автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование и разработка процессов формирования проводящих пленок из ПГС, включающей галогениды металлов и водород, при пониженном давлении в реакционном объеме

МОСКОВСКИЙ ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ. И РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ ПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК ИЗ ПГС, ВШЯАЩЕЙ ГАЛО-ГЕНВДЫ МЕТАЛЛОВ И ВОДОРОД, ПРИ ПОНИЖЕННОМ ДАВЛЕНИИ В РЕАКЦИОННОМ ОБЪЕМЕ.

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника,

шкро электроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата тезсшгаеских наук.

На правах рукописи

пользования

НЕЧИПОРЕНКО АЛЕКСАНДР ПЕТРОВИЧ УДК 521.382.82

Москва, 199$: г.

# г. -------

/юхэп,. т.£:!: шз

Работа выполнена в Научно-исследовательском институте молекулярной электроники

Научные руководители - доктор технических на

профессор ЧИСТЯКОВ Ю.

- кандидат технических доцент ЩЕРБИНИН A.A.

Официальные оппоненты - член-корреспондент Е ; доктор технических в

профессор ДОСТАНКО А - кандидат технических доцент ГЛАЗОВ В.М.

Ведущая организация - НИИ Супер-ЭВМ НПО СВТ

Защита состоится jpffi" ¿¿У^"$ 1991 г. в \

на заседании специализированного совета Д 053.02,03. щи Московском институте электронной техники ( Москва, 1034 С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

.. & .. ал/г&уЦ 1991 г.

Автореферат разослан

Ученый секретарь специализированного совета A.A.РАС]

ОБЯ^АЯ ХАРАКТЕРИСТИКА ГАГОТН

КТУМШОСТЬ ПРОМЕЩ. Качественный и количественный рост отельной техники, ее элементной базы'; как одной из важной-раслей экономики, определяет в настоящее лреня уровень кя государства В связи с этим перед наше!! стропой остро задача расширить в приборах и средствах автоматизации при-:о миниатюрной элементной базы повышенной надежности и действия, сверхбольших интегральных схем (СБИС). Техноло-ое обеспечение их изготовления является клтевим в решении адачи, цель которой - создание и внедрение в производство пиалыго новой техники и материалов. Решению проблемы разра-новой технологии электронной промышленности полностью со-твует использование в производстве СБИС коммутирующих шин водящих пленок на основе тугоплавких металлов и их силици-сазденных из газовой §азн шга парогазовых смесей (НТО), началу выполнения данной диссертации вопроси исследования ¿./отки процессов создания из газовой с[азы, вхдючавдей гало-тугоплавких металлов и водород, при пониженном давлении их проводящих пленок не были решены полностью ни в СССР, рубежом, а материалы по процессам (Тарирования локальнцх про-х пленок из газовых смесей аналогичного состава не приво-. В опубликованных материалах рассматривались процессы пия проводящих пленок из газовой йазн, содержащей галоге-еталлов и водород при нормальном давлении, или из газовой содержащей металлоорганические соединения, при давлении горе меньших,, чем 101,325 кИа, Указанные методы получения гаков полностью исключают возможность обрцва этих пленок зитом рельефе обрабатываемой стороны полупроводниковой

пластлш, что имеет место при использовании в тех же целях шроко пркмоняеанх в электронной прошилонности методов вакуушого напыления. Однако, отмечалось, что в первоы случае разброс параметров получаешх пленок бил но менее 10*12% по пластине, что при бурном росте сложности ИС, характеризующимися размерами 1,5*2 ш, исключает воспроизводимое их получение, а во втором случае наличие неконтролируемого содержания углерода в проводящих плойках делает иле трудновослровэводпшми от процосса к процессу требуемые схемотехникой номиналы рззисторов, ш приводят к их усложнению за счет введе!шя в газовую дазу реагентов, которые должны связывать углерод. Известно танке, что до настоящего времени в технология формирования систем металлизации ИС использовались коммутирующие шиш па основе алюминия, легированного кремнием. Выпрямляющие н омические контакта таких пленок с нрешшеы, в котором сформированы молкозалеганцие "р-н" переходы элементов микросхем, не могут соответствовать условиям их работы, т.к. малые площади контактов к термообработки, следующие за процессом нанесения этих проводящих пленок, приводят к резкому увеличению их электрического сопротивления или закорачиванию "р-н" переходов. Во избежание этого ври создании первого уровня металлизации ¡1С стали обращаться, к процессам вакуумного напыления тугоплавка металлов и их силицидов, пленки которых обеспечивали устойчивые электрофизические свойства контактов к палии площадям кремния. Однако, такие нашшовшо шенни характеризовались массовтш разрывами на перепадах рельефа рабочей стороны пластины, встречавшимися тем чаще, чем била выше плотность компоновка элементов ИС. При этом использовались дорогостоящие ионалнтниэ прозодшцие материалы особо высокой чистоты, что значительно удорожэдо производимые кякросхекн. ■ •

- з -

Таким обраэои, задача повыиештя эффективности ИС, прямо завн-;ящая от повышения их степени интеграции и улучшения их электрофизических характеристик, может быть решена в значительной море ia счет разработки новейших технологических методов создания шин, соммутирующих их элемента. Следовательно, разработка процессов тормирования ешкишшх и локальных проводящих пленок из газовой ат, включавшей галогешцщ металлов побочшх подгрупп 17 s- 71 •рупп периодической систем» элементов и водород, при понпяонном (авлешш в реакционном объема является актуальной задачей технологии микроэлектроники и имеет важное научно-техническое акачение.

