автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Разработка и исследование технологии получения эпитаксиальных гетероструктур арсенида галлия-алюминия для преобразователя-генератора импульсов света

Введение

Глава 1. Оптоэлектронные преобразователи

1.1. Приборы на основе элементарных полупроводников и соединений А В

1.2. Приборы на основе гетероструктур AlGaAs полученных жидкофазной эпитаксией

1.3. Приборы на основе гетероструктур InGaAsP

1.4. Приборы на основе гетероструктур AlGaAs полученных молекулярно-лучевой эпитаксией

Глава 2. Конструкция и основные физические принципы работы гетероструктуры

Глава 3. Технология получения гетероструктуры

3.1. Технологическое оборудование и исходные материалы

3.2. Влияние условий кристаллизации

3.2.1. Фазовые равновесия

3.2.2. Гидродинамические условия

3.2.3. Диффузия в жидкой фазе

3.3. Температурно-временной режим и исходное количество компонентов для эпитаксиального процесса

Глава 4. Исследование электрооптических параметров гетероструктуры

Выводы

Интерес к бистабильным электронным и оптическим элементам сформировался в период появления первых цифровых схем и поддерживается на высоком уровне вплоть до настоящего времени, что обусловлено целым рядом известных причин.

Оптоэлектроника позволила увеличить скорость регистрации и обработки видеоинформации и предоставив такие средства, как пространственное преобразование Фурье и корреляционная обработка, сделала возможным скоростную параллельную обработку полного образа объекта.

Новые уникальные возможности при разработке приборов для оптических систем обработки и хранения информации открывают полупроводниковые гетероструктуры позволяющие преобразовывать длину волны излучения и усиливать входную оптическую мощность. На основе таких гетероструктур стало возможным создавать такие приборы для оптоэлектроники, как:

- твердотельные антистоксовы преобразователи длины волны излучения;

- твердотельные усилители оптической мощности;

- устройства для запоминания и хранения оптической информации;

- различные интегральные устройства для обработки оптической информации.

Целью настоящей работы являлись разработка технологии создания многослойных теристорных гетероструктур на основе твердых растворов AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии для однокристального преобразователя-усилителя света путем применения комплексных исследований условий кристаллизации.

Научная новизна работы:

1. Впервые предложены многослойные тиристорные гетероструктуры с положительной оптической обратной связью на основе твердых растворов AlGaAs для однокристального преобразователя-генератора импульсов света.

2. Показана возможность обеспечения независимости морфологии поверхности границы эмитер-база от морфологии поферхности границы подложка-буферный слой гетероструктуры за счет недонасыщения первого раствора-расплава и дополнительного введения алюминия в раствор-расплав при формировании базовой области.

3. Обоснованы условия характера течения (ламинарный, турбулентный, конвективный) раствора-расплава в ростовом канале и определены закономерности изменения скорости течения жидкости в процессе кристаллизации.

4. Установлены закономерности изменения профиля пересыщения в ростовом канале с использованием коэффициентов диффузии кристаллообразующих и легирующих компонентов переохлажденных растворов-расплавов.

5. Разработаны и исследованы оригинальные графитовые устройства, оборудование для жидкофазной эпитаксии многослойных гетероструктур AlGaAs и технология, обеспечивающие прецизионное управление составом, толщиной, уровнем легирования и качеством эпитаксиальных слоев и структур в целом.

Практическая значимость диссертации заключается в разработке и освоении новых типов оригинальных гетероструктур на основе твердых растворов арсенида галлия-алюминия для оптоэлектронных преобразователей.

Разработаны технологические режимы получения гетероструктур методом ЖФЭ в системе твердых растворов AlGaAs в устройствах прокачного типа на подложках GaAs.

Реализован способ получения полупроводниковой гетероструктуры для импульсного излучателя света (А.с. СССР №1897123 от 29.12.90г.)

На основании полученных гетероструктур созданы первые в РФ макеты однокристальных преобразователей-усилителей света и преобразователей-генераторов импульсов тока и света.

Положения, выносимые на защиту:

1. Гетероструктуры на основе твердых растворов AlGaAs с положительной оптической обратной связью для создания однокристального ГТГИС впервые созданы методом жидкофазной эпитаксии при использовании многослойных композиций с различным соотношением ширины запрещенной зоны.

