автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Плазменные процессы формирования высокоаспектных структур для микро- и наномеханических устройств

004616325 На правах рукописи

АМИРОВ ИЛЬДАР ИСКАНДЕРОВИЧ

ПЛАЗМЕННЫЕ ПРОЦЕССЫ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОАСПЕКТНЫХ СТРУКТУР ДЛЯ МИКРО- И НАНОМЕХАНИЧЕСКИХ УСТРОЙСТВ

Специальность:

05.27.01. - Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

- 9 ЛЕН 2010

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва 2010

004616325

Работа выполнена в Ярославском филиале Учреждения Российской академии наук Физико-технологического института РАН

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

Юрий Анатольевич Лебедев

доктор физико-математических наук Черныш Владимир Савельевич

доктор технических наук

Шелепнн Николай Алексеевич

Ведущая организация: Учреждение Российской академии наук Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

Защита состоится " 23 " декабря 2010 г. в 14 час, на заседании диссертационного совета Д 002.204.01 в Учреждении Российской академии наук Физико-технологическом институте РАН по адресу 117218, Москва, Нахимовский проспект, д.36, корп. 1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Учреждении Российской академии наук Физико-технологическом институте РАН.

Автореферат разослан "_"_2010 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета Д 002.204.01 у-

кандидат физико-математических наук В.В.Вьюрков

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКИ РАБОТЫ Актуальность проблемы

Плазменные методы формирования микро- и наноструктур (МН) на основе плазмохимических процессов травления и осаждения являются ключевыми в технологии наноэлектроники и микро- наносистемной техники. На современном этапе развитие плазменных процессов наноэлектроники связано с разработкой интегрированных процессов травления, обусловленных использованием новых материалов при изготовлении схем нового поколения. При этом задача точного переноса рисунка маски в нижележащий слой методом анизотропного травления из-за уменьшения элементов интегральных схем до нанометровых размеров и увеличения вследствие этого аспектного травления формируемых наноструктур резко усложнилась. При их травлении возникли новые проблемы, связанные с искажением их профиля. Решение связано с развитием многостадийных интегрированных плазменных процессов с учетом процессов осаждения, которые, являясь процессом противоположным травлению, могут скорректировать негативные эффекты. Кроме того, с использованием таких процессов можно получать структуры с размерами элементов меньше, чем в исходной маске. К началу настоящей работы в научной печати отсутствовала информация по формированию таких структур. Только в последнее время с их использованием были получены 24 нм элементы при начальных литографических размерах 60 нм.

Если в технологии наноэлектроники с помощью плазменных процессов необходимо было осуществить точный перенос рисунка маски в нижележащий слой, то общая задача - это формирование высокоаспектных (ВА) наноструктур заданного вида ставится в нанотехнологии. Сочетая методы травления и осаждения, можно формировать ВА МН структуры, отличающиеся от рисунка исходной маски. Разработка таких процессов невозможна без понимания механизмов их формирования.

В технологии микросистемной техники создание высокоаспектных (А>10) и сверхвысокоаспектных трехмерных микроструктур в (А>50) необходимо для создания высокочувствительных инерционных датчиков, микроконденсаторов и других приборов. Эта задача решается с использованием циклических процессов травления/пассивация во фторсодержащей плазме. Точный перенос рисунка маски

3

в 81 обуславливается балансом процессов осаждения/травления на дне и боковой поверхности структуры. Развитие таких процессов связано с требованием управления профилем формируемых ВА микроструктур.

Другое направление развития методов наноструктурирования поверхности, основано на процессах самоорганизации, когда на поверхности материала в реактивной плазме при определенных условиях происходит самоформирование МН структур, таких как наноиглы, нанопроволоки и нанотрубки. Реактивная плазма является уникальной средой, в которой можно реализовать концепцию «строительных блоков», когда формирование МН структур осуществляется в две стадии. На первой стадии происходит подготовка поверхности и создание определенных блоков (тяжелых радикалов, кластеров), а на другой стадии происходит формирование из них наноструктур. Их формирование является центральной проблемой наноэлектроники и нанотехнологии.

Таким образом, задача формирования высокоаспектных, трехмерных МН структур в многостадийных, циклических плазменных процессах является актуальной в микро- и нанотехнологии.

Целью работы являлось разработка физических основ плазменного микро-и наноструктурирования поверхности на основе исследований механизмов формирования высокоаспектных микро-наноструктур в многостадийных травление/осаждение процессах в неравновесной химически активной плазме. Для достижения этой цели было необходимо:

- исследовать параметры плотной химически активной плазмы с независимым управлением потоком энергией ионов в реакторе, разработать методы контроля основных параметров плазмы;

- исследовать гетерогенные процессы взаимодействия химически активной плазмы с поверхностью 81, 8Ю2, полимерных пленок и выявить основные особенности процессов травления, связанные с формированием ВА микронаноструктур;

- разработать программный комплекс моделирования формирования высокоаспектных микро-наноструктур в плазменных процессах травления, в том числе в многостадийных процессах травление/осаждение и провести моделирование таких процессов;

- исследовать механизмы формирования и самоформирования микронаноструктур на поверхности материалов, разработать модели ионно-стимулированных плазменных процессов травления материалов и осаждения полимерной пленки на поверхности во фторсодержащей плазме и на их основе разработать новые методы формирования ВА микро-наноструктур.

Научная новизна и достоверность полученных результатов В диссертационной работе впервые получены следующие новые результаты:

1. Исследованы параметры химически активной плазмы Аг, 02, ВЧ индукционного разряда низкого давления в неоднородном магнитном поле с использованием зондового метода и метода измерения и контроля потока ионов падающих на поверхность на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности, подаваемой на подложку с позиции использования данного типа реактора в микро-нанотехнологии. Показано, что при определенной конфигурации и напряженности магнитного поля достигается высокая плотность и однородность ионного потока на подложку.

2. Предложен метод управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы путем изменения коэффициентов рождения и гибели радикалов на терморегулируемых стенках внутреннего экрана реактора. Показано, что в реакторе с горячими стенками повышается селективность травления БЮг^ более чем в два раза.

3. Методом лазерной термометрии определены коэффициенты передачи энергии ионов поверхности Б«, 8102, в плазме инертных и химически активных газов. На основании данных коэффициента передачи энергии ионов (Е)<100 эВ) атомам поверхности был сделан вывод, что влиянием отраженных частиц от боковых стенок на формирование профиля травления структур можно пренбречь.

4. На основе метода ячеек и Монте-Карло метода представления потока ионов и радикалов плазмы, моделей ионно-стимулированного, радикального травления и осаждения фторуглеродной полимерной пленки разработан метод моделирования формирования ВА МН структур в плазменных процессах микро-и наноструктурирования поверхности.

5. Исследованы ионно-инициированные процессы травления полимерных пленок на основе новолака, ПММА, полиимида, плазмополимеризованных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Представлен критерий реализации анизотропного травления полимерной пленки в кислородсодержащей плазме.

6. Исследованы процессы травления 8Ю2, во фторуглеродной плазме СНР3, СНРз/Н2, С4Р8, С4Р8/Аг, СДУЗРв, на основе которых разработаны процессы селективного и анизотропного травления высокоаспектньгх 81, 8Ю2 МН структур во фторуглеродной плазме. Представлены механизмы и проведено моделирование процессов ионно-стимулированного травления и осаждения фторуглеродной пленки.

7. Разработан комбинированный осаждение/травление метод формирования МН канавок с размерами меньше, чем их размеры в маске. Показана принципиальная возможность реализации формирования наноструктур в слое БЮг с использованием такого метода.

8. Разработаны методы формирования микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в двухстадийных, циклических процессах травление/пассивация в плазме С^БРб. Выявлены основные эффекты формирования и проведено моделирование формирования таких структур. Достоверность экспериментальных результатов исследования обеспечивается

использованием независимых диагностических методик. Она подтверждаются сравнением полученных данных с результатами других экспериментальных исследований проводимых в России и за рубежом, а также численными оценками. Это свидетельствует, что полученные результаты являются обоснованными и достоверными.

Основные положения, выносимые на защиту: 1. Показано, что определение потока ионов падающих на поверхность на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности в реакторе плотной химически активной плазмы ВЧ индукционного разряда, является эффективным способом контроля плазменных процессов формирования ВА микронаноструктур.

2. Результаты исследования коэффициента передачи энергии низкоэнергетических ионов (Е,<200 эВ) атомам поверхности ЗЮ2, 813М4 в плазме Аг, 02 и С4Р8.

3. Результаты экспериментального исследования ионно-инициированного травления полимерных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Рециклический механизм образования атомов кислорода на стенках реактора. Критерий реализации ионно-инициированного, анизотропного травления полимерной пленки.

4. Результаты экспериментального исследования высокоаспектного травления

ЭЮ2 во фторуглеродной плазме в реакторе с горячими стенками. Показано, что

увеличение температуры стенок экрана до 500 К в реакторе в результате их нагрева плазмой во фторуглеродной плазме С4Р8 ведет к увеличению концентрации легких радикалов СР2, потока ионов СР+, к увеличению селективности травления 8Ю2/81.

5. Метод моделирования плазменных процессов травления и осаждения, основанный на методе ячеек для эволюции профиля поверхности и методе Монте-Карло генерации потоков плазмы. Результаты моделирования ионно-стимулированных процессов осаждения и травления фторуглеродной полимерной гиенки в плазме С4Р8 и 8Р6.

6. Эффекты формирования 81 микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в циклическом, травление/пассивация процессе в плазме С4Р8/8Р6, результаты моделирования такого процесса.

7. Механизм самоформирования фторуглеродных нанонитей в циклическом двухстадийном травление/пассивация процессе.

Научно-практическая ценность результатов работы заключается в том, что в ней представлены новый подход к формированию ВА микро- и наноструктур на поверхности материалов в том числе с использованием многостадийных процессов плазменного травления/осаждения. С его помощью можно формировать МН структуры с размерами элементов меньшими, чем размеры маски. Метод может быть использованы при формировании МН структур не только на поверхности 81 и 8Ю2, но также и на других материалах.

Во-вторых, показана принципиальная возможность управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы в реакторе, изменяя скорость

7

рождения и гибели радикалов путем варьирования температуры стенки внутреннего экрана в реакторе, нагреваемого плазмой. В реакторе с горячими стенками увеличивалась селективность травления Si02 по отношению к Si, фоторезисту и не происходило осаждения фторуглеродной пленки на стенках реактора.

Разработанные методы формирования высокоаспектных МН структур на поверхности Si, Si02, полимерных пленок в высокоплотной плазме могут быть использованы при разработке плазменных процессов травления в технологии микро-наноэлектроники и микро-наносистемной техники. Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на международных конференциях: Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" Звенигород. 1997, 2005, 8 Международного Симпозиума "Тонкие пленки в электронике" Харьков. 1997, 5 European Conference on Thermal Plasma Processes. St. Peterburg 1998, Международной конференции "Микроэлектроника и информатика" Москва, Зеленоград. 1997, XXV Inernational Conference on Phenomena in Ionized Gases Nagoya, Japan, 2001, Всероссийской научно-технической конференции «Микро-и наноэлектроника» Звенигород. 1998, Международной конференции по актуальным проблемам физики и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. «КРЕМНИИ -2008», Международной конференции по теоретической и прикладной плазмохимии. Плесс, Иваново, Россия, 2003, 2005, 2008 гг, Международных конференциях "Inernational Conference Micro-and nanoelectronics" Zvenigorod, Russia, 2003, 2005, 2007,2009 гг.

Публикации

Содержание диссертации опубликовано в 48 работах, включая 21 статью в рекомендованных ВАК в отечественных и зарубежных научных журналах, в трудах российских и международных конференций и симпозиумов, а также в 2-х патентов РФ на изобретения.

Личный вклад автора

Постановка задачи, разработка методов формирования МН структур, экспериментальные исследования, анализ экспериментальных данных и представление механизмов формирования МН структур были проведены лично автором диссертационной работы. Совместно с соавторами были созданы реакторы высокоплотной плазмы, проведены исследования ее параметров зондовыми и спектральными методами, а также осуществлены измерения состава пленок методом РФЭС.

Объем и структура диссертации

Основное содержание диссертации изложено на 302 страницах машинописного текста, включая 98 рисунков. Работа состоит из введения, семи глав и заключения, в котором сформулированы основные выводы. Список цитируемой литературы содержит 412 наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность темы диссертации, определены основные цели и задачи исследования, показана практическая ценность работы, приведено краткое содержание работы.

В первой главе (вводная) представлен обзор работ, в основном, за последние 10 лет, посвященных исследованию и разработке плазменных методов формирования МН в 81, 8Ю2. Рассмотрены процессы и методы плазмохимического наноразмерного травления 51, 8Ю2 в реакторах нового поколения, в которых генерируется плотная фторуглеродная (С4Р8, СОТз и др.) плазма ВЧ индукционного разряда низкого давления. Приведены существующие методы формирования высокоаспектных МН структур в 81, 8Ю2 и полимерных пленках используемые в технологии наноэлектроники и микросистемной техники.

Во второй главе приводятся результаты исследований параметров плазмы Аг, 02 ВЧИ разряда в неоднородном магнитном поле в реакторе с внутренним экраном, дается его характеристика как орудия формирования МН структур. Приведены результаты исследования влияния температуры экрана в реакционной 1самере реактора на параметры фторуглеродной плазмы. Приводится обоснование методики контроля потока ионов падающих на поверхность на основе измерений

9

постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности на подложку, а также результаты исследования передачи энергии ионов поверхности методом лазерной сканирующей калориметрии.

Определение электронных параметров плотной плазмы Аг, 02 ВЧИ разрада низкого давления (Р<1Па) проводились в реакторе в неоднородном магнитом поле, конструкция которого приведена на рис. 1а. Большинство экспериментов проводилось в этом типе реактора с нагреваемым внутренним А1 экраном. В реакторе второго типа, с приближенной зоной генерации плазмы к подложке (рис. 16) проводились исследования глубокого, скоростного травления Бь Реактор 1а состоял из двух вертикальных разрядной и реакционной камер. Разряд возбуждался в кварцевом стакане при подаче ВЧ напряжения (13,56 Мгц) на индуктор от генератора мощностью 1 кВт. Генерация плазмы осуществлялась в неоднородном магнитном поле одной или двух катушек. Из разрядной камеры плазма распространялась в реакционную камеру, в которой на расстоянии 30 см от реакционной камеры находился держатель подложки. На него, с целью управления энергией ионов подавалось ВЧ напряжение от отдельного генератора. Возникающий при этом отрицательный потенциал самосмещения определял среднюю энергию падающих ионов. Плотность ионного потока определялась вкладываемой ВЧ мощностью на индуктор и прикладываемым магнитным полем. В реакционной камере устанавливался заземленный алюминиевый, нагреваемый в плазме экран. Температура экрана определялась термопарой.

Электронные параметры плазмы определялись зондовым методом. Подвижный цилиндрический вольфрамовый зонд (диаметр зонда с1=0.1 мм, длина 1=5-7 мм) находился на расстоянии 10 мм от поверхности подложки. Обработка вольт-амперных характеристик (ВАХ) зонда с целью измерения температуры электронов Те и их концентрации пе осуществлялась по известной методике.

Исследования влияния магнитного поля на характеристики плазмы показали, что в реакторе без экрана средняя плотность ионного тока на подложку в плазме Аг, интенсивность ее свечения резко увеличивались с увеличением тока в электромагнитных катушках. При больших значениях тока (12=12=1 А) наблюдалась фокусировка ионного потока на электрод. С помощью подвижного цилиндрического зонда была определена оптимальная конфигурации магнитного 10

поля, когда неравномерность ионного потока на подложку (диаметр 150 мм) при высокой ее плотности не превышала 5%.

Г2 600 Вт

А1 экран

Разрядная камера

Реакционная камера

а)

Рис. 1. а, б) Блок -схема реакторов плотной плазмы

Индукция магнитного поля над электродом при этом равнялась 0.3 тТл. При такой конфигурации магнитного поля определялось пространственное распределение Те (по наклону логарифмической зависимости электронного тока от потенциала смещения), концентрация электронов (по электронному току насыщения) и ионов (по формуле орбитального движения притягивающихся частиц), а также плотность

ионного потока на подложку в плазме Аг. В плазме Ат с увеличением давления от 0.14 Па до 20 Па Те уменьшались с 7,8 до 1.5 эВ, а пс с 8><1010 до 5 х109 см"3. Определение Те и пе осуществлялось в плазме Аг и 02 для характеризации плазмы в созданном реакторе, рассматриваемой как орудие формирования МН структур.

С использованием зонда было определено, что при высокой плотности плазмы приложенная ВЧ мощность на электрод не влияла на его вольт-амперную характеристику. Интенсивность свечения плазмы разряда также не менялась. Эти результаты могли свидетельствовать, что вся вложенная в разряд ВЧ мощность смещения \\гсм затрачивалась на ускорение ионов в приэлектродном слое и \УСМ = .¡¿^эл, где Е; - средняя энергия ионов, - плотность ионного тока, 8ЗЛ -площадь электрода. Так как средняя энергия ионов определяется выражением :Е1=е(ир-исм), то зависимость отрицательного потенциала смещения исм от приложенной ВЧ мощности смещения \УСМ должна быть линейной, что и наблюдалось экспериментально, откуда ^=Д\УС!У8эллисм. Подтверждением правильности полученной формулы являлось согласие данных измерений ^ по данной формуле и с помощью зонда. Возможность определения плотности ионного потока из зависимости отрицательного потенциала смещения от \¥см является очень важной, особенно в случае химически активной плазмы, в которой использование зондового метода затруднено. Измерения ^ в плазме разного состава при одинаковых внешних параметрах разряда показали, что плотность ионного тока на подложку уменьшалась с увеличением электроотрицательности плазмы.

Во втором параграфе приведены исследования влияния температуры внутреннего экрана на радикальный и ионный состав фторуглеродной плазмы С4Р8. Оценки плотности радикалов из данных оптической актинометрии показали, что при увеличении температуры стенок концентрация легких радикалов С2, СР2 увеличивалась более чем в 10 раз. Плотность ионного потока на подложку при этом уменьшалась почти в два раза. В плазме С4Р8+10% Аг с увеличением температуры первоначально очищенных стенок реактора наблюдалось изменение давление газа и спектра плазмы. Изменение давления было различным в зависимости от расхода газа и температуры стенок (рис.2). Такое изменение давления связано с процессами рождения и гибели частиц на стенках реактора. В начальные моменты времени происходило осаждение ФУП на стенках реактора и 12

по мере их покрытия пленкой и увеличения температуры стенок наблюдалось увеличение давления. Более слабое начальное падение давления при низком расходе С4Р8 (кривая 1), свидетельствовало, что при данных условиях лимитирующей стадией являлось рождение химически активных частиц в объеме реактора. Дальнейший рост давления обусловлен поступлением в объем реактора радикалов СР2 в результате уменьшения вероятности их гибели на горячих стенках.

Рис. 2. Зависимость изменения давления в реакторе во времени при разной температуре стенок реактора и расходе газа С<Р8:

1 - 0=10 нсм3/мин, Т„=300-405 К,

2 - (2=40 нсм'/мин, Тст=300-370 К.

3 - 0=40 нем3/ мин1, Тст=515-480 К. 'нем3/ мин соответсвует 1 веет.

Об этом свидетельствовало изменение спектра плазмы во времени. В начальный момент времени интенсивность излучения полос радикалов СТ2 (^=257.3 нм) была

минимальной, а на 8 минуте горения плазмы она увеличилась в несколько раз. При этом изменялись также интенсивности излучения полос молекул Сз (Я.=405.1 нм), (Х=432.6 нм) и С2 (Х=516.5 нм). Так как в плазме С4Р8 наблюдалась корреляция между содержанием тяжелых радикалов СхРу и радикалов С2 и С3, то исходя из данных изменения интенсивности излучений полос радикалов, был сделан вывод, что их образование происходило как на стенках реактора, так и в плазме.

Одинаково высокая интенсивность излучения радикалов С2 в реакторе с

холодными и горячими стенками могла свидетельствовать, что скорость их гибели

на стенках приблизительно одинакова и их концентрация обусловлена только

скоростью их рождения в объеме.

В третьем параграфе главы описана методика и результаты исследования передачи энергии ионов в плазме Аг, 02, С4р8+Аг поверхности 8х, Э102, 513Ы4. Метод основывался на измерениях плотности мощности нагрева подложки-

13

калориметра Бт в зависимости от направляемой на него плотности мощности ионного потока В качестве калориметра служила кремниевая пластина. Ее температура измерялась методом лазерной термометрии. Плотность мощности нагрева калориметра От плазмой определялась из измерений кинетики нагрева подложек. ОтЦср1])(<Л7сИ), где с, р, Ь - теплоемкость, плотность и толщина калориметра (толщина пластинки Б!). Так как при подаче ВЧ мощности смещения на подложку она полностью затрачивалась на ускорение ионов в приэлектродном слое, то из полученной зависимости плотности мощности нагрева от мощности ВЧ смещения можно было определить коэффициент передачи энергии ионов поверхности, к) = ДО0 /АО, , где ДЕ)0 - приращение плотности мощности нагрева калориметра, ДО! - приращение плотности мощности ионного потока.

