гетероструктур InP/InGaAsP с заданной концентрацией состава и легирующих компонентов для излучателей и ФП систем BOJ1C.

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на

Всесоюзной научной конференции « Фотоэлектрические явления в полупроводниках » ( г.Ташкент, 1989г), на 5-ой Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Калуга, 1990г). По материалам диссертации опубликовано 8 печатных работ, в том числе 1 изобретение .

Диссертация состоит из введения, 4 глав и выводов . Работа содержит 113 страниц печатного текста , 7 таблиц, 33 рисунка , 122 наименования цитируемой литературы .

выводы

1. Разработана и обоснована промышленная технология жидкофазного получения гетероструктур InP/InGaAsP для быстродействующих светодиодов с внешним квантовым выходом на уровне 1.2%.

2. Разработан и внедрен в производство технологический процесс получения p-i-n-фотодиодов джля волоконно- оптических линий связи с квантовой эффективностью более 80%.

3. Предложена модель жидкофазного эпитаксиального роста полупроводниковых гетероструктур InP/InGaAsP, учитывающая влияние как термодинамических (переохлаждение на фронте кристаллизации,упругость паров легколетучих компонент и др.), так и кинетических ( скорость прокачки раствора-расплава) факторов. Модель позволяет прогнозировать условия прецезионного управления составом и уровнем легирования эпитаксиальных слоев.

4. Показано, что введение в раствор-расплав на основе индия редкоземельных элементов (Gd,Yb,Ce) с концентрацией до 0,005% ат и применение отжига расплава при температуре 670 - 680°С и времени до

70 часов позволяет уменьшить содержание кислорода и углерода на один --два порядка.

5. Разработан способ оптимизации легирования р - эмиттерной области излучателей на основе TP InGaAsP с использованием Mg и РЗЭ.

1.5. Заключение.

В настоящем обзоре рассмотрены проблемы технологии изготовления

3 5 многокомпонентных изопериодических гетероструктур А В жидкофазной эпитаксией для фотоприемников и излучателей, работающих в спектральном а)

777777771 > ) )UTTfTTT Hi /7 imnmnmill^^^ контакт rflnP - подложка n InP - эмиттер n InGaAsP - активная область p+lnGaAsP - эмиттер SiC>2 - контакт

Рис.20. Конструкция светодиодов на основе ДГС, используемые для ВОЛС: а) плоская конструкция; б) меза - конструкция; диапазоне 1.1-И .6 мкм и используемых в волоконно-оптических линиях связи.

Перечислены требования, предъявляемые к ФП и излучателям для BOJIC, исходя из которых формулируются требования к материалу .

Рассмотрены такие технологические проблемы, как прецезионное управление составом многокомпонентных ТР. Отмечено, что для этого недостаточно знаний о равновесной фазовой диаграмме, а необходим учет кинетических явлений при ЖФЭ. Обсуждены проблемы согласования параметров решетки контактирующих материалов, получения чистых эпитаксиальных слоев InP и InGaAsP, локализации р-п-перехода в гетероструктурах и легирования, а также проблема защиты поверхности. Приведены некоторые лучшие из достигнутых параметров p-i-n-диодов, ЛФД, фототранзисторов и фотосопротивлений.

Показано, что несмотря на то, что элементы систем ВОЛС на основе гетероструктур InGaAsP(InGaAs)/InP получены, но технологические проблемы, связанные с их изготовлением, решены далеко не полностью.

Глава 2. Исследование процессов роста многослойных гетероструктур ГпОаАвРЯпР для p-i-n-фотодиодов систем BOJIC.

2.1 p-i-n-фотодиоды на основе двойных гетероструктур (ДГС) .

Одним из наиболее распространенных приёмников излучения для систем волоконно-оптических линий связи является p-i-n-фотодиод.

На рис. 21 схематически представлена структура p-i-n-гетерофотодиода, его энергетическая диаграмма в условиях обратного смещения и распределения интенсивности излучения . Основными характеристиками фотодиодов являются квантовая эффективность , быстродействие, величина темнового тока.