2. Управляемое изменение характера течения раствора-расплава в каналах при прокачке и величины пересыщения в ростовом канале в процессе эпигаксиального роста на разных его стадиях обеспечивает получение заданного концентрационного профиля распределения примеси, достаточно резких р-n переходов и зеркально-гладких поверхностей раздела в многослойной гетероструктуре.

3. Применение кассет с профильными каналами в ростовой зоне и синхронизацией подачи раствора-расплава в каналы позволяет методом жидкофазной эпитаксии формировать гетероструктуры с положительной оптической обратной связью для создания однокристальных ПГИС, работающих в режиме оптического ключа.

Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: У Всесоюзная конференция по Физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах (г.Калуга, 1990 г.); XIV Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике (г. Санкт-Петербург, 1991 г.); XIX координационное совещание секции «Полупроводниковые гетероструктуры» АН РФ (г.Таруса, 1992 г.); 18 конференция Молодых ученых и специалистов ПО «Гранат» (г.Калуга, 1991 г.).

Результаты исследований опубликованы в 9 научных работах, в том числе имеется одно авторское свидетельство на изобретение и отражены в трех научно-технических отчетах.

Выводы.

1. Установлено, что целенаправленное изменение характера течения (ламинарный, турбулентный или конвективный) раствора-расплава в ростовом канале и величины пересыщения в процессе жидкофазной эпитаксии твердых растворов AlGaAs позволяет формировать многослойные гетероструктуры с положительной оптической обратной связью, обладающие высокими параметрами (квантовый выход излучения 7%, минимальный удерживающий ток не более ЮОмкА и др.).

2. Показано, что наибольший коэффициент усиления оптической мощности достигается в гетероструктурах с положительной оптической обратной связью, работающих в режиме оптического переключателя. При этом, величину мощности выходного излучения гетероструктуры во включенном состоянии можно регулировать величиной нагрузочного сопротивления в цепи питания, и получать 5 коэффициент усиления вплоть до 10 .

3. Разработаны оптимизированные технологические режимы получения гетероструктур для преобразователей-генераторов импульсов света методом жидкофазной эпитаксии в системе твердых растворов AlGaAs в устройствах прокачного типа на подложках GaAs ориентации (100).

4. Впервые получены ПГИС-приборы, обеспечивающие эффективное преобразование (более 7%) ИК-излучения в излучение красного цвета свечения с одновременным усилением оптической мощности. После переключения в низкоомное состояние приборы остаются в этом состоянии неограниченное время без воздействия входного ИК-излучения за счет положительной оптической обратной связи, что позволяет им выполнять функции устройств оптической памяти.

5. Разработан действующий макет модуля матричного

110 информационного экрана из дискретных элементов. При применении специального режима электропитания модуля экрана наблюдается монотонная зависимость мощности выходного излучения от мощности входного ИК-излучения, что позволяет получить контрастное (на уровне 100) изображение источника ИК-излучения.

6. Показано, что разработанная технология (температурно-временной режим, режим и способ подачи растворов-расплавов и т.д.) обеспечивает высокий выход годной продукции (75%) при производстве приборов на основе данных гетероструктур и перспективность применения разработанных гетероструктур для создания преобразователей ИК-изображения в виде экранов из дискретных элементов или монолитных матриц, и устройств оптической памяти.

1. D.Meyerhofer, A.S.Keizer and H.Nelson: "A Light-Activated Semiconductor Switch", J. Appl. Phys., vol.38, No.l, pp.111-123, 1967.

2. P.W.Kruse, F.C.Pribble and R.G.Shulze: "Solid-State Infrared-Wavelength Converter Employihg High-Quantum-Efficiency Ge-GaAs Heterojunction", J. Appl. Phys., vol.38, No.4, pp.1718-1720, 1967.

3. R.J.Phelan, Jr.: "InSb-GaAsP Infrared to Visible Light Con-verter", Proc. IEEE, vol.55, pp.1501-1502, 1967.

4. C.P.Lee, A.Gover, S.Margalit, I.Samid and A.Yariv: "Barrier-controlled low-threshold pnpn GaAs heterostructure laser", Appl. Phys. Lett., vol.30, No.10, pp.535-538, 1977.