В плазме Аг, зависимости плотности мощности нагрева от плотности ВЧ мощности смещения были линейными независимо от рода пленки $¡02) на

поверхности калориметра (рис.3).

W^, Вт/см2

Рис. 3. Зависимость плотности мощности нагрева калориметра 51зЫ4, вЮг в аргоновой плазме от удельной ВЧ мощности при следующих параметрах: 1 - Р=0.035 Па, №=350 Вт, 0=5 нсм3/мин, 2 -Р=0.07 Па, \У=350 Вт, О=10

нсм3/мин.

Коэффициент передачи энергии ионов атомам поверхности был не менее 0,5. В плазме 02 и C4F8 зависимости были также линейными, но коэффициент передачи к, в плазме 02 был меньше и равнялся 0.38. В плазме C4F8 он также был ~ 0.5. Таким образом, ввиду больших значений коэффициента передачи энергии ионов поверхности, был сделан вывод, что влиянием вторичных процессов, а именно влиянием отраженных частиц от дна канавки на формирование профиля травления структур можно пренебречь. 14

Третья глава диссертации посвящена исследованию процессов ионно-инициированного травления полимерных пленок (ПП) полиимида, новолака, полиметилметакрилата и плазмополимеризованных пленок стирола, гексафтор-пропилена в кислородсодержащей плазме и методам формирования ВА субмикронных структур в полимерной пленке. При низком давлении (Р<1 Па) и высокой плотности ионного потока, скорость травления пленок определялась плотностью мощности ионного потока и не зависела от температуры образца. Скорости травления пленок (за исключением пленки ПММА) были близкими по величине. Слабое проявление эффекта загрузки при травлении ПП свидетельствовало, что процесс травления определялся реакциями с молекулярным кислородом, а не с атомами кислорода. Показано, что при ионно-инициированном травлении полимерных пленок большой площади поток продуктов реакций может превышать поток молекул кислорода. Из анализа всех данных, в том числе спектральных измерений, был сделан вывод, что эффект превышения потока продуктов реакции над потоком реагентов может объясняться участием вторичных радикалов ОН в процессе травления ПП и дополнительной генерацией кислорода в плазме в результате протекания гетерогенных реакций с участием СО на стенках разрядной камеры. Такой рециклический механизм образования активных частиц в плазме впервые был обнаружен при травлении полимерных пленок в кислородсодержащей плазме.

Ионно-стимулированный характер травления ПП в кислородсодержащей плазме свидетельствовал, что в такой плазме можно реализовать ее анизотропное травление. Высокоанизотропное травление ПП можно получить в плазме 02+Аг при больших добавках аргона (>50%) и сравнительно высокой энергии ионов (Ец ~100 эв). При таких условиях наблюдалась сильная зависимость скорости травления от потенциала смещения, что является критерием реализации высокоанизотропного травления.

Коэффициент анизотропности травления А, равный 1 -1</Ьи где 1а - величина бокового подтравливания и 1ц - высота полученных структур определялся выражением: \-VJVi, где У„ - скорость травления полимера горизонтальном направлении и ^-скорость травления в вертикальном направлении. При ионно-инициированном механизме травления скорость травления ПП в вертикальном

15

направлении обусловлена плотностью мощности ионного потока. Горизонтальная скорость травления полимерной пленки определяется изотропной составляющей, а также тепловой энергией ионов Т; (эВ). Хотя Vc намного меньше скорости

травления ПП при плавающем потенциале поверхности Vf, степень -- ■

Vf

4 Рис. 4. Зависимость степени

анизотропностн травления

3

фоторезиста (новолак) (1) и 2 относительной скорости его

j травления (2) от энергии ионов в

кислородной плазме СЬ +75%Аг.

о

О 50 100 150

Ej, эВ

анизотропности травления резиста при данной энергии бомбардирующих ионов можно оценить из соотношения V/Vf. Эксперименты показали, что высокоанизотропное травление резиста (А=0.95) реализуется уже при отношении V/Vf равном 4.5. Степень анизотропности травления ПП повышается при увеличении содержания аргона в смеси 02/Аг, однако скорость травления при этом уменьшалась.

Близкие значения коэффициента анизотропии А и скорости травления были получены и при травлении полиимидной (ПИ) пленки. Для формирования субмикронных канавок в ПИ пленке и определения степени анизотропности травления были приготовлены образцы с двухслойным резистом. В нем в качестве нижнего основного слоя использовалась пленка полиимида, а также плазмополимеризованные пленки стирола (ППС) и фторпропилена. Функции передающего слоя двухслойного резиста выполнял слой Ti (толщина 40 нм) или слой аморфного кремния (толщина 0.1 мкм), нанесенный методом осаждения в плазме SiH4 или магнетронного нанесения. Далее на образцы наносили пленку электронорезиста ЭЛП-9 толщиной 0.4 мкм. Рисунок в пленке - систему параллельных полос с характерным размером элементов 0.3, 0.5, 1 мкм создавали методом электронолитографии, с помощью растрового электронного микроскопа 16

РЭМ-401 (ТЕБЬА) (Ее=20 кэВ). Передача рисунка в слой 'П или Б! осуществлялась травлением структуры в плазме вРв/СШ^. Высокоанизотропное травление ПП проводилось в плазме 02+75%Аг. Примеры ВА структур в слое ПИ представлены на рис.5.

а) б)

Рис. 5. Вид субмикронных структур в слое полиимида, сформированных с использованием двухслойной маски.

На основе метода формирования субмикронных структур в слое полимера, был разработан, основанный только на плазмохимических процессах травления и осаждения, «сухой» метод формирования структур. В основе метода лежит осаждение в процессе полимеризации в послесвечении плазмы электронночувствительного слоя полиметилметакрилата (ППММА) на промежуточный слой аморфного 51 (толщина 100 нм).

При травлении пленки полиамидокислоты (ПАМК) в кислородной плазме был обнаружен эффект неустойчивого её травления. Эффект проявлялся в возникновении в резкого максимума в зависимости скорости травления пленки ПАМК от времени, величина и время появления которого зависела от плотности мощности ионного потока (рис.6). Резкое увеличение скорости травления ПАМК во времени на начальном участке кинетической зависимости при разной энергии падающих ионов, обусловлено нагревом образца в плазме в процессе травления. Однако рост температуры не является непосредственной причиной ускорения травления ПАМК, поскольку ионно-инициированный процесс травления не зависит от температуры. Быстрый рост температуры образца, возникающий в

результате протекания экзотермических реакций окисления, ведет к ускорению протекания в объеме пленки ПАМК реакции циклодегидратации. Ее влияние на

100

ю

4

Рис. 6. Зависимость скорости травления пленки ПАМК толщиной 15 мкм (1-3) и 21 мкм (4) в кислородной плазме от времени при разной энергии бомбардирующих ионов: 1 - 25, 2 - 85, 3 - 125, 4 -200 эВ. Р=0.2 Па, №=500 Вт.

11

о

200

400

600

100

на процесс ионно-инициированного травления полимерной пленки обусловлено тем, что реакция циклодегидратации сопровождается образованием воды. Её выделение из объема на поверхность пленки приводит к образованию на поверхности своеобразного кипящего слоя, который разрушает стационарный приповерхностный реакционный слой, в котором происходят реакции окисления и образуются летучие продукты реакций. Разрушение такой пленки приводит к увеличению эффективной толщины реакционного слоя и, следовательно, к увеличению реакции травления. Таким образом, между процессами травления и имидизации существует положительная обратная связь, в результате чего развивается цепной ионно-инициированный процесс травления и имидизации ПАМК. Представленный механизм подтверждается данными спектральных исследований, которые показали соответствующее изменение интенсивности полос излучения СО, ОН в спектре плазмы в процессе травления пленки. Интерес к такой системе плазма/полимерная пленка обусловлен тем, что в результате протекания процесса имидизации-травления на поверхности образуются микро и наноструктуры.

В четвертой главе приведены результаты исследования процессов травления 81, 8Юг, канавок субмикронных и нанометровых размеров в слое 51, 8Ю2

через Al и a-Si маски в плотной плазме C4F8 и QFs/Ar, C4F8/H2, C^SV^Ar, CHFj/H2.

В первой части главы приведены результаты исследования травления Si02 в плазме C4F8 в реакторе с холодными и горячими стенками. Скорость травления Si02 и Si в зависимости от потенциала смещения в реакторе с горячими стенками была ниже, чем с холодными (рис. 7). При этом резко возросла скорость

S00 700 600 500 400 300 200 100 0 -100 -200 -300

VTp , нм/мин

г/

__ ---» 4

40

60

80

100 -IL.B

120

140 160

Рис. 7. Зависимость скорости травления ЭЮ2 (1, 2), 51 (3, 4) и осаждения ФУП (отрицательные значения) в плазме С4Р8 в реакторе холодными (1, 3) (Т=70-100°С) с горячими (2, 4, Тс=240-270°С) стенками от потенциала смещения.

Р=0,07 Па, \У=1200Вт, 0=10 нсм3/мин.

полимеризации и селективность травления. С увеличением их температуры до 450К селективность травления 8102/81 в С4Р8 плазме увеличилась в 2 раза и достигла 9-10. Такое увеличение селективности обусловлено разным радикальным и ионным составом плазмы в реакторе холодными и горячими стенками. В реакторе с горячими стенками основными частицами являлись радикалы СР2 и ионы и поэтому высокая селективность травления 8Ю2 по отношению к обусловлена их влиянием.

Более высокая селективность травления 8Ю2/81 была получена в реакторе с горячими стенками в плазме в смеси СНРз/Н2. Селективность травления возрастала с увеличением содержания водорода. При 40% добавке водорода селективность 8Ю2/81 достигала 25, а 8Ю2/фоторезист - 16. Увеличение селективности травления обусловлено уменьшением скорости травления 81. Оно объяснялось потреблением атомов фтора в реакционном слое на поверхности 81 в реакциях с атомами водорода с образованием Ш7. Кроме того, так как при добавлении водорода скорость образования ФУП увеличивалась, то рост селективности может быть

обусловлен наличием более толстой ФУП на поверхности кремния в процессе его травления. Улучшению селективности может способствовать также изменение структуры ионного потока. Известно, что при небольших добавках водорода в плазму основными ионами являются HF+. Полученные результаты свидетельствовали, что в реакторе с горячими стенками (Тст=240-270 °С) можно реализовать высокоселективное по отношению Si травление Si02 во фторуглеродной плазме различного состава. В реакторе с горячими стенками селективность травления Si02/Si и 8Ю2/резист их скорости травления не изменялись с увеличением содержания аргона в плазме до 90% и равнялась, соответственно, 9±0.5 и 4.5+0.5. Потенциал самосмещения при этом поддерживался равным -150В.

Сильная зависимость скорости травления от потенциала смещения показывала, что травление Si02 в такой плазме должно быть анизотропным в соответствии с критерием реализации анизотропного травления. Но этот критерий является только необходимым условием. Для реализации высокоаспектного и аспектнонезависимого травления Si02 необходимо выполнение дополнительных условий.

Во второй части главы рассматривались условия реализации травления ВА субмикро-наноструктур в слое Si02. В плазме CHF3+40% Н2, в которой реализуется высокоселективное травление Si02, глубина канавок шириной от 1.6 до 0.26 мкм были одинаковыми и составляли 1.2 мкм. Это свидетельствовало об отсутствии что апертурного эффекта при травлении структур до аспектного отношения, равного 5,

Рис. 8 Вид канавок в Si02 шириной 250 нм при травлении в плазме CHF3+ 40% Н2. Р=0,14 Па, W=1500 Вт, Q=15 нсм3/мин, иш=-80В.

Стенки канавки травления были с небольшим наклоном, обусловленным наклоном стенок резистивной маски (рис.8).

Для травления ВА наноструктур сильная пассивация является вредным фактором, так как происходит осаждение ФУП на боковых стенках маски или структур травления. Разбавление рабочего газа инертным газом и добавка СО, SF6 является эффективным способом предотвращения сильной полимеризации. Формирование канавок в SiOz нанометровой ширины (30 нм) проводилось в плазме CHF3+70% Аг с использованием маски из a-Si толщиной 20 нм. Такую маску в слое аморфного кремния получали путем травления на нем нанорельефа SiN в плазме С12+аг. Были получены канавки с аспектным отношением 4.5 (рис. 9а). Селективность травления Si02/a-S¡ равнялась 6. Более высокоаспектные структуры были получены при травлении таких же структур только в плазме C4F8+Ar+SF6 через Al маску (рис. 96).

Таким образом, полученные результаты свидетельствовали, что в реакторе с горячими стенками с оптимальным содержанием пассивирующих и травящих радикалов во фторуглеродной плазме можно реализовать анизотропное и иысокоселективное по отношению Si травление Si02.

Рис. 9. Профиль канавок шириной 30 нм, протравленных; а) через маску a-Si в плазме CHF3+50%Ar и б) через Al маску в плазме C4F8+Art-SF6.

Выбор плазмообразущего газа, условий проведения процесса для реализации ВА травления наноструктур основывался из представления механизма травления Si02, который рассматривался в третьей части главы. В ней описывался механизм ионно-стимулированного травления Si02 в плазме фторуглеродных газов. Основной, неясный до настоящего времени вопрос, механизма ионно-

стимулированного травления ЗЮ2 заключался в том, почему находящийся на его поверхности в процессе травления нанометровый (1-4 нм) слой ФУП не препятствовал проникновению низкоэнергетичных ионов (Е,<200 эВ) в нижележащий реакционный слой. Это можно объяснить допустив, что слой ФУП является пористым, а не сплошным, и ионы проникают к нижележащему слою ЭЮг без потери энергии. Подтверждением такого влияния ионов является специальный эксперимент, в котором травление БЮг осуществлялся через толстый толщиной до 200 нм наноструктурированного слоя (НС) БЮР*. Было обнаружено, что толщина слоя БЮг и находящегося на нем НС слоя после 2 минутного травления в плазме С4рв+55%Аг уменьшилась на 470 нм, а толщина слоя БЮР* на 140 нм. При этом травление БЮ2 с маскированной ЭЮРХ пленкой происходило с той же скоростью, что и без пленки. Эксперимент показал, что наличие наноструктурированного слоя не препятствовало прохождению сквозь него ионов. Наноструктурированный БЮР* слой в виде нанопроволок образовывался на поверхности 8Ю2 при его травлении в циклическом режиме травление/пассивация (ВовсЬ-процессе). Характерный размер нанопроволок составлял 20-100 нм, а их аспектное отношение превышало 20.

Таким образом, одним из условий формирования ВА наноструткур в слое БЮ2 является использование ионов инертного газа. В этом случае образование летучих продуктов 31Р2 обусловлено реакцией атомов с «горячими» атомами фтора в реакционном слое, которые возникают в результате распада адсорбированных С¥х радикалов во фторуглеродном слое при столкновении с ними Аг+ или какого-либо иона другого инертного газа. Травление 8Ю2 необходимо проводить в режиме химического распыления при энергиях ионов 100-140 эВ. В этом случае влияние отраженных частиц будет минимальным.

В пятой главе описывался созданный программный комплекс для моделирования формирования ВА МН структур в плазменных процессах травления и осаждения во фторсодержащей плазме, в том числе и циклическом травление/осаждение процессе (ВозсЬ-процесс). Разработанный метод моделирования основывался на методе ячеек и струнном методе представления профиля поверхности, методе Монте-Карло для генерации потоков плазмы. В основе метода лежат модели травления и ФУП в плазме 8Р6 и модели ионно-22

стимулированного осаждения ФУП в плазме С4Р8 и ее травления в плазме 8Р6, необходимых для описания процессов формирования ВА в циклических процессах травление/осаждение в плазме.

В разработанном методе моделирования гетерогенных процессов в плазме поверхность раздела разбивалась на три сорта ячеек: - газовые и поверхностные ячейки 81, ячейки маски (рис. 10). В 81 ячейке содержится 30 атомов 81. При падении частиц в ячейку, в ней в соответствии с типом частицы, проводилось моделирование осаждения или травления. В модели рассматривалось три сорта падающих частиц плазмы: 1) травящие радикалы - атомы фтора, 2) осаждающиеся частицы - СРХ радикалы и ионы вр5+ (плазма 8Р6) и СР„+ (плазма С4Р8). Моделирование начинается с определения точки и направление траектории падения частицы плазмы с линии границы движения частиц (рис. 10).

плоскость частиц

клеточная траешорня х частицы ^ цепочка поверхностных клеток

Рис. 10. Расчет траектории падения частицы плазмы на поверхность, построение аппроксимации профиля и определение точки и клетки пересечения.

Далее вычислялась точка пересечения частицы с границей поверхности травления. Зная точку и угол попадания частицы, на основе заложенной модели проводился расчет количества частиц в клетке. Данная частица могла адсорбироваться, отразиться или выбить из поверхностного слоя другую частицу. Для нахождения точек пересечения и вылета отражённых частиц приведены и разобраны разные способы построения аппроксимации клеточной поверхности, (поверхностной струны рис. 10) и найдены оптимальные алгоритмы. Использовались две аппроксимации - для падающих частиц и для отражённых

23

частиц. Таким образом, точки при падении на поверхность частицы и точка вылета отражённой частицы с поверхности могли отличаться. При падении на поверхность реакционных радикалов СР2 и атомов Б, в зависимости от их вероятности прилипания, они оставались в них или отражались по косинусному закону распределения. В случае прилипания образовывались реакционные ячейки, содержащие атомы Б!, Р, С или только 8/ и Р. Они составляли поверхностный реакционный слой. Реакционные ячейки могли превращаться также в полимерные ячейки, содержащие атомы Р и С. Выбранное количество атомов и размер ячейки соответствовали средней толщине реакционного слоя равной 2.5 нм. При попадании активной частицы в клетку в ней рассчитывались химические реакции, в результате которых мог измениться её атомный состав. Считалось, что летучие продукты химических реакций не принимали дальнейшего участия в расчётах и беспрепятственно удалялись из пределов области моделирования (рис. 11).

Рис.11. Представление области моделирования (домена) и перерасчета координат ячеек в систем)' координат ХУ.

Дискретность клеточного представления поверхности предполагала использование системы координат у. Домен представлял собой матрицу и каждая клетка может быть легко найдена по её координатам [1, )]. Для отображения и расчета траекторий частиц и координат ячеек на плоскости использовалась декартовая система координат ХУ (А). Ширина домена моделирования обычно составляла 1 мкм, а глубина 2 мкм (матрица размером в 400x800 ячеек). Каждая ячейка

[\УЭ, НО]

х,(А)

у - МАХ_Н линия вылета частиц плазмы

li.il

ГО) (■+!,!)

| |—(Н0.5, у-0.51

(М«> 1 <¡«.1«)

(х, У) = (¡-1, чуч

[¡,Й-(тг)((Х,-Уу<1) + 1

матрицы хранит в себе информацию об её атомном составе: количество атомов Ме, Р, С, общее количество атомов и другую информацию, необходимую для расчета баланса частиц и реакций.

Для контроля атомной плотности в поверхностных клетках профиля и сохранения постоянной плотности во внутренних клетках требовался пересчёт атомного баланса внутри ячеек и их соседей. При переполнении ячейки (количество атомов > Кии) клетка делилась и рядом с ней возникала новая ячейка. Общая блок-схема алгоритма метода моделирования показана на рис. 12.

Рис. 12. Блок-схема основного алгоритма метода

Ионный поток характеризовался угловым распределением и энергетическим распределением. Для упрощения расчетов функцию распределения ионов по

энергиям считали моноэнергетической. Функция распределения ионов по углам (ФРИУ) выбиралась нормальной:

1 4

£(а) = —7=ех р2"1 > ол/2 л

где а -случайная величина на отрезке [0,1].

о, - среднеквадратическое отклонение ионов зависит от их температуры и определяется выражением: о;=аШап(кТ/Е¿)0,5 , где к-константа Больцмана, Т1 -температура ионов, E¡ - энергия ионов (эВ). Тепловая энергия ионов задавалась равной 0.1-0.5 эВ. При кТ\ = 0.2 эВ и Е, = 90 эВ величина су, равнялась 2.7°.