Факторами , определяющими квантовую эффективность, служат коэффициент поглощения (а) и толщина обеднённого слоя (w) . Для поглощения большей части подающего излучения эти параметры должны быть большими , однако , для работы фотодиода на высоких частотах необходимы малые времена пролёта неравновесными носителями заряда обеднённой области, т.е. она должна быть тонкой. Разумный компромисс между квантовой эффективностью и быстродействием достигается при ширине области поглощения больше 1/а [97]. Для уменьшения времени пролета носителей и снижения емкости перехода диоды обычно смещают в обратном направлении с помощью сравнительно большого напряжения.

Темновые токи в ФД могут возникнуть как в объеме полупроводникового материала, так и на его поверхности. Поверхностные токи уменьшают пассивацией поверхности, применением охранных колец [98]. Объемные токи снижают за счет тщательного проектирования

Рис.21. Структура p-i-n - гетерофотодиода (а), энергетическая диаграмма в условиях обратного смещения (б), распределение интенсивности (в). устройства и получения материала активной области с низкой фоновой концентрацией носителей [99].

Наиболее перспективным является p-i-n-фотодиод на основе ДГС, в которой активная узкозонная i-область заключена между широкозонными слоями (рис.21).

Один из широкозонных слоев служит «окном» для ввода излучения, свет с энергией меньше ширины запрещенной зоны широкозонной области практически без потерь доходит до области разделения неравновесных носителей заряда (ННЗ). Наличие широкозонного «окна» позволяет управлять коротковолновой границей области спектральной чувствительности, уменьшить влияние поверхностной рекомбинации на величину квантовой эффективности, совместить области генерации ННЗ и их разделения. Гетеропереход дает также уникальную возможность выбора такого сочетания материалов, которое обеспечивает оптимальные для заданной длины волны оптического сигнала значения квантовой эффективности и быстродействия.

В материалах с большой диффузионной длиной (L) двойная гетероструктура позволяет, с одной стороны, увеличить заметно чувствительность в длинноволновой области при W = L , а с другой -снизить темновые токи не только за счет выбора уровня легирования узкозонной и широкозонной частей гетероструктуры [100], но и её геометрии, когда толщина средней области меньше соответствующей диффузионной длины (w«Ln(P)), но не менее эффективной глубины проникновения света . Это делает реальным создание неохлаждаемых приёмников инфракрасного излучения на основе прямых узкозонных материалов А3 В5 и их твёрдых растворов.

В спектральном диапазоне 1,1-г 1.6 мкм наиболее высокие параметры имеют p-i-n-фотодиоды на основе соединений InGaAsP с решётками , согласованными с подложкой фосфида индия [101].

Для волоконно-оптических линий связи фотоприёмное устройство должно иметь высокую квантовую эффективность (> 80%), темновой ток при 70°С<10нА, и малую емкость ( < 0,5 пф). Исходя из этих условий, проанализированы требования к конструкции и характеристикам слоев гетероструктуры на основе соединений InGaAsP/InP [99].

Результаты этого анализа представлены на диаграмме рис.3. Штриховкой обозначена область, в которой туннельный ток дает недопустимый вклад в темновой ток.

Для высокой квантовой эффективности ширина слоя объемного заряда должна быть > 2 мкм, что отмечено на диаграмме горизонтальной линий. Двойной штриховкой обозначена область с низкими избыточными шумами. Для получения малой емкости при смещениях до 5 В, необходима

IS э концентрация в i-области < 10 см" . Для реальных диодов при рабочем напряжении смещения около 20В, концентрация носителей заряда в поглощающем слое должна быть не выше 8-1015 см"3.

2.2 Основные конструкции и требования к параметрам твердых растворов InGaAsP для p-i-n-диодов.

При изготовлении p-i-n-диодов на основе гетероструктур используются , как правило, два типа конструкций кристаллов - планарная (см.рис.2а) и меза-конструкция (см.рис.2б).

В гетероструктурах для планарной конструкции p-i-n-диода слои изотипные, р-п-переход формируется диффузией Zn через широкозонное окно.

Достоинства планарной конструкции в том, что в ней при удачном выборе диэлектрика может быть решена проблема поверхностных утечек в одном технологическом цикле с созданием р-п-перехода. В качестве диэлектрических покрытий, главным образом, используются пленки Si02, SisN4, GaN, А120з, полученные газофазным осаждением или ионно-плазменным напылением [4]. Известные данные о свойствах границы раздела диэлектриков и InP(InGaAs) противоречивы. Это связано с тем, что собственные окислы некоторых компонентов соединений А3В5 являются проводящими. Свойства границы диэлектрик-полупроводник во многом зависят от предварительной обработки поверхности и режима формирования диэлектрического покрытия [30].