5. J.Katz, N.Bar-Chaim, P.C.Chen, S.Margalit, I.Ury, D.Wilt, M.Yust and A.Yariv: "A monolithic integration of GaAs/GaAlAs bipolar transistor and heterostructure laser", Appl. Phys. Lett., vol.37, No.2, pp.211-213, 1980.

6. N.Bar-Chaim, Ch.Harder, J.Katz, S.Margalit, A.Yariv and I.Ury: "Monolithic integration of GaAlAs buried-heterostructure laser and a bipolar phototransistor", Appl. Phys. Lett., vol.40, No.7, pp.556-557, 1982.

7. I.Ury, K.Y.Lau, N.Bar-Chaim and A.Yariv: "Very high frequency GaAlAs laser field-effect transistor monolithic integrated circuit", Appl. Phys. Lett., vol.41, No.2, pp. 126-128, 1982.

8. W.Eisfeld, U.Werling and W.Prettl: "Infrared to visible up-conversion using GaP light-emitting diodes", Appl. Phys. Lett., vol.42, No.3, pp.276-278, 1983.

9. Y.Arai, M.Sakuta and K.Sakai: "GaAs Light Emitting Device with Light-Activated Negative Resistance", Japan. J. Appl. Phys., vol.9, pp.853-854, 1970.

10. Ж.И.Алферов, В.М.Андреев, В.И.Корольков, В.Г.Никитин и А.А.Яковенко: "р-п-р-п-Структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGai.xAs", ФТП, том 4, вып.З, сс.578-581, 1970.

11. Ж.И.Алферов, В.И.Корольков, В.Г.Никитин, Д.Н.Третьяков: "Твердотельный преобразователь инфракрасного излучения", ФТП, том 5, вып.8, сс.1503+1507, 1971.

12. Ж.И.Алферов, В.М.Андреев, В.И.Корольков, В.Г.Никитин, Е.Л.Портной и А.А.Яковенко: "Рекомбинационное излучение в четырехслойных структурах на основе гетеропереходов GaAs-AlAs", ФТП, том 6, вып.4, сс.739+741, 1972.

13. Ж.И.Алферов, В.И.Корольков, В.Г.Никитин и А.А.Яковенко: "р-п-р-п-Структуры на основе гетеропереходов GaAs-AlxGal-xAs", ФТП, том 6, вып.7, сс.1300+1305, 1972.

14. Ж.И.Алферов, В.И.Корольков, В.Г.Никитин, В.Б.Смирнов, А.А.Яковенко: "Исследования переходных процессов в электролюминесцентных р-п-р-п-структурах", ФТП, том 7, сс.914+918, 1973.

15. Ж.И.Алферов, Ф.А.Ахмедов, В.И.Корольков, А.А.Яковенко: "Электролюминесцентные фототиристоры на основе гетеропереходов в системе GaAs-AlAs", ФТП, том 8, вып.9, сс.174К1747, 1974.

16. Б.И.Григорьев, В.И.Корольков, А.В.Рожков, В.С.Юферев: "Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе гетероструктуры", ФТП, том 19, вып.5, сс.878+884, 1985.

17. Б.И.Григорьев, Ю.Н.Задиранов, В.И.Корольков, А.В.Рожков: "Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных транзисторах на основе гетероструктуры", ФТП, том 20, вып.4, сс.677+682, 1986.

18. Б.И.Григорьев, Ю.Н.Задиранов, В.И.Корольков, А.В.Рожков: "Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо легированных р- и n-областях фотонно-инжекционных транзисторов и тиристоров", ФТП, том 20, вып. 10, сс. 1897+1900, 1986.

19. J.C.Campbell, G.J.Qua, J.A.Copeland and A.G.Dentai: "Light-activated electroluminescent switch with an active feedback circuit", J. Appl. Phys., vol.53, No.7, pp.5182+5185, 1982.

20. J.C.Campbell and A.G.Dentai: "InP/InGaAs heterojunction phototransistor with integrated light emitting diode", Appl. Phys. Lett., vol.41, No.2, pp.192+193, 1982.