Правильность работы алгоритмов предлагаемого метода проверялась на простых специальных тестах, таких как изотропное травление 81 атомами фтора через узкую маску при разной вероятности реакции атомов фтора с 81 (рис.13) Выбор коэффициента вероятности реакции - Р выбирался исходя из сопоставления результатов моделирования с экспериментом.

а) б)

Рис. 13. а) Моделирование изотропного травления при диффузном распределении потока атомов И и разной вероятности реакции б) вид профиля канавки травления в плазме

Исходя из сопоставления экспериментальных данных и результатов моделирования вероятность реакции атомов фтора с 81, была выбрана равной 0.4.

При формировании ВА микроструктур одним из основных факторов определяющих форму профиля образующихся структур является угловое

Р^ 1.(1,0.8, 0.4, 0.2, 0-1. О.05

распределение ионного потока. Моделирование профиля канавок возникающих при травлении Бг ионами фтора с разным угловым распределением ионного потока ^ показало, что с увеличением <т, наблюдалось увеличение уширения канавки (рис. 14а). Глубина канавки при этом резко падала (рис. 146). Максимальное уширение канавки наблюдалась на глубине определяемое критическим углом

отклонения ионов и аспектным отношением А. <рл = 2аг^ ——- ,

Результаты моделирования показали, что при наличии даже небольшого углового отклонения в ионном потоке канавки с вертикальными стенками получить нельзя.

Поток (о/А)

а) б) с)

Рис, 14. а) Профили канавок в Si, полученные при ионно-лучевом травлении со среднеквадратичным отклонения ионов ах равным 1.15°, 2.5° и 10.0°. б) изменение глубины канавки в процессе ее травления, с) определение критического угла отклонения

ИОНОВ, фй.

Для получения ровных без уширения канавки необходимо с увеличением ее глубины усиливать пассивацию стенок канавки.

Моделирование процесса с часточередующимися стадиями требует от модели более высокой вычислительной точности, так как при многократном

повторении циклов процесса, погрешность возрастает в результате накопления больших ошибок в вычислении. Поэтому при моделировании Bosch- процесса важно было подобрать параметры процесса, на основе которых профиль структур моделирования наиболее точно совпадал с экспериментальными данными. Для калибровки модели параметры модели подбирались таким образом, чтобы длительности стадий травления и пассивации соответствовали условиям эксперимента. Основными задаваемыми параметрами при моделировании являлись: поток ионов и радикалов, энергия ионов на стадии пассивации. При моделировании осуществляли варьирование вероятности реакции прилипания CF2 на стадии пассивации и количество падающих частиц на стадии травления и пассивации. При этом их отношение соответствовало их отношению в эксперименте. Длительность цикла составляла 10 с (6 с травление, 4 с пассивация), число циклов равнялось 14. Результаты моделирования находились в хорошем соглавии с экспериментом (рис. 15).

а) б)

Рис. 15. Вид канавки шириной 500 нм в 81, полученной: а) - после травления в плазме 8Гб/С4р8 в циклическом двухстадийном процессе за 14 циклов; б) - при моделировании формирования профиля канавки такой же ширины (14 циклов). Глубина канавки 1.6 мкм.

В шестой главе был предложен метод формирования ВА МН на поверхности 8Ю2 и на основе последовательных процессов плазменного 28

осаждения/травления в плазме С4Р8 и С4Р5/8Р6, соответственно. Представлена реализация метода и показана принципиальная возможность получения структур нанометровых размеров с его использованием. Метод может быть использован в технологии наноэлектроники с целью не литографического уменьшения размеров рисунка маски, переносимого в нижележащий слой. Принцип метода представлен на рис. 16а-в. На исходный рисунок маски в виде канавки, сформированный литографическим способом в слое фоторезиста (рис. 16а), во фторуглеродной плазме при низкой энергии осаждалась полимерная пленка. Пленка осаждалась на дно и боковые стенки, тем самым заужая ширину канавки на двойную толщину боковой пленки (рис. 166). На следующей стадии анизтропного и селективного травления нижележащего слоя Б! или 8Ю2 по отношению к фторполимерной пленке (рис. 16в) осуществлялся перенос рисунка маски в нижележащий слой с меньшими размерами.

ш а '¿/У/ т — фр

- &

— Б'!

в1

Рис. 16 а-в. Последовательность стадий формирования МН структур с размерами меньшими, чем исходной маске. (Пояснения в тексте)

Для реализации метода необходимо знать основные закономерности процесса ионно-стимулированного осаждения ФУП на плоскую и на структурированную поверхность. Об ионно-стимулированном характере процесса осаждения свидетельствовала зависимость скорости осаждения ФУП от энергии бомбардирующих ионов (рис. 17) в плазме С4Р8. Такая зависимость наблюдалась,

29

когда ионная бомбардировка является лимитирующей стадией процесса и когда потоки радикалов СРХ превышали поток ионов на поверхность более чем в 500 раз. Плотность ионного потока при этом составляла 2.5х 1015 см'2 (0.4 мА/см2).

Рис. 17. Зависимость скорости осаждения ФУП в плазме С4р8 от энергии бомбардирующих ионов и моделирования такого процесса.

Использование созданного программного комплекса позволило провести моделирование такого процесса. Заложенный в модель механизм ионно-стимулированного осаждения ФУП был аналогичен механизму её ионно-стимулированного травления. При столкновении иона с поверхностью происходила активация ячейки попадания иона, в результате чего при последующем попадании в нее Ъ1-го количества радикалов СРХ их вероятность прилипания у увеличивалась в несколько раз. Согласно литературным данным вероятность прилипания радикалов СР2 составляла 10'3-10"2. Параметром модели при этом являлся коэффициент увеличения начальной (радикальной) вероятности прилипания радикалов СР2 и «длительность» активации. При моделировании учитывалось, что ионное стимулирование наблюдалось при энергии ионов до 40 эВ. При ее превышении другой конкурирующий процесс - травление ФУП становился преобладающим. Анализ состава поверхности ФУП методом РФЭС показал, что в этом случае наблюдалось повышение отношения С1? на поверхности ФУП. Это свидетельствовало о распылении с поверхности более насыщенных и более летучих СР„(х>2) радикалов.

О правильности представленной модели свидетельствовали результаты моделирования заполнения топографически развитой структуры полимерной 30

пленкой (рис. 18). В соответствии с экспериментальными данными при низкой вероятности реакции на вершине, дне и стенках канавки образовывалась одинаковой толщины полимерная пленка (рис. 18а, б). Ее толщина увеличивалась с увеличением энергии ионов, но при этом на боковых стенках она была меньше (рис. 18г, д). Полимерная пленка не образовывалась в местах затенения ионов -под маской (рис. 18а), где осаждение ФУП было чисто радикальным.

в)Е;=0 г) Е;=10 эВ д) Е) =60 эВ е)Е-,=100эВ

Рис. 18. а, б) Вид осаждения ФУП в плазме СА на дно и стенки канавки с небольшим аспектным отношением. Р=0.3 Ра, № =800 \У. <3=20 нсм3/мин, Уаер=0.6 мкм/мин., в-г) - результаты моделирования.

Характер осаждения ФУП в глубокие канавки зависел от многих параметров, в том числе от их аспектного отношения. Так в плазме С4Р8+Не при небольшой мощности ВЧ смещения (20 Вт), когда аспектное отношение канавки изменялось от 0.3 до 1.5 уже обнаруживался апертурный эффект при осаждении. Боковые стенки узких канавок были вертикальными, но вершине наблюдалось сглаживание угла (рис. 19а), что характерно для ионно-стимулированного осаждения ФУП. Толщина ФУП в канавках с высоким аспектным отношением была намного ниже на дне канавки, чем на вершине.

а) б)

Рис. 19. а) - вид осаждения ФУП в канавку шириной 300 нм в плазме C4F8+He, б) - профиль канавки в Si02 при травлении через маску резиста в комбинированном осаждение/травление процессе в плазме CHF3+H2 при энергии 150 эВ.

Для реализации метода формирования канавок с размерами элементов меньшими, чем в маске необходимо чтобы стенки исходной маски были вертикальными. На рис. 19,6 представлены примеры формирования МН структур в слое Si02 в комбинированном осаждение/травление процессе во фторуглеродной плазме CHF3+H2. В Si02 были получены канавки шириной 50 нм при исходной их ширине 200 нм. Причем на дне канавок, вблизи стенок, наблюдались характерные углубления, свидетельствующие, что травление происходило при достаточно высокой энергии ионов (-200 эВ). Аналогичное уменьшение ширины канавки в Si в комбинированном процессе достигалось в плазме C4F8/C4F8+SF6. Таким образом, показана принципиальная возможность формирования структур с размерами элементов меньшими, чем размеры маски.

В седьмой главе представлены экспериментальные результаты и результаты моделирования формирования ВА и сверхвысокоаспектных (СВА) субмикронных структур в кремнии в циклическом двухстадийном процессе травление/пассивация в плазме SF6/C4F8. Анализируются эффекты формирования ВА структур, такие как стоп - эффект, эффект самоформирования микроигл, апертурный эффект и способы их подавления. Представлены результаты моделирования канавок нанометровой ширины со сверхвысокоаспектным отношением (А~100).

Исследования формирования ВА канавок в Bosch-процессе проводились в реакторе второго типа (рис. 16). Условия проведения процесса на каждой из стадий

были следующими: Стадия травления. С2(8Р6)=100 нсм3/мин, О(С4Р8)=10 нсм3/мин, \У«,=20-80 Вт., Р=3.0-4.5 Па. Стадия пассивации: Р=1.2 Па, С>(С4Р8)= 40 нсм3/мин, (2(8Р6)=5 нсм3/мин, \УСМ=5 Вт.

Реализацию глубокого, анизотропного травления Si в циклическом I травление/пассивация процессе, можно показать на примере моделирования такого процесса. Канавки с вертикальными стенками возникают при определенных длительностях стадии травления Si в плазме 8Р6 и последующей стадии осаждения ФУП плазме СА При короткой длительности стадии пассивации наблюдалось травление с боковым подтравом (рис. 20а).

а) г2=2 с б) с в) ^=6 с г) 12=8 с д) 12=10с

Рис. 20. Изменение профиля канавки при моделировании процесса с увеличением длительности стадии пассивации с 2 до 10 с. (Пояснения в тексте)

С увеличением времени пассивации наклон стенок канавки изменялся от отрицательного угла к положительному (рис. 20б-д). При большой пассивации скорость травления канавки замедлялась и на боковых стенках образовывалась ФУП. Все эти эффекты искажения профиля канавок, наблюдались и в эксперименте. При г=6 с стенки канавки были вертикальными. Очевидно, что для формирования канавок с вертикальными стенками необходимо поддерживать строгий баланс между процессами травления и пассивации боковой стенки канавки. Основной принцип реализации ВА структур - поддержание минимально возможной толщины ФУП на боковых стенках с увеличением глубины канавки нарушался. Толщина пассивирующей, полимерной пленки на боковой стенке,

также как и потоки радикалов, ионов на дно и стенки уменьшались. Это приводило к возникновению эффекта бокового травления (bowing). Уменьшение толщины ФУП с увеличением глубины канавки можно объяснить своеобразным загрузочным эффектом. Чем глубже канавка, тем больше площадь ее боковой поверхности и тем меньше толщина ФУП при постоянном потоке ФУ радикалов. Поэтому для формирования ВА структур условия пассивации должны усиливаться по мере увеличения глубины канавки.

Обычно в экспериментах при глубоком травлении Si при постоянных условиях процесса удается получить ВА структур с аспектным отношением не более 20 (рис. 21а).

ОДмкм 0,5мкм ti~t

Рис. 21. Вид высокоаспектных микроканавок, а) - эксперимент, б) - моделирование канавок шириной 100, 200 и 500 нм.

а) б)

Это так называемое критическое аспектное отношение, зависящее от величины среднеквадратичного отклонения ионов = ■ При энергии ионов 100 эВ

(исм=80 В) и Т, =0,2 эВ, этот угол равняется 1.3°. При таком угловом распределении все ионы достигают стенок канавки до аспектного отношения 20.

При моделировании формирования канавок шириной 100 и 200 нм было обнаружено их значительное уширение (рис. 216). Кроме того, глубина травления узких канавок была меньше, чем высоких, и их дно было заостренным. Такие

эффекты также наблюдались и в эксперименте, что подтверждает правильность модели. Апертурный эффект, проявляющийся в более низкой скорости травления узких канавок, характеризовался также замедлением скорости травления во времени. Такое замедление обычно объяснялось уменьшением потока частиц на дно канавки (киудсеновский поток) с увеличением её аспектного отношения. Результаты моделирования также показывали, скорость травления глубоких канавок в ВоБсЬ-процессе также приблизительно описывалась моделью Кнудсена (рис. 22). Точного согласия и не должно быть, так в ВоБсЬ-процессе лимитирующая стадия процесса должна изменяться с увеличением глубины канавки.

0,4

8-

X 0.0

^ Рис. 22. Зависимость нормированной

скорости травления канавки шириной 0.1 и 0.2 мкм от аспектного отношения

'ЧНЬс. б

чканавки при моделировании и

а^^Ыи«!»... г-"

1-0.5

соответствии с моделью Кнудсена при у = 0.3 и 0.5.

25

Аспеетное отношение, огн.ед.

Апертурный эффект проявлялся также в разной скорости травления при формировании структур разного вида: высоких столбчатых структур, длинных глубоких канавок и отверстий (каналов) (рис. 23). Однако в этом случае лимитирующей стадией являлась не доставка атомов фтора на дно канавки, а ионная бомбардировка. Травление таких высокоаспектных структур осуществлялось с постепенным повышением пассивации и увеличением энергии бомбардирующих ионов. Скорость травления таких структур с размерами - 200,2, 1 и 0.5 мкм падала в соответствии с увеличением их аспектного отношения (рис. 24а). Падение скорости травления происходило в соответствии с уменьшением

а) б)

Рис. 23. а) Вид микроканавок и микростолбиков (<1=1 мкм) и б) микростолбиков и микроканалов в 81, а также микроигл в широких каналах, получаемых в режиме СВА травления.

ионного потока на дно канавки в результате его затенения. Эксперимент и моделирование показывали, что травление СВА структур необходимо проводить при низком давлении (Р <3 Па) и высокой энергии ионов(Е;> 100 эВ). В этом случае угловое распределение ионов будет узким, и как показало моделирование, можно

т—«—1—1—I » | < I •—|—I I « | ' I ' I ' I ■—I > 1 • I

О 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 А, отн.ед

а)

V , мкм/мин

та'

Рис. 24. а) - зависимость скорости травления структур различной формы; А, Г -столбики, Б - канавки, В - колодцы разной ширины от их аспектного отношения при энергии ионов на стадии травления 90 эВ (А, Б, В) и ВО эВ (Г), б) - вид сверхвысокоаспектных столбчатых 81 (Н= 65 мкм, <1=0.5 мкм) структур.

получить канавки с А=80 (рис. 25). В модель было заложена, что вероятность реакции атомами фтора из плазмы низка (0.1), а отношение потоков ионов и радикалов было высоким и равнялось 0.02. Поэтому основным поставщиком атомов фтора являлись ионы SF5+, которые диссоциировали при столкновении и реагировали с Si с вероятностью 1. Моделирование формирования СВА канавок осуществлялось на примере травления канавок шириной 32 нм. Травление осуществлялось в два этапа. На первом этапе травление проводили до А=23 при энергии ионов 150 эВ, а на втором до А=80 и энергии 250 эВ. При этом на втором этапе была усилена стадия пассивации.

I if а

1

ГШ ■

б)

Рис. 25. Вид канавок после: а) - первого (А=23) и б) - 2-го этапов травления. (А=80).

Необходимым условием формирования структур с высоким аспектным отношением являлось отсутствие зарядового эффекта. При травлении ВА микроструктур его отсутствие объясняется тем, что тонкая пассивирующая полимерная пленка на боковой стенке является проводящей. Однако толстая полимерная пленка, осаждающаяся на боковой стенке была диэлектриком. В результате ее зарядки происходило отклонение ионов на стенки в результате чего полимерная пленка осаждалась на вершине канавки. Пассивирующая полимерная пленка не проникала глубоко в

канавки в плазме С^ даже при большой энергии ионов (рис. 26а,б). Впервые было

показано, что осаждение ФУП в узкие канавки и поэтому ее осаждение в канавку

можно осуществить только до определенного аспектного отношения (рис. 26а).

Осаждение ФУП на боковые стенки возможно только при большом отрицательном

потенциале смещения, когда ФУП не образовывалась на вершине канавки

(рис. 266). Эти результаты показали, что во фторуглеродной плазме можно

37

проводить пассивацию боковых стенок только при высокоэнергетической ионной бомбардировке.

а) б)

Рис. 26. а) - СВА микроканавки (Н=56 мкм, (1=1 мкм) после осаждения на них полимерной пленки, б) - вид заполнения канавок ФУП на вершине канавки при £¡=80 эВ.

При формировании ВА микроструктур в ВовсЬ-процессе при определенных его параметрах наблюдался эффект образования микроигл. В режиме ВА травления микроиглы возникали в широких канавках, в том время как в узких 1-2 мкм они не наблюдались (рис. 23). Механизм возникновения микроигл в двухстадийном травление/ пассивация процессе представлялся следующим. Пусть на поверхность в! произошло осаждение ФУП. На следующей стадии ее травления, а затем травления 81, она стравливалась не полностью. На поверхности оставались связанные с ней наноразмерные углеродные включения, которые являются зародышем образования микромаски. Включения на поверхности располагаются случайным образом в зависимости микроскопической неоднородности толщины ФУП и ее травления. Как показали эксперименты, такие углеродные включения наиболее быстро образуются в плазме 8Р6 при интенсивной ионной бомбардировке. Структура ФУП является сетчатой и ионная бомбардировка сдирает «шубу» из слабосвязанных СХРУ радикалов оставляя каркас из С-С связей. На рис. 27а показаны такие нанопроволочные структуры. На последующей стадии пассивации на эти углеродные остатки осаждение ФУП происходит быстрее, чем на поверхность 81.

а) б)

Рис. 27. Вид нанопроволочных структур на вершине игл. а) после стадии травления б) после стадии осаждения на них полимерной пленки.

В результате этого на каждом цикле травление/пассивация происходит накопление С-С связей, рост зародыша микромаски, в результате чего на определенной стадии начинаются расти микроиглы. Таким образом, цикличность процесса является необходимым условием быстрого образования микроигл.

Моделирование самоформирования микроигл на основе предложенного механизма показало, полное согласие с экспериментом (рис. 28). Образование микроигл происходит только в широких канавках, в которых на стадии пассивации осаждалась толстая фторуглеродная пленка. На вставках рисунка показано

Рис. 28. Моделирование формирования канавок разной ширины (100 нм, 330 нм, 1.0 мкм) в 81 в циклическом травление-пассивация процессе в плазме и ФУП

наномаски.

образование наномаски из ФУП и микростолбчатых структур из ФУП на боковых стенках столбчатых наноструктур. Результаты моделирования показывали, что в режиме сверхвысокоаспектного травления глубина травления в узких и широких канавках была приблизительно одинаковой. Если бы в этом режиме не происходило образование микроигл, то можно было бы реализовать аспектнонезависимое травление.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан реактор плотной плазмы ВЧ индуктивного разряда в неоднородном магнитном поле с внутренним терморегулируемым экраном для управления ионным и радикальным составом фторсодержащей плазмы и обеспечивающий независимое управление энергией и плотностью ионного потока. Показано, что при определенной конфигурации и напряженности магнитного поля достигается высокая плотность и однородность ионного потока на подложку. Установлено, что измерение и контроль потока ионов падающих на поверхность образца на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности смещения является эффективным методом контроля плазменных процессов. Исследованы параметры плазмы Аг, 02 в созданном реакторе с целью характеризации реактора для использования его в плазменных процессах микро- и наноструктурирования поверхности.

2. Разработан метод управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы путем изменения коэффициентов рождения и гибели радикалов на терморегулируемых стенках внутреннего экрана реактора. Показано, что в плазме С4р8/Аг с увеличением температуры стенок до 500 К концентрация легких радикалов СБ, СР2 увеличивалась в несколько раз, концентрация ионов при этом уменьшалась.

3. Предложен метод определения коэффициента передачи энергии ионов поверхности 81, 8Ю2, в плазме инертных и химически активных газов на основе измерений плотности мощности нагрева образца в зависимости от энергии ионов. На основании данных по измерению коэффициента передачи энергии ионов (Е|<100 эВ) атомам поверхности был сделан вывод, что влияние

отраженных частиц (за исключением частиц падающих под скользящими углами) на формирование профиля травления структур минимально.

4. Разработан метод моделирования формирования ВА МН структур в плазменных процессах микро-и наноструктурирования поверхности, основанный на методе ячеек и Монте-Карло методе представления потока ионов и радикалов плазмы, моделей ионно-стимулированного, радикального травления и осаждения фторуглеродной полимерной пленки и травления 81 атомами фтора.