Гетероструктуры InGaAsP(InGaAs)/InP наиболее подходящие для планарной конструкции из-за того, что скорость поверхностной рекомбинации фосфида индия существенно ниже, чем у других соединений

3 5 3

А В и составляет величину 10 см/с [97].

Следует, однако, отметить, что для изготовления планарной конструкции p-i-n-диода требуются гетероструктуры с высокой однородностью толщины широкозонного слоя - «окна» и отработанная технология диффузии Zn для реализации заданного, формируемого при диффузии, р-п-перехода в гетероструктуре.

В конструкции меза-планарного p-i-n-диода р-п-переход и его расположение относительно гетеропереходов реализуются непосредственно при эпитаксии гетероструктур. В процессе эпитаксии подбором легирующих примесей и их концентрации легче осуществляется и управление основными параметрами диода.

Основной задачей, требующей решения при изготовлении меза-планарного p-i-n-диода, является защита вскрытого р-п-перехода.

Обнадеживающие результаты дала пассивация поверхности полиамидным покрытием [102] после обработки меза-структуры в специальном травителе [103]. Однако, до настоящего времени не найдено эффективных методов защиты поверхности соединений и диэлектриков, обеспечивающих на границе раздела скорость поверхностной рекомбинации, эквивалентную таковой на границе раздела термическая двуокись кремния-кремний, которая позволяет получать значения темновых токов, определяемых только объемными свойствами материала.

В p-i-n-диодах меза-конструкции на основе Ino^Gao^As, полученных

ЖФЭ, внешняя квантовая эффективность на AM,55 мкм ~ 83% при обратном смещении - 5В. Плотность темнового тока при смещении - 10В составляла 6 2

2,5-10"° А/см , а быстродействие таких диодов ~ 30 пс [102]. Пассивация поверхности осуществлялась полиамидным покрытием.

В планарном варианте с использованием диэлектрической изоляции из SiC>2 аналогичные p-i-n-диоды имели токовую чувствительность ~ 0,5 А/Вт при обратном смещении - 0,5В без просветляющих покрытий, плотность темнового тока

3,5-10"' А/см при смещении - 1ВА и быстродействие менее

0,5нс [30].

2.3. Элементы технологии получения гетеросруктур на основе InGaAs(P) с низкой фоновой концентрацией примеси.

Одной из проблем получения ДГС на основе многокомпонентных твердых растворов является последовательное наращивание эпитаксиальных слоев с согласованными при температурах роста параметрами решёток Несоответствие параметров решётки контактирующих материалов влияет на люминесцентные свойства гетероструктур [103], величину туннельного тока [104], что существенным образом сказывается на темновом токе фотоприёмных устройств .

Для получения изопериодических при температуре наращивания гетероструктур InGaAsP/InGaAs/InP требуется высокая точность фиксирования состава исходного раствора-расплава и поддержания постоянного температурного режима в процессе эпитаксии [105]. Согласно значениям коэффициентов термического расширения слоев InxGaixAsiyPy различного состава, разности их периодов решеток при комнатной температуре относительно периода InP будут соответствовать отрицательным значениям, причем абсолютная величина разности будет являться функцией состава твердого раствора.

Важной и довольно трудной технологической проблемой является получение высокочистого материала с концентрацией носителей заряда < 3-1015см~3 . Такой материал необходим для создания эффективных p-i-n фотодиодов с низкими значениями темнового тока, малой емкостью р-п перехода и большой шириной слоя объемного заряда. При ЖФЭ сложно избавиться от примесей-спутников, находящихся в исходных материалах, а также входящих в расплав из материала контейнера.

Наиболее чистые слои фосфида индия и In0;53Gao,47As были получены при длительном отжиге растворов-расплавов в потоке водорода [107], вакуумном высокотемпературном отжиге графитовых кассет и металла-растворителя индия [108], использовании сапфировых кассет, либо комбинации этих способов [66].