21. H.Beneking, G.Schul, P.Mischel, A.Gattung: "GaAs-GaAlAs anti-Stokes light converter", Electron. Lett., vol.10, p.346, 1974.

22. H.Beneking, N.Grote, W.Roth and M.N.Suilans: "GaAs-GaAlAs phototransistor/laser light amplifier", Electron. Lett., vol.16, No. 15, pp.602+603, 1980.

23. M.N.Suilans, N.Grote and H.Beneking: "Sensitive GaAlAs/GaAs Wide-Gap Emitter Phototransistors for High Current Application", IEEE Electron Device Lett., vol.EDL-1, No.12, pp.247+249, 1980.

24. H.Beneking, N.Grote and M.N.Suilans: "Monolithic integration of wide gap GaAlAs/GaAs phototransistors and LEDs as amplifying wavelength converters and photothyristors", Proc. 1980 Int. Electron Device Meeting, p.842.

25. H.Beneking: "Full Solid State Image Converter Based on Integration of Phototransistors and LEDs", IEEE Electron Device Lett., vol.EDL-2, No.4, pp.99+100, 1981.

26. H.Beneking, N.Grote and M.N.Suilans: "Monolithic GaAlAs/GaAs Infrared-to-Visible Wavelength Converter with Optical Power Amplification", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-28, No.4, pp.404+407, 1981.

27. A.Sasaki and K.Qe: Patent Application, #55-107280, Fab. 1979.

28. A.Sasaki and M.Kuzuhara, "InGaAsP-InP Heterojunction Photo-transistors and Light Amplifiers", Japan. J. Appl. Phys., vol.20, No.4, pp.L283+L286, 1981.

29. A.Sasaki, K.Matsuda, Y.Kimura and S.Fujita: "High-Current InGaAsP-InP Phototransistors and Some Monolithic Optical Devices", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-29, No.9, pp. 1382+1388, 1982.

30. A.Sasaki, K.Matsuda, Y.Kimura and S.Fujita: "Monolithic in-tegrated device for light amplification", in Proc. 14th Int. Conf. Solid State Devices (Tokio) 1982, Japan. J. Appl. Phys., vol.22, Suppl.22-1, pp.279+282, 1983.

31. T.Mitsuyu, S.Fujita and A.Sasaki: "InGaAsP/InP Wavelength-Selective Heterojunction Phototransistors", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-31, No.6, pp.812+817, 1984.

32. A.Sasaki, M.Taneya, H.Yano and S.Fujita: "Optoelectronic In-tegrated Device with Light Amplification and Optical Bistability", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-31, No.6, pp.805+811, 1984.

33. A.Sasaki, H.Yano, S.Fujita and Y.Takeda: "Integrated Optical Devices of InGaAsP/InP Heterojunction Phototransistor and Inner Stripe Light-Emiting Diode", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-32, No. 12, pp.2656+2661, 1985.

34. A.Sasaki: "Transducers from light to light", in Dig. Tech. Papers 4th Int. Conf. Solid-State Sensors and Actuators (Tokio, June Зц5, 1987), pp.3+10.

35. A.Sasaki, S.Metavicul, M.Itoh and Y.Takeda: "Light-to-Light Transducers with Amplification", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-35, No.6, pp.780+786, 1988.

36. K.Matsuda, K.Takimoto, J.Shibata and T.Kajiwara: "1 kbit InGaAsP/InP optoelectronic memory witn a function of optical parallel processing", in Tech. Dig. IOOC89 (Kobe, 1989), paper 20C3-2.

37. K.Matsuda, K.Takimoto, D.-H.Lee and J.Shibata: "Integration of 1024 InGaAsP/InP Optoelectronic Bistable Switches", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-37, No.7, pp. 1630+1634, 1990.

38. K.Matsuda, H.Adachi, T.Chino and J.Shibata: "Integration of InGaAsP/InP Optoelectronic Bistable Switches with a Function of Optical Erasing", IEEE Electron Device Lett., vol.EDL-11, No.10, pp.442+444, 1990.

