каталог авторефератов диссертаций по электронике, диссертация на тему Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах Специальность 05.27.01 ВАК РФ

• Разработка технологии изготовления и исследование характеристик сенсоров диоксида азота и хлора на основе пленок полиакрилонитрила
  2012 Лу Пин
• Разработка технологических способов управления морфологией поверхности и электрофизическими характеристиками фоточувствительных полупроводников и структур на их основе
  2012 Маляр, Иван Владиславович
  Принцип действия большинства полупроводниковых сенсоров основывается на изменении проводимости при внешнем возде1"1ствии, в качестве которого могут выступать освещение, давление, температура, адсорбция молекул других веществ и т.д. Чаще всего о воздействии судят на основании изменения вольт-амперной характеристики, вид которой во многом зависит от
• СВЧ твердотельные приемные модули на GaN и SiGe гибридных и монолитных интегральных схемах
  2012 Перевезенцев, Александр Владимирович
• Совершенствование моделей и оптимизация конструкций гибридных узкополосных транзисторных усилителей коротковолновой части сантиметрового диапазона длин волн
  2012 Манченко, Любовь Викторовна
• Создание высокоэффективных теплоотводов на основе поликристаллического алмаза для мощных полупроводниковых приборов
  2012 Ратникова, Александра Константиновна
• Стимулированное излучение донорами V-группы в деформированном кремнии
  2012 Ковалевский, Константин Андреевич
• Твердотельные мощные передатчики C- и X-диапазонов с высокой стабильностью частоты и фазы сигналов на GaN СВЧ транзисторах
  2012 Глыбин, Александр Анатольевич
• Тонкопленочные сверхпроводниковые структуры из титана для сверхчувствительных криогенных болометров терагерцового диапазона частот
  2012 Ильин, Алексей Сергеевич
  Работы были выполнены A.C. Ильиным в соавторстве с сотрудниками лаборатории «Сверхпроводниковые терагерцовые болометроы» в ИРЭ им. В.А. Котельникова РАН
• Туннельные и эмиссионные акселерометры на основе микроэлектромеханических систем
  2012 Вопилкин, Евгений Александрович
  Важнейшей задачей микромеханики является создание и развитие элементной базы МЭМС и изучение основных физических принципов функционирования этих систем. В отличие от макроскопических систем, в МЭМС большое значение имеют силы Ван-дер-Ваальса, капиллярные силы, упругие напряжения, могут оказаться заметны квантовые эффекты. Поэтому нельзя создать
• Электронные и оптические свойства резонансных состояний мелких примесей в полупроводниках и полупроводниковых гетероструктурах AIIIBV
  2012 Бурдейный, Дмитрий Игоревич
  Одна из систем, в которой сущеовует резонанс Фано— это объёмный полярный полупроводник с простой зоной проводимости, в котором энергия продольного оптическою фонона превышает энергию ионизации основного уровня мелкого донора. Энергия конфигурации "электрон в основном состоянии донора + оптический фонол" находится в непрерывном спектре, и эта
• Электронные свойства квантовых ям AlxGa1-xAs/InyGa1-yAs/AlxGa1-xAs с комбинированным и дельта-легированием
  2012 Хабибуллин, Рустам Анварович
  На сегодняшний день существует необходимость постоянной оптимизации электрофизических параметров гетероструктур для улучшения характеристик приборов, созданных на базе КЯ А 1АСа 1 д Аб/IпуСа | уЧ б/ А1АС а ] А несмотря на то, что фундаментальные свойства данной КЯ достаточно подробно изучены. В первую очередь, это задачи повышения частоты и
• Электронный транспорт в составных квантовых ямах InAlAs/InGaAs/InAlAs, содержащих наноразмерные вставки InAs
  2012 Пономарев, Дмитрий Сергеевич
  В последние два десятилетия наблюдается интенсивное развитие промышленного освоения гетероструктурных СВЧ приборов, в том числе НЕМТ (high electron mobility transistor) на основе гетеросистем InGaAs/InAlAs/InAlAs на подложках фосфида индия (InP). Возрастает также число научных работ, посвященных исследованиям таких гетероструктур. Такая тенденция
• Электрофизические свойства и оптимизация параметров эпитаксиальных псевдоморфных НЕМТ структур с односторонним и двухсторонним дельта - легированием
  2012 Климов, Евгений Александрович
• Влияние конструктивно-технологических факторов на электрические параметры мощных СВЧ LDMOS транзисторов
  2011 Ткачев, Александр Юрьевич
  САПР 1БЕ ТС АО, методик моделирования и программного обеспечения; [117, 19-26] — проведение моделирования конструкции, технологии и электрических параметров транзисторных структур в САПР 1БЕ ТС АХ); [1,2, 19-26] - разработка конструкции и технологии СВЧ ЬВМОБ транзисторных структур; [1, 23] - аналитический вывод выражений для расчета напряжения
• Высокоскоростные операционные усилители с токовой обратной связью и высоким уровнем динамической точности
  2011 Савченко, Евгений Матвеевич
  Постоянное увеличение скорости и точности обработки информации требует расширения как частотного, так динамического диапазона аналого-цифровых систем. ИМС операционных усилителей являются основой для построения таких систем и оказывают на их характеристики существенное влияние, поэтому их исследование и разработка являются актуальными и позволят
• Исследование возможности создания мозаичных фотоприемников без потерь информации в изображении
  2011 Новоселов, Андрей Рудольфович
  Пространственное разрешение тепловизионных приборов зависит от числа ФЧЭ в ФПУ, и в настоящее время интенсивно ведутся разработки по увеличению числа ФЧЭ. Например, для диапазона 3.5 мкм выпускаются ФПУ, форматом 2048 на 2048 ФЧЭ [1] и для диапазона 8. 12 мкм выпускаются ФПУ форматом 640 на 512 ФЧЭ (фирма «Sofradir», Франция). Дальнейшее
• Исследование и разработка функциональных узлов интегральных контроллеров источников вторичного электропитания с высокой стабильностью выходного напряжения
  2011 Эннс, Александр Викторович
  В связи с этим, исследование и разработка функциональных узлов интегральных контроллеров ИВЭП с, высокой стабильностью выходного напряжения является актуальной задачей
• Исследование кинетики и механизмов взаимодействия газоразрядной фторсодержащей плазмы с поверхностью LiNbO3
  2011 Гуляев, Вячеслав Валентинович
  В этой связи важным является знание оптических и электрических свойств ниобата лития, возможности их модификации, а также влияния различных методов размерной обработки на основные параметры этого материала. Для изготовления изделий, использующих 1Л№>Оз, применяются современные технологические методы полупроводникового производства. Например, для
• Исследования однонаправленных и слабоаподизованных встречно-штыревых преобразователей поверхностных акустических волн и разработка устройств частотной селекции на их основе
  2011 Карапетьян, Геворк Яковлевич
  Вместе с тем, для ряда системных применений, требуется достижение предельных высокоизбирательных характеристик, предельных характеристик по неравномерности группового времени запаздывания, предельному уровню вносимого затухания
• Моделирование, синтез и реализация мощных широкополосных СВЧ транзисторных усилителей в существенно нелинейном режиме
  2011 Евстигнеев, Алексей Андреевич
  Одна из задач настоящей работы - показать реальные возможности проектирования и реализации широкополосных мощных СВЧ нелинейных усилителей, что должно расширить область использования биполярных транзисторов

• Назад
• 1
• ...
• 5
• 6
• 7
• 8
• 9
• ...
• 40
• Вперед