каталог авторефератов диссертаций по электронике, диссертация на тему Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах Специальность 05.27.01 ВАК РФ

• Излучатели на основе полупроводниковых наногетероструктур с накачкой электронным пучком
  2015 Жданова, Елена Владимировна
  Кроме того, так как возбуждение электронным пучком является объемным, существенно изменяются требования к транспортировке неравновесных носителей в активную зону излучателя. В связи с этим использование электронного пучка позволяет накачать значительно больший, по сравнению с инжекционными источниками (светодиодами и лазерами), объем активной
• Исследование детектирования терагерцового излучения короткопериодными массивами полевых транзисторов на основе наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
  2015 Ермолаев, Денис Михайлович
  Несмотря на это, ТГц технологии недостаточно развиты в особенности в части массовых применений. Для создания достаточно дешевых коммерчески доступных ТГц систем необходимы дальнейшие исследования. Развитие ТГц технологий затруднено, поскольку их рабочие частоты лежат в диапазоне между традиционными радиочастотной и оптической областями
• Исследование и разработка неразрушающих ускоренных методов прогнозирования электромиграционной стойкости металлической разводки интегральных схем
  2015 Сафонов, Сергей Олегович
  Появление новых свойств металлической разводки связано с изменением физических свойств объемных материалов при уменьшении толщины наносимых пленок, кроме того, каждая новая комбинация материалов (дополнительные примеси в металле, наличие адгезионных и барьерных слоев, строение межслойного диэлектрика) приводит к изменению условий на границах
• Исследование и разработка электрически перепрограммируемой энергонезависимой памяти на основе КМОП-технологии
  2015 Ермаков, Игорь Владимирович
  Наиболее распространенным, востребованным и универсальным видом встроенной памяти на сегодняшний день является электрически стираемое программируемое постоянное запоминающее устройство (ЭСППЗУ), которое обладает рядом важных достоинств по сравнению с другими видами памяти. Во-первых, позволяет хранить данные долгое время при отключенном источнике
• Карбидокремниевые размыкатели тока и генераторы субнаносекундных импульсов напряжения на их основе
  2015 Смирнов, Артем Анатольевич
  Таким образом, применение карбида кремния для создания ДДРВ дает возможность улучшить их параметры - коммутируемую мощность, скорость переключения и тактовую частоту повторения формируемых импульсов напряжения, что открывает новые возможности при создании мощной импульсной техники. Очевидно, что разработка карбидокремниевых размыкателей тока
• Мощные биполярные СВЧ транзисторы с полосой рабочих частот, достигающей октавы
  2015 Евстигнеев, Дмитрий Андреевич
  До недавнего времени мощные СВЧ транзисторы относили к принципиально узкополосным усилительным приборам. Даже по прошествии нескольких десятков лет после появления мощных биполярных СВЧ транзисторов лучшие зарубежные разработчики и производители приборов такого класса выпускают транзисторы с полосой рабочих частот в лучшем случае порядка 20 % при
• Разработка и исследование технологии формирования наноструктур с проводящим каналом на основе слоев графена
  2015 Левин, Денис Дмитриевич
  В последнее время интерес к углеродным наноматериалам, а также устройствам на их основе значительно вырос. Исследование свойств графена является в настоящее время одним из наиболее перспективных направлений в области наноматериалов. Это связано в первую очередь с уникальностью свойств материала, что и обеспечивает его перспективность для создания
• Разработка и исследование технологических основ формирования наноструктурированных пленок ZnO методом импульсного лазерного осаждения для чувствительных элементов газовых сенсоров
  2015 Замбург, Евгений Геннадьевич
  В настоящее время для детектирования и анализа опасных и токсичных газов в системах экологического мониторинга, жизнеобеспечения, раннего обнаружения и предотвращения пожара широко используются полупроводниковые газовые сенсоры резистивного типа. За последние 10 лет публикационная активность в представлении результатов исследований по разработке
• Синтез и свойства металлоксидных пленок на основе ZnO, SnO2 и TiO2 для прозрачных полевых транзисторов
  2015 Плотникова, Екатерина Юрьевна
  Современный уровень развития промышленности таков, что в течение одного или двух десятилетий технологический прорыв превращается в коммерчески выгодный продукт. Например, заявленная США в 2003 году технология изготовления прозрачных тонкопленочных транзисторов (transparent thin film transistors, TTFT) в ближайшее время может получить широкое
• Температурные и нелинейные характеристики резонансного магнитоэлектрического эффекта в структурах ферромагнетик-пьезоэлектрик
  2015 Бурдин, Дмитрий Алексеевич
  Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
• Увеличение удельной выходной мощности и коэффициента усиления DpHEMT - транзисторов за счет повышения степени локализации горячих электронов в канале
  2015 Лукашин, Владимир Михайлович
  Считается, что любая оптимизация гетероструктур для серийных рНЕМТ транзисторов не позволяет получать удельную выходную СВЧ мощность заметно больше 1 Вт/мм на частоте 10 ГГц, но в данной работе на практике продемонстрировано существенное увеличение выходной СВЧ мощности транзистора и коэффициента усиления
• Ближнеполевая СВЧ - микроскопия и её использование для определения характеристик элементов твердотельной СВЧ электроники
  2014 Фадеев, Алексей Владимирович
  Процессы, происходящие в полупроводниковых приборах, в том числе активно использующихся в современной твердотельной СВЧ электронике, считаются известными и хорошо изученными. В то же время следует отметить, что массив экспериментальных данных, собранных в процессе исследования физики работы различных полупроводниковых приборов, был получен на
• Высокопрочные шунтирующий и блокирующий диоды солнечных батарей космических аппаратов
  2014 Дидык, Павел Игоревич
  Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский университет «МИЭТ» (г. Москва, Зеленоград
• Границы раздела в гетероструктурных фотоэлектрических преобразователях солнечного излучения
  2014 Гудовских, Александр Сергеевич
  Среди возобновляемых источников энергии фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии в настоящее время признанно самым перспективным, поскольку на ближайшие тысячелетия солнечная энергия является неисчерпаемым, самым мощным и экологически чистым источником энергии. Следует отметить, что с 2000 г. мировой рынок наземных солнечных
• Деградационные процессы в тонкопленочных солнечных элементах
  2014 Зезин, Денис Анатольевич
• Диагностика полупроводниковых изделий на основе параметров низкочастотного шума
  2014 Смирнов, Дмитрий Юрьевич
  Особенно это стало востребованным после выпуска руководящего отраслевого документа „Интегральные схемы. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров" РД 11 0682-89, что позволяет предприятиям-потребителям ППИ применять эти методы на входном контроле, а производителям изделий даже заменять ряд трудоемких технологических отбраковочных
• Исследование и разработка аналого-цифровых КМОП КНИ БМК с расширенными функциональными возможностями
  2014 Фролов, Дмитрий Петрович
• Исследование и разработка методов формирования устройств наноэлектроники с применением технологии наноимпринт литографии
  2014 Зайцев, Алексей Александрович
• Исследование и разработка процесса формирования пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсатора с повышенной емкостью
  2014 Новак, Андрей Викторович
• Исследование латеральной однородности плазмы в реакторах микроэлектроники методами двухракурсной эмиссионной томографии
  2014 Фадеев, Алексей Владимирович
  Ведущая организация: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ

• 1
• 2
• 3
• 4
• 5
• ...
• 40
• Вперед