5. Проведены исследования ионно-инициированных процессов травления полимерных пленок на основе новолаха, ПММА, полиимида, плазмополимеризованных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Представлен критерий реализации анизотропного травления полимерной пленки в кислородсодержащей плазме низкого давления.

6. Проведены исследования селективного, анизотропного травления 8102/81 в плазме различных фторуглеродных газов во фторуглеродной плазме СНБз, СНР3/Н2, С4Р8, С^УАг, С^^Рв, на основе которых разработаны процессы травления высокоаспектных 81, 8Ю2 МН структур во фторуглеродной плазме. Показано, что в плазме С^Р^Аг в реакторе с горячими стенками повышается селективность травления 8Ю2/81 более чем в два раза и реализуется травление наноструктур 8Ю2с высоким аспектным отношением.

7. Разработан комбинированный осаждение/травление метод формирования МН канавок в 81, 8Ю2 с размерами меньше, чем их размеры в маске. Показана принципиальная возможность реализации формирования наноструктур в слое 8Ю2 с использованием такого метода

8. Разработаны методы формирования 81 микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в двухстадийных, циклических процессах травление/пассивация в плазме С4Р8/8Р6. Выявлены основные эффекты формирования и проведено моделирование формирования таких структур. Предложен механизм самоформирования фторуглеродных нанонитей в циклическом двухстадийном травление/пассивация процессе.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Амиров И.И., Внхарев А.В., Изюмов М.О. Травление материалов микроэлектроники в галогенсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда пониженного давления Материалы 2 Международного Симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Иваново 1995. с.396-398

2. Amirov I.I., Izyumov М.О. Etching of microelectronic materials in a reactor with RE -inductive plasma source of at low pressure.// Third Russian-Chinese Symposium. Kaluga.Russia.1995. p.82.

3. Амиров И.И., Изюмов М.О. Характеристики травления Si02 и Si во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления. // Микроэлектроника. 1996. Т.25. №3.с. 233-239.

4. Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме. // Материалы 13 Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" М. 1997. с.149-152.

5. Амиров И.И. Плазменное травление материалов в индуктивной плазме для целей микротехнологиии. //Тезисы докладов 3 Международной конференции "Микроэлектроника и информатика" Москва, Зеленоград. 1997. с.145-146.

6. Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и диоксида кремния в многокомпонентной плазме. Труды ФТИАН. - М.Наука, 1997.Т. 12. с. 19-36.

7. Амиров И.И, Федоров В.А., Буяновская П.Г., Изюмов М.О., Савинский Н.Г. Травление плазмополимеризованных кремнийсодержащих органических пленок в кислородной плазме. // Тезисы докладов 8 Международного Симпозиума "Тонкие пленки в электронике" Харьков.1997. С.34.

8. Амиров И.И., Магунов А.Н.. Теплообмен плазмы низкого давления с поверхностью. IX Конф. по физике газового разряда. Рязань. 1998. 4.1. С.126-127.

9. Amirov I.I., Izyumov М.О. The influence of ion stocked on erosion polymer films in oxygen ICP torch. // 5 European Conference on Thermal Plasma Processes. St.Peterburg. 1998. P. 235.

10. Amirov I.I., Iziomov M.O. The investigation of oxygen ICP torch at low pressure and in a heterogeneous magnetic ffld. //Proceedings of Fifth European Conference on Thermal Plasma Processes. // S.Petersburg. 1998. P.236.

11. Амиров И.И.,.Изюмов M.O., Бердников А.Е. Процессы травления резистов в ректоре с ВЧ-индуктивным источником плазмы. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. №1. с. 22-27.

12. Амиров И.И., Буяновская П.Г. Особенности травления пленки полиамидокислоты в кислородной и аргоновой плазме ВЧ индуктивного разряда. // Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. №5.с. 424-425.

13. Амиров И.И., Федоров В.А., Савинский Н.Г., Буяновская П.Г., Изюмов М.О. Травление плазмополимеризованных кремнийсодержащих органических пленок в кислородной плазме. // Химия высоких энергий. 1998. Т.34. ~№5 .с. 235-244.

14. Амиров И.И., Изюмов М.О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме высокочастотного индукционного разряда.//Химия высоких энергий. 1999. Т. 33. №2. с.147-151.

15. Амиров И.И., Изюмов М.О., Морозов О.В., Федоров В.А. Плазмохимические процессы травления тонких пленок в реакторе с ВЧ индукционным источником

плазмы. // Тезисы докладов V Российской научно-технической конференциии "Высокие технологии в промышленности России."Москва. МГТУ им. Баумана. 1999. с. 236-238.

16. Амиров И.И. О механизме взрывного травления пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. // Журнал технической физики. 2000. Т. 20. Вып.5. с. 106-108.

17. Амиров И.И., Буяновская П.Г. Нестационарный совместный процесс травления и имидизации пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме.// Химия высоких энергий. 2000. Т. 34. №6. с.451-455.

18. Амиров И.И., Федоров В.А. Анизотропное травление субмикронных структур в резисте в кислородсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №1. с.32-41.

19. Амиров И.И., Федоров В.А. Создание 0.5 мкм структур методом «сухой» электронолитографии и плазменных анизотропных процессов травления. И Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №5. с. 311-315.

20. Морозов О.В., Амиров И.И. Осаждение пленок Si02 в SiH4+02 плазме ВЧ-индукционного разряда низкого давления. // Микроэлектроника. 2000. Т. 29. №3. с.153-158.

21. Magunov A.N., Amirov I.I. Effect of surface material and temperature on heat power transferred with ion flux from low-pressure plasma. // Proc.XXV ICPIG. Nagoya, Japan, 2001. V.l. pp. 79-80.

22. Амиров И.И., Магунов A.H. Температурная зависимость мощности, переносимой ионным потоком из плазмы на поверхность. // Материалы XXVIII Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. Звенигород. 2001. р. 1.

23. Амиров И.И. Современные плазменные процессы травления технологии микроэлектроники. // В. сб. тезисов докладов первой Всероссийской конференции «Прикладные аспекты химии высоких энергий». Москва. 2001. С.87-88.

24. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О. Плазмохимические процессы травления и осаждения материалов микроэлектроники в реакторе высокоплотной плазмы. // Сборник материалов 3 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т.2. Плес. Иваново.2002. с.484-485.

25. Амиров И.И., Морозов О.В. Эффект образования выступов на дне канавок в Si02 при травлении в высокоплотной фторуглеродной плазме. // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника 2001». Звенигород, октябрь 2001. с.54.

26. Amirov I.I., Izyumov М.О., Morozov O.V., Shumilov A.S. Formation of micro- and nanostructures in Si and Si02 using plasma etching and deposition process. // International Conference "Micro-and nanoelectronics -2003" Moscow, Zvenigorod,Russia, pp.02-50.

27. Амиров И.И., Шумилов A.C. Влияние ионной бомбардировки на травление канавок в кремнии в высокоплотной фторуглеродной плазме. Материалы XVI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Москва 2003. Т. 2. с.302-305.

28. Amírov I.I., Zhuravlev I.V., Kíbalov O.S., Lepshin P.A., Smirnov V.K. // Plasmachemical etching of wave-orderid structure formed on amorfhous silicon surface by nitrogen ion bombudment. Phys.Low-Dim.Struct. 2003. V.10. pp. 51-58.

29. Амиров И.И., Морозов O.B., Изюмов M.O. Травление кремния и диоксида кремния в высокоплотной плазме ВЧИ разряда низкого давления. // Химия высоких энергий. 2003. Т. 37-№>5. с. 373-379.

30. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский A.A., Валиев К.А. // Плазмохимическое травление глубоких канавок в кремнии с высоким аспектным отношением для создания различных элементов микромеханики. //Микросистемная техника. 2004. Т. 12. с. 15-18.

31. Амиров И.И. О механизме ионно-стимулированного травления Si02, Si во фторуглеродной плазме. // Материалы XVII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Звенигород. 2005. с. 299-302.

32. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О Анизотропное травление глубоких канавок в кремнии во фторсодержащей плазме. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т. 2. Иваново. 2005. с. 653-656.

33. Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в низкотемпературной C4F8+SF6 плазме ВЧИ разряда. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т. 2. Иваново. 2005. с. 653-656.

34. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О., Кальнов В.А., Орликовский A.A., Валиев К.А. //Плазменные процессы глубинного травления Si и Si02 для целей микротехнологии. // Квантовые компьютеры, микро- и наноэлектроника: физика, технология, диагностика и моделирование. Ред. Орликовский. М.Наука, 2005 (ФТИ АН; Т18). с. 173-189.

35. Патент на изобретение №2293796. Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов. 11.01.2005 г.

36. Патент на изобретение №2300158. Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры. 9.06.2005 г.

37. Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в плазме высокочастного индукционного разряда в перфторциклобутане и его смесей с гексафторидом серы. И Химия высоких энергий. 2006. Т. 36. №4. с. 3539.

38. Шумилов A.C., Амиров И.И. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 4. с. 295-305.

39. Амиров И.И. Формирование микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением в кремнии в циклическом травление/пассивация процессе в плазме SFe/CtFg. // Тезисы доклада V Международной конференции по актуальным проблемам физики и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. «КРЕМНИЙ -2008». Черноголовка. 2008.С. 196.

40. Шумилов A.C., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование формирования глубоких с разным профилем канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом процессе. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. с. 285-289.

41. Амиров И.И., Изюмов М.О. Влияние температуры стенки реактора на параметры фторуглеродной плазмы высокочастотного разряда низкого давления. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. с.142-145.

42. Постников A.B., Косолапов И.Н., Куприянов А.Н., Амиров И.И., Магунов А. Н. Автоматизированный лазерный термометр для исследований плазменных процессов микротехнологии. // Приборы и техника эксперимента 2008. № 2. с. 173-176.

43. Амиров И.И, Шумилов A.C. Эффекты формирования сверхвысокоаспектных микроструктур в кремнии в циклическом процессе в плазме SF^C^Fg. И Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. с. 569-573.

44. Амиров И.И., Алов Н.В. Формирование микроструктур на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом процессе травление/пассивация. // Химия высоких энергий. 2008. Т. 41. №4. с. 164-168.

45. Амиров И.И., Шумилов A.C. Механизм формирования микроигл на поверхности кремния во фторсодержащей плазме в циклическом травление/осаждение процессе. // Химия высоких энергий. 2008. Т.41. №5. с. 446-450.

46. Амиров И.И., Морозов О.В., Постников A.B., Кальнов В.А., ОрликовскийА.А., Валиев К.А. Плазменные процессы глубокого травления кремния в технологии микросистемной техники. Труды ФТИАН. Квантовые компьютеры, микро-наноэлектроника. М.: Наука. 2009. Т. 20. с. 159-174.

47. Шумилов С.А., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе. Микроэлектроника. 2009. Т. 38. №6.с. 428-435.

48. Amirov 1.1., Shumilov A.S., Kupriayanob A.N., Lukichev V.F. Modelling of plasma reactive ion etching of ultra high aspect ratio Si trenches. "Micro- and nanoelectronics -2009". 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, 03-22.

Подписано в печать 18.11.2010 г. Печ. л. 2. Заказ 1434. Тираж 100. Отпечатало в типографии Ярославского государственного технического университета г. Ярославль, ул. Советская, 14 а, тел. 30-56-63.

Введение.

Глава^ 1. Плазменные проце^с^ф^щ!ированиявь1сокоаспектныхмикро^и'наноструктурТШТшверхШ

1.1. Краткая характеристика плазмы фторсодержащих газов ВЧИ разряда, как инструмента формирования микро- и наноструктур.

1.2. Плазменные процессы травления высокоаспектных микро- и наноструктур на поверхности диоксида кремния

1.3. Плазменные интегрированные методы формирования высокоаспектных микро- и наноструктур структур.

1.4. Двухстадийный, циклический процесс формирования высокоаспектных микроструктур в кремнии.

1.5. Тенденции развития процессов формирования высокоаспектных наноструктур в нанотехнологии и постановка задачи исследования.

Глава 2. Экспериментальная установка, характеристика плотной плазмы ВЧ индукционного разряда, методы контроля и диагностики плазменных процессов.

2.1. Экспериментальная установка и методы исследования.

2.2. Параметры плотной плазмы Аг, 02 ВЧИ разряда в неоднородном магнитом поле.

2.3. Влияние температуры стенки реактора на радикальный и ионный состав фторуглеродной плазмы.

2.4. Коэффициент передачи энергии ионов поверхности 81, 8Юг в плазме Аг, 02, С4Р8.

2.5. Выводы.

Глава 3. Плазменные процессы травления высокоаспектных микро- и наноструктур в полимерной пленке.

3.1. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в плотной кислородсодержащей плазме.

3.2. Травление высокоаспектных структур в полимерных пленках в кислородсодержащей плазме.^

3.3. Особенности травления пленки полиимидокислоты в кислородсодержащей плазме.

3.4.-Выводы-.jqq

Глава 4. Процессы травления высокоаспектных Si02 Si микронаноструктур во фторсодержащей плазме.

4.1. Ионно-стимулированное, селективное травление Si02/Si во фторуглеродной плазме в реакторе с горячими стенками.Ю

4.2. Травление высокоаспектных Si02 наноструктур во фторуглеродной плазме.

4.3. Травление высокоаспектных Si структур во фторсодержащей плазме.

4.4. Выводы.

Глава 5. Моделирование формирования высокоаспектных структур на поверхности Si в плазмохимических процессах.

5.1. Физико-химические основы метода моделирования формирования высокоаспектных структур в кремнии во фторсодержащей плазме.

5.2. Организация и представление данных модели.

5.3. Взаимодействие частиц плазмы с поверхностью и расчет химических реакций в ячейке.j

5.4. Верификация метода моделирования.

5.5. Программный комплекс моделирования.

5.6. Выводы.

Глава 6. Формирование Si, Si02 структур в комбинированном осаждение/ травление плазмохимическом процессе.

6.1. Ионно-стимулированное осаждение полимерной пленки на плоскую и структурированную поверхность во фторуглеродной плазме.

6.2. Ионно-стимулированное травление ФУП фтором.

6.3. Формирование 8Ю2, МН структур в комбинированном осаждение/ травление плазмохимическом процессе.

6.4.Выводы.

7. Формирование высокоаспектных субмикронных структур в в циклическом травление/пассивация процессе в плазме 8Р6/С4Р8.

7.1. Основы реализации циклического травление/пассивация процесса в плазме 8Рб/С4Р8 (ВоБсЬ-процесс).

7.2. Эффекты формирования высокоаспектных 81 микроструктур в ВозсЬ-процессе.

7.3. Формирование сверхвысокоаспектных 81 микроструктур в в ВоэсЬ-процессе.

7.4. Условия и механизм самоформирования микроигл и столбчатых структур на поверхности 81 в процессах глубокого травления.

7.5. Выводы.

Актуальность проблемы

Плазменные методы формирования микро- и наноструктур (МН) на основе плазмохимических процессов травления и осаждения являются ключевыми в технологии наноэлектроники и микро- наносистемной техники. На современном этапе развитие плазменных процессов наноэлектроники связано с разработкой интегрированных процессов травления, обусловленных использованием новых материалов при изготовлении схем нового поколения. При этом задача точного переноса рисунка маски в нижележащий слой методом анизотропного травления из-за уменьшения элементов интегральных схем до нанометровых размеров и увеличения вследствие этого аспектного травления формируемых наноструктур резко усложнилась. При их травлении возникли новые проблемы, связанные с искажением их профиля. Решение связано с развитием многостадийных интегрированных плазменных процессов с учетом процессов осаждения, которые, являясь процессом противоположным травлению, могут скорректировать негативные эффекты. Кроме того, с использованием таких процессов можно получать структуры с размерами элементов меньше, чем в исходной маске. К началу настоящей работы в научной печати отсутствовала информация по формированию таких структур. Только в последнее время с их использованием были получены 24 нм элементы при начальных литографических размерах 60 нм. Если в технологии наноэлектроники с помощью плазменных процессов необходимо было осуществить точный перенос рисунка маски в нижележащий слой, то общая задача - это формирование высокоаспектных (ВА) наноструктур заданного вида ставится в нанотехнологии. Сочетая методы травления и осаждения, можно формировать ВА МН структуры, отличающиеся от рисунка исходной маски. Разработка таких процессов невозможна без понимания механизмов их формирования.

В технологии микросистемной * техники создание В А (А>10) и сверхвысокоаспектных (СВА) трехмерных микроструктур в 81 (А>50) необходимо для создания высокочувствительных инерционных датчиков, микроконденсаторов и других приборов.Этазадачарешаетсяс

-использованием ~ циклическйх " "процессов травления/пассивация во фторсодержащей плазме. Точный перенос рисунка маски в Б! обуславливается балансом процессов осаждения/травления на дне и боковой поверхности структуры. Развитие таких процессов связано с требованием управления профилем формируемых ВА микроструктур.

Другое направление развития методов наноструктурирования поверхности, основано на процессах самоорганизации, когда на поверхности материала в реактивной плазме при определенных условиях происходит самоформирование МН структур, таких как наноиглы, нанопроволоки и нанотрубки. Реактивная плазма является уникальной средой, в которой можно реализовать концепцию «строительных блоков», когда формирование МН структур осуществляется в две стадии. На первой стадии происходит подготовка поверхности и создание определенных блоков (тяжелых радикалов, кластеров), а на другой стадии происходит формирование из них наноструктур. Их формирование является центральной проблемой наноэлектроники и нанотехнологии.

Таким образом, задача формирования высокоаспектных, трехмерных МН структур в многостадийных, циклических плазменных процессах является актуальной в микро- и нанотехнологии.

Целью работы являлось разработка физических основ плазменного микро-и наноструктурирования поверхности на основе исследований механизмов формирования высокоаспектных микро-наноструктур в многостадийных травление/осаждение процессах в неравновесной химически активной плазме.

Для достижения этой цели было необходимо:

- исследовать параметры плотной химически активной плазмы с независимым управлением потоком энергией ионов в , реакторе, разработать методы контроля основных параметров плазмы;

- исследовать гетерогенные процессы взаимодействия химически-активной плазмы с поверхностью 81; 8Ю2, полимерных пленок и выявить основные особенности процессов травления, связанные с формированием ВА микро-наноструктур;

- разработать программный комплекс моделирования формирования высокоаспектных микро-наноструктур в плазменных процессах травления, в том числе в многостадийных процессах травление/осаждение и провести моделирование таких процессов;

- исследовать механизмы формирования и самоформирования микронаноструктур на поверхности материалов, разработать модели ионно-стимулированных плазменных процессов травления материалов и осаждения полимерной пленки на поверхности во фторсодержащей плазме и на их основе разработать новые методы формирования ВА микро-наноструктур.

Научная новизна и достоверность полученных результатов В диссертационной работе впервые получены следующие новые результаты:

1. Исследованы параметры химически активной плазмы Аг, Ог, ВЧ индукционного разряда низкого давления в неоднородном магнитном поле с использованием зондового метода и метода измерения и контроля потока ионов падающих на поверхность на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности, подаваемой на подложку с позиции использования данного типа реактора в микро-нанотехнологии. Показано, что при определенной конфигурации и напряженности магнитного поля достигается высокая плотность и однородность ионного потока.

2. Предложен метод управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы путем изменения коэффициентов рождения и гибели радикалов на терморегулируемых стенках внутреннего экрана реактора. Показано, что в реакторе с горячими стенками повышается селективность травления 8102/81 более чем в два раза.

3. Методом лазерной термометрии определены коэффициенты, передачи - энергии ионов-поверхности-З^Юг, 813К4 в плазме инертных й химически активных газов. На основании данных коэффициента передачи энергии ионов (Е£<100 эВ) атомам поверхности был сделан вывод, что влиянием отраженных частиц от боковых стенок на формирование профиля травления структур можно пренбречь.

4. На основе метода ячеек и Монте-Карло метода представления потока ионов и радикалов плазмы, моделей ионно-стимулированного, радикального травления и осаждения фторуглеродной полимерной пленки разработан метод моделировании формирования ВА МН структур в плазменных процессах микро-и наноструктурирования поверхности.

5. Исследованы ионно-инициированные процессы травления полимерных пленок на основе новолака, ' ПММА, полиимида, плазмополимеризованных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Представлен критерий реализации анизотропного травления полимерной пленки в кислородсодержащей плазме.

6. Исследованы процессы травления 8Юг, во фторуглеродной плазме СНР3, СНРз/Н25 С4Р8, С4Р8/Аг, С4Р8/8Ь\ на основе которых разработаны процессы селективного и анизотропного травления высокоаспектных 81, 8Юа МН структур во фторуглеродной плазме. Представлены механизмы и проведено моделирование процессов ионно-стимулированного травления и осаждения фторуглеродной пленки.