Следует особо отметить способ получения высокочистых слоев InGaAs (Р) с использованием редкоземельных элементов (РЗЭ) в качестве легирующей примеси растворов-расплавов [67-69]. В табл.1 приведены параметры образцов в зависимости от условий наращивания. Как видно из таблицы, увеличение времени отжига раствора-расплава с введенным в него РЗЭ до 25 часов позволяет выращивать слои с концентрацией носителей заряда < 1014 см"3 и подвижностью 90004-16000 см2/В-сек при 300 К. Добавление различных РЗЭ в раствор - расплав хотя и в различной степени , но всегда приводит к существенному снижению концентрации как доноров так и акцепторов по сравнению с концентрацией в образцах , выращенных при том же времени отжига раствора - расплава , но нелегированных РЗЭ.

РЗЭ более активно взаимодействуют с элементами VI группы с образованием комплексов в расплаве , что и предотвращает их попадание в твёрдую фазу .

Параметры образцов в зависимости от условий наращивания.

1. Д и а н о в Е.М. Перспективы использования диапазона длин волн1.1,6 мкм для осуществления волоконно-оптической связи (обзор).-Квантовая электроника, 1980,t.7,N 3, с. 453-4682 . Васильев М.Г., Гвоздев А.А., Гореленок А.Т. 191

2. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (А,«1,3 мкм), полученные гибридной технологией. -ЖТФД983, t.53,N 7, с. 1413-1414

3. Н i г а о М., Т s u j i S. J.Opt. Commun., 1980, vol. 1, N 1, p.10-1 4.

4. Алферов Ж.И., Гореленок A.T., Г p у з д о в В.Г. Светодиоды на основе ДГС InGaAsP/InP (к « 1,55 мм) с внешним квантовым выходом Г| « 30% (300 К). Письма в ЖТФ, 1982, т. 8,1. N5, с. 257-262.

5. Агафонов В.Г., Гарбузов Д.З., Гореленок А.Т. Светодиоды на основе InGaAsP/InP (^«1,3 мкм) с внешним квантовым выходом г|*40% (300 К). Письма в ЖТФ, 1982, т.8, N 5, с. 262-266.

6. Корольков В.И., Михайлова М.П. Лавинные фотодиоды на основе твердых растворов полупроводниковых соединений А3В5. -ФТП, 1983, т.17, N 4, с. 569-582.

7. St i 1 1 m an G.E., Cook L.W., Bulman G.E. IEEE Transact on Electron Devices, 1982, VED-29, N 9, h.1355-1371.

8. Kaneda Т., Kagama S., M i ka wa Т., TojamaY. Appl.

9. Phys.Lett., 1980, N 7, p.572-576.

10. Korol'kov V.I. Photodetectors based on heterostrures. In: Semiconductor optoelectronics/ Ed. M.A. Herman. Warszawa: P.W.W., 1980, p. 387-415.

11. А 1 f е г о v Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G. et al. In: International conference on the physics and chemistry of semiconductor heterojunctions and Laver structures. Budapest, 1971, vol. 1, p. 93-106.

12. Долгинов JI.M., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах (обзор). Квантовая электроника, 1976, т. 3, N7,с. 1381-1393.

13. В е n е k i n g Н. IEEE Transact, on Electron. Devices, 1982, vol.VED-29, N9, p. 1420-1431.

14. Гарбузов Д.З., Гореленок A.T., Мдивани B.H.

15. Времена жизни неравновесных носителей и эффекты переизлучения в InGaAsP-гетероструктурах. ФТП, 1981, т. 15, N 2, с. 373-384.

16. L i, К., R е z е k Е., Law H.D. Electron. Lett., 1984, vol. 20, N5, p. 196-198.

17. Forrest S.R.-IEEE J. Quant. Electron., 1981, vol. QE-17, N2, p. 217-226.

18. Pearsall T.R., Piskorski M., Brochet A., Chevrier J. IEEE J.Quant. Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 255-259.

19. Жингарев M.3., Корольков В.И., Михайлова М.П., Яссиевич И.Н. Особенности ударной ионизации в GaSb и твердых растворах на его основе. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, N 14, с. 862-866.

20. Жингарев М.З., Корольков В.И., Михайлова М.П., СазоновВ.В. Зависимости коэффициентов ударной ионизации Электронов и дырок от ориентации и состава в твердых растворах AlxGaixSb. Письма в ЖТФ, 1981, т. 7, N 24, с. 1487-1492.