ЦЕЛЬ РАБОТЫ заключается в разработке технологических процессов получения сплошшх з локалышх проводящих пленок, не име-шдах разрывов или разнотолщянности на развитом рельсов обрабатываема сторона полупроводниковой пластины, а также обеспечиванцпх вриостабильные, маловзашодействумще с кремнием контактные истеш.

Для достнпэЕие поставленной цели бия решен ряд задач:

- произвести на основании термодинамического анализа ироцес-ов восстановления гатогенвдов металлов водородом и анализа диА-узионшх процессов в указанной газовой $азе и кремнии выбор но-енклатуры мэталлосодеряащих реагентов и условий разрабатываема роцессов;

- разработать и изготовить шкет лабораторной установки освоения проводящих пленок из газовой фазы при пониженном давлении;

- разработать высокочувствительный метод экспрессного конт-оля качества результатов формирования локалышх доводящих пле-эк и жидкостного й кдазмохимического травления спл'ошнпх проводя-•IX пленок и изготовить налет для проведения такого контроля;

- исследовать условия протекания и разработать технолог ыю процессы:

а) осаздешш сплошных пленок силицида титана из газовой зи, состоящей из тетрахдорида титана, моносилана и е рода при нормальном и пониженном давлении в реакциои

« объеме;

б) ¿ормированш сплошщх пленок силицида титана обработ сплошных слоев полпкристаллического кремния в га'зово йазе состава тетрахлорлд титана - водород; при норма и пониженном давлении в реакционном объеме;

в) формирования локалышх пленок силицида титана обрабо немаскированного диэлектриком кремния в газовой фаза состава твтрахлорад титана - водород при пониженном , лонш! в реакционном объеме;

í) осавдения сплошных пленок ннарнда титана из газовой состоящей из тетрахлорида титана, азота и водорода п нормальном н поникенноы давлении в реакционном объем д) формирования сплошных пленок нитрида титана обрайотк сплошных пленок нитрида кремшя в газовой фазе соста теграхлорпд титана - водород при нормальном и пониже давлении в реакционном объеме; о) формирования локальных пленок нитрида титана обработ; немаскированных окислом крешш участков нитрида Kpei в атмосфера яеграхаорида титана и водорода при поник ном давлении в реакционном объеме; ж) осаздения сплошннх и локальных пленок вольфрама и en лнцидов из газовых смесей гексафгорид вольфрама - во, и гексафторид вольфрама - аргон при нормальном и пош i ном давлении в реакционном объеме;

- г-

- исследовать электрофизические и физико-хжнические свойства »ршрованннх в результате разработ&чшгх процессов сплошных и ло-шьных пленок сшвщида и нитрида титана, вольфрама и его ,силицида;

- разработать конструктивно-технологические возможности ес-. дьзования особенностей процессов Нормирования сплошных и локаль-¡х проводящих пленок за счет восстановления галогенидов металлов и понжганном давления в реакционном объеме.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА. Установлены режимы процессов формирования лошных и локальных пленок силицида а нитрида титана, вольфрама.. его сшшцвда из газовой фазы, включавдей галргенвды указанных таллов и водород, ярд, пониженном давлении в реакционном объеме, ределейо, что имеет место: .

- локальное формирование пленок сшшцвда титана на немаски-ванных .диэлектриком участках кремния при их обработке в атмос-ре татрахлорида титана и водорода (при концентрациях тетрахло-да титана, от 004$. мол,до 015$ мол) в диапазоне температур 1023 К до 1373 К и давлениях не выше 5,07.кПа;

.- локальное формирование пленок нитрида титана на немаскиро-нных пленкой окисла кремния участках нитрида кремния при . их об-Зогке в газовой.{азе состава тетрахлорид титана - водород (при нцентрациях тетрахлорида титана от 004$ мол,до 0,2$ мол).в апазоне температур от 1173 К до 1473 К и давлениях от 5,07 кПа 101,32 кПа; . ^ ^ ' ,

- локальное формирование пленок вольфрама и силицида волыТра-на участках кремния, немаскированных шенкой'диэлектрика, при обработке в атмосфере гексаЛторида вольфрама и водорода {при

концентрациях гекса^торида вольфрама от 002^ мол.до (ХХ'% мол), давлениях ье выше 40,53 кПа к температурных диапазонах от 723 К до 973 К к от 973 К до 1173 К соответственно.

Разработан макзт лабораторной установки осаждения проводящих пленок из газовой фазы при пониженном давлении в реакционном объеме .

