-
1993
Агапов, Борис Львович
А! •. т у ял ь н о с т I) тс ? I' 1. ОлнсЙ яз голп современно'! микроэлект-пки является поиггоппо ¿мстролоГе гркя актирных элементов егряльгаюс кикросхем. Няибг-лн'яй литорее в ртом направлении ■ дставлг.вт исследования ¡юлеготорструктур на основе :упроводиккои1х соедлнлнлл с ! шг^го;'! подвижностью носителей ¡яда и с наиболее пол1;?::л
-
1993
Агадов
Плзлллга отлл гаггтек;'! определяется 2К!г>лиуя:{см валентных :лолпй, л их принято называть стгхломзтрлл:сллмл вакапсия&'и. полно:.! соответствии с ковплептчой.схемой соединений .такого та сгехиометрнчесглс вакансии яаллются электрически непт- • иыл.лл! и липпга х;аккх-ддбо акцепторных пли доиорннх свойств.' I основе изучения механизма растворения
-
1992
Краснобаев, Леонид Яковлевич
Автор остановил свой выбор на случае введения гэлогеноэ в кристалл методом ионной имплантации. В этой процессе концентрация внедряемых в кристалл галогенов строго контролируема, а тому se имеется возмоа<ость управлять не только концетрацаей вводимых атомов, ко и их пространственным распределением. Имплантация ионов галогенидов легирувяих прикесей
-
1992
Кузнецов, Андрей Юрьевич
Направленное изменение свойств полупроводникового кристалла путем строго контролируемого введения в его кристаллическую решётку структурных дефектов определенного типа является основой технологии создания приборов в микроэлектронике. Вместе с тем современные технологические процессы, использование которых стимулируется имеющейся тенденцией к
-
1992
Кравчук, Сергей Александрович
Необходимо отметить, что, как правило, основное внимание разработчиков высокочастотной части приемных устройств рассматриваемого диапазона сосредотачивается на получении минимального коэффициента шума (Кщ) без достаточного учета других характеристик, в первую очередь, частотной избирательности. В этих случаях малошу-мящий приемник при наличии
-
1992
Жирнов, Виктор Владимирович
Одной из основных причин интенсификации исследовательских работ в области синтеза многослойшх апитаксиальных гетероструктур являются перспективы создания ва их основе новых приборов твердотельной электроники с уникальными параметрами: СВЧ-приборов, детекторов ИК-, УФ- и рентгеновского излучения и др
-
1992
Зубков, Виктор Иванович
Как «знамно, ПЗС относится к издоливц функционально! э лак трон и ии, Осногное функциональное свойство ПЗС заключается в способности ¡выполнять пространстзанно-зреиаинов преобразование электрически или оптически вводимых в них сигналог, реализуемое » результата «октролируаиого переноса дискретных зарядовых пакетов. Для формирования, переноса и
-
1992
Никитин, Аркадий Викторович
Сложность СБИС принято характеризовать степенью интеграции. Согласно эмпирическому правилу, известному как закон Мура, до конца 70-х годов уровень интеграции СБИС ежегодно удваивался. За это же время значительно улучшились и другие характеристики изделий микроэлектроники: повысились рабочие частоты, сократилось энергопотребление (в пересчете на
-
1992
Зиннурова, Эльвира Зульфакаровна
Успехи современной технологии гшкроолектренжн приг.еди х возможности перехода к трехмерной интеграции схем. Разра-Зать'ваемье трехмерные интеграяьние схемы ЫС) состоят из нескольких изолированных между собой проводящих слоев, в которых изготавливаются активные приборы. Преимущества таких схем зчевицчы: а) возможность резкого повышения степени
-
1992
Вдовин, Евгений Евгеньевич
Конфетное изготовление микромостиков представляло собой либ точечную сварку, либо экструзию (вдавливание) металла в трещины окисном слое. В обоих случаях повреждения кристаллическс структуры и загрязнение металла примесными атомами могли бы значительным. Следовательно, возникает сомнение в возможное" баллистического пролета электронов через
-
1992
Градинаров, Петко Георгиев
Создана единая теория полупроводниковых приборов с отрицательным активным динамическим сопротивлением при малой и большой амплитуде переменных сигналов, которая охватывает лавиннно-•туннельные пролетные диоды, туннельно-пролетные диоды, инжекцион
-
1992
Фролов, Константин Константинович
Научная новизна настоящей работы состоит в физическом обосновании и разработке физических и технических принципов лазерной сканирующей интроскопии полупроводниковых объектов,а также реализация оригинальных методов исследования и диагностики ряда полупроводниковых структур, а именно
-
1992
Барабаненков, Михаил Юрьевич
Особенностьй метода ионной имплантации является пространственная неоднородность пересыщения кристалла радяяцксиньши дефектами вследствие немонотонного распределения потерь энергия ускоренных ноноа при их торможении о материале кипени. Неоднородность пересыщения дефектами приводит к возникновении локальной разоооЯ неустойчивости вблизи наиболее
-
1992
Ершов, Максим Юрьевич
Повышение быстродействия и степени миниатюризации СВЧ и цифровых интегральных схем <И0) требует в первую очередь разработки новых, а также совершенствования традиционных тшов элементов ИС. В связи с эт!м в последние годы при создании полупроводниковых устройств все более широкое распространение получают новые технологические и физические принципы
-
1991
Сапегин, Геннадий Иванович
Ведь работы - исследование свойств маскирувдих покрытий хромоа а зависимости от методов их получения и режимов подготовки подложки. Выявление новых элективных методов улучшения их качества за счет замены процессов механической и химической доводки поверхности подложек на физико-химические процессы в вакуумной камере при финишной-подготовке в
-
1991
Кочанов, Сергей Константинович
Друга» I,».рьяная проблема. ь зтои области, заключается в обеспечении номохоустойчивости систем синхронизации, применяа-мих в д^модулирующих слонах. Для ао решения, неооходимо найти количвдтыяГнио критерии оценки помехоустойчивости системы син- ' хронизании при различных видах вло^них визд&истьий, при эйдан-ной структуре и параметрах ее
-
1991
Нечипоренко, Александр Петрович
Таким обраэои, задача повыиештя эффективности ИС, прямо завн-;ящая от повышения их степени интеграции и улучшения их электрофизических характеристик, может быть решена в значительной море ia счет разработки новейших технологических методов создания шин, соммутирующих их элемента. Следовательно, разработка процессов тормирования ешкишшх и локальных
-
1991
Зюбин, Владимир Викторович
Ожидалось широкое использование магнитооптических матричных устройств в качестве пространственно-временных модуляторов света (транспарантов) в системах оптической обработки информации (голографические автокорреляторы, параллельные оптические вычислители и т.п.). Однако, несмотря на разработки многочисленных конструкций транспарантов и демонстрацию
-
1991
Коба, Игорь Михайлович
Существующие системы электронной литографии позволяют получать элементы с субмикронными размерами, вплоть до 0,1 мкм. Однако применение этого метода в крупносерийном производстве сдерживается недостаточно высокой производительностью. Необходимым для крупносерийного производства сочетанием высокой производительности и разрешающей способности
-
1991
Щербина, Людмила Викторовна
Большое значение для технических приложений, помимо дальне!1-его развития методов диагностики потенциально-ненадежных прибо-ов и прогнозирования срока службы, имеет также разработка спосо -ов повышения выходных параметров и стабилизации их во времени, ри решении этих задач наряду с технологическими (выбор защитны? атериалов для герметизации СВЧ