21. Chin R.,Holonj ak N., S ti 11 man G.E.-Electron. Lett., 1980, vol. 16, N 12, p. 467-468.

22. Pearsall T.P.-Electron. Lett., 1980, vol. 16, N 20, p. 771-773.

23. Ni shida K.,Taguchi К., M a t s u m о t о Y. Appl. Phys. Lett.,1979, vol. 35, N3, p. 251-253.

24. Kim O.K., Forrest S.R., Bonner W.A., Smith R.G. Appl. Phys. Lett., 1981, vol. 39, N 5, p. 402-404.

25. Forrest S.R., Smith R.G., Kim O.K.-IEEE J. Quantum. Electron., 1982, vo. QE-18, N 2, p. 2040-2048.

26. Алферов Ж.И., Васильев М.Г., Гореленок A.T. Лавинные фотодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InPс р-п-переходом в InP. Письма в ЖТФ, 1982, т. N 12, с. 722-724.

27. Y a s u d а К., М i k a w а Т., К i s h i Y., К a n e d a T. Electron.1.tt., 1984, vjl. 20, N 9, p. 373-375.

28. A n d a H,SusaN, KanbeM.- Electron. Lett., 1981, vol. 17, N 6, p. 292-294

29. Forrest S.R., DiDomtnico, Smith R.G., S t о с к e r H.J. -Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 36, N. 7, p. 580-582.

30. A n d a H., К n a b e H., 11 о M., Kaneda T. Jap. Appl. Phys.,1980, vol. 19, N 6, p. 1277-1280.

31. Гореленок A.T., Груздов В.Г., Евстропов B.B. Влияние Несоответствия параметров решетки на I-V характеристики InGaAs/InP р-п-гетероструктур. ФТП, 1984, т. 18, N 8, с.1413-1415.

32. Андреев В.М., Гореленок А.Т., Жингарев М.З. Исследование токов утечки планарных р-п-переходов в InP и р-п-структур на основе InGaAs/InP. -ФТП, 1985, т. 19, N4, с. 431.

33. Taranashi Y., Horikoshi Y. Jap. J. Fppl. Pgys., 1980, vol. 19, N 8, p. 687-692.

34. Lee T.P., В u r r u s C.A. Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 36, N 6, p. 587590.

35. Kagawa Т., Motogushi G. Jap. J. Appl. Phys., 1979, vol. 18,N 11, p. 2317-2325.34. 11 о Т., К a n e d а Т., N а к a j a m a K. Electron. Lett., 1978, vol. 14, N 11, p. 418-420.

36. Гореленок A.T. Груз до в В.Г., Данильченко В.Г. Фототранзисторы на основе N-p-N-гетероструктур InP-InGaAsP -Письма в ЖТФ, 1984, т. 10, N21, с. 1294-1297.

37. Kobajashi M.,Sakai S., Umeno M.-Jap. FPPL. Phys., 1983, 1983, vol. 22, N3, 1159-1161.

38. Гореленок Ф.Т., Дзигасов Ф.Г., Москвин П.П. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава твердых растворов In^GaxAsi. УРУ.-ФТП, 1981, т. 15, N 12, с. 2410-2414.

39. N a h о г у R.E., Pollack М.А., В е е b е E.D., D е W i n t е г J.C. -J.Electrochem. Soc., 1978, vol. 125, N7, p. 1053-1058.

40. Бирюлин Ю.Ф., Буль С.П., Дедегкаев Т.Т. Зависимость Ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе AlxGa!xSb.-ФТП, 1977, т. 11, N8, с. 1555-1559.

41. Gopelenok А.Т., М d i v a n i V.N., M о s k v i n P.P. et al. J. Crowth, 1982, vol. 60, N 2, p. 355-362.

42. Баранов A.H., Яковлев Ю.П. Особенности жидкофазной эпитаксии изопериодических варизонных структур

43. Изв. АН СССР. Неорган. Материалы, 1982, т. 18, N2, с. 203-208.

44. Р a n i s h М.В., Ilegems М. Progr. in Solid State Chemistra, N.Y.; L.: Pergamon Press, 1971, vol. 39, p. 7.

45. Nakajama K., Kusunoki Т., Akita K., Kotani T.-J. Electrochem. Soc., 1978, vol. 125, N 1, p. 123.

46. Perea E.H., F о n s t a d J. Appl. Phys., 1980, vol. 51, N 1, p. 331-335.

47. Болховитянову Ю.Б. Контактные явления на границе раздела фаз перед жидкофазной гетероэпитаксией соединений А3В5. Новосибирск, 1982. 42 с. (Препринт/СО АН СССР, 2-82).