7. Разработан комбинированный осаждение/травление метод формирования МН канавок с размерами меньше, чем их размеры в маске. Показана принципиальная возможность реализации формирования наноструктур в слое 8Юг с использованием такого метода.

8. Разработаны методы формирования Б! микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в двухстадийных, циклических процессах травление/пассивация в плазме СдРе/БРб. Выявлены основные эффекты формирования и проведено моделирование формирования таких структур. Достоверность экспериментальных результатов ~ исследования обеспечивается использованием независимых диагностических методик. Она подтверждаются сравнением полученных данных с результатами других экспериментальных исследований проводимых в России и за рубежом, а также численными оценками. Это свидетельствует, что полученные результаты являются обоснованными и достоверными.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Показано, что определение потока ионов падающих на поверхность на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности в реакторе плотной химически активной плазмы ВЧ индукционного разряда, является эффективным способом контроля плазменных процессов формирования ВА микро-наноструктур.

2. Результаты исследования коэффициента передачи энергии низкоэнергетических ионов (Е;<200 эВ) атомам поверхности 81, ЗЮ2, 8}3Н( в плазме Аг, 02 и С4?8.

3. Результаты экспериментального исследования ионно-инициированного травления полимерных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Рециклический механизм образования атомов кислорода на стенках реактора. Критерий реализации ионно-инициированного, анизотропного травления полимерной пленки.

4. Результаты экспериментального исследования высокоаспектного травления 81, БЮ2 во фторуглеродной плазме в реакторе с горячими стенками. Показано, что увеличение температуры стенок экрана до 500 К в реакторе в результате их нагрева плазмой во фторуглеродной плазме С.^ ведет к увеличению концентрации легких радикалов СР2, потока ионов СР+, к увеличению селективности травления ЗЮ2/Зь

5. Метод моделирования плазменных процессов травления и осаждения, основанный на методе ячеек для эволюции профиля поверхности и методе Монте-Карло генерации потоков плазмы. Результаты моделирования ионно-стимулированных процессов осаждения и травления^ фторуглеродщй полимерной пленки в-плазме С.^ и 8Рб.' ' ~ " .

6. Эффекты формирования микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в циклическом, травление/пассивация процессе в плазме С4Р8/8Рб, результаты моделирования такого процесса.

7. Механизм самоформирования фторуглеродных нанонитей в циклическом двухстадийном травление/пассивация процессе.

Научно-практическая ценность результатов работы заключается в том, что в ней представлены новый подход к формированию ВА микро- и наноструктур на поверхности материалов в том числе с использованием многостадийных процессов плазменного травления/осаждения. С его помощью можно формировать МН структуры с размерами элементов меньшими, чем размеры маски. Метод может быть использованы при формировании МН структур не только на поверхности и 8Ю2, но также и на других материалах.

Во-вторых, показана принципиальная возможность управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы в реакторе, изменяя скорость рождения и гибели радикалов путем варьирования температуры стенки внутреннего экрана в реакторе, нагреваемого плазмой. В реакторе с горячими стенками увеличивалась селективность травления 8Ю2 по отношению к Б), фоторезисту и не происходило осаждения фторуглеродной пленки на стенках реактора.

Разработанные методы формирования высокоаспектных МН структур на поверхности 81, 8Ю2, полимерных пленок в высокоплотной плазме могут быть использованы при разработке плазменных процессов травления в технологии наноэлектроники и микро-и наносистемной техники.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Разработан реактор плотной плазмы ВЧ индуктивного разряда в неоднородном магнитном поле с внутренним терморегулируемым экраном для управления ионным и радикальным составом фторсодержащей плазмы и обеспечивающий независимое управление энергией и плотностью ионного потока. Показано, что при определенной конфигурации и напряженности магнитного поля достигается высокая плотность и однородность ионного потока на подложку. Установлено, что измерение и контроль потока ионов падающих на поверхность образца на основе измерений постоянного потенциала смещения и ВЧ мощности смещения является эффективным методом контроля плазменных процессов. Исследованы параметры плазмы Аг, О2 в созданном реакторе с целью характеризации реактора для использования его в плазменных процессах микро- и наноструктурирования поверхности.

2. Разработан метод управления ионным и радикальным составом фторуглеродной плазмы путем изменения коэффициентов рождения и гибели радикалов на терморегулируемых стенках внутреннего экрана реактора. Показано, что в плазме С.^/Аг с увеличением температуры стенок до 500 К концентрация легких радикалов СР, СР2 увеличивалась в несколько раз, концентрация ионов при этом уменьшалась.

3. Предложен метод определения коэффициента передачи энергии ионов поверхности 81, 8Ю2, 81зК4 в плазме инертных и химически активных газов на основе измерений плотности мощности нагрева образца в зависимости от энергии ионов. На основании данных по измерению коэффициента передачи энергии ионов (Е[< 100 эВ) атомам поверхности был сделан вывод, что влияние отраженных частиц (за исключением частиц падающих под скользящими углами) на формирование профиля травления структур минимально.

4. Разработан метод моделирования формирования ВА МН структур в плазменных процессах микро-и наноструктурирования поверхности, основанный на методе ячеек и Монте-Карло методе представления потока ионов и радикалов плазмы, моделей ионно-стимулированного, радикального травления и осаждения фторуглеродной полимерной пленки и травления 81 атомами фтора.

5. Проведены исследования ионно-инициированных процессов травления полимерных пленок на основе новолака, ПММА, полиимида, плазмополимеризованных пленок в кислородсодержащей плазме низкого давления. Представлен критерий реализации анизотропного травления полимерной пленки в кислородсодержащей плазме низкого давления.

6. Проведены исследования селективного, анизотропного травления 8Ю2/81 в плазме различных фторуглеродных газов 81 во фторуглеродной плазме СНР3, СНР3/Н2з С4Р 8, С^/Аг, С^УЗРб, на основе которых разработаны процессы травления высокоаспектных 81, 8Ю2 МН структур во фторуглеродной плазме. Показано, что в плазме С^/Ат в реакторе с горячими стенками повышается селективность травления 8Ю2/81 более чем в два раза и реализуется травление наноструктур 8Ю2 с высоким аспектным отношением.

7. Разработан комбинированный осаждение/травление метод формирования МН канавок в 81, 8Ю2 с размерами меньше, чем их размеры в маске. Показана принципиальная возможность реализации формирования наноструктур в слое 8Ю2 с использованием такого метода.

8. Разработаны методы формирования 81 микроструктур со сверхвысоким аспектным отношением (А>50) в двухстадийных, циклических процессах травление/пассивация в плазме С4Р8/8Рб. Выявлены основные эффекты формирования и проведено моделирование формирования таких структур. Предложен механизм самоформирования фторуглеродных нанонитей в циклическом двухстадийном травление/пассивация процессе.

Благодарности

Выражаю искреннюю благодарность академику Валиеву Камиль Ахметовичу и академику Орликовскому Александру Александровичу за постоянное внимание и поддержку в работе. Выражаю также глубокую благодарность Кальнову Владимиру Александровичу за внимание и плодотворное сотрудничество.

Благодарю за сотрудничество своих коллег Изюмова М.О, Морозова О.В. и Шумилова A.C.

1. Liberman М.А., Lichtenberg A.J. Principles of plasma discharges and material processing. Weley, New York. 1994. p.493.

2. High density plasma sources. Ed. O.A.Popov. 1995. Noyes Publications. P. 445.

3. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники. // Микроэлектроника. 1999. Т. 28.N.6. с. 415-426.

4. Perry A.J., Vender D., Boswell R.W. The application of the helicon source to plasma processing. //J. Vac. Sci. Technol. 1991. V. B9. N2. pp. 310-315.

5. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich. Experimental evidence of collisionless power absorption in inductively coupled plasmas. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 80. N.15. pp. 3264-3267.

6. Chen F.F., Jiang X., Evans J.D. Plasma injection with helicon sources. // J. Vac. Sci. Technol. 2000 V. A18. N.5. pp. 2108-2115.

7. Kinder R.L., Kushner M.J. Wave propagation and power deposition in magnetically enhanced inductively coupled and helicon plasma sources. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A19. N1. pp.76-86.

8. Ramamurthi В., Economou D.J., Kaganovich I.D. Effect of nonlocal electron conductivity on power absorption and plasma density profiles in low pressure inductively coupled discharges. // Plasma Sources Sci. Technol. 2003. V. 12. pp. 170-181.

9. Kortshagen U., Maresca A., Orlov K., Heil B. Recent progress in the understaning of electron kinetics in low-pressure inductive plasmas. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 244-257.

10. Economou D.J. Modeling and simulation of plasma etching reactors of microelectronics. // Thin Solid Films. 2000. V. 365. pp. 348-367.

11. Ventzek P.L.G., Rauf S., Stout P.J., Zhang D., Dauksher W., Hall E. -Application and simulation of low temperature plasma processes in semiconductor manufacturing. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 201215.

12. Kono A. Negative ions in processing plasmas and their effect on the plasma structure. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 115-134.

13. Ventzek P.L.G., Hoekstra R.J., Kushner M.J. Two-dimensional modeling of high plasma density inductively coupled sources for materials processing. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. B12. N.l. pp. 461-480.

14. Wise R.S., Lymberopolos D.P., Ekonomow D.J. A two-region model of a radiofrequency low-pressure, high-density plasma. // Plasma Sources Sci. Technol. 1995. V. 4. pp. 317-331.

15. Vyas V., Habner G.A., Kushner M:J. Self-consistent three-dimensional model of dust particle transport and formation of Coulomb crystals in plasma processing reactors. //J. Appl. Phys. 2002. V. 92.N. 11. pp.6451-6460.

16. Rauf S., Ventzek P.L.J. Model for an inductively coupled Ar/c-C4F8 plasma discharge. // J. Vac. Sci. Technol: 2002 V. A20. N.l. pp: 14-23.

17. Efremov A.M., Kim B-P., Kim C. Inductively coupled Cl2/Ar plasma: Exerimental investigation and modeling. // J. Vac. Sci. Technol. 2003 V. A21.N. 4. pp. 1568-1573

18. Kim S., Lieberman M.A., Lichtenberg A.J., Gudmundsson J.T. Improved volume-average model for study and pulsed-power electronegative discharges. //J. Vac. Sci. Technol. 2006. V. A24. N6. pp. 2025-2040.

19. Monohan D.D., Turner M.M. Global models of electronegative discharge critical evaluation and practical recommendations. // Plasma Sources Sci. Technol. 2008. V. 17. pp. 1-10.

20. Samukawa S. Development of high-density plasma reactor for highperformance processing and future prospects. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 216-243.

21. Sekine M. Dielectric film etching in semiconductor manufacturing . Development of Si02 etching and the next generation plasma. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 270-298.

22. Schaepkens M., Oehrlein G.S. A review of Si02 etching studies in inductively coupled fluorocarbon plasmas. // J. Electrochem. Society. 2001. V. 148. N3. pp. C. 211-C221.

23. Hebner G.A., Miller P.A. Electron and negative ion densities in C2F6 and CHF3 containing inductively coupled discharges. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N. 11. pp. 7660-7666.

24. Hebner G.A., Abraham I.C. Characterization of electron and negative ion densities in flurocarbons containing inductively driven plasmas. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N. 10. pp. 4929-4937.

25. Shindo M., Ichiki R., Yoshimura S., Kawai Y. Estimate of negative ion density in reactive gas plasmas. // Thin Solid Films. 2001. V. 390. pp. 222227.

26. Gudmudsson J.T., Kouznetsov I.G., Patel. K.K., Lieberman M.A. Electronegativeity of low-pressure high-density oxygen discharges. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. pp. 1100-1109.

27. Hoekstra R.J., Kushner M.J. Predictions of ion energy distribution and radical fluxes in radio frequency biased inductively coupled plasma etching reactors. // J. Appl. Phys. 1996. V.79. N.5. pp. 2275-2286.

28. Woodworth J.R., Riley M.E., Miller P.A., Hebner G.A., Hamilton T.W. Ion energy and angular distributions in inductively coupled radio frequency discharges in argon. // J. Appl. Phys. 1996. V.80. N. 3. pp. 1304-1311.

29. Woodworth J.R., Riley M.E., Meister D.C., Aragon B.P., Sawin H.H. Ion energy and angular distributions in inductively coupled radio frequency discharges in chlorine. //J. Appl. Phys. 1997. V. 81. N. 9. pp. 5950-5959.

30. Braithwaite N.S.J; Internal and external electrical diagnostics of RF plasmas. //Plasma Sources Sci; Technol. 1997. V. 6. pp. 133-139;

31. Mumken G., Kortshagen U. On the role distribution and nonambipolaraty of charged particle fluxes in a nonmagnetized planar inductively coupled plasma. // J. Appl. Phys. 1996. V. 80. N12. pp. 6639-6645.

32. Kawamura E., Vahedi V., Lieberman M.A., Birdsall C.K. Ion energy distributions in rf sheaths; review, analysis and simulation. // Plasma Sources Sci. Technol. 1999. V. 8. pp. R45-R64.

33. Sobolevsky M.A. Measuring the ion current in electrical discharges using radio-frequency current and voltage measurements. // J. Appl. Phys. 2001. V. 90. N6. pp. 2660-2671.

34. Руденко K.B, Мяконьких A.B., Орликовский А.А.,.Пустовит A.PI. Зондовые измерения параметров плазмы в технологических HDP-реакторах в условиях осаждения диэлектрических пленок. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. N1. pp. 17-30.

35. Sobolevsky M.A. Real time, noninvasive monitoring of ion energy and ion current at a wafer surface during plasma etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2006. A24. N5. pp. 1892-1905.

36. Ra Y., Chen C-H. Direct current bias as an ion current monitor in the transformer coupled plasma etcher. // J. Vac. Sci. Technol. 1993. All. N6. pp. 2911-2913.

37. Schaepkens M., Martini I., Sanjuan E. A., Li X., Oehrlein G.S., Perry W.L., Anderson H.M. Gas-phase studies in inductively coupled fluorocarbon plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A19. N6. pp. 2946-2957.

38. Cooke M.J., Hassali G. Low pressure plasma sources for etching and deposition. //Plasma Sours. Sci.Technol. 2002. V. 11. A74-A79.

39. Grill V., Shen J., Evans C., Cooks R.G. Collisions of ions with surfaces at chemically relevant energies: Instrumentation and phenomena. // Rev. Scient. Instr. 2001. V. 72. N6. pp. 3149-3179.

40. Магунов A.H. Теплообмен неравновесной плазмы с поверхностью. М.: Физматлит. 2005. С. 312.

41. Piejak R., Godyak V., Alexandrovich., Tishchenko N. Surface temperature and thermal balance of probe immersed in high density plasma. // Plasma Sources Sci. Technol. 1998. V. 7. pp.590-598.

42. Rapakoulias D.E., Geraassimou D.E. Simulation of energy transfer from a glow discharge to a solid surface.// J. Appl. Phys. 1987. V.62. N2. pp.402.

43. Kersten H., Deutsch H., Steffen H., Kroesen G.M.W., Hippler R. The energy balance at substrate surfaces during plasma processing. // Vacuum. 2001. V. 63. pp. 385-431.

44. Kersten H., Snijkers R.J., Schulze J., Kroesen G.M., Deutsch H., de Hoog F,J. Energy transfer from radio frequency sheath accelerated CF3+ and Ar+ ions to a Si wafer. // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. N12. pp. 1496-1498.

45. Miyata K., Hori M., Goto T. CFX radical generation by plasma interaction with fluorocarbon films on the reactor wall. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V. A14. N4. pp. 2083-2087.

46. Suzuki C., Sasaki K., Kadota K. Spatial and temporal variations of CF and CF2 radical densities in high-density CF4 plasmas studied by laser-induced fluorescence. // J. Appl. Phys. Vol. 1997. V. 82. N11. pp. 5321-5326.

47. Suzuki C., Kawai Y., Sasaki K., Kadota K. Absolute density and reaction' kinetics of fluorine atoms in high-density c-C4F8 plasmas. // J. Appl. Phys. ■1998. V. 83. N12. pp. 7482-7487.

48. Suzuki C., Sasaki K., Kadota K. Formation of C2 radicals in high-density C4F8 plasmas studied by laser-induced fluorescence. // Jpn. J. Appl. Phys.1999. V. 38. N12A. pp. 6896-6901.

49. Takizawa K., Sasaki K., Kadota K. Characteristics of C3 radicals in high-density C4F8 plasmas studied by laser-induced fluorescence spectroscopy. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N11. pp. 6201-6206.

50. Sasaki K., Kadota K., Takizawa K., Takada N. Correlation betwen CF2 and CxFy^ densities in C4F8 plasmas. // Thin Solid Films. 2000. V. 374. pp. 249255.

51. Kokura H., Sugai H. Dependance of fluorocarbon plasma chemistry on.the electron energy distribution function. // Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. N5A. pp. 2847-2853.

52. Teii K., Hori M., Ito M., Goto T., Ishii N. Study on polymeric neutral species in high-density fluorocarbon plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. 18. N1. pp. 1-9.

53. Booth J-P. Optical and electrical diagnostics of fluorocarbon plasma etching processes. //Plasma Sour. Sci. Technol. 1999. V. 8. pp. 249-257.

54. Hebner G. A. Spatially resolved CF, CF2, SiF and SiF2 densities in fluorocarbon containing inductively driven discharges. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 161-175.

55. Hori M., Goto T. Measurement techniques of radicals, their gas phase and surface reactions in reactive plasma processing. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 135-160.

56. Sasaki К., Furukawa H., Kadota К., Suzuki С. Surface production of CF,i

57. CF2, and C2 radicals in high-density CF4/H2 plasmas. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N10. pp. 5585-5591.

58. Zheng D., Kushner M.J. Mechanisms for CF2 radical generation and loss on surfaces in fluorocarbon plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N6. pp. 2661-2668.

59. Морозов А.И. Введение в плазмодинамику. М. Физматлит. 2006. С. 576.

60. Словецкий Д.И. Плазменная полимеризация фторуглеродов. В сб. науч. статей. Химия плазмы. Вып. 16. М.:Энергоатомиздат. 1990. сс.156-212.

61. Chinzei Y., Ichiki Т., Ikegami N., Feurprier Y., Shindo H., Horiike Y. Residence time effects on Si02/Si selective etching employing high density fluorocarbon plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V. В16. N3. pp. 10431050.

62. Don H-H., Horiike Y. Gas residence time effects on plasma parameters: comparison between Ar and C4F8. // Jpn. J. Appl: Phys. 2001. V. 49. N5A. pp. 3419-3426.

63. Kay E., Coburn J., Dilks A. Plasma chemistry of fluorocarbons as related to plasma etching and plasma polymerization. // in Plasma Chemistry. Ed. S.Veprek. Academie-Verlag. Berlin. 1981. pp. 1-42.

64. Stoffels W.W., Stoffels E., Tachibana K. Polymerization of fluorocarbons in reactive ion etching plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V. A16. N1. pp. 87-95.

65. Joubert O., Cunge G., Pelissier В., Vallier L., Kogelscatz M., Pargon E. Monitoring chamber walls coating deposited during plasma processes: Application to silicon gate etch processes. J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22. N3. pp. 553-560.

66. Ullal S J., Godfrey A.R., Edelberg E., Braly L., Vahedi V., Aydil E. S. Effect of chamber wall conditions on CI and Cl2 concentrations in aninductively coupled plasma reactor. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V.A 20. Nl.pp. 43-52.

67. Chinzie Y., Ichiki T., Kurosaki R., Kiuchi J., Ikegami N., Fukazawa T., Shindo H., Horiike Y. SiOo etching employing inductively coupled plasma with hot inner wall. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V.35. Pt.l. N.4B. pp. 24722476.

68. Schaepkense M., Bosch R.C.M., Standaert T.E., Oehrlein G.S. Influence of reactor wall conditions on etch processes in inductively coupled fluorocarbon plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V. A16. N4. pp. 2099-2107.

69. Gottscho R.A., Jurgensen C.W., Vitkavage D. J. Microscopic uniformity in plasma etching. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. V.10. N5. pp. 2133-2147.

70. Chang J.P., Coburn J.W. Plasma-surface interactions // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. V. 21. N 5. pp. S145-S151.

71. Coburn J.W. Role of ions in reactive ion etching. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1994. V. 12. N4. pp.1417-1424.

72. Oehrlein G.S. Surface processes in low pressure plasmas. // Surface Sci. 1997. V. 386. pp. 222-230.

73. Oehrlein G.S., Zhang Y., Vender D., Haverlag M. Fluorocarbon high-density plasmas. I. Fluorocarbon film deposition and etching using CF4 and CHF3. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A12. N2. pp. 323 -332.