39. K.Matsuda, H.Adachi, T.Chino and J.Shibata: "256 bit parallel XOR gate operating with optical input and output", in Tech.Dig.IEDM"90 (San Fransisco, 1990), paper 28.5.

40. K.Matsuda: "Two-Dimensional Arrays of Optoelectronic Functional Devices", Optronics, No.6, pp.79+84, 1991.

41. H.Grothe and W.Proebster: "Monolithic Integration of InGaAsP/InP LED and Transistor a Light-Coupled Bistable Electro-Optical Device", Electron. Lett., vol.19, No.6, pp.194+196,1983.

42. P.K.Rees and J.A.Barnard: "Turn-On Response of the Triangular Barrier Switch", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-32, No.9, pp.1741+1744, 1985.

43. P.K.Rees, D.G.Parker and J.A.Barnard: "Optical Switching of a GaAs Triangular Barrier Switch Grown by MBE", Electron. Lett., vol.22, No.5, pp.265-266, 1986.

44. G.W.Taylor and J.G.Simmons: "The Bipolar Inversion Channel Field-Effect Transistor (BICFET) a New Field-Effect Solid-State Device: Theory and Structures", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-32, pp.2345-2367, 1985.

45. G.W.Taylor, J.G.Simmons, A.Y.Cho and R.S.Mand: "A new double heterostructure optoelectronic switching device using molecular beam epitaxy", J. Appl. Phys., vol.59, No.2, pp.596-600, 1986.

46. G.W.Taylor, R.S.Mand, A.Y.Cho and J.G.Simmons: "Experimental realization of an n-channel double heterostructure optoelectronic switch", Appl. Phys. Lett., vol.48, No.20, pp. 1368-1370, 1986.

47. G.W.Taylor, R.S.Mand, J.G.Simmons and A.Y.Cho: "Optically induced switching in a p-channel double heterostructure optoelectronic switch", Appl. Phys. Lett., vol.49, No.21, pp.l406-1408, 1986.

48. R.S.Mand, Y.Ashizawa and M.Nakamura: "New Double Heterostructure Optoelectronic Triangular Barrier Switch (OETBS)", Electron. Lett., vol.22, No. 18, pp.952-953, 1986.

49. G.W.Taylor, R.S.Mand, J.G.Simmons and A.Y.Cho: "Ledistor a three-terminal double heterostructure optoelectronic switch", Appl. Phys. Lett., vol.50, No.6, pp.338-340, 1987.

50. G.W.Taylor, J.G.Simmons, R.S.Mand and A.Y.Cho: "Electrical switching speed of double heterostructure optoelectronic switch", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-34, No.5, pp.961-964, 1987.

51. J.G.Simmons and G.W.Taylor: "Theory of electronic coduction in the double-heterostructure optoelectronic switch (DOES)", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-34, No.5, pp.973-984, 1987.

52. D.L.Crawford, G.W.Taylor and J.G.Simmons: "Optoelectronic transient response of an n-channel double heterostructure optoelectronic switch", Appl. Phys. Lett., vol.52, No. 11, pp.863-865, 1988.

53. G.W.Taylor, P.M.Downey and J.G.Simmons: "Electrical switching in the three terminal double heterostructure opto-electronic switching device active layer contact", Solid-State Electronics, vol.31, No. 12, pp.1695-1701, 1988.

54. J.G.Simmons and G.W.Taylor: "Theoretical Stadies of Electronic Coduction and Optical Generation Mechanisms in the Double-Heterostructure Optoelectronic Switch (DOES)", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-35, No.8, pp. 1269-1278, 1988.

55. D.L.Crawford, G.W.Taylor, P.Cooke, T.Y.Chang, B.Tell and J.G.Simmons, Appl. Phys. Lett., vol.53, p. 1797, 1988.

56. G.W.Taylor, D.L.Crawford, P.A.Kiely, S.K.Sargood, P.Cooke, A.Izabelle, T.Y.Chang, B.Tell, M.S.Lebby, K.Brown-Goebeler and J.G.Simmons, Proceedings of the 1988 Device Research Conference (Boulder, Colorado), paper IV B-l.