48. Small M.B., Cherz R., Potemski R.M., W о о d a 11 J.M Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 35, N 3, p. 209.

49. Болховитянов Ю.Ч., Ч и к и ч е в С.И. Устойчивость неравновесной границы раздела расплав-кристалл перед жидкофазной3 5гетероэпитаксией соединений А В . Новосибирск, 1982. 47 с. (Препринт/ СО АН СССР, 5-82).

50. Kuznetsov V.V., Moskvin P.P., S о г о k i n V.S. J. Crystal Growth, 1984, vol. 66, p. 562-575.

51. Дедегкаев Т.Т., Крюков И.И., Лидейкис Т.П. Фазовая диаграмма Ga-Al-Sb для жидкостной эпитаксии. ЖТФ, 1978, т.48, N3, с. 599-605.

52. Jordan A.S., Wei пег М.Е. J. Phys. and Chem. Solids, 1975, vol. 36, p. 1335-1339.

53. Вигдорович B.H., Долгинов Л.М., M а л и н и н А.Ю., Селин А.А. Расчет состава фаз четырехкомпонентных систем с помощью ЭВМ (на примере Al-Ga-As-Sb). Докл. АН СССР, 1978,т. 243, N 1, с. 125-128.

54. А 1 f е г о v Zh.I., Garbuzov D.Z., Gorelenok А.Т. In: Advances in science and tehnology in USSR. Physics Series. - Problems in

55. Sol. St. Physics. M.: Mir, 1984, p. 201-235/

56. К a p я e в B.H., Савельев И.Г. О влиянии дислокаций на величину обратного тока р-п-переходов в твердых растворах GaixSbx-ФТП, 1983, т. 17, N 7, с. 1205-1210.

57. В у л ь А.Я., К а р я е в В.Н., Петросян П.Г. P-n-переходы в твердых растворах GaAs-GaSb. ФТП, 1982, т. 16, N 10, с. 1838-1842.

58. F е n g М., Т a s h i m a H.H., Cook L.W. Appl. Phys. Lett., 1979,vol. 34, N 1, p. 91-93.

59. N а к a j a m а К., К о m i j a S., А к i t a. J. Electrochem. Soc., 1980, vol.127, N7, 1568-1572.

60. Берт H.A., Гореленок A.T., Конников С.Г. и др. Экспериментальное определение коэффициентов термического расширения в гетероструктурах GaxInixAsyPi.y InP - ЖТФ, 1981, т.51, N 10, с. 1018-1020.

61. Feng M.,Cook L.W., Т a s h i m а M.M., S t i 11 m a n . Appl. Phys. Lett., 1979, vol. 34, N 10, p. 697-690.

62. R e i d F.J., D a n t e r R.D., Miller S.E. -Electrochem. Soc., 1966, vol. 113, p. 713.

63. Capasso F., Panish M.B., Sumski S. IEEE L.Quantum. Electron., 1981, vol. 17, N2, p. 273-274.

64. Low H.D., Chin R., N a k a n о К., M i 1 a n о R. IEEE J. Quantum. Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 175-183.

65. Cook L.W., T a s h i m a M.M. J. Crystal Growth, 1982, vol. 56, N 2, p. 475-481.

66. Groves S.H., P 1 о n k о M.S. -Inst. Phys. Conf., 1979, N 45, p. 71-77.

67. Kuphal E.,P о cker AJ.-J. Crystal. Growth, 1982, vol. 64, p. 133-139.

68. Вельский A.A., Гореленок A.T., Дзигасов А.Г. Получение не легированных слоев InP жидкостной эпитксией. В кн.: Полупроводниковые гетероструктуры и фотопреобразователи солнечной энергии. Ереван, 1982, с. 6-9.

69. Г а ц о е в К.А., Гореленок А.Т., Карпенко C.JI. Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной краевой люминесценции InP. ФТП, 1983, т. 17, N 12, с. 2148-2151.

70. Б а г р а е в Н.Т., Власенко Л.С., Г а ц о е в К.А., Гореленок А.Т. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs. ФТП, 1984, т. 18, N 1, с. 83-84.

71. Алферов Ж.И., Гореленок А.Т., К а м е н и н А.В. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией. ФТП, 1984, т. 18, N 7,с. 1230-1232.

