-
2011
Фролкова, Наталья Олеговна
Темпы роста и планы развития наземной солнечной энергетики, намечаемые промышленно развитыми станами, впечатляют масштабностью. К 2031 г. в мире планируется иметь совокупную установленную мощность электрогенераторов на солнечной энергии 1700 ГВт (для сравнения: в 2004 г. -1256 МВт). Если сегодня фотовольтаика занимает менее 1 % в общемировом
-
2011
Мазеев, Евгений Валентинович
Пассивные элементы электрических цепей СВЧ транзисторных генераторов, как правило, выполняются на отрезках микрополосковой линии (МПЛ), которые формируют топологию устройства. При построении этих генераторов можно использовать не только внешнюю обратную связь, но и внутреннюю, когда часть выходной мощности транзистора на его вход поступает после
-
2011
Каданцев, Игорь Александрович
Известно, что в производстве CHI 1 качество соединений на траверсах корпусов выше, чем на контактных площадках кристаллов. Для обеспечения высокого качества и воспроизводимости соединений на кристаллах СПП, полученных УЗС, необходимо проведение следующих исследований и разработок: свойств поверхности контактных площадок; оптимизация
-
2011
Воронов, Андрей Юрьевич
В экспериментальной физике высоких энергий нашли широкое применение пропорциональные тонкостенные пластмассовые газовые цилиндрические детекторы, называемые в литературе "straw" [1-5]. Напряжение питания такого детектора более 1,5 кВ
-
2011
Пузанов, Александр Сергеевич
Уменьшение рабочих областей полупроводниковых приборов до размеров порядка длины релаксации энергии (50. 150 нм для электронов в кремнии) приводит к принципиальному изменению физических процессов движения носителей заряда в коротких структурах [2]. В отсутствие облучения это проявляется через нелокальную связь между напряженностью электрического
-
2011
Козырев, Антон Андреевич
Сегодняшний уровень развития нанотехнологии позволяет рассмотреть перспективу использования наноструктурированных материалов в качестве оптических покрытий вместо используемых в настоящее время диэлектрических неорганических материалов. В последние годы интерес к полимерным материалам постоянно растёт, благодаря их уникальным механическим
-
2011
Николаев, Артём Валерьевич
Задача уменьшения мощности, потребляемой цифровыми устройствами, в настоящее время решается разнообразными способами, например введение нескольких уровней питания, отключения питания от простаивающих блоков, использование транзисторов с различными пороговыми напряжениями и прочее [16]-[24]. Все эти решения реализуются в рамках КМОП технологии, они
-
2011
Царик, Константин Анатольевич
Основными методами выращивания гетероструктур на основе нитридов металлов III группы являются газофазная эпитаксия из металлорганических соединений (МОГФЭ, metal organic chemical vapor deposition - MOCVD) и молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ, molecular beam epitaxy - МВЕ). Эпитаксиальный рост нитридов на подложках из других материалов, несмотря на
-
2011
Букашев, Федор Игоревич
-
2011
Балан, Никита Николаевич
Следует отдельно отметить, что линейки оборудования, имеющиеся в распоряжении отечественных преприятий полупроводниковой промышленности (КМОП процесс топологических норм 1,5-0,8 мкм), соответствуют уровню 20-30-ти летней давности. Снятие этих линеек с эксплуатации и их замена более совершенным оборудованием - вопрос ближайшего будущего. Однако
-
2011
Сумин, Андрей Михайлович
-
2011
Денисенко, Марк Анатольевич
Высокие темпы развития технологических процессов наноэлектроники, обусловленные появлением принципиально нового нанотехнологического оборудования, позволяют создавать полупроводниковые наноструктуры, содержащие области с квантоворазмерными эффектами (квантовые ямы, квантовые провода и квантовые точки), определяющие возможности достижения
-
2011
Петров, Сергей Николаевич
Механическая прочность и химическая устойчивость зависит как от стеклообразующих компонентов материала,'так и от состояния поверхности оптического стекла, которая формируется на технологических операциях изготовления оптико-электронного прибора. Получение атомарно-гладкой полированной поверхности на боролантановых стеклах с использованием
-
2011
Козырев, Антон Андреевич
Структура полупроводникового лазера формируется на ОаАв подложке МОСУО методом. После нанесения омических контактов с помощью фотолитографии формируются единичные элементы, которые скалываются на одиночные диоды или линейки диодов. Образовавшиеся естественные сколы формируют резонатор, имеющий две зеркальные поверхности с равными значениями
-
2011
Леготин, Сергей Александрович
Полупроводниковые детекторы хорошо известны почти 50 лет и широко применяются в ядерной физике. При этом наибольшее распространение получили полосковые (стриповые) координатные детекторы, которые, по сути, являются простейшими монолитными полупроводниковыми приборами на основе р-1-п диодов. Однако при их применении требуется использование
-
2011
Михайличенко, Александр Валерьевич
Сделан вывод о необходимости проведения исследований влияния основных технологических параметров метода импульсного лазерного осаждения на электрофизические свойства пленок оксида ванадия
-
2011
Коломийцев, Алексей Сергеевич
Применение метода ФИП позволяет устранить ограничения технологических процессов связанных с использованием резистов, масок и травителей. Возможности изменять параметры ФИП при ионно-лучевом травлении в широком диапазоне в сочетании с высоким пространственным разрешением метода позволяют варьировать режимы субмикронного профилирования в широких
-
2011
Корнеев, Иван Владимирович
Одним из перспективных базовых электронных компонентов, способных найти широкое применение, являются полупроводниковые фотоприемники с отрицательной дифференциальной проводимостью обладающие ключевыми свойствами и позиционной чувствительностью. Фотоприемники такого типа имеют участок ОДП на выходных ВАХ И-образного вида. Применение такого типа
-
2011
Белов, Алексей Иванович
В последние годы предприняты попытки улучшения излучательных свойств Б! путем уменьшения безызлучательной рекомбинации (с помощью тщательной очистки от примесей) и модификации оптических свойств поверхности (текстурирование) [1
-
2011
Криштопенко, Сергей Сергеевич
Все спин-зависимые явления в полупроводниковых гетероструктурах с 20 электронным газом можно условно разделить на два широких класса. К первому классу относятся "одноэлектронные" эффекты, обусловленные наличием спин-орбитального взаимодействия в системе. Большинство спин-зависимых явлений данного класса вызваны спиновым расщеплением