Разработано устройство для экспрессного контроля локальности формирования проводящих пленок к результатов операций <|отолигогра-фии л травтеняя сплошных проводящих пленок конденсацией паров вода на откх пленках при изменении теплового сопротивления воздушной прослойки мезду контролируемой пластиной п холодильником.

Предложены конструктивно-технологические варианты формировался систег.." металлизации ИС внутри их активных структур.

ППАКЧСТЕСКАЯ ЖАЧШЭСТЬ РАБОТЫ И РШ1ШШ РЕЗУЛЬТАТОВ РАБОта В ЛРОМЭДШМЮСТЛ. Разработаны технологические процессы формирования оплоашх и локальных плонок силицида и нитрида титана, а такие вольфрама и его силицида за счет восстановления гало-генкдов соответствиях металлов при поникенном давленый в реакционном сбъоыо. Редшш получения зтих клепок заицшценц авторскими свидетельствами.

Предложены варианты реализации конструктивно-технологических возможностей использования локашшх и сплошных проводящих пленок при изготовлении приборных структур микросхем. Структуры ИС и способы их создания защищены азторскиш свидетельствами.

Разработано устройство для экспрессного контроля качества процессов Лорнирования локальных проводящих ¡¡денэк и процессов цютолитограйии и травления сплошных ироводяищх пленок. Конструзздо укаэачного устройства з&пзщена решением на выдачу авторского свидетельства.

Опытно-промшленная проварка пршошшш разработанных процессов формирования сплошных и локалышх пленок силицида а нитрида титана, вольфрама и его сялишда дня получения систем металлизации КС, выпускаемых на предприятии НИ молекулярной электроники с заводом "Микрон", показала, что их использование позволяет снять ограничения по увеличению плотности кошоновкя элементов микросхем, имеющие место в настоящее время вследствие создания коммутирующих шин методами напылвиия проводяндох пленок на основе азкм,:-шя. Напыленные алюминиевые пленки имели обрывы яяя разнотавдц-ность на развитом рельефе обрабатываемой сторонн кремниевой пластины, а такта позволяли обеспечить минимальный "шаг металла" ран-ным 7 мил ("Шагом металла" называют сумму минимальной ииршш коммутирующей итог и минимального расстояния до оэ соседки) прп условии увеличения контактного сопротивления кремний - проводящая пзша по мере уменьшения площади контактных окон в пленке маскирующего диэлектрика. Использование разработанных мэтодсв осаздешя еплои-1шх и локальных пленок на основе тугоплавких металлов полностью исключили возможность обрывов шин, коммутирующих элементы ИС; обеспечили "шаг металла", определяемый методами фотолитографии ( в частности, с применением методов проомйиопной фотолитографии его величина достигала 2,5 мкм), Прп отогл разработанные технологические процессы полностью вписываются е базовые технологические маршруты изготовления микросхем на кремнии. Таким образом, использование указанных процессов формирования сплошшх и локальных проводящих пленок при создании систем металлизации ИС приводит к тому, что системы металлизации микросхем перестаат слрмть ректором лимитирующим рост степени интеграции ПС. Кроне этого, результаты ергдагагаш указанных спетом с широко распространенной спстомол сютихзегдо А Л - 'Г' -\л/ $( / в) яокяэати нал;!-

чио значительных экономических преимуществ разработанных процессов. ' . .

Озшдаешй экономический эффект от использования предложении: технологических цроцессов на предприятии НИИ молекулярной электроники с заводом "Микрон" составил 86,7 тыс.рублей. '

Создан макет лабораторной, установки осаадения проводящих слоев из газовой фазы при пониашном давлении, в реакционном ■ объеме. ,

Создано устройство и разработана методика контроля локальности формирования проводящих пленок и полноты вытравливания немаскированных фоторезистом участков проводящих пленок после.операций йотолитографш.и их травленая. Такие устройства успешно эксплуатируется на производственных участках предприятия КИИ молекулярной ьлектроники с заводом "Микрон".

- результаты впервые разработанных технологических процессм осаадения сплошных пленок силицида титана из газовой фазы, состоящей из тетрахлорида титана, моносилана л водорода при концентра-• ...днях хлорида титана от С,06# шл.до 0,1% мол.и моносилана от 0,04% мод, до 0,2% ыол.в диапазонах'.температур и давлений соответственно от 973. К до 1373 К и "от 5,07 кПа до Т.01,325 кПа; , - - результаты впервые разработанных технологических процессов формирования сплошных пленок силицида титана, полученных обработкой сплошных слоев полукристаллического кремния в атмосфере тетра хлорида титана й водорода (в диапазоне" концентраций тетрахлорида титана от 0,05$"мол. до '0,355.мол) при температурах поверхности' кремниевой • пластины от 1073 К.до 1373. К' и. дававших в реакционном ' объеме от £,07 кПа до .101,32'кИа; .- ',