74. Oehrlein G.S., Zhang Y., Vender D., Joubert O. Fluorocarbon high-densityNplasmas.II. Silicon dioxide and silicon etching using CF4 and CHF3. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A12. N2. pp. 333 -341.

75. Oehrlein G. S., Matsuo P. J. Doemling M. F., Rueger N. R., Kastenmeier B.

76. E. E., Schaepkens M., Standaert Th., Beulens J.J. Study of plasma-surface interactions: chemical dry etching and high-density plasma etching. // Plasma Sources Sci. Technol. 1996. V. 5. pp. 193-199.

77. Rueger N. R., Doemling M. F., Schaepkens M., Beulens J. J., Standaert T. E.

78. F. M., Oehrlein G. S. Selective etching of Si02 over poly crystalline siliconusing CHF3 in an inductively coupled plasma reactor. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A17. N.5. pp. 2492 2502.

79. Schaepkence M., Oehrlein G.S., Cook J.M. Effect of radio frequency bias power on Si02 feature etching in inductively coupled flurocarbon plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. B18. N2. pp.848-855.

80. Li X., Ling L., Hua X., Fukasawa M., Oehrlein G.S., Barela M., Anderson H.M. Fluorocarbon-based plasma etching of Si02: Comparison of C4F6 /Ar and C4F8 /Ar discharges. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V. A20. N6. pp. 20522061.

81. Li X., Ling L., Hua X., Fukasawa M., Oehrlein G.S., Barela M., Anderson H.M. Effects of Ar and 02 additives on Si02 etching in C4F8-based plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. A21. N1. pp.284-293.

82. Li X., Ling L., Hua X., Oehrlein G.S., Wang Y., Anderson H.M. Characteristics of C4F8 plasmas with Ar, Ne, and He additives for Si02 etching in an inductively coupled plasma (ICP) reactor. // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. A21. N6. P.1955-1963.

83. Hikosaka Y., H., Sekine M., Tsuboi H., Endo M., Mizutani N. Realistic etch of fluorocarbon ions in Si02 etch process. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. Pt. 1. N. 7B. pp. 4465-4472.

84. Choi C.J., Kwon O.S., Seol Y.S., Kim Y., Choi H. Ar addition affect on mechanism of fluorocarbon ion formation in CF4/Ar inductively coupled plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V.B18. N.2. pp. 811-819.

85. Takada M., Toyoda H., Murakami I, and H. Sugai. Evidence of direct Si02 etching by fluorocarbon molecules under ion bombardment. // J. Appl. Phys.2005.V. 97. P. 13554-13557.

86. Fukasawa T., Nakanura A., Shindo H., Horiike Y. High rate and high selective Si02 etching employing inductively coupled plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. Pt. 1. N.4B. pp. 2139-2144.

87. Sakaue H., Kojima A., Jsada N., Shingubara S., Takahagi T. Highly selective Si02 etching using CF4/C2H4. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. Pt.l. N.4B. pp. 2477-2481.

88. Denise C.M., Aydil E. S. Effect of H2 addition on surface reactions during CF4/ H2 plasma etching of silicon and silicon dioxide films.// J. Vac. Sci. Technol. 1997. V. A15. N5. pp. 2508-2517.

89. Komeda H., Ueda T., Wada S., Ohmi T. Gas chemistry dependence of Si surface reactions in a fluorocarbon plasma during contact hole etching. II Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V.37. Pt.l. N.3B. pp. 1198-1201.

90. Nakamura S., Itano M., Aoyama H., Shibahara K., Yokoyama S., Hirose M. Comparative studies of perflurocarbon alternative gas plasmas for contact hole etch. //Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42. Pt. 1. N. 9A. pp. 5759-5764.

91. Kirnise K.H.R., Wendt A.E., Disch S.B., Wu J.Z., Abraham I.C., Meyer J.A., Breun R.A., Woods R.C. Si02 to Si selectivity mechanism in highdensity fluorocarbon plasma etching. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V.B14. N2. pp. 700-715.

92. Cunge G., Chabert P., Booth J-P. Laser-induced fluorescence detection of SiF2 as a primary product of Si and Si02 reactive ion etching with CF4 gas. // Plasma Sours. Sci. Technol. 1997. N5. pp. 349-360.

93. Vasenkov A.V., Li X., Oehrlein G.S., Kushner M.J. Properties of C4F8 inductively coupled plasmas. II. Plasma chemistry and reaction mechanism for modeling of Ar/c-C4F8 / 02 discharges. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22.N3. pp. 511-530.

94. Плазменная технология в производстве СБИС. Под ред. Айнспрука. Москва. Мир. 1987. С. 450.

95. Ohtake Н., Samukawa S. Charging-damage-free and precise dielectric etching in pulsed C2F4/CF3I plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V. B20. N. 3. pp. 1026-1030.

96. Sakikawa N., Shishida Y., MiyazakiS., Hirose M. In situ monitoring of silicon surface during reactive ion etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. Pt. 2. N. 4A. pp. L409-L412.

97. Ishikawa K., Sekine M. In-situ time-resolved infrared spectroscopic study of silicon-oxide surface during selective etching over silicon in fluorocarbon plasma.// Jpn. J. Appl. Phys. 2000. V. 39. N. 12B. pp. 6990-6995.

98. Tatsumi-T., Matsui M., Sekine M. Control of surface reactions in highperformance Si02 etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. B18. N4. pp. 1897-1902.

99. Matsui M., Tatsumi T., Sekine M. Observation of surface reaction layers formed in highly selective Si02 etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A19.N4. pp. 1282-1288.

100. Zhang D., Kushner M.J. Surface kinetics and plasma equipment model for Si etching by fluorocarbon plasmas, // J. Appl. Phys. 2000. V.87. N3. pp. 1060-1067.

101. Matsui M., Tatsumi T., Sekine M. Mechanism of highly selective Si02 contact hole etching. // Plasma Sourc. Sci. Technol. 2002. V.ll. pp. A202-A205.

102. Ishikawa K., Sekine M. Early-stage modification of a silicon oxide surface in fluorocarbon plasma for selective etching over silicon. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N3. pp. 1661-1666.

103. Abrams C.F., Graves D.B. On the active surface layer in CF3+ etching of Si: Atomistic simulation and a simple mass balance model. //J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N2. pp. 411-416.

104. Graves D.B., Himbrid D. Surface chemistry associated with plasma etching processes. // Appl. Surf. Science. 2002. V. 192. pp. 72-87.

105. Humbird D., Graves D.B.,. Hua X., Oehrlein G.S. Molecular dynamics simulations of Ar+ induced transport of fluorine through fluorocarbon films. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 84. N7. pp. 1073-1075.

106. Vegh J.J., Humbird D., Graves D.B. Silicon etch by fluorocarbon and argon plasmas in the presence of fluorocarbon films. // J. Vac. Sci. Technol. 2005. V. A23. N. 6. pp. 1598-1604.

107. Humbird D., Graves D.B. Molecular dynamics simulations of Si-F surface chemistry with improved interatomic potentials // Plasma Sources Sci. Technol. 2004. V. 13. pp. 548-552.

108. Ohta H., Hamaguchi S. Molecular dynamics simulation of silicon and silicon dioxide etching by energetic halogen beams // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. V.19. N 5. P.2373-2381.

109. Ясуда X. Полимеризация в плазме. Москва. : Мир. 1988. с. 376119. Dbyjuhfljd120. .Takahashi К., Tachibana К. Molecular composition of films and solid particles polymerized in fluorocarbon plasmas. // J. Appl. Phys. V. 2001. V. 89. N. 2. pp. 893-899:

110. Kimura Y, Coburn J. W., Graves D. B. Vacuum beam studies of fluorocarbon radicals and argon ions on Si and Si02 surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22. N. 6. pp. 2508-2516.

111. Capps N. E., Mackie N. M., Fisher E.R. Surface interactions of CF2 radicals during deposition of amorphous fluorocarbon films from CHF3 plasmas. // J. Appl. Phys. 1998.Vol. 84. N. 9. pp. 4736-4743.

112. Fisher E.R. On the interplay between plasma ions, radicals and surfaces: who dominates the interaction? // Plasma Sources Sci. Technol. 2002. V.ll. pp. A105-A112.

113. Martin I. T., Fisher E. R. Ion effects on CF2 surface interactions during C3F8 and C4F8 plasma processing of Si. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. B22. N5. pp. 2168-2176.

114. Gotoh Y., Kure T. Analysis of polymer formation during Si02 microwave plasma etching. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1995. V. 34. N. 4B. pp. 2132-2136.

115. Maruyama N., Fujiwara N., Siozawa K., Yonada M. Analysis of fluorocarbon deposition during Si02 etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Pt. 1. N. 4B. pp. 2463-2467.

116. Bailey III A.D., Gottscho R.A. Aspect ratio independent etching: Fact or fantasy? // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. V. 34. N 4B. pp. 2083-2088.

117. H., Kurihara K., Sekine M. Characterization of highly selective Si02/Si3N4 etching of high-aspect-ratio holes. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1996. V. 35. N4B. pp. 2488-2493.

118. Kim Y-S., Wei P.T., Tynan .R., Charatan R., Hemker D. Selective plasma etching for high-aspect-ratio oxide contact holes. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. N. 4b. pp. 327-331.

119. Chen W., Morikawa Y., Itoh M., Hayashi T., Sugita K., Shindo H., Uchida. Very uniform and high aspect ratio anisotropy Si02 etching process in magnetic neutral loop discharge plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A17. N 5. pp. 2546-2550.

120. Doemling M.F., Rueger N.R., Oehrlein G.S. Observation of inverse reactive ion etching lag for silicon dioxide etching in inductively coupled plasmas. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. N1. pp. 10-12.

121. Ikegami N., Yabata A., Matsui T., Kanamory J., Horiike Y. Characteristics of very high aspect ratio contact hole etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. V. 36. pp. 2470-2476.

122. Ikegami N., Yabata A., Liu G.L/. Uchida H., Hirashita N., Kanamori J. Vertical profile control in ultrahigh-aspect ratio contact hole etching with 0.05-jam diameter range. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. V. 4B. pp. 23372342.

123. Ohiwa T., Kajima A., Sekine M., Sakai I., Yonemoto S., Watanabe. Mechanism of etch stop in high aspect ratio contact hole etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V. 37. pp. 5060-5063.

124. Feurprier Y., Chinzei Y., Ogata M.5 Kikuchi T., Ozawa M., Ichiki T., Horiike Y. Microloading effect in ultrfine Si02 hole/trench etching. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. A16. N4. pp. 1556-1561.

125. Samukawa'S., Mukai T. High-performance silicon dioxide etching for less than 0.1-pm-high-aspect contact holes. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. B18. N1. pp. 166-171.

126. Seta S., Sekine M., Hayashi H., Yoshida Y., Yamaguchi T. Microtrench generation in Si02 trench etching for damascence interconnection process. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. pp. 5769-5774.

127. Lukichev V.F. A new approach to aspect ratio independent etching. // Microelectonic Engineering. 1998. V. 41/42. pp. 423-426.

128. Lukichev V.F. Scaling of silicon trench etch rates and profiles in plasma etching. // Microelectonic Engineering. 1999. V. 46. pp. 315-319.

129. Morikawa Y., Chen W., Hayashi T., Uchida T. Investigations of surface reactions in neutral loop discharge plasma for high-aspect-ratio Si02 etching. //Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42. N3. pp. 1429-1434.

130. Matsui J., Nakano N., Petrovich Z.L., Makabe T. The effect of topographical local charging on the etching of deep-submicron structures in Si02 as a function of aspect ratio. // Appl. Phys. Lett. 2001. V. 78. N7. pp. 883-885.

131. Yonekura K., Kiritani M., Sakamori S., Yokoi T., Fujiwara N., Miyatake H. Effect of charge build-up of underlying layer by high aspect ratio etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1998. V.37. N4B. pp. 2314-2320.

132. Schaepkence M., Oehrlein G.S. Asymmetric microtrenching during inductively coupled plasma oxide etching in the presence of a weak magnetic field.//Appl. Phys. Lett. 1998. V. 72. N. 11. pp. 1293-1295.

133. Giapis K.P., Hwang G.S., Joubert O. The role of mask charging in profile evolution and gate oxide degradation. // Microelectronic Engineering. 2002. V.61-62. pp. 835-847.

134. Lane J.M., Klemens F.P., Bogart K.H., Malyshev M.V., Lee J.T. Feature evolution during plasma etching. II. Polycrystalline silicon etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N. 1. pp. 188-196.

135. Bogart K.H., Klemens F.P., Malyshev M.V., Colonell J.I., Donnelly V.M., Lee J.T. Lane J.M. Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N. l.pp. 197-206.

136. Fujiwara N., Ogino S., Maruyama T., Yoneda M. Charge accumulation effects on profile distortion in ECR plasma etching. // Plasma Sources Sci. Technol. 1996. V. 5. pp. 126-131.

137. Chi K.K., Shin H.S., Yoo W.Y., Jung C.O., Kon Y.B., Lee M.Y. Effects of conductively of polysilicon on profile distortion. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1996. V. 35. pp. 2440-2444.

138. Hwang G.S., Giapis K.P. On the origin of the notching effect during etching in uniform high density plasmas // J. Vac. Sci. Technol. B. 1997. V.15. N 1. pp. 70-87.

139. Giapis K.P., Hwang G.S. Plasma interactions with high aspect ratio patterned surfaces: ion transport, scattering, and the role of charging. // Thin Solid Films. 2000. V. 374. pp. 175-180.

140. Fujiwara N., Maruyama T., Yoneda M. Pulsed plasma processing for reduction of profile distortion induced by charge buildup in electron cyclotron resonance plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1996. V. 35. N4B. pp. 2450-2455.

141. Maruyama Т., Fujiwara N., Ogino S., Miyatake H. Reduction of charge build-up with pulse-modulated bias in pulsed electron cyclotron resonance plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1998. V. 37. N4B. pp. 2306-2310.

142. Hwang G.S., Giapis K.P. Mechanism of charging reduction in pulsed plasma etching. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1998. V. 37. N4B. pp. 2291-2301.

143. Watanabe M., Shaw D.M., Collins. Reduction of microtrenching and island formation in oxide plasma etching by emplying electron beam charge neutralization. // App. Phys. Lett. 2001. V. 79. N.7. pp. 2690-2692.

144. Shimmura Т., Soda S., Samukawa S., Koyanagi M., Hane K. Electrical conductivity of sidewall-deposited fluorocarbon polymer in SiC>2 etching processes. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V. B20. N. 6. pp. 2346-2350.

145. Shimmura Т., Suzuki Y., Soda S., Samukawa S., Koyanagi M., Hane K. Mitigation of accumulated electric charge by deposited fluorocarbon film during Si02 etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22. N. 2. pp. 433-436.

146. Ohtake H., Jinnai В., Suzuki Y, Soda S., Shimmura Т., Samukawa S. Real-time monitoring of charge accumulation during pulse-time-modulated plasma. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V 24. N6. pp. 2172-2175.

147. Flanders D.C., Efremov N.N. Generation of <50 nm periodic grating using edge defined techniques. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. V. 1. N4. pp. 11105-1108.

148. Сауров A.H. Методы самоформирования в микроэлектронике. // Известия вузов. Электроника. 1997. N5. сс.41-47.

149. Krivospitsky A.D., Okshin A.A., Orlikovsky A.A., Semin Y.F. Submicron structures formation with the help of usial photolithography and selfformation method. // Problems of submicron technology. — M; Nauka, Fismatlit. 2000. pp. 71-82.

150. Hiranoto T., Ishikuro H., Saito K., Fuiji T., Sarava T., Hashiguchi G., Ikoma T. Fabrication of Si nanostructures for single electron device applications by anisotropic etching. // Jpn. J. Appl. Phys. V. 1996. V. 35. N. 12B. pp. 6664-6667.

151. Chung K-H., Sung S-K., Kim D. H., Choi W.Y., Lee C.A. Park B-G., Nanoscale multi-line patterning using sidewall structure. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. N. 6B. pp. 4410-4414.

152. Choi S.S., M.Y. Jung, D.W. Kim, J.W.Kim, J.H.Boo, J.S.Yang. Nanofabrication of a sub-wavelength size aperture using anisotropic inductively coupled plasma processing. // Nanotechnology. 2003. V. 14. pp. 397-401.

153. Foucher J., Cunge G., Vallier L., Joubert O. Silicon gate notching for patterning features with dimensions smaller than the resolution of the lithography. //MicroelectronicEngineering. 2002. V. 61/62. pp. 849-857.

154. Foucher J., Cunge G., Vallier L., Joubert O. Design of notched gate processes in high densities plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V. B20. N5. pp. 2024-2031.

155. Ayon A A, Braff R, Lin C C, Sawin H IT and Schmidt M A Characterization of a time multiplexed inductively coupled plasma etcher. // J. Electrochem. Soc. 1999. V. 146. pp. 339-345.

156. Aachboun S., Ranson P. Deep anisotropic etching of silicon // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. V. 17. N4. pp. 2270-2273.

157. McAuley S. A., Ashraf H., Atabo L., Chambers A., Hall S., Hopkins J., Nicholls G. Silicon micromachining using a high-density plasma source. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2001. V. 34. P. 2769-2774.

158. Ayon A.A. Zhang X., Khanna R. Anisotropic silicon trenches 300-500 jam deep employing time multiplexed deep etching (TMDE). // Sensors * and Actuators. 2001. V.A91. pp. 387-391.

159. Blauw M.A., Craciun G., Sloof W.G., French P.J., van der Drift E. Advanced time-multiplexed plasma etching of high aspect ratio silicon structures. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V.B20. N6. pp. 3106-3110.

160. Laermer F., Urban A. Challenges, developments and applications of silicon deep reactive ion etching. // Microelectronic Engineering. 2003. V. 67-68. pp. 349-355.

161. Rangelow I. W. Critical tasks in high aspect ratio silicon dry etching for microelectromechanical systems. // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. A21. N4. pp. 1550-1562.

162. Ayazi F, Najafi K. High aspect-ratio polysilicon micromachining technology. // Sensors and Actuators. 2000. V. 87. pp. 46-51.

163. Fu L., Miao J. M., Li X. X., Lin R. M. Study of deep silicon etching for micro-gyroscope fabrication. // Appl. Surf. Science. // 2001. V. 177. pp. 7884.

164. Zhang D. C., Li Z. H., Li T., Wu G. A novel isolation technology in bulk micromachining using deep reactive ion etching and a polysilicon refill. // J. Micromech. Microeng. 2001. V. 11. pp. 13-19.

165. Bertz A., Kuchler M., Knofler R., Gessner T. A novel high aspect ratio technology for MEMS fabrication using standard silicon wafers.// Sensors and Actuators. 2002. V. A 97-98. pp. 691-701.

166. Fu L., Miao J.M., Li X.X., Lin R.M. Study of deep silicon etching formicro-gyroscope fabrication. // Appl. Surf. Science. 2001. V. 177. pp. 78-84.

167. Doecker P.T., Kinnell P., Ward M.C. A dry singl-step process for the manufacture of released MEMS structures. // J. Micromech. Microeng. 2003. V. 13. pp. 790-794.

168. Zhou R., Zang H., Hao Y., Wang Y. Simulation of the Bosch process with a string-cell hybrid method. // J. Micromech. Microeng. 2004. V. 14. pp. 851-858.

169. Tan Y, Zhou R, Zhang H, Lu G., Li Z. Modeling and simulation of the lag effect in a deep reactive ion etching process. // J. Micromech. Microeng. 2006. V. 16. pp. 2570-2579.

170. Topol A.W., La Tulipe, D.S. Shi Ir.L., Frank D.J. Bernstein K., et. Three-dimensional integrated circuits. // IBM J. Res. Dev. V. 2005. 49. N. 4/5. pp 1029-1036.

171. Wang X., Zeng W., Russo O.L., Eisenbraun E. High aspect ratio Bosch etching of sub-0.25 jam trenches for hyperintegration applications. // J. Vac. Sci. Techn B. 2007. V. 25. N4. pp. 1376-1381.

172. Zhu Y., Yan G., Fan J., Zhou J., Liu X., Li Zh., Wang Y, Fabrication of keyhole-free ultra-deep high-aspect-ratio isolation trench and its applications. //J. Micromech. Microeng. 2005. V. 15. P. 636-642.

173. Hanein Y, Schabmueller C. G. J., Holman G., Lucke P., Denton D. D., Bohringer K. F. High-aspect ratio submicrometer needles for intracellular applications. // J. Micromech. Microeng. 2003. V. 13. pp. S91-S95.191. www.adixen.com.