72. Factor М.М, Н a i g h J. Пат. 4339302 (США). - Опубл. 13.07.82.

73. Eastman L.F. In: Proceed. Of The 1980 NATO sponsored InP. Workshop. 1980. 117 p.

74. W a d a O., N a j e r f e 1 d A., R о b s о n P.N. J.Eletroch. Soc., 1980, vol. 127, N 12, p. 2278-2283.

75. Coleman J.J., Nash P.R. Electron. Lett., 1978, vol. N 17, p. 588-589.

76. Гореленок A.T., Груздов В.Г., Тарасов И.С. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (к » 1,55 мкм). ЖТФ, 1984, т. 54, N 10, с.2017-2021.

77. Yeats R., Von Dessohnech К. Appl. Phys. Lett., 1984, vol. 44, N 1, p. 145- 147. '

78. Андреев B.M., Богданович M.C., Гореленок А.Т. Исследование p-i-n-фотодиодов на основе InGaAsP/InP. ЖТФ, 1985, т. 55, N5, с. 532-536.

79. Pearsall Т.Р., Piskorski М., Brochet A., Chevrier. IEEE J. Quantum Electron., 1981, vol. QE-17, N 2, p. 255-259.

80. Law H.D., Nakano K., Tamasetta L.R. IEEE J. Quantum Electron., 1979, vol. QE-15,N 7, p. 549-558.

81. Т о b е М., A m е ш i j о X., S а к a i S,Umeno М. Appl. Phys. Lett., 1980, vol. 37, p. 73.

82. Ахмедов Д., Данильченко В.Г., Жингарев М.З. Гетерофототранзисторы в системе InGaAsP/InP. ФТП, 1982, т. 16, с.372 - 373.

83. Eritzche D.,Kuphal Е., Aulbach R. Electron. Lett., 1983, vol. 43, p. 99.

84. С a m m e 1 J.C., Ohno H., Ballantyne J.M. IEEE Quantum.

85. Electron, 1981, vol. QE-17, N 2, p. 269-279.

86. С h e n C.Y, Pang Y.M, A 1 a v i J. Appl. Phys. Lett, 1984, vol. 44, p. 99.

87. Cappasso F, Logan R.A, T s a n g W.T. Electron. Lett, 1982, vol. 18, N 18, p. 760-761.

88. W i 11 i a m s W„ E 1 d e r W, J. Electrochem. Soc, 1973, v. 120, N 12, p. 1741-1749.

89. С о 1 e m e n J.J, Nash P.R. J. Electron. Lett, 1978, v. 14, N 17, p. 558559.

90. P e r s a 11 T.P, Miller B.F. Appl. Phys. Lett, 1976, v. 28, N 9, p. 499.

91. Feng M, T о с h i m a M.M. Appl. Phys. Lett, 1979, v. 34, N 1, p. 91-93.

92. Годлинник T.B, Гореленок A.T, Конников С.Г. Особенности выращивания твердых растворов InGaAsP. Всесоюзное научно-техническое совещание «Дальнейшее развитие оптоэлектроники», М, 1977.

93. Low H.D, Tom a s е tt a L.R. Appl. Phys.Lett, 1976, v. 33, N 1 l,p. 920.

94. Долгинов Jl.M, Ибрагимов К, Высокоэффективная электролюминисценция в InGaAsP. ФТП, 1975, т. 9, N 7, с. 1319-1323.

95. Casey H.G, В и с h 1 е г Е. Appl. Phys. Lett, 1977, v. 30, N 5, p. 247-249.

96. Колесник Л.И., Ловинский A.M., Рогулин В.Ю. Фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев InGaAsP. ФТП, 1979, т. 13, N6, с. 1151-1155.

97. Nagai H.,Noquehi V. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 3, p. 1544-1545.

98. Двигасов А.Г. Исследование фото- и электролюминисцентных свойств гетероструктур InGaAsP/InP для спонтанных излучателей. Кандидатская диссертация., 1981.

99. Д е х н о А.Н., Емельяненков О.В. Особенности переноса электронов в компенсированных кристаллах n-InP, ФТП, 1979, т. 13, N9, с. 1788-1799.

100. Зи С. «Физика полупроводниковых приборов» т. 2, М., «Мир», 1984.