" й- позульгг-. г,: впэрьио разработокгая hj*« >ес->л соэдшгая ло~ п лы'чк птегюк огогзняда гнтгза на упсттад ¡но'гсга^егсзипого ди-.ллектр.нт крсшхя их обработкой в газовой феоо eowiwi тотрпхло-р:гд - тюдород. np:i концентрациях тетрахторнда елтона or O.P-'íí

O.ïtvi .тол., при тзкнературях от 102? К до Г'¡73 К и дд&аошшх л vW'XaoiuiOM пл::;о 5,07 t'iia;

- рсз/ль'/ати тшоряко рззрзботшстгх пропое» >п

rivíí.'ii: !.ч пленок штрдда fiwona обработка:! ort.;;t^ r.'ír.uov. ;í,;tí :;/.>; е.¡л и газовой ]at;e дхотол^р;: irr: ;'0-ф1хло!:д.>и т:;т -ма a .

!■ ,д,а:ао:оиаХ коддоптровд^ титана от ОДН? НОЛ. до 0, Ts мод, •

pavyp op [173 К до С473 К, дадявняЗ л раокпдоаиод кпкзро от '>,('■''■' ¡día :¡,o [ОС,325 к!!а;

- рззультатн впершз рпэрабогаших процосссз -■ордсровап-гл •nofsimnu пленок ичтрмда титана обработкой полос из ширила ¡срамная, расположенных на окзсле крошил, в газоьоЛ смоса тотрохлорид татапа - водород при кошонтргвдях гэтрахяорида титана от О.С6/5 »от до 0,ir>,í иол» npit температурах от 1123 К до 1373 К а давлениях а '.«рхщоппсм объомо пахе 5,07 кПа;

- результата впершз разработанных процессов ослздания локаль-eux плеиок вольфрама и его сдлгоий на учаоткях. немаскированного ддочоктрвкои кромшя из тазовоа с?азы состала рексгЦторид ваиьфра-иа'и водород ила гоксафторяд вольфрама и илортниЗ пз при когшэпт-рациях гексафгорида воль;)рачэ от 0,02,'» мол, до О.ОГд мол., ври температурок от 723 К до 1173 К и давлениях ь газовой баз о от 5,06

до 40,53 кПа;

- впервые разработанные способы коммутации эдпчеитов MC про-водянаж: шипит, сформированию локально;

- япорвпо разработанные структуры эломенмв ПС, заклвчаздао

в споем объеме Jjsitmchwi систем шгшчшогашя этих ыц:росхом,й cao-

cq6u их изготовления;

- результаты опытно-проштленной проверки разработанных технологических процессов формирования сплошных и локальных проводящих мелок восстановлением галогенадов тугоплавких металлов на серийных микросхемах типа КЛОП.

Дртюбапия пабоуы и публикации. Основное содержание работы отражено в двух опубликованных статьях, тезисах четырех докладов, шести описаниях авторских свидетельств на изобретение.

Основные результаты работы доложеш на следующих научно-технических конференциях и семинарах: 1У Координационное совещание по проблемам "Исследование, разработка и применение интегральных полупроводниковых схем памяти", Москва, 1984г.; Всесоюзная конференция "Состояние и перспективы развития микроэлектроники", Шнек, 1985г.; У Координационное совещание "Исследование и разработка перспективных ИС памяти", Москва, 1986г.

Структура и объем паботц. Диссертация состоит из введения, ' шести глав, заключения, изложенных на 199 страницах машинописного текста, списка литературы из 165 наименований на 17 страницах и трех прилохешй, содержат 15 таблиц, иллюстрируется 92 рисунками на 62 страницах.

СОЭТРММЕ РАБО'Ш. -

В<? введении показана актуальность проделанных исследований, сформулирована цель работы, рассмотрена структура диссертации-, показана ее научная новизна, основные положения, выносимые на эещиту, практическая ценность работы. •

В первой главе диссертации проведен литературный обзор, посвященный анализу технологических процессов получокия проводящих пленок для изготовления систем металлизации ЙС, рассмотрены перспективы развития этих процессов в условиях роста плотности компоновки элементов ПС.

На оснований литературных данных сформулированы задачи, связанные с целью данной работы.

Вторая х'лава содержит обоеновашге выбора оборудования для исследования особенностей процессов сформирования сплошных и локальных пленок силицида и нитрида титана, а такие вольфрама и его силицида восстановлением галогенидов соответствующих металлов при пониженном давлении в реакционном объеме. Рассматриваются также свойства использовавшихся в работе веществ и методы исследования этих процессов и свойств полученных пленок.

К вновь разработанному оборудовании следует отнести созданный в процессе выполнения данной работы макет лабораторной установки осаждения проводящих пленок из газовой фазы при пониженном давлении в реакционном объеме. Газораспределительная система этого макета обеспечивает требуемую технологическим процессом герметичность, ее конструктивные элементы, находящееся под разрешением, выдерживает возникающий во время нанесения пленок перепад давлений. Газораспределительная система позволяет производить раздельно откачку реакционного объема и в актирование газовых магистралей, что исключает попадание нежелательных взществ, например, натекшего в реакционную кшеру в период простоя оборудования воздуха в объемы этой системы. Макет установки цррст в эксплуатации, т.к. з нем использованы блоки и устройства управления, применяемые на промышленных образцах технологического оборудования электронной промышленности.