57. J.G.Simmons and G.W.Taylor, IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-35, p.1269, 1988.

58. G.W.Taylor, D.L.Crawford and J.G.Simmons: "Optoelectronic dynamic random access memory cell utilizing a three-terminal N-channel self-aligned double-heterostructure optoelectronic switch", Appl. Phys. Lett., vol.54, No.6, pp.543-545, 1989.

59. Y.Tashiro, K.Kasahara, N.Hamao, M.Sugimoto and T.Yanase: "High Speed Response in Optoelectronic Gated Thyristor", Japan. J. Appl. Phys., vol.26, No.6, pp.L1014-L1016, 1987.

60. K.Kasahara, Y.Tashiro, N.Hamao, M.Sugimoto and T.Yanase, Appl. Phys. Lett., vol.52, p.679, 1988.

61. K.Hara, K.Kojima, K.Mitsunaga and K.Kyuma, Electron. Lett. 25, 433 (1989).

62. K.Hara, K.Kojima, K.Mitsunaga and K.Kyuma, IEEE Photonics Technol.Lett. 1, 370 (1989).

63. K.Hara, K.Kojima, K.Mitsunaga and K.Kyuma, Opt. Lett. 15, 749 (1990).

64. K.Hara, K.Kojima, K.Mitsunaga and K.Kyuma: "AlGaAs/GaAs pnpn differetial optical switch operable with 400 fJ optical input energy", Appl. Phys. Lett., vol.57, No.l 1, pp.1075+1077, 1990.

65. C.Y.Chang, Y.H.Wang, W.C.Liu and S.A.Liao: "Temperature-Dependent Characteristics of MBE-Grown GaAs p+-n-p+-n-n+ Regenerative Switching Device", Electron. Lett., vol.21, No.l, pp.24+25, 1985.

66. Y.H.Wang, K.F.Yarn and C.Y.Chang: "A Tristate Switch Using Triangular Barriers", Japan. J. Appl. Phys., vol.29, No.2, pp.L243+L246, 1990.

67. W.C.Liu: "Three-Terminal Voltage-Controlled GaAs Quantum Well Switching Device", Solid-State Electronics, vol.34, No.2, pp.163+166, 1991.

68. M.Kuijk, P.Heremans and G.Borghs: "Highly sensitive NpnP optoelectronic switch by AlAs regrowth", Appl. Phys. Lett., vol.59, No.5, pp.497+498, 1991.

69. Научно-технический отчет по ПНИР "Акула", г.Калуга, 1991.

70. А.А.Образцов, С.С.Стрельченко: "Тиристорный преобразователь излучения с положительной оптической обратной связью", Тезисы докладов 18 Конференции Молодых Ученых и Специалистов ПО "ГРАНАТ", (Калуга, июнь, 1991) сс.10+11.

71. Д.В.Галченков, А.А.Образцов, К.А.Титивкин: "Физические процессы в тиристорном переизлучающем генераторе-преобразователе света", XIV Международная конференция по когерентной и нелинейной оптике, Россия, Санкт-Петербург, 24+27 сентября 1991г., PThI26.

72. В.В.Лебедев, Д.В.Галченков, А.А.Образцов и С.С.Стрельченко: "Тиристорные гетероструктуры для эффективных преобразователей ИК-излучения в видимое", XIX координационное совещание секции

73. Полупроводниковые гетероструктуры", АН СССР, Таруса, 11+14 ноября, 1992г.

74. W.Shockley: "The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors", Bell System Technical Journal, 28, pp.435+489, 1949.

75. H.Kroemer: "Theory of a Wide-Gap Emitter for Transistors", Proceedings of the IRE, vol.45, pp. 1535+1537, 1957.

76. H.Kroemer: "Heterostructure Bipolar Transistors and Integrated Circuits", Proc. IEEE, vol.70, No.l, pp.13+25, 1982.

77. W.P.Dumke, J.M.Woodall and V.L.Rideout: "GaAs-GaAlAs heterojunction transistor for high frequency operation", Solid-State Electronics, vol.15, pp.1339+1343, 1972.

78. T.Moriizumi and K.Takahachi: "Theoretical Analysis of Heterojunction Phototransistors", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-19, No.2, pp. 152+159, 1972.

