-
2010
Семёнов, Андрей Андреевич
Приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) находят широкое применение в радиофизических и радиотехнических системах самого широкого назначения не только в качестве основных элементов усилительных, генераторных и ключевых схем [7-11], а также чувствительных сенсоров [12-15], но и как элементарные функциональные элементы
-
2010
Прокофьева, Елена Васильевна
Разнообразие новых и необычных механических, электрических и магнитных свойств трубок обеспечивает основу прорыва в наноэлектронике. Стало реальным осуществить создание одноэлектронные транзисторы и чипы с плотностью записи 1014 бит/см2, плоские дисплеи, потребляющие на порядок меньше электроэнергии для своей работы и т.д. [1
-
2010
Сергеев, Сергей Алексеевич
Среди разделов функциональной микроэлектроники наиболее развитым в научном и техническом аспектах является акустоэлектроника. В частности, устройства на поверхностных акустических волнах (ПАВ) применяются в различных радиоэлектронных системах обработки сигналов для решения многих радиотехнических задач. Однако, рабочие частоты устройств на ПАВ не
-
2010
Амиров, Ильдар Искандерович
В технологии микросистемной * техники создание В А (А>10) и сверхвысокоаспектных (СВА) трехмерных микроструктур в 81 (А>50) необходимо для создания высокочувствительных инерционных датчиков, микроконденсаторов и других приборов.Этазадачарешаетсяс
-
2010
Цыбин, Сергей Александрович
Топология ПЛИС представляет собой набор плотноупакованных повторяющихся элементов, количество которых в современных ПЛИС достигает более 1 миллиона, при этом каждый фрагмент на схемотехническом и топологическом уровне тщательно прорабатывается, чтобы обеспечить необходимую плотность и характеристики. Поэтому автоматизированные методы
-
2010
Нелина, Светлана Николаевна
Контроль условий роста в методе ГНК производился путем измерения параметров электропитания нагревателя кристаллизационной печи — напряжение, мощность. Одновременно осуществлялось визуальное наблюдение за нахождением фронта кристаллизации относительно нагревателя
-
2010
Рыжук, Роман Валериевич
Наиболее важными технологическими операциями при изготовлении карбидокремниевых приборов являются процессы формирования р-п-переходов и низкоомных омических контактов. Чрезвычайно высокие температуры (более 2000 °С) сильно затрудняют технологический процесс создания р-п-перехода на 8Ю методом диффузии. Метод СVI), часто используемый для
-
2010
Милешко, Леонид Петрович
Другое ценное достоинство метода электролитического анодирования (ЭА) заключается в том, что он позволяет создавать на кремниевых подложках своеобразную «мозаику» легированных анодных оксидных пленок (ЛАОП), содержащих примеси разного типа и различной концентрации. Это достигается путем- чередования процессов локального ЭА и фотолитографии. После
-
2010
Павлов, Александр Александрович
Углеродные нанотрубки имеют большое разнообразие форм и свойств. Они могут быть одностенными или многостенными (однослойными* или многослойными), прямыми или спиральными, длинными и короткими, иметь спектр электронных состояний, соответствующий металлам или полупроводникам и т.д. Нанотрубки необыкновенно прочные, как на растяжение, так и на изгиб
-
2010
Петрухин, Георгий Николаевич
Появление технологий получения углеродных наноструктур на основе принципов самоорганизации может позволить решить существующие проблемы в силу прочности УНС (~45 ГПа), высоких значений модуля Юнга (1ТПа) и рабочих плотностей тока, малого диаметра автоэмитгирующих острий при значительной величине аспектного отношения (~103
-
2010
Шерова, Елена Викторовна
Лидирующими организациями на мировом рынке МЭМС являются ГУ НПК «Технологический центр» МИЭТ (ТУ) (г. Зеленоград), НИИ «Физических измерений (г. Пенза), ГНЦ РФ ЦНИИ «Электроприбор» (г. Санкт-Петербург), Центр микротехнологий и диагностики ФГОУ ВПО «Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова
-
2010
Приступчик, Никита Константинович
Прежде всего, следует отметить доклад выдающегося физика Р. Ф. Фейн-мана, в котором сформулированы основные идеи миниатюризации технических систем и нанотехнологии, в частности, идеи каскадной самосборки. Бурное развитие микроэлектроники, а затем и микросистемной техники, явилось доказательством фундаментального характера изложенных концепций
-
2010
Цыпленков, Вениамин Владимирович
Проведенные расчеты дают новое знание о неравновесных состояний мелких доноров в кремнии и важны для понимания процессов лежащих в основе лазеров на внутрицентровых переходах доноров в кремнии
-
2010
Романов, Андрей Вячеславович
По номенклатуре и широте использования доминируют композиционные материалы, представляющие собой гетерогенную систему (ГС), так как наполнитель обычно образует свою, собственную фазу, превращая однородную композицию в гетерофазную систему, состоящую из двух и более составных частей (фаз), резко различающихся по свойствам и химическому составу
-
2010
Давлетова, Олеся Александровна
Развитие представлений о нанотубулярных формах неорганических веществ началось с наблюдения в 1991 г. в катодном конденсате при электродуговом разряде между графитовыми электродами полых углеродных цилиндрических структур, длина которых на порядки превышала их диаметр. Практически одновременно при моделировании возможных форм сферических
-
2010
Рябинина, Ирина Александровна
В настоящее время существует несколько методов выращивания монокристаллов SiC, среди которых метод Лели, сублимационные методы выращивания монокристаллов на затравках и выращивание эпитакси-альных слоев SiC на кремниевой и карбидокремниевой подложках и др. Каждый из существующих методов имеет свои недостатки, которые приводят к возникновению
-
2010
Бохов, Олег Сергеевич
Исследование влияния размерных факторов-- на процессы* теплообмена в устройствах микросистемной техники1 и разработка« нового поколения теплофизических датчиков на основе динамического метода измерений с использованием искусственно стимулированных периодических тепловых, процессов
-
2010
Бобринецкий, Иван Иванович
Промышленность находится в состоянии постоянной погони за уменьшением размеров интегральных схем, благодаря чему увеличивается скорость, уменьшается потребление энергии и себестоимость изготовления одного транзистора. Причем с момента создания первого вакуумного диода, прогресс в технологии постоянно наращивает темп, увеличивая номенклатуру
-
2010
Завьялов, Анатолий Владимирович
У некоторых оксидов (WO3, Ti02 и др.) изменяется проводимость при адсорбции на их поверхности газовых молекул. Это позволяет использовать их для создания селективных газовых сенсоров [6, 7, 8
-
2010
Морозов, Сергей Владимирович
Графен, существуя до 2004 г. как модельный объект, обладает уникальными электронными свойствами с фундаментальной точки зрения. Электроны в графене обладают линейным законом дисперсии, а энергетическая щель между валентной зоной и зоной проводимости отсутствует, так что квазичастицы в графене подобно релятивистским частицам описываются двумерным