Токяе к вковъ разработанному оборудоьаш» необходимо о-пгостк устройство к иетодеку отгоратквного контроля вскратия коитактицх. окон к яреадою в шешах диэлектрика, а хсияо одошш наличия остатку; щювоиад'Л ипошш после црсцоесов реактивного иоямяч; травления аюоышгх яросодясйх щенок шш иоякяояая щюводдах участков на дчолехтрпкс в процессе локального $о[шроваикя проводящих пленок, Такого родг. контроль достигался за счет различной способности ъеадез» кочиенсаровоть па сгоой поверхности пар;: »ода. Особсд точность контроля оСссисчппэласг за счет влскно рету.шруэмого кзме-¡•оьля теплового сощишшлоняя прослойки шздуха юзду яаяорвхьт-¡ю.м, содор.'.ял^!;.: адгдохй озот.ь поворхлоотм» кокцадлг.руейсК К]чшт~ еиоЛ клаетшш.

Т/ состав газовы* алгеий црь »сл^чошш мшукагавшх нроаоДя-шх пдсиок в »дал в соответствуя®« ссчоталнях тотрахлорид и:-гаки, гексс^яорад ьельерама, водород, з.зот, аргон.

Морфология Лорштуемих нроводяцлх пленок изучалась с помощью энтичомшх и электронных микроскопов,в тог.: числе к с примененном ош;сапной шло методики, осшганной на отличиях конденсации нарос водя на слоях » цяешеах разных веществ.

Толщина сч'орг.пгрсшапшх нроиодягдях пленок измерялась методами шар-шшца или измерениям на профыогра^о-про^июметре Ы-252.

ЭлектроОЕзичемске свойства полученных проиодтцах паонок исследовались с вошии» четырехзоадового метода измерения удельного поверхностного сопротивления к гонцам: как в ручном, так к в внтоштвекш рюшах контроля.

4лзкко-хншчос1Шо свойства указаны». пленок исследовались методами (ШЕ-спектрометрии и травлением в различных лвдкоотшх травкт&'лях.

Необходимо отметить, что:

1) созданный в процессе выполнения данной работы макет лабораторной установки позволил при исследовании процессов варьировать суммарное давление реагентов в газовой ¡разе при восстановлении

г

гаяогенидов металлов, что не имело места ранее, т.з. было обеспечено расширение технологических возможностей получения проводящих пленок указанный методом;

2) выбор галогенидов металлов - тетрахлоирида титана и гек-сафторида вольфрама, не требующих при нормальных условиях подогрева для образования паров, обеспечил простоту конструкции газораспределительной систему и простоту управления ею;

3) Контроль наличия проводящих участков или загрязнений на диэлектрической пленке, имеющих место после травления немаскированных фоторезистом частей сплошных проводящих пленок или образующихся на диэлектрике' в процессе локатьного формирования проводников, который производится в условиях, позволяющих различить конденсацию паров воды на пленках к слоях различных веществ, значительно расширяет возможности экспрессных исследований результатов любой обработки полупроводниковых пластин.

Третья глава посшгщена анализу условий формирования проводящих пленок осаядением из газовой вазы, включающей галогениды тугоплавких металлов и водород.

Рассмотрен механизм получения таких пленок как при высоких температурах протекания рассматриваешх процессов ("Пар-жидкость-твердая <Таза"), таз! и при низких температурах {"Пар-твердая ¿аза"). Впервые проведен с привлечением ЭВМ БЗС1Л-С расчет термодинамического равновесия системы титан-хлор-водород-кремний при давлениях в газовой йазе равшх к меньших 101,525 кПа.

Аналлз результатов расчета показал, что тетрахлорид титана полностью восстанавливается водородом в температурном диапазоне от 873 К до I473K с образованием металла (пли силицида метачла ты температурах процесса bhes 723 К), хлористого водорода и хлоридов кремния, поэтому, начиная с температури 1173 К,происходит заметное травление кремния. Восстановление водородом маски и? ошюла кремния становится том интенсивное, чем ближе температура проведения процесса к 1423 К. Таким образом, получо1ше •сплошных и локальных проэодяаих пленок по рассматривает.! процессам целесообразно с точки зренля технологического Mapaipyra изготовления JIC проводить ири температурах обрабатываемой пс-вптшюсти кремниевых пяасган ниже 1173 К.