174. Hirose K., Shiraishi F., Mita Y. A simultaneous vertical and horizontal self-patterning method for deep three-dimensional microstructures. // J. Micromech. Microeng. 2007. V. 17. pp. S68-76.

175. Ostrikov K. Colloquium: Reactive plasmas as a versatile nanofabrication tool. // Reviews of modern physics. 2005. V.77. pp. 489-511.

176. Levchenko I., Ostrikov K. Nanostructures of various dimentionalities from plasma and neutral fluxes. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 2007. V. 40. pp. 2308-2319.

177. Lin C.C., Leu C.C., Yen J. H., Hon M.N. Sheath -dependant orientation control of carbon nanofibres and carbon nanotubes during plasma-enchanced chemical vapor deposition. //Nanotechnology. 2004. V. 15. pp. 176-179.

178. Kanechika M., Sugimoto N., Mitsushima Y. Control of shape of silicon needles fabricated by highly selective anisotropic dry etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V. B20. N. 4. pp. 1298-1301.

179. Cho Y. H., Lee S.W., Kim B.J., Fujii T. Fabrication silicon dioxide submicron channels without nanolithography for single biomolecule detection. //Nanotechnology. 2007. V. 18. pp. 4653003.

180. Rao M.P., Aimi M.F.,MacDonald N.C. Single-mask, three-dimensional microfabrication of high-aspect-ratio structures in bulk silicon using reactive ion etching lag and sacrificial oxidation. // Appl. Phys. Lett. 2004. V. 85. N25. pp. 6281-6283.

181. Kang C.K., Lee S.M., Jung I.D., Jung P. G., Hwang S. J., Ко J.S. The fabrication of patternable silicon nanotips using deep reactive ion etching. //J. Micromech. Microeng. 2008. V. 18. pp. 075007.

182. Shieh J., Lin C.P., Yang M.C. Plasma nanofabrications and antireflection applications. // J.Appl. Phys. D.: Appl. Phys. 2007. V. 40. pp. 2242-2246.

183. Hsu C-M., Connor S.T., Tang M.X., Cui Y. Wafer-scale nanopilars and nanocones by Langmuir-Blodgett assambly and etching. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. pp. 133109.

184. Velasquez-Garsia L.F., Akinwande A.I. Fabrication of large arrayes of high-aspect-ratio single-cristal silicon columns with isolated vertically aligned multi-walled carbon nanotube tips. // Nanotechnology. 2008. V. 19. pp. 405305.

185. Ohara J., Takeuchi Y., Sato K. Improvement of the optical transmittance of a micro prism made from a Si substrate by DRIE, oxidation and SiC>2 film refilling. // J. Micromech. Microeng. 2009. V. 19. pp. 055019.

186. Чан П., Тэлбот Л.,Турян К. Электрические зонды в неподвижной и движущейся плазме. М.: Мир. 1978. Р. 264.

187. Иванов Ю. А., Лебедев Ю. А., Полак Л. С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.; Наука, 1981. С.144.

188. Godyak V. A., Pijak R. В., Alxandrovich В. М. Probe diagnostics of non-Maxwellian plasmas. // J. Appl. Phys. 1993. V.73. N8. pp.3657-3663.

189. Isaac D. Sudit and Claude Woods. A study of the accuracy of various Langmuir probe theories. // J. Appl. Phys. 1994. V.76. N8. pp.4488-4498.

190. Barnes M. S., Forster J. C., Keller J. H. Electron energy distribution measurements in a planar inductive oxygen radio frequency glow discharge. // Appl. Phys. Lett. V. 62. N. 21. pp. 2622-2624.

191. Энциклопедия низкотемпературной плазмы. Под.ред В.Е.Фортова. «Наука», МАИК «Наука/Интерпериодика» 2000. Т.5. С.606-608.

192. Магунов А.Н., Лазерная термометрия твердых тел. М.: Физматлит. 2001. С.

193. Jiwari N., Fukasawa Т., Nakamura A., Kubota K., Horiike Y. Effect of magnetic field to etching characteristics of inductively coupled plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V.33. Pt.l. N.7B. pp.4454-4457.

194. Lee H.J., Yang D., Whang K.W. The effects of magnetic fields on a planar inductively coupled argon plasma. // Plasma Sources Sci. Technol. 1996. V. 5. pp. 383-388.

195. Hwang S. W., Lee Y. J., Han H. R., Yoo J. В., Yeom G. Y. Effects of variously configured magnets on the characteristics. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. V.17. N4. pp. 1211-1216.

196. Александров А.Ф., Богданкевич JI.С., Рухадзе А.А. Колебания и волны в плазменных средах. М.: Изд-во МГУ. 1990. с. 272.

197. Вавилин К.В., Рухадзе А.А., Ри Х.М., Плаксин В.Ю. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических применений.

198. Источники плазмы в отсутствие магнитного поля. // ЖТФ. 2004". Т. 74. Вып. 5. с. 44-49.

199. Вавилин К.В., Плаксин В.Ю., Ри Х.М., Рухадзе А.А. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических применений.1.. Источники плазмы в в условиях аномального скин-эффекта. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 6. сс.25-28.

200. Вавилин К.В., Рухадзе А.А., Плаксин В.Ю., Ри Х.М. Радиочастотные источники плазмы малой мощности для технологических применений.

201. I. Геликонные источники плазмы. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 6. сс. 2934.

202. Александров А.Ф., Бугров Г.Э., Вавилин К.В., Керимова И.К., Кондранин С.Г., Кралькина Е.А., Павлов В.Б., Плаксин В.Ю., Рухадзе А.А. // Физика плазмы. 2004. Т. 30. №3. сс. 434-449.

203. Кралькина Е.А. Индуктивный высокочастотный разряд низкого давления и возможности оптимизации источников плазмы на его основе. // УФН. 2008. Т. 178. N5. с. 519-540.

204. Материалы канд.диссертации Изюмова М.О.

205. Lee M-H., Chung C-W. Observation of the inductive to helicon mode transition in a weakly magnetized solenoidal inductive discharge. // Appl. Phys. Lett. 2008. V. 93. pp. 151503.

206. Sobolewski M. A., Olthoff J. K., Wang Y. Ion energy distributions and sheath voltages in a radio-frequency-biased, inductively coupled, high-density plasma reactor. // J. Appl. Phys. 1999. V.85. N8. pp. 3966- 3974.

207. Chevoll T., Fukarek W. Ion flux, ion energy distribution and neutral density in an inductively coupled argon discharge. // Plasma Sources Sci. Technol. 2000. V. 9. pp. 568-573.

208. Woodworth J. R., Abraham I. C., Riley M. E., Miller P. A., Hamilton T.W., Aragon B. P., Shul R. J., Willison C. G. Ion energy distributions at rf-biased wafer surfaces. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V. 20. N3. pp. 873887.

209. Booth J.-P. Diagnostics of etching plasmas. // Pure Appl. Chem. 2002. V.74.N3.pp. 397-400.

210. Yao X. Z., Jiang D.Y. Effect of secondary electron emission on sheath potential in an electron cyclotron resonance plasma.// J. Appl. Phys. 1997. V. 81. N5. pp. 2119-2123.

211. Godyak V. A., Pijak R. B. In situ simultaneous radio frequency discharge power measurements.//J. Vac. Sci. Technol. 1990. V.A8. N5. pp. 3833-3837.

212. Patrick R., Baldwin S., Williams N. Application of direct bias control in high-density inductively coupled plasma etching equipment. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. V. 18. N. 2. pp. 405-410.

213. Kawata H., Kubo T., Yasuda M., Murata K. Power measurements or radio-frequency discharges with a parallel-plate-type reactor. // J. Electrochem. Soc. 1998. V. 145. N. 5. pp. 1701-1707.

214. Zhang D., Kushner M.J. Mechanisms for CF2 radical generation and loss on surfaces in fluorocarbon plasmas // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. A18. N 6. pp. 2661-2668.

215. Booth J.P., Cunge G., Chabert P., Sadeghi N. CFX radical production and a CF4 reactive ion etching plasma: fluorine rich conditions.// J. Appl. Phys. 1999. V. 85. N6. pp. 3097-3107.

216. Nakagawa H.,- Okigawa M., Morishita S., Noda S., Hayashi H., Ito K., Inoue M., Sekine M. CF and CF2 radical densities in 13.56-MHz CHF3/Ar inductively coupled plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. N1. pp. 319325.

217. Arai Т., Goto M., Horikoshi K., Mashino S., Aikyo S. Effects of fluorocarbon films on CF radical in CF4/H2 plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V. 38. N7B. pp. 4377-4379.

218. Oshio H., Ichiki Т., Horiike Y. Run-to-run evolution of fluorocarbon radicals in C4F8 plasmas interacting with cold and hot inner walls. // J. Electrochem. Soc. // 2000. V. 147. N11. pp. 4273-4278.

219. Zeze D.A., Silva S.R.P., Brown N.M.D., Joyce A.M., Anderson C.A. Targeting mass-selected cluster ions for the deposition of advanced carbonaceous materials using an inductively coupled plasma. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N4. pp. 1819-1827.

220. Магунов A.H. Лазерная термометрия твердых тел. М. : Наука, 2001. С. 215.

221. Kersten Н., Stoffeles Е., Stoffeles W.W., Otte М., Csambal С. Energy influx from an rf plasma to a substrate during plasma processing. // J. Appl. Phys. 2000. V. 87. N8. pp. 3637-3645.

222. Hanley L., Lim H., Schultz D.G., Wainhaus S.B., Clarie P.S., Hase W.L. Surface energy transfer by low energy polyatomic ion collisions. // Nucler Instr. Meth. Phys. Reseach. 1997. V. В125. pp. 218-222.

223. Amirov I.I., Izyumov M.O. Etching of microelectronic materials in a reactor with RF -inductive plasma source of at low pressure. // Third Russian-Chinese Symposium. Kaluga.Russia.1995. p.82.

224. Амиров И.И, Плазменное травление материалов в индуктивной плазме для целей микротехнологиии. //Тезисы докладов 3 Международной конференции "Микроэлектроника и информатика" Москва, Зеленоград. 1997. сс. 145-146.

225. Amirov I.I., Iziomov M.O. The investigation of oxygen ICP torch at low pressure and in a heterogeneous magnetic field. // Proceedings of Fifth European Conference on Thermal Plasma Processes. // S. Petersburg. 1998. cc.236.

226. Magunov A.N., Amirov I.I. Effect of surface material and temperature on heat power transferred with ion flux from low-pressure plasma. // Proc.XXV ICPIG. Nagoya, Japan, 2001.V.1. cc.79-80.

227. Амиров И.И, Магунов A.H. Теплообмен плазмы низкого давления с поверхностью. IX Конф. по физике газового разряда. Рязань, 1998. 4.1. сс.126-127.

228. Амиров И.И, Магунов А.Н. Температурная зависимость мощности, переносимой ионным потоком из плазмы на поверхность. // Материалы XXVIII Звенигородской конференции по физике плазмы и УТС. Звенигород. 2001. с. 18.

229. Патент на изобретение №2293796. Плазмохимический реактор низкого давления для травления и осаждения материалов. 11.01.2005 г.

230. Амиров И.И., Изюмов М.О. Влияние температуры стенки реактора на параметры фторуглеродной плазмы высокочастотного разряда низкого давления. // Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. с. 142-145.

231. Booth J. P., Joubert О., and Pelletier J. Oxygen atom actinometry reinvestigated: Comparision with absolute measurements by resonance absorption at 130nm. // J. Appl. Phys. 1991. V. 69. N2. pp. 618-626.

232. Granier A., Chereau D., Henda K., Safari S., and Leprince P. Validity of actinometry to monitor oxygen atom concentration in microwave discharges created by surface wave in 02-N2 mixtures.// J. Appl. Phys. 1994. V. 75. N1. pp. 104- 109.

233. Jurgensen C.W., Rammelsberg A. Oxygen reactive ion etching mechanisms of organic and organosilicon polymers. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. V. 7. N6. pp. 3317-3324.

234. Carl D.A., Hess D.W., Lieberman M.A. Kinetics of photoresist etching in an electron cyclotron resonance plasma. // J. Appl. Phys. 1990. V. 68. N4. pp. 1859-1864.'

235. Baggerman J.A.C., Visser R.J., Collart E.J.H. Ion-induced etching of organic polymers in argon and oxygen radio-frequency plasmas. // J. Appl. Phys. 1994. V.75. №2. pp.758-768.

236. Collart E.J.H., Baggerman J.A.g., Visser R.J. On the role of atomic oxygen in the etching of organic polymers in a radio-frequency oxygen discharge. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. N1. pp.47-54.

237. Pons M., Joubert P., Pelletier J. Plasma etching of polymers: A reinvestigation of temperature effects. // J. Appl. Phys. 1991. V.70. N4. pp. 2376-2379.

238. Joubert O., Pelletier J., Fiory C., Tan T.A. Surface mechanisms in O2 and SF6 microwave plasma etching of polymers. // J. Appl. Phys. 1990. V. 67. N. 9. pp. 4291-4299.

239. Etriland J., Francou J-M., Inard A., Henry D. Anisotropic etching of submicronic resist structures by resonant inductive plasma etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. N10. Pt. 1. pp. 6005-6012.

240. Vanderlinde W. E., Ruoff A. L. Reactive ion beam etching of polyimide thin films. //J. Vac. Sci. Technol. 1988. V. B6. N6. pp. 1621-1625.

241. Panda S., Economou D. J., Chen L. Anisotropic etching of polymer films by high energy (-100s of eV) oxygen atom neutral beams. // J. Vac. Sci. Technol. 2001. V. A19. N2. pp. 398-404.

242. Takechi K., Lieberman M.A. Effect of ion energy on photoresist etching in an inductively coupled, traveling wave driven, large area plasma source. // J. Appl. Phys. 2001, V. 89. N10. pp. 5318-5321.

243. Morikawa Y., T., Uchida T. Etching characteristics of organic polymers in the magnetic neutral loop discharge plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 2003. V. 42.N3.pp. 1441-1444.

244. Hartney M.A., Hess D.W., Sloane D.S. Oxygen plasma etching, for resist stripping and multilayer lithography. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. V.7. №1. pp. 1-13.

245. Rybkin V. V., Bessarab А. В., Kuvaldina E. V., Maximov A. I., Titov V. A. Self-consistent analisis of low temperature oxygen plasma and processes of its interaction with some polymer materials.// Pure Appl. Chem. 1996. V. 52. N5. pp. 1041-1045.

246. Savas S., Dutton D., Wood В., Guerra R., Hammond M.L. Advanced photoresist strip with a high pressure ICR source. // Solid St. Technol. 1996. V. 39. N10. pp.123-128.

247. Адрова H.A., Бессонов М.И., JIayc Л.А., Рудаков А.П. Полиимиды-новый класс термостойких полимеров. Л.:Наука, 1968. С.41.

248. Амиров И.И Федоров В.А., Буяновская П.Г., Изюмов М.О., Савинский Н.Г Травление плазмополимеризованных кремний содержащих органических пленок в кислородной плазме. Тезисы докладов 8 Международного Симпозиума "Тонкие пленки в электронике" Харьков.1997.

249. Amirov I.I., Izyumov М.О. The influence of ion stocked on erosion polymer films in oxygen ICP torch. // 5 European Conference on Thermal Plasma Processes. St.Peterburg. 1998. p. 235.

250. Амиров И.И., Бердников A.E., Изюмов М.О. Процессы травления резистов в ректоре с ВЧ-индуктивным источником плазмы. // Микроэлектроника. 1998. Т. 27. №1. сс. 22-27.

251. Амиров И.И., Федоров В.А., Савинский Н.Г., Буяновская П.Г., Изюмов М.О. Травление плазмополимеризованных кремний-содержащих органических пленок в кислородной плазме. // Химия высоких энергий. 1998. Т. 34. №5. сс. 235-244.

252. Амиров И.И., П.Г. Буяновская. Особенности травления пленки полиамидокислоты в кислородной и аргоновой плазме ВЧ индуктивного разряда. // Химия высоких энергий. 1998. Т. 32. №5. сс. 424-425.

253. Амиров И.И., Изюмов М.О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме высокочастотного индукционного разряда. // Химия высоких энергий. 1999. Т. 33. № 2. сс. 160-164.

254. Амиров И.И., Федоров В.А. Анизотропное травление субмикронных структур в резисте в кислородсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. //Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 1. сс. 32-41.

255. Амиров И.И., Федоров В.А. Создание 0.5^ мкм структур методом «сухой» электронолитографии и плазменных анизотропных процессов травления. //Микроэлектроника. 2000. Т. 29. № 5. сс. 353-357.

256. Амиров И.И. О механизме взрывного травления пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. // Журнал технической физики. 2000. Т.70. Вып. 5. сс. 106-108.

257. Амиров И.И. П.Г.Буяновская. Нестационарный совместный процесс травления и имидизации пленки полиамидокислоты в неравновесной кислородной плазме. // Химия высоких энергий. 2000. Т. 34. N6. сс. 451455.

258. Постников А.В., Косолапов И.Н., Куприянов А.Н., Амиров И.И., Магунов А. Н. Автоматизированный лазерный термометр для исследований плазменных процессов микротехнологии. // Приборы и техника эксперимента 2008. № 2. сс. 173-176.

259. Senkevich J.J., Sherrer II D.W. Plasma enhanced chemical vapor deposition of fluorocarbon thin films via CF3H/H2 chemistries: Power, pressure, and feed stock composition studies.// J. Vac. Sci. Technol. 2000: V. A18. N2. pp. 377-384.

260. Bell F.H., Joubert O., Oehrlein G.S., Zhang Y., Vender D. Investigation of selective Si02-to—Si etching in an inductively coupled high-density plasmausing fluorocarbon gases. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V. A12. N6. pp. 3095-3101.

261. Ootera H., Oomori Т., Tuda M., Namba K. Simulation of ion trajectories near submicron-pattemed surface including effects of local charging and ion drift velocity toward wafer. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V. 33. N7B. pp. 4276-4280.

262. Feldsien J., Kim D., Economou D. Si02 etching in inductively coupled C2F6 plasmas: surface chemistry and two-dimensional simulations. // Thin Solid Films. 2000. V. 374. pp. 311-325.

263. Рот И. Химическое распыление// Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Бериша. Вып. 2. М.: Мир, 1986. сс. 134-204.

264. Журавлев И.В., Смирнова Г.Ф., Кибалов Д.С., Смирнов В.К. Зависимость морфологии волнообразного нанорельефа на кремнии от угла бомбардировки поверхности ионами азота. Поверхность. 2002. №10. сс . 100-104.

265. Matsuura Т., Sugiyama Т., Mirota J. Atomic-layer surface reaction of chlorine on Si and Ge assisted by an ultraclean ECR plasma. Surf. Sci.,1998, V. 402-404, pp. 202-205.

266. Gogolides E.} Vauvert P., Kokkoris G., Turban G., Boudouvis A.G. Etching of Si02 and Si in fluorocarbon plasmas: A detailed surface model accounting for etching and deposition. // J. Appl. Phys. 2000. V. 88. N10. pp. 5570-5584.

267. Feldsien J., Kim D., Economou D. Si02 etching in inductively coupled

268. C2F6 plasmas: surface chemistry and two-dimensional simulations. // Thin

269. Solid Films. 2000. V. 374. pp. 311-325.

270. Kokkoris G., Gogolides E, Boudouvis A.G. Etching of S1O2 features in fluorocarbon plasmas: Explanation and prediction of gas-phase- composition effects on aspect ratio dependent phenomena in trenches. // J. Appl. Phys. 2002. V. 91. N5. pp. 2697-2707.

271. Lieberman M. A. The Langmuir isotherm and the standard model of ionassisted etching. // Plasma Sources Sci. Technol. 2009. Y.18. pp. 014002-7.

272. Makabe Т., Yagisawa T. Nonequilibrium radio frequency plasma interacting with a surface. // Plasma Sources Sci. Technol. 2009. V. 18. pp. 014016-25.

273. Graves D., Vegh J., Nest D. Molecular dynamics and beam studies of plasma-surface interactions. // Proceeding of 28 ICPEG 2007. Prague, p.49.

274. Vegh J.J., Humbird D., Graves D. Silicon etch in the presence of a fluorocarbon overlayer: The role of fluorocarbon cluster ejection. // J. Vac. Sci. Technol. 2008. V. A26. N1. pp. 52-61.

275. Rangelow I.W., Loschner H. Reactive ion etching for microelectroelectrical system fabrication. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V. В13. N6. pp. 2394-2399.

276. Tian W.C., Weigold J.W., Pang S.W. Comparison of Cl2 and F-based dry etching for high aspect ratio Si microstructures etched with an inductively coupled plasma source. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. В18. N4. pp. 18901896.

