-
2013
Пригара, Валерия Павловна
-
2013
Жолудев, Максим Сергеевич
-
2013
Наумова, Екатерина Викторовна
-
2013
Веселов, Денис Сергеевич
-
2013
Гавриченко, Александр Константинович
-
2013
Филатов, Дмитрий Олегович
-
2013
Ромашкин, Алексей Валентинович
-
2013
Колесников, Дмитрий Васильевич
-
2013
Юзеева, Наталия Александровна
-
2012
Бородкин, Игорь Иванович
Известно, что уровень надежности полупроводникового изделия закладывается на этапе его разработки и обеспечивается качеством всех критичных технологических процессов при его изготовлении. Однако, каждая технологическая операция, которая реализует определенные функциональные свойства формируемой структуры, в то же самое время может вносить и
-
2012
Шомахов, Замир Валериевич
Из сказанного следует, что электрофизические и эксплуатационные характеристики электронно-оптических преобразователей определяются главным образом физико-химическими свойствами стекол, используемых в МКП (свинцово-силикатные стекла) и для МКП (боратно-бариевые стекла
-
2012
Смирнов, Дмитрий Юрьевич
Особенно это стало востребованным после выпуска руководящего отраслевого документа „Интегральные схемы. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров" РД 11 0682-89, что позволяет предприятиям потребителям ППИ применять эти методы на входном контроле, а производителям изделий даже заменять ряд трудоемких технологических отбраковочных
-
2012
Целыковский, Александр Анатольевич
Рисунок 1 - Тенденции в цифровой электронике. Длина затвора МОПТ в производимых интегральных схемах (закрашенные точки) и согласно планам Международной технологической программы по полупроводникам (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) (незакрашенные точки). Число транзисторов на кристалле показано линией со звёздочками [3
-
2012
Краснов, Александр Александрович
Практическая значимость работы. Основные результаты исследования, а именно: аналитический метод расчета вольт-амперной характеристики и крутизны нано-МОП транзистора со структурой КНИ и длиной канала 500-1000 А, приближенный аналитический метод расчета тока стока и крутизны нано-МОП транзисторов со структурой КНИ с длиной канала 200-400 А
-
2012
Селецкий, Андрей Валерьевич
К СБИС, предназначенным для применения в космических аппаратах, предъявляется ряд специфических требований: малое энергопотребление, малые габаритные размеры, широкий диапазон рабочих температур, высокая радиационная стойкость. Одним из важнейших параметров, определяющих радиационную стойкость КМОП СБИС, является устойчивость работы схемы в
-
2012
Мухин, Игорь Игоревич
Развитие техники АФАР оказалось серьезным стимулом решения проблем СВЧ-микроэлектроники, как основы микроминиатюризации СВЧ-компонентов и обеспечения их массового производства [11, 12]. В состав АФАР может входить до 10 ООО элементов, каждый из которых представляет собой законченное, достаточно сложное устройство. Наряду с этим применение АФАР
-
2012
Тимошенков, Алексей Сергеевич
-
2012
Лобанова, Анна Юрьевна
И~ендениия Статическая мощность памяти ШТенденция. Статическая мощность логической составляющей ^Тенденция Динамическая мощность памяти ^Тенденция. Динамическая мощность логтеской составляющей
-
2012
Гусев, Станислав Валентинович
С развитием микроэлектроники, все большее распространение получают ТККГ с использованием активной части, выполненной на основе ИС. Данный тип ТККГ обладает существенно меньшими размерами и весом, меньшим энергопотреблением и большей надежностью, по сравнению с ТККГ на основе дискретных элементов
-
2012
Горшков, Константин Викторович
Однако существует дополнительное разделение, основанное на различии технологических приемов, методов и материалов, применяемых для создания мемристоров, а также предполагаемых областей их применения. В настоящее время достаточно хорошо развита технология реализации мемристоров на основе неорганических материалов (оксидов металлов). Предполагается