Зависимости равновесных составов газовой казн от теыпорату-ри, изменяющейся от 400 К до 1373 К при изменении остальных параметре в процесса:

- давления от 1,01325 кПа до 10,1325 кПа;

- 7С"Рна/р от О,Л до 7,5,

показывают, что гипотетическое парциальное давление титана тем выше, чем больше параметр процесса ~РС и тем меньше, чем больше давление в реакционно« объеме и температура кремниевой пластаны. Необходимо отметить, что убавсалю гипотетического парциального давления титана с ростом температуры процесса невелико и составляет, например, при <?С- --од и давлении в реакционном объеме 10,1325 кПа изменение от 101,325.10~5кПа до Ш,325.10~СкПа Из тех ко зависимостей монко заключать, что с ростом температуры поверхности пластины и общего .давления а реакторе резко возрастает в газовой базе дня кремьсйсодерна^ьт вэщестз. Следовательно, наиболее технологически выводит'.!;! будут процессы получения сплошных и локалышх проводящие пленок при ношшеншх давлениях в диапазоне температур от С73 К до 1173 К, что позволит кабеяать

зекетного травления кремниевой пластики. Рассмотрение результатов термодинамического анализа убеядает, что локальиоз форг.гаро--вание проводящих дленок выползаю при условии

Р,

Ме равн

/

где др- р1!езадан. ~ рМе равн.,

Р^е равм. - гипотетическое парциальное давление металла в равновесной скот ел-'з/,

^адан ~ ГШ0ТЗИ1"<ЭС!К00 парциальное давление металла введенного в равновоснув систему.

Еел1ПШ1а " » зависит от номенклатура реагентов, вво-

цоинкх в газовую фазу, и условий осаддоняя.

Проведен расчет на ЭВМ ЮСН-5 величин концентрации тетрахлори-ца титана в стационарном диффузиотгом слоо при пониженном давлении з реакционном обьеме и концентраций осаженного титана на поверхности полупроводниковой пластины и в ее объемо. Уравнение диффузет решалось методом хоночшх разностей.

Аналогично репалась задача по определению величин концентра-хаи тбтрахлорида титана, азота и водорода при формировании пленок штряда титана.

Показано, что реализуемые на практике нихние границы температурных диапазонов протекания реакций галогенкдов металлов юзволяют использовать эти реакции при форг.арованкн систем ме-галлизации КС и одновременно обеспечивать сохранность областей в фемнки, легированном на глубину 250*300 ни.

В четвертой главе проведено исследование процессов формиро-¡ания сплошных и локальных проводящих пленок из газовой Сазы ¡а счет восстановления тетрахлорида титана и гексайГорида вольфрама при пониженном давлении з реакционном обхемо.

Исследованы процессы осатдения сплошных пленок силицида титд-;а из гаковой фаза, вкдагаадой тэтрахлоряд гитана, моносилан и

водород в следующем диапазоне параметров:

- давления от 5,07625 кПа до 101,325 кПа;!

- температур от 973 К до 1373 К;

- концентрации тетрахлорида титана от 0,06$ об. до 0,1% об.;

- концентрации коносклана от 0,04? об. до 0,2$ об.

Осаждение этих пленок велось со скоростями от 25 нм/мин. до МОИа/мин. Можно отметить, что при температурах меньших 1273 X на скорость осазденпя пленок силицида титана перенос реагентов к поверхности пластины влияния не оказывает. Было определено также, что поверхностное сопротивление осаздешшх силицидных пленок уменьшалось с ростом температуры, Убывание его величины обменяется тем, что коэффициент диффузии титана в кремний растет с температурой, причем ослабление зависимости удельного поверхностного сопротивления пленок силицида титана при высоких температурах процесса от степени нагрева пластин совпадает с анализом, проведенным в главе 3, показавшим, что рост коэффициента диффузии тем меньше, чем больше температура.

Замечено, что при температурах процесса выше 1273 К на поверхности частично маскированных окислом кремния пластин имеет место травление монокристаллнчеекого кремния, что подтверждает результаты термодинамического анализа таких систем, выполненного в третьей главе.

Необходимо отметить, что величины относительных отклонений толщины пленок, осажденных на периферии пластин кремния диаметром 0,076м, от аналогичных величин, измеренных в центре пластин, убывали с понижением давления п реакционном объеме от 10+12% при 101,325 хсПа до 6*7Йпри 10,1325 кПа. Это монет бкть объяснено умекьаениеы при понп'.енлЕ давления в реакционной камере турбулентности потока газовой смеси, обтекающего пьедестал с. расположенной на нем кремниевой пластиной.

Исследованы процессы формирования сплошных пленок силицида титана обработкой сплошных слоев поликристаллического кремния в газовой фазе, состоящей из тетрахлорида титана и водорода. Эти процессы проводились в .диапазоне температур и давлении аналогичном вышеописияным процессам осаддения силицида титана, концентрация тетрахлорида титана изменялась от 0,0б£ мол.до 0,3^ мол,

а исходные слои лоликристаллического кремния ограничивались тол-

—7 7

щинаш от 1,5-10 'нм до 4-1С им.

В процессе формирования пленок силицида титана на месте сло-. ев поликристаллическсго кремния наблюдалось увеличение толщины получэннсй проводящей пленки по сравнению с исходным слоем от 1,2 до 2,3 раз. Зга толщина линейно зависит от температуры проведения процесса. Разброс па пластине величины поверхностного сопротивления уменьшается с 10+12% при нормальном давлении в реакторе до 6*-7$ при давлении в реакционной камере 1-104Па, что имеет объяснение аналогичное объяснению факта уменьшения разброса толщины формируемой селицидной пленки при понижении давлегаш в газовой смеси.