101. Y е t s R., D е s s h n e с h К. Appl. Phys.Lett. 1984, v. 44, N 1,p. 145- 147.

102. Yets R., D e s s h n e с h K. AppL. Phys. Lett. 1981, v. QE-17, N 2, pp.217-220.

103. Бергман Я.В., Корольков В.И., Ларионов B.P.,

104. Никитин В.Г. Фотодиоды на основе гетеропереходов GaAs-AlxGa,.xAs, ФТП, 1976, т. 10, N 10, с. 1933-1938.

105. Андреев В.М., Богданович М.С., Гореленок А.Т.

106. Исследование p-i-n-фотодиодов на основе InGaAsP/InP , ЖТФ, 1985, т.55, N 5, с. 532-536.

107. L i К., R е z е k Е., L a w H.D. Electron. L ett., 1984, v. 20, N 5, р.196-198.

108. А 1 f е г о v J.I., Garbuzov D.J., Gorelenok А.Т., Sol.St.Phys.,M.,Mir, 1984, р.201-235.

109. Карпов В.Н., Савельев И.Г. О влиянии дислокаций на величину обратного тока р-п-переходов в твердых растворах GaAlAs, ФТП, 1983, т.17, N 7, с. 1205-1210.

110. Kuznezov V.V., M о s к v i n P.P., S о г о к i n V.S.-J.Cryst.Grow., 1984, v. 66, p. 562-575.

111. Cook L.W., T a s h i m a M.M. J. Cryst.Grow.,1982, v. 56, N 2, p.475-481.

112. Groves S.H, P 1 о n к о M.S., Inst. Phys. Conf., 1979, N 45, p.71-77.

113. Kuphal E.,Pocker A.J. J. Cryst.Grow., 1982, v. 64, p. 133-139.

114. Гореленок A.T., Дзигасов А.Г., Москвин П.П. Зависимость ширины запрещенной зоны от состава TP InGaAsP. ФТП, 1981, т. 15, N 12, с. 2410-2414.

115. Бондарь С.А., Галченков Д.В., Гореленок А.Т., Науменко Н.В., Фетисова В.И. Исследование легирования магнием эпитаксиальных слоев InGaAsP Электронная техника, сер. «Материалы», 1988, вып. 8, с. 6-8.

116. KugavaT., Motogushi G.- Jap. J. Appl.Phys., 1981, v. 20, N 11, p. 2105-2110.

117. Науменко H.B., Фурманов Г.П. и др. Научно-технический отчет по НИР «Айсберг», 1987, г.Калуга.

118. Берт И.А., Конников С.Г., Уманский В.Е. определение несоответствия параметров элементарной ячейки в полупроводниковых гетероструктурах. ФТП, 1980, 14, N 10 с. 18991903.

119. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводниковых материалов.М., Радио и связь, 1985, 264 с.

120. Фомин И.А., А н е н к о Н.М., Барков В.Б. Измерение времени жизни носителей тока в эпитаксиальных слоях. -Электронная техника, сер. «Материалы», 1979, в. 1, с. 107-108.

121. М и л н с А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.,М., Мир, 1977, с. 562.

122. Барков В.Б., Лебедева Л.В., Фомин И.А. Установка для исследования параметров глубоких центров в полупроводниках. Приборы и техника эксперимента, 1982, N 6, с. 178-181.

123. Р е 11 о i е J.L., G i n ill о t G. J. Appl. Phys., 1986, v. 59, N 5, p. 15361543.

124. Науменко H.B., Фур манов Г.П. Материал для фотоприемных устройств систем волоконно- оптических линий связи./В кн. «Перспективные материалы оптоэлектроники» , Изд.ЭПП МЗМП РФ, 1999г с. 52-66.

125. Фетисова В.И., Галченков Д.В., Бондарь С.А., Гореленок А.Т., Науменко Н.В. Эффективные гетероструктуры на основе твердых растворов InGaAsP для излучателей ВОЛС, Электронная техника, сер. «Материалы», N 8,с. 51-53.

126. Науменко Н.В. и др. Способ подготовки растворов расплавов для ЖФЭ твердых растворов А3 В5, А.с. № 1732705, 1989г

127. Науменко Н.В., Фур манов Г.П Материал для элементной базы систем волоконно оптических линий связи / В кн. «Прикладная оптоэлектроника» , Изд.ЭПП МЗМП РФ, 2000г с. 31 -103.1. POCCSf.tf'.V1467-У