-
2011
Верховцева, Алевтина Викторовна
Научная и практическая значимость работы заключается в том, что в ней решены задачи по исследованию нестационарных лавинно-пробойных процессов в кремниевых лавинных фотодиодах, а также сформулирован ряд количественных требований и ограничений на конструктивно- технологические параметры кремниевых планарных фотодиодных структур
-
2011
Бейсенханов, Нуржан Бейсенханович
Способность слоев диоксида олова изменять электропроводность при адсорбции газов стало основой их применения в полупроводниковых сорбционных сенсорах. Увеличение вклада поверхности в электрофизические свойства полупроводника и увеличение газочувствительности достигается при переходе от монокристалла к на-нокристаллической системе, когда радиус
-
2011
Петров, Виктор Владимирович
В связи с этим на протяжении последних двух-трех десятилетий особое внимание уделяется неорганическим оксидным материалам, проявляющим газочувствительные свойства. Наиболее часто такие материалы (оксиды олова, меди, вольфрама, титана, серебра, индия, молибдена и т. д.) используются в виде тонких (до 0,3 мкм) пленок, имеющих нанокристаллическое
-
2011
Протопопов, Григорий Александрович
В основе эффекта повышения стойкости к воздействию ИИ и улучшения характеристик ИМС после РТО лежат процессы образования дефектов, их эволюции и устранения в системе 8Ю2 - 81. Но вопрос о причинах возникновения подобного эффекта остается открытым
-
2011
Феопёнтов, Анатолий Валерьевич
На фоне активности в изучении проблем излучательной рекомбинации гетероструктуры вопросы, связанные с преобразованием уже излученной энергии в светодиоде остаются несколько в стороне. Между тем, именно взаимодействие энергии, излученной полупроводниковым чипом с другими компонентами белого светодиода и, в первую очередь, с люминофором, определяет
-
2011
Яблонский, Артем Николаевич
Полученные в работе результаты шляются важными как для понимания фундаментальных свойств излучающих кремниевых структур, легированных эрбием, так и для разработки оптоэлектронных приборов на основе кремниевых структур
-
2011
Шматова, Юлия Васильевна
Одним из способов уменьшения размеров зерна является использование многокомпозитных металлооксидов, которые не образуют между собой химических соединений. Например, ранее было показано, что в результате синтеза нанокомпозита, содержащего БпОг и 8102, удается изготовить пленки с размером зерна 3 5 нм и с высокими метрологическими характеристиками
-
2010
Гришаков, Михаил Николаевич
Теоретические и практические результаты подтверждаются большим объемом испытаний модулей, эффективным внедрением предложенных методов обеспечения надежности на практике, использованием адекватных моделей развития отказов в твердотельных СВЧ модулях
-
2010
Пажин, Дмитрий Михайлович
Первоначальный интерес к КНИ технологии был вызван необходимостью повышения устойчивости микроэлектронных приборов к импульсному ионизирующему воздействию, одному из основных поражающих факторов ядерного взрыва. Известно, что влияние подобного излучения на электрические характеристики микроэлектронных приборов в первую очередь связано с генерацией
-
2010
Сагунова, Ирина Владимировна
Поскольку методы ЛЗО и СЭПМ являются перспективными для исследования и модификации электрических свойств поверхности проводящих объектов с нанометровым разрешением, задача более детального их изучения является актуальной. проводящих объектов с нанометровым разрешением, задача более детального их изучения является актуальной
-
2010
Артамонова, Евгения Анатольевна
Эффекты плавающей подложки, связанные с особенностями реализации контакта к подложке и высоким сопротивлением слаболегированной области канала, проявляются в виде скачка выходного тока при увеличении выходного напряжения «кинк-эффекта» и в виде включения паразитного биполярного п-р-п-транзистора, базой которого является р-подложка, а эмиттером и
-
2010
Артамонов, Дмитрий Сергеевич
Такая архитектура в силу своей внутренней регулярности очень технологична и при логическом, и при физическом проектировании, и существующие системы САПР могут эффективно использоваться для проектирования таких устройств. Более того, такая* архитектура может и эффективно использовать современные технологии, поскольку производительность ИС такой
-
2010
Туркин, Илья Алексеевич
Как и объемные акустические волны (ОАВ), поверхностные акустические волны можно применять в радиоэлектронике ввиду низкой скорости распространения, отсутствия дисперсии и малого затухания вплоть до сверхвысоких частот. Однако у ПАВ имеется важное дополнительное преимущество, связанное с обеспечением доступа к поверхности материала на пути
-
2010
Пьянков, Евгений Сергеевич
В настоящее время задача получения корректного изображения рельефа поверхности решается посредством компьютерной обработки полученных данных с использованием компенсирующих или исправляющих моделей, а также посредством использования аппаратных средств пассивной или активной коррекции[ 13-15
-
2010
Алтынников, Андрей Геннадиевич
Еще одним фактором, сдерживающим использование тонкопленочных сегнетоэлектрических материалов, является сильная зависимость их диэлектрической проницаемости от температуры. В настоящее время существует ряд схемотехнических методов улучшения термостабилизации параметров сегнетоэлектрических элементов, однако все они связаны с уменьшением их
-
2010
Денисенко, Виктор Васильевич
-
2010
Чернявский, Андрей Юрьевич
Алиса измеряет величину проекции спина на какую-либо ось . Как несложно показать [9], при получении Алисой результата +1, результат измерения Боба будет —1, и наоборот. Возможны два объяснения такого эффекта
-
2010
Беляев, Илья Викторович
Транзисторные генераторы СВЧ могут выполняться как с внешней, так и с внутренней обратной связью. В генераторах первого типа информация с выхода транзистора на его вход передается по цепи обратной связи, проходящей вне прибора. В генераторах второго типа такой специальной цепи нет, а передача информации с выхода прибора осуществляется через
-
2010
Пучков, Григорий Анатольевич
Затраты энергии на передачу одного бита информации к внешней памяти остаются на прежнем уровне. При общем увеличении разрешения кадра примерно в пять раз, количество постоянно передаваемой во внешнюю память информации увеличивается более чем в десять раз, что приводит к существенно большему расходу энергии. Так, в современной системе обработки
-
2010
Исаков, Михаил Александрович
Основной проблемой, которую необходимо решить для создания светоизлучающих приборов на базе 81, является непрямозонность 81, в связи с чем вероятность безызлучательной рекомбинации в нём значительно больше, чем излучательной. В качестве одного из путей повышения эффективности электролюминесценции (ЭЛ) в 81 рассматривается использование различных