Исследованы процессы локального формирования пленок силпци-да титана обработкой в газовой о азе, состоящей из тетрахлорида титана и водорода участков кремния, немаскированных диэлектриком для диапазона параметров:

- давления от 5,07625 кПа до 101,325 кПа;

- тешератур от 973 К до 1373 К;

концентрации тетрахлорида титана от 0,04Й мол, до 0,15/» мол. Формирование локальных пленок силицида титана велось: - на пластинах кремния 1СчБ-10(1П), К£Б-1(100) и КЭ^-15(Ю0>, частично маскированных пленками окисла кретшия толщиной 3«10~'и

гр

или нитридом кремния толщиной 1,4-10 и (штрид кремния лежал на окисвой пленка). Степень маскирования составляла 60, 80$ к 90% ст всей площади пластины;

- на кремниевых пластинах полностью покрытых пленками окисла кремния, а степень покрытия этих окиснкх пленок полукристаллическим кремнием толвдшы 1'10~7м составляла 205? и 10Ц от всей площади пластины;

- на зфшниевых пластинах с соединенныш; поликремниевыми

п

дорожками толщиной 1-10 'м.

Вношний вид сформированных в этих процессах проводящах пленок является удовлетворительным, а именно: мор'фолоиш-их поверхности выигрывает в сравнении с аналогичными пленками, полученными методами напыления в вакууме. Появление проводящих пленок на диэлектрике не наблюдалось.

Попытки формировать локально пленки силицида титана на частично маскированном диэлектриком кремнии в условиях технологических процессов, выходящих за пределы вышеуказанных диапазонов его параметров, приводили к нарушениям локальности процесса ели к травлении кремния, или к появлению разрывов в создаваемой пленке.

Зоено отметить, что нитрид кремния сохраняет сбои ыасзшрую-'¡дие диэлектрические свойства в условиях его обработки в атмосфере тетрахлорида титана до температур 1123 К+П53 К.

В результате проведенных исследований получены зависимости скорости 5ор!Л1рова:ззя локалышх пленок силицида титана от концентрата тетрахлорида титана, от температуры проведения процесса и от давления газовой смеси в реакционном обт,еме. Полученные зкспе-рнменталыше денные подтверждают результаты термодинамического анализа системы - С£ — Н - 5>~]

Раосмэтрение кривой зависимости скорости формирования пленок силицида гитана от температуры их получения позволяет сделать заключение, что эта зависимость носит, обратколропорциокаяьный характер, что совпадает о известными научными данными.

Разброс толщьн локальных плёнок силицида титана по пластлно уменьшаемся со снижением давления в реакционном объеме.

Изучены; процессы осаждения сплошных.пленок нитрида титана из газовой смеси, включающей тетрахлорпд титана, водород и азот в процессах с параметрами: давление от 5,07625 кПа до 101,325 кПа;

- температура от 1173 К до 1473 К;

- концентрации то^рахлорада титана от 0,0455 мол,до 0,2% мол.

Осаэдоние пленок нитрида титана на развитый рельеф обрабатываемой поверхности пласткнц, покрытой пленкой окисла толвкной З-Ю^м, с вертикальным перепадом высот, равши 2-Ю~6м, позволяет получать пленки проводника с хорошей морфологией их поверхности без разрывов и одинаковой толщины как на вертикальных, так и на го-ризонтачыых участках пластины.

При попинешш температуры ниже 1173 К указанные процессы формирования пленок нитрида титана перестает иметь место.

При температурах выше 1473 К происходит интенсивное восстановление окисла кремния водородом, из-за чего заметно уменьшается толщина маскирующего диэлектрика.

При концентрациях тетрахлорида титана низко 0,04$ мол,осаждение пленок нитрида титана идет медленно, вследствие чего приборы) сОГормнровашше в ионокристаялическом кремнии подвергаются не-келатзльпому длительному внеокотеыпературному воздействию.

При концентрациях тетрахлорида титана вше 0,2% мол, имеют место, во-первых, нарушение адгезии пленки нитрида титана к подложке; Ео-вторнх, травление немаскированного диэлектриком кремния.

Исследованы процессы формирования сплоиных и локальных пленок нитрида титана обработкой соответственно сплошных пленок нитрида кремния или участков этих пленок в газовой ¡Тазе, состоящей кз тетрахлорида титана и водорода. В этом случае процессы имели следующие параметры:

- давление от 5,0612 кЛа до 101,325 кПа в случае формирования сплошных проводящих пленок, и до 40,53 кПа в случае создания локальных пленок нитрида титана; ./

- температура от 1173 К до 1373 К;

- концентрация тетрахлорида титана от 0,06$ мол,до 0,15$ мол.