277. Gomez S., Belen R. J., Kiehbauch M., Aydil E.S. Etching of high aspect ratio features in Si using SY^02/C\2 plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 2005. V. A23. N6. pp. 1592-1597.

278. Shamiryan D, Redolfi A, Boullart W. Dry etching process for bulk fmFET manufacturing. // Microelectronic Engineering. 2009. V. 86. pp. 96-98.

279. Шамирян Д., Paraschiv V., (Парашив В.), Boullart W.,( Булларт В.), Бакланов М.Р. Плазмохимическое травление: от микро- к наноэлектронике. //Химия высоких энергий. 2009. Т.43. №3. с. 250-258.

280. Takagi S., Iyanagi К., Onoue S., Shinmura Т., Fujino M. Topography simulation of reactive ion etching combined with plasma simulation, sheath model, and surface reaction model // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V.41. N 6A. P.3947-3954.

281. Abraham-Shrauner B. Plasma etches profiles of passivated open-area trenches // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. N 3. pp. 711-721.

282. Herrick A., Perry A.J., Boswell R.W. Etching silicon by SF6 in a continuous and pulsed power helicon reactor. // J. Vac. Sci. Technol. 2003. V. A21.N4.pp. 955-966.

283. Амиров И.И., Изюмов M.O. Характеристики травления Si02 и Si во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления. //Микроэлектроника. 1996. Т.25. №3. с. 233-239.

284. Амиров И.И., Ионно-химическое травление кремния и окиси кремния в многокомпонентной плазме. // Материалы 13 Международной конференции "Взаимодействие ионов с поверхностью" М. 1997.С. 149-152.

285. Амиров И.И,, Плазменное травление материалов в индуктивной плазме для целей микротехнологиии. //Тезисы докладов 3 Международной конференции "Микроэлектроника и информатика" Москва, Зеленоград. 1997. с. 145-146.

286. Амиров И.И. Ионно-химическое травление кремния и диоксида кремния в многокомпонентной плазме. Труды ФТИАН. М.Наука, 1997. Т.12. с. 19-36.

287. Амиров И.И Современные плазменные процессы травления технологии микроэлектроники. // В. сб. тезисов докладов первойвсероссийской конференции «Прикладные аспекты химии высоких энергий». Москва. 2001. с. 87-88.

288. Amirov I.I., Zhuravlev I.V., Kibalov O.S., Lepshin P.A., Smirnov V.K. // Plasmachtmical etching of wave-orderid structure formed on amorfhous silicon surface by nitrogen ion bombudment. Phys.Low-Dim.Struct., 2003. V.9/10. pp. 51-58.

289. Амиров И.И., Морозов O.B., Изюмов M.O. Травление кремния и диоксида кремния в высокоплотной плазме ВЧИ разряда низкого давления. // Химия высоких энергий. 2003. Т.37.№5. с. 373-379.

290. Амиров И.И., Шумилов А.С. Влияние ионной бомбардировки на травление канавок в кремнии в высокоплотной фторуглеродной плазме. Материалы XVI Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Москва 2003. Т.2. с. 302-305.

291. Амиров И.И., Морозов О.В., Изюмов М.О. Травление кремния и диоксида кремния в высокоплотной плазме ВЧИ разряда низкого давления. // Химия высоких энергий. 2003. Т.37.№5. с. 373-379.

292. Амиров И.И. О механизме ионно-стимулированного травления Si02, Si во фторуглеродной плазме. // Материалы XVII Международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» Звенигород 2005. с. 299-302.

293. Амиров И.И., Морозов О .В., Изюмов М.О Анизотропное травление глубоких канавок в кремнии во фторсодержащей плазме. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии. Т.2. Иваново. 2005. с. 653-656.

294. Shaqehy E.S.G., Jurgensen C.W. Simulation of reactive ion etching pattern transfer // J. Appl. Phys. 1989. V. 66. N10. pp. 4664-4675

295. Chen W., Abraham-Shrauner В., Wooworth J.R. Model etch profile for ion energy distributions in an inductively coupled plasma reactor. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V. B17. N5. pp. 2061-2069.

296. Levinson J.A., Shaqfeh E.S.G., Balooch M., Hamza A.V. Ion-assisted, etching and profile development of silicon in molecular chlorine // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V.15. N 4. pp. 1902-1912.

297. Abdollahi-Alibeik S., McVittie J.P., Saraswat K.C. Analytical modeling of silicon etch process in high density plasma. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. V. 17. N 5. pp. 2485-2481.

298. Hoekstra R.J., Kushner M.J. Comparison of two-dimensional and three-dimensional models for profile simulation of poly-Si etching of finite length trenches // J. Vac. Sci. Technol. A. 1998. V. 16. N 6. pp.3274-3280.

299. Mahorowala A.P., Sawin H.H. Etching of polysilicon in inductively coupled Cl2 and HBr discharges. III. Photoresist mask faceting, sidewall deposition, and microtrenching // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V.20. N3. pp. 1077-1083.

300. Mahorowala A.P., Sawin H.H. Etching of polysilicon in inductively coupled Cl2 and HBr discharges. IV. Calculation of feature charging in profile evolution // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. N3. pp.1084-1095.

301. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел: Сб. статей 1980-1987 гг. : Пер. с англ./ Сост.Е.С. Машкова. М. Мир, 1989. с. 349.

302. Winters Н., Coburn J.W. Surface science aspects of etching reactions // Surf. Sci. Reports. 1992. V. 14. N4-6. pp. 162-265.

303. Plasma processes for semiconductor fabrication. Hitchon W.N.G. Cambridge University press. 1999. p. 221.

304. Rauf S., Dauksher W.J., Clemens S.B., Smith K.H. Model for a multiple-step deep Si etch process // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V.20. N 4. P.l 1771190.

305. Zakka E., Constantoudis V., Gogolides E. Roughness formation, during plasma etching of composite materials: A kinetic Monte Carlo approach // IEEE Transact, on Plasma Sci. 2007. V. 35. N 5. pp. 1359-1369.

306. Шумилов A.C. Кандидатская диссертация «Моделирование ■ формирования глубоких канавок в кремнии в Bosch- процессе». Москва 2009. С. 178.

307. Bose D., Rauf S., Hash D.B., Govindan T.R., Meyyappan M. Monte-Karlo sensitivity analysis of CF2 and CF radical densities in a C-C4F8 plasma. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22. N6. pp. 2290-2298.

308. Booth J. P., Abada H., Chambert P. M., Graves D. B. CF and CF2 radical kinetics and transport in a pulsed CF4 ICP. // Plasma Sours. Sci. Technol. 2005. V. 14. pp. 273-282.

309. Nelson С. Т., Sant S.P., Overzet L.J., Goeckner MJ. Surface kinetics with low ion energy bombardment in fluorocarbon plasmas. // Plasma Sources Sci. Technol. 2007. V. 16. pp. 813-821.

310. Abdollahi-Alibeik S., Zheng J., McVittie J.P., Saraswat K.C., Gabriel C.T., Abraham S.C. Modeling and simulation of feature-size-dependent etching of metal stacks // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. N 1. pp. 179185.

311. Sowa M.J., Littau M.E., Pohray V., Cecchi J.L. Fluorocarbon polymer deposition kinetics in a low-pressure, high-density, inductively coupled plasma reactor // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. V. 18. N5. pp. 2122-2134.

312. Zhou Z.-F., Huang Q.-A., Li W.-H., Lu W. A novel 2D dynamic cellular automata model for photoresist etching process simulation // J. Micromech. Microeng. 2005. V. 15. N 3. pp. 652-662.

313. Xing Y., Gosalvez M.A., Sato K. Step flow-based cellular automation for the simulation of anisotropic etching of complex MEMS structures // New Journal of Phys. 2007. V. 9. N 436. pp. 1-18.

314. Belen J.R., Gomez S., Kiehbauch M., Cooperberg D., Aydil E.S. Feature scale model of Si etching in SF6 plasma and comparison with experiments // J. Vac. Sci. Technol. A. 2005. V. 23. N 1. pp. 99-113.

315. Coburn J.W., Winters. H. F. Conductance considerations in the reactive ion etching of high aspect ratio features // Appl. Phys. Lett. 1989. V. 55. N26. pp. 2730-2732.

316. Kokkoris G., Boudouvis A.G., Gogolides E. Integrated framework for the flux calculation of neutral species inside trenches and holes during plasma etching. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. N 6. pp. 2008-2020.»

317. Kinoshita S., Takagi S., Yabuhara H., Nishimura H., Kawaguchi H., Shigyo N. Calibration method for high-density-plasma chemical vapor deposition simulation // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. V. 41. N4A. pp. 19741980.

318. Jin W., Sawin H.H. Feature profile evolution in high-density plasma etching of silicon with Cl2. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. V. 21. N 4. pp. 911-921.

319. Gotoh Y., Kure T., Tachi S. Estimation of ion incident angle from Si etching profiles // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. V. 32. N6B. pp. 3035-3039.

320. Hedlund C., Jonsson L.B., Katardjiev I.V., Berg S., Blom H.-O. Angular dependence of the polysilicon etch rate during dry etching in SF6 and Cl2 // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. V. 15. N3. pp. 686-691.

321. Yin Y., Sawin H. H. Angular etching yields of polysilicon and dielectric vaterials in Cl2/Ar and fluorocarbon plasmas. // Vac. Sci. Technol. 2008. V. A26. №1. pp. 161-173.

322. Hwang G.S., Anderson C.M., Gordon M.J., Moore T.A., Minton T.K., Giapis K.P. Gas-surface dynamics and profile evolution during etching of silicon. // Phys. Rev. Lett. 1996. V. 77. N14. pp. 3049-3052.

323. Sankaran A., Kushner M.J. Integrated feature scale modeling of plasma processing of porous and solid Si02. I. Fluorocarbon etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. B22. N4. pp. 1242-1259.

324. Sankaran A., Kushner M.J. Integrated feature scale modeling of plasma processing of porous and solid Si02. II. Residual fluorocarbon polymer stripping and barrier layer deposition. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. B22. N4. pp. 1260-1274.

325. Marcos G., Rhallabi A., Ranson P. Topographic and kinetic effects of the SF6/02 rate during a cryogenic etching process of silicon // J. Vac. Sci. Technol. B. 2004. V. 22. N 4. pp. 1912-1922.

326. Sankaran A., Kushner M.J. Fluorocarbon plasma etching and profile evolution of porous low-dielectric-constant silica. // Appl. Phys. Lett. 2003. V. 82. N12. pp. 1824-1826.

327. Harafuji K., Misaka A. Dry etching topography simulator with a new surface reaction model; MODERN // IEEE Trans. Electron Devices. 1995. V. 42. N11. pp. 1903-1911.

328. Bear M.J., Guillory J.U. Plasma etch/deposition modeling: A new dynamically coupled multiscale code and comparison with experiment // J. Vac. Sci. Technol. A. 2000. V.18. N 5. P.2045-2052.

329. Graves D.B., Kushner M.J. Influence of modeling and simulation on the maturation of plasma technology: Feature evolution and reactor design // J. Vac. Sci. Technol. A. 2003. V. 21. N 5. pp. S152-S156.

330. Adalsteinsson D., Sethian J.A. A level set approach to a unified model for etching, deposition, and lithography I: Algorithms and two-dimensional simulations // J. Appl. Phys. 1995. V.120. N 1. pp. 128-144.

331. Sethian J.A. Level Set Methods and Fast Marching Methods. Cambridge University Press. 1999, pp. 400.

332. Im Y.H., Hahn Y.B., Pearton S.J1 Level set approach to simulation of feature profile evolution in a high-density plasma-etching system // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. N 3. pp. 701-710.

333. Kim H.-B., Hobler G., Steiger A., Lugstein A., Bertagnolli E. Level set approach for the simulation focused ion beam processing on the micro/nano scale. //Nanotechnology. 2007. V. 18. pp. 265307.1-25307.6.

334. Шумилов A.C., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование формирования глубоких с разным профилем канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом процессе. 7/ Труды V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. с. 285289.

335. Шумилов А.С., Амиров И.И. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 4. с. 295-305.

336. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. / Под. ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха. М.: Мир, 1987. С.544.

337. Методы анализа поверхностей. / Под ред. А.Задерны. М.: Мир, 1979. С. 437.

338. Labelle С.В., Donnelly V.M., Bogart G.R., Opila R.L., Kornblit A. Inverstigation of fluorocarbon plasma deposition from C-C4F8 for use as passivation during deep silicon etching. // J. Vac. Sci. Technol. 2004. V. A22. N6. pp. 2500-2507.

339. Rey J.C., Cheng L.-Y., McVittie J.P., and Saraswat K.C. Monte Carlo low pressure deposition profile simulations // J. Vac. Sci. Technol. A. 1991. V.9. N 3. pp. 1083-1087.

340. IslamRaja M.M., Cappelli M.A., McVittie J.P., Saraswat K.C. A 3-dimentional model for low-pressure chemical-vapour-deposition step coverage in trenches and circular vias. // J. Appl. Phys. 1991. V. 70. N11. pp. 7137-7140.

341. Ohiwa Т., Horioka K., Arikado Т., Hasegawa I., Okano H. Si02 tapered etching employing magnetron discharge of fluorocarbon gas. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V. 31.Nl.pp. 405-410.

342. Ono Т., Hamasaki R., Mizutani T. Mechanism for CF polymer film deposition trough deep Si02 holes in electron cyclotron resonance plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. pp. 2468-2471.

343. Амиров И.И., Алов H.B. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в низкотемпературной C4Fs+SF6 плазме ВЧИ разряда. // Сборник трудов 4 Международного симпозиума по теоретической и прикладной плазмохимии.Т. 2. Иваново. 2005. с. 653-656.

344. Патент на изобретение №2300158. Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры. 9.06.2005 г.

345. Амиров И.И., Алов Н.В. Осаждение фторуглеродной полимерной пленки в плазме высокочастного индукционного разряда вперфторциклобутане и его смесей с гексафторидом серы. // Химия высоких энергий. 2006. Т. 36. №4. с. 35-39.

346. Blauw М.А., Zijlstra Т., Drift Е. Balancing the etching and passivation in time-multiplexed deep dry etching of silicon // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. V. 19. N6. pp. 2930-2934.

347. Craigie C.J.D., Sheehan Т., Johnson V.N., Burkett S.L., Moll A.J., Knowlton W.B. Polymer thickness effects on Bosch etch profiles // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. N6. pp. 2229-2232.

348. Boufnichel M., Aachboun S., Grangeon F., Leaucheux P., Ranson P. Profile control of high aspect ratio trenches of silicon. I. Effect of process parameters on local bowing. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. V. 20. N 4. pp. 1508-11513.

349. Boufinichel M., Aachboun S. Profile control of high aspect ratio trenches of silicon. II. Study of the mechanisms responsible for local bowing formation and elimination of this effect // J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. V. 21. N1. pp. 267-273.

350. Abraham I.C., Woodworh J.R., Riley M.E., Miller P.A., Shul' R.J., Willison C.G. Electrical and plasma property mearements of a deep reactive ion etching Bosch process. J. Vac. Sci. Technol. B. 2003. V.21. N3. pp. 1112-1119.

351. Chen K.-S., Ayon A.A., Zhang X., Spearing S.M. Effect of process parameters on the surface morphology and mechanical performance of silicon structures after deep reactive ion etching (DRIE) // J. Micromech. Microeng. 2002. V. 11. N3. pp. 264-274.

352. Chung Ch-K. Geometrical pattern effect on silicon deep etching by an inductively coupled plasma system. //J. Micromech. Microeng. 2004. V.14. pp. 656-662.

353. Kiihamaki J., Franssila S. Pattern shape effects and artefacts in deep silicon etching // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. V.l7. N 4. pp. 2280-2285.

354. Volland B.E, Ivanov T.V. Rangelow I W. Profile simulation of gas chopping based etching processes. // J. Vac. Sci. Technol. 2002. V.B 20. pp., 3111-3119.

355. Yeom J., Wu Y., Selby J. C., Shannon M. A. Maximum achievable aspect ratio in deep reactive ion etching of silicon due to aspect ratio dependent transport and the microloading effect. // J. Vac. Sci. Technol. 2005. V.B23. N.6. pp. 2319-2329.

356. Lai S.L., Johnson D., Westerman R. Aspect ratio dependent etching lag reduction in deep silicon etch processes // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. N4. pp. 1283-1288.

357. Abachev M. K., Baryshev Y., P., Lukichev V., F., Orlikovsky A. A. Modeling of deep silicon etching in multicomponent plasma. Vacuum. 1992. V. 43. pp. 565-569.

358. Лукичев В.Ф. Теоретическое исследование глубокого анизотропного травления кремниевых структур в низкотемпературной плазме. -Диссертация доктора физ.-мат. наук., Москва, 1997.

359. Ohara J., Takeuchi Y., Sato К. Improvement of high aspect ratio Si etching by optimized oxygen plasma irradiation inserted DRIE. // J. Micromech. Microeng. 2009. V.19. pp. 095022.

360. Hwang G.S., Giapis K.P. On the origin of the notching effect during etching in uniform high density plasmas // J. Vac. Sci. Technol. B. 1997. V.15. N 1. pp.70-87.

361. Larson P. R., Copeland K. A., Dharmasena G, Lasell R. A., Keil M., Johnson M. B. // Atomic fluorine beam etching of silicon and related materials. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. В 18. pp. 307-312.

362. Kokkoris G., Tserepi A., Gogolides E. The potential of neutral beams for deep silicon nanostructure etching. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. V. 41. pp. 024004.

363. Kim H-B., Hobler G., Lugstein A., Bertagnoli E. Simulation of beam induced micro/nanofabrication. // J. Micromech. Microeng. 2007. V. 17. N3. pp. 1178-1183.

364. Gantz K., Renaghan L., Agah M. Development of a comprehensive model' for RIE-lag-based three-dimensional microchannal fabrication. // J. Micromech. Microeng. 2008. V. 18. p. 025003 (9pp).

365. Volland B.E., Rangelow I.W. The influence of reactant transport on the profiles of gas chopping etching processes: a simulation approach // Microelectr. Eng. 2003. V. 67-68. pp. 338-348.

366. Ayon A.A., Nagle S., Frechete L., Epstein A., Schmidt M.A. Tailoring etch directionary in a deep reactive ion etching tool. // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V. B 18. N3. pp. 1412-1416.

367. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2008.

368. T.Lill, O.Joubert. The cuuting edge of plasma etching. // Science. 2008, V. 319. pp. 1050-1052.

369. Noda S., Ozawa N., Kinoshiba T., Tsuboi H., Kawashima., Hirosaka Y., Kinoshita K., Sekine M. Investigation of ion transportation in high-aspect-ratio holes from fluorocarbon plasma for Si02 etching. // Thin Solid Films. 2000. V. 374. pp. 181-189.

370. Schmitz G.J., Brucker C. Jacobs P. Manufacture of high-aspect-ratio micro-hair sensor arrays J. Micromech. Microeng. 2005. V. 15. pp. 19041910.

371. Shieh J., Lin C.P., Yang M.C. Plasma nanofabrications and antireflection applications // J. Phys. D: Appl. Phys. 2007. V. 40. N 8. pp. 2242-2250.

372. Stubenrauch M., Fischer M., Kremin C., Stoebenau S., Albrecht A., Nagel O. Black silicon—new functionalities in microsystems // J. Micromech. Microeng. 2006. V. 16. N6. pp. S82-S87.

373. Gharghi M., Sivoththaman S. Formation of nanoscale columnar structures in silicon by a maskless reactive ion etching process // J. Vac. Sci. Technol. A. 2006. V. 24. N 3. pp. 723-727.

374. Dussart R., Mellhaoui X., Tillocher Т., Lefaucheux P., Volatier M., Socquet-Clerc C., Brault P., Ranson P. Silicon columnar microstructures induced by an SF6/02 plasma // J. Phys. D: Appl. Phys. 2005. V. 38. pp. 3395-3402.

375. Шумилов A.C., Амиров И.И. Моделирование формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом травление/пассивация процессе // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. № 4. сс. 295-305.

376. Шумилов А.С., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование формирования глубоких с разным профилем канавок в кремнии в плазмохимическом, циклическом процессе. // Труды . V Международного Симпозиума по плазмохимии. Иваново. 2008. сс. 285289.

377. Шумилов С.А., Амиров И.И., Лукичев В.Ф. Моделирование эффектов формирования глубоких канавок в кремнии в плазмохимическом циклическом процессе. Микроэлектроника. 2009. Т. 38. №6. с. 428-435.

378. Amirov I.I., Shumilov A.S., Kupriayanov A.N., Lukichev V.F. Modelling of plasma reactive ion etching of ultra high aspect ratio Si trenches. "Micro-and nanoelectronics 2009". 2009, Moscow-Zvanigorod, Russia. Book of abstracts, 03-22.