79. Ж.И.Алферов, Ф.А.Ахмедов, В.И.Корольков, В.Г.Никитин: "Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе GaAs-AlAs", ФТП, том 7, вып.6,сс.1159+1163, 1973.

80. M.Konagai, K.Katsukawa and K.Takahashi: "(GaAl)As/GaAs heterojunction phototransistors with high current gain", J. Appl. Phys., vol.48, No.10, pp.4389+4394, 1977.

81. C.J.Sandroff, R.N.Nottenburg, J.-C.Bischoff and R.Bhat: "Dramatic enhancement in the gain of a GaAs/AlGaAs heterostructure bipolar transistor by surface chemical passivation", Appl. Phys. Lett., vol.51, No.l, pp.33+35, 1987.

82. J.Varon, M.Mahieu, P.Vandenberg, M.-C.Boissy and J.Lebailly: "High Brightness GaAlAs Heterojunction Red LED's", IEEE Trans. Electron Devices, vol.ED-28, No.4, pp.416+420, 1981.

83. H.Ishiguro, K.Sawa, S.Nagao, H.Yamanaka and S.Koike: "High efficient GaAlAs light-emitting diodes of 660 nm with a double heterostructure on a GaAlAs substrate", Appl. Phys. Lett., vol.43, No.l 1, pp.l034+1036, 1983.

84. W.Gerlach: "Light-activated power thyristors", Inst. Phys. Conf. Ser. No.32, pp.111+133, 1977.

85. В.Герлах: "Тиристоры", Москва, "Энергоатомиздат", 1985.

86. П.Тейлор: "Расчет и проектирование тиристоров", Москва, "Энергоатомиздат", 1990.

87. С.Зи: "Физика полупроводниковых приборов", Москва, "МИР", Т. 1+2, 1984.

88. Х.Кейси, М.Паниш: "Лазеры на гетероструктурах", Москва, "МИР", Т. 1+2, 1981.

89. В.Б.Уфимцев, Р.Х.Акчурин: "Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии", Москва, "Металлургия", 1983.

90. Ю.Б.Болховитянов: "Кинетика роста полупроводниковых пленок из раствора-расплава", в кн. "Полупроводниковые пленки для микроэлектроники" под ред.Л.Н.Александрова и В.И.Петросяна, Новосибирск, "Наука", 1977.

91. Ю.Б.Болховитянов, В.И.Юдаев: "Начальные стадии формирования новой фазы при жидкофазной гетероэпитаксии соединений А3В5", Новоситбирск, СО АН СССР, 1986.

92. Ю.Б.Болховитянов: "Переходные слои в гетероструктурах, выращиваемых методом жидкофазной эпитаксии: AlGaAs/GaAs и InGaAsP/GaAs", Новосибирск, СО АН СССР, 1989.

93. M.B.Panish: "A Thermodynamic Evaluation of the Simple Solution Treatment of the Ga-P, In-P and Ga-As Systems", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp.6+20, 1974.

94. В.А.Елюхин, С.Ю.Карпов, E.Л.Портной, Д.Н.Третьяков: "Особенности выращивания волноводных гетероструктур AlxGai.xAs с плавным изменением состава", Письма в ЖТФ, т.4, вып.11, с.629+633, 1978г.

95. I.Teramoto,M.Kazumura and H.Yamanaka: "Variation of Liquid and Solid Compositions During LPE Growth From a Ternary Component Solution.", Japan. J. Appl. Phys., vol. 18, No. 8, pp. 1509+1516, 1979.

96. H.T.Minden, R.Premo and C.V.Collins: "The Effect of Germanium on the Distribution Coefficient of Aluminium in the System Solid AlxGa].xAs Liquid Ga-Al-As-Ge", J. Crystal Growth, vol.27, No. 1, pp.316-319, 1974.

97. M.B.Panish: "Phase equilibria in the system Al-Ga-As-Sn and electrical properties of Sn-doped liquid phase epitaxial AlxGai.xAs", J. Appl. Phys., vol.44, No.6, pp.2667-2675, 1973.

98. M.B.Small and I.Crossley: "The Physical Processes Occurring During Liquid Phase Epitaxial Growth", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp.35-48, 1974.

