-
2012
Алексеев, Алексей Алексеевич
-
2012
Свинцов, Дмитрий Александрович
Гидродинамическая модель успешно описывает наблюдаемые вольтам-перные характеристики полевых транзисторов на основе графена без привлечения нефизических параметров и может быть использована для дальнейшей оптимизации конструкций приборов. Особый интерес представляет вопрос о возможности получения высокой надпороговой крутизны характеристики
-
2012
Чигирев, Дмитрий Алексеевич
-
2012
Редькин, Аркадий Николаевич
Значительная часть исследований в области Ш материалов связана с широкозонными полупроводниковыми оксидами, прежде всего с оксидом цинка. Оксид цинка (ширина запрещенной зоны Eg = 3.37 эВ) является перспективным материалом для создания полупроводниковых лазеров и светодиодов в ультрафиолетовой (УФ) области спектра. Большая энергия связи экситона
-
2012
Корпухин, Андрей Сергеевич
Однако, несмотря на имеющиеся данные о конструкции и способах формирования ПКМ, систематические сведения о возможностях направленного регулирования и способах повышения стабильности термодеформационных характеристик, методах их измерения и возможностей применения в особо жестких условиях эксплуатации отсутствуют, что ограничивает сферы приложений
-
2012
Фомин, Лев Александрович
За последние десятилетия возникла и интенсивно развивается спинтроника -новое направление электроники, связанное с изучением спин-поляризованного электронного транспорта [1, 2]. Это направление имеет большое практическое значение. Считывающие головки современных магнитных дисков уже используют гигантский магниторезистивный и туннельный
-
2012
Белкин, Леонид Михайлович
-
2012
Гнатюк, Дмитрий Леонидович
-
2012
Иорш, Иван Владимирович
-
2012
Перевалова, Евгения Викторовна
-
2012
Орликовский, Николай Александрович
Новые разработки способствуют более экспрессному, многофункциональному контролю тестируемых микро- и нано- электронных компонент приборных структур твердотельной электроники
-
2012
Иванов, Максим Сергеевич
В процессе развития микроэлектроники оксиды использовались в основном в роли изоляторов, поскольку контролировать процессы окисления и, связанные с ним изменения валентности, считалось сложной и не перспективной задачей. Однако благодаря недавним достижениям в области синтеза оксидных гетероструктур с атомарно резкими границами возникло такое
-
2012
Пономарев, Денис Викторович
Модификация пространственной структуры и электрофизических свойств фотонных кристаллов предоставляет огромные возможности по созданию новых материалов с заранее заданными свойствами и устройств с управляемыми характеристиками, функционирующими в различных частотных диапазонах электромагнитного спектра [44-85]. По сравнению с фотонными кристаллами
-
2012
Юрасов, Дмитрий Владимирович
Практически единственным элементом IV группы, пригодным для образования гетеропары с кремнием, является германий. На основе германия и кремния возможно формирование GexSii-x гетероструктур во всем диапазоне составов, что позволяет управлять шириной запрещенной зоны в таких структурах в широком диапазоне. Последнее может быть использовано для
-
2012
Перевозчиков, Михаил Васильевич
-
2012
Арсентьев, Алексей Владимирович
Прогнозирование с помощью нейронных сетей сравнительно новый метод, получивший более или менее широкое распространение вместе с распространением и доступностью компьютерной техники, поскольку не предполагает ручных расчетов. В данной работе ставится задача исследовать возможности НС при прогнозировании деградации электрических параметров партии
-
2012
Быстрицкий, Алексей Викторович
-
2012
Сюрик, Юлия Витальевна
-
2012
Мигунов, Денис Михайлович
Для эффективного решения большинства приборных задач автоэмиссионной электроники на элементах нанометровых и субмикронных размеров и последующей интеграции разрабатываемых технологий и устройств в технологии и устройства традиционной микроэлектроники необходима разработка технологических процессов, реализующих эффективные сильноточные
-
2012
Калинин, Борис Вячеславович
Технология изготовления транзисторных гетероструктур (А1,Оа)ЖЗаМ появилась относительно недавно, поэтому в настоящее время ещё существуют технологические проблемы как в области гетероэпи-таксии, так и в области формирования транзисторов. Это связано с тем, что к транзисторам на гетероструктурах (А],Са)ЖтаК предъявляются несколько иные требования