99. J.J.Hsieh: "Thickness and Surface Morphology of GaAs LPE layers Grown by Supercooling, Step-Cooling, Equilibrium-Cooling, and Two-Phase Solution Techniques", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp.49-61, 1974.

100. R.L.Moon: "The Influence of Growth Solution Thickness on the LPE Layer Thickness and Constitutional Supercooling Requirement for Diffusion-Limited Growth", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp.62-69, 1974.

101. R.L.Moon and J.Kinoshita: "Comparison of Theory and Experiment for LPE Layer Thickness of GaAs and GaAs Alloys", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp. 149-154, 1974.

102. С.С.Горелик, С.Я.Дашевский: "Материаловедение полупроводников и диэлектриков", Москва, "Металлургия", 1988.

103. V.Swaminathan, J.L.Zilko, W.T.Tsang and W.R.Wagner: "Photoluminescence study of acceptors in AlxGai.xAs", J. Appl. Phys., vol.53, No.7, pp.5163-5168, 1982.

104. А.Н.Несмеянов: "Давление пара химических элемнтов", Москва, АН СССР, 1961.

105. I.Crossley and M.B.Small: "Some Observations of the Surface Morhpologies of GaAs Layers Grown by Liquid Phase Epitaxy", J. Crystal Growth, vol.19, pp. 160-168, 1973.

106. D.L.Rode: "Isothermal Diffusion Thery of LPE: GaAs, GaP, Bubble Garnet", J. Crystal Growth, vol.20, pp. 13-23, 1973.

107. D.Dutartre: "LPE Growth Rate in A^Ga^As System; Theoretical and Experimental Analysis", J. Crystal Growth, vol.64, pp.268-274, 1983.

108. R.I.Schawarz: "Diffusion coefficient of arsenic in gallium-rich melts at 720 °C", Thin Solid Films, vol.66, pp.L3-L5, 1980.

109. А.А.Жуховицкий, Л.А.Шварцман: "Физичекая химия", Москва, "Металлургия", 1987.

110. Г.С.Ершов, В.П.Майборода: "Диффузия в металлургичеких расплавах", Киев, "Наукова думка", 1990.

111. Б.С.Бокштейн: "Диффузия в металлах", Москва, "Металлургия", 1978.

112. Д.К.Белащенко: "Явления переноса в жидких металлах и полупроводниках", Москва, "Атомиздат", 1970.

113. Р.В.Иванова: "Химия и технология галлия", Москва, "Металлургия", 1973.

114. Г.Шлихтинг: "Теория пограничного слоя", Москва, "Наука", 1974.

115. Р.Берд, В.Стьюарт и Е.Лайтфут: "Явления переноса", Москва, "Химия", 1974.

116. A.Doi, T.Asano and M.Migitaka: "Epitaxial growth of GaAs from thin Ga solution", J. Appl. Phys., vol.47, No.4, pp. 1589-1594, 1976.

117. L.R.Dawson: "Near-Equilibrium LPE Growth of GaAs-GaAlAs Double Heterostructures", J. Crystal Growth, vol.27, No.l, pp.86-96, 1974.

118. Горшков В.П., Образцов A.A., Пинчук И.В., Фурманов Г.П. Формирование гетеропереходов в системе AlGaAs/ В кн. «Перспективные материалы оптоэлектроники», изд. ЭПП МЗМПРФ 1999 г., с. 72-88.

119. Образцов А.А., Фурманов Г.П. Гетероструктуры для однокристального преобразователя-усилителя света/ В кн. «Перспективные материалы оптоэлектроники», изд. ЭПП МЗМПРФ 1999 г., с.88-95.

120. Образцов А.А., Фурманов Г.П. Теристорные структуры для СИД красного цвета свечения / В кн. «Перспективные материалы оптоэлектроники», изд. ЭПП МЗМПРФ 1999 г., с.95-100.

121. Образцов А.А., Фурманов Г.П., Еремеев А.В. Оптоэлектронный преобразователь/ В кн. «Прикладная оптоэлекгроника», изд. ЭПП МЗМП РФ, 2000 г., с.7-31.