Зоршрование сплошных проводящих пленок проводилось на пластинах кремния полностью покрытых пленкой нитрида кремния толщиной 1,4.1077-!- 2.10-~2, лежащей на окисле кремния толщиной от 3.10 м до 2-10 'ы. Локальное формирование пленок китрида титана проводилось на пластинах кремния, которые были:

а) частично маскированы пленкой окисла кремния, причем контактные окна к кремнию были соединены друг с другом полосками пленки нитрида кремния толщиной 0,Г4.10~^м;

б) полностью были маскированы пленкой окисла кремшя, на котором размещались полоски нитрида кремния вышеуказанной толщины, имевшие ширину 2,5-10~7м и более, причем степень маскирования отсных нленок нитридом кремнкя составляла 10$, 20$ и 40$ от всей нлодади пластины.

Рассматриваемы!: процесс дк^хузни атомов титана, восстановленного из его тетрахлорида водородом, в пленку нитрида кремния с образование;.! проводящего материала.

Нообходаго указать на то, что:

1) пленки шмгряда wmara образуют xcpocisK сглгг-.-"",::- -iaw в коиокрястапга^с екому крокнио;

2) указанные проподдае шсюм по смет раткгой..х!чг.-у.,-или разрцвов па развитом рельО']« обрабатпвпсгл»?

и тон числе в на вертикальных уступах рельефа. lueaïoîi 1 ••.

Нроводскио родовдрйвгчгя» техислоютосхсях npcir.-i-co « к-.-' ' квтраш вне указанных интервалов приводят к рак:;:.! / ..

явлениям как отслоившие fnopi/jiт^уo:.îoii npoi«wi»;sK г.\сьл: ,ич ov-сутстоло t'j.af.ra ее образования, травление жс:<яр;>~ пил;.-.: или кремния.

Необходимо отмотать, что объем с<(орм;',рог.анп::х ил око,- г..-; тлтаыа больше обмма исходных плено;: тгрику кромппя за.

Разброс по пластине параметров зтпх иловсх нгт;-.;: -.w, в условиях проводогстя процессов при давшшк ряв;кх« .acruiui части а'кюс&сркого составлял 6*7$.

Исследованы процессы формирования локслымх л с:.во пленок вольфрама и его мшщ::дов.

Локальные плопка вольерама и ого силицидов ^/.v-'Hîkv.iîi» из газовой фазы состава гвксафторид вольфрама - водород а цессах с параметрами :

- давлеже в реакционном объеме от 5.06G2 кНа /о ■30,53 ¡-''ч;!

- температура сч' 723 К до 1173 К;

- концентрация гокслоторида вольфрама от 0,02шя,до С, и ..сл.

Получение локальных пленок поль'Траш. ого селгодш. водилось на пластинах крогапгя:

- частично маскированных пленками окисла кроивця mwinoii 3.10"7с ИЛИ 2Л(ГСм;

- полностью покрытых пленками окисла кремния, на котором располагались полосы нелегированяого цоликристаллического кремния тол-

7 7

щиной от 1,4Л0~'м до 4.10~'м.

Установлено, что скорость локального осаждения вольфрама для указанных выше параметров процесса растет с увеличением температуры процесса, а толщина этих пленок линейно зависит от длительности обработки пластин.

В случае проведения процессов осаждения вольфрама при температурах обрабатываемой поверхности пластины выше'923 К локальность формирования проводящих пленок продолжает иметь место. Однако в результате взаимодействия с кремнием образуется его силицид, о чем свидетельствует как внешний вид подученного провод/ О ч

нкка ( полученный силицид имеет зернистую структуру ), так и соответствующие физико-химические измерения и исследования.

Следует отметить, что получение локальных проводящих пленок вольфрама и силицида вольфрама в условиях:

- когда температура поверхности подложки и концентрации гексафтсрнда вольфрама вьше соогьетствэнно 1173 К и 0,08 % ыол. имеет ибото:

а) нарушение адгезии проводящих пленок к обрабатываемой поверхности пластины;

б) травление маски из окпсла кремния;

- когда температура процесса и концентрация гексафторада вольфрама меньше 723 К и 0,02 % мол. имеют место малые скорости формирования проводников.

Необходимо указать, что от локального формирования пленок вольфрама или его силицидов легко перейти к процессу осадцения. сплошных пленок вольфрама, что будет иметь место при условиях:

- давление от 40,53 кПа до 101,325 кПа;

- -го

- кощентрация гексаЗтгорвда вольфрама от 0,05$ мол. до С,2,о,мол.;

- температура от 1123 К до 1173 К.

При проведении процессов осадцекия таких пленок при температурах больших 923 К на кремниевую пластину, частично маскированную окисью кремиш, имеет место дшйузия силицида вольфрама под диэлектрическую маску, как это показано на рисунке I.

1_|(мк н)

р=Ю,№5кПа

,18'/, мол ¡г -6 Умии + = ю ими

г в 6

тк

--М №

Рис.1. Зависимость вашчшш проникновения Ь силицида вольфрама под маску окисла згремния в монокристатли-ческий кремний от температуры процесса Т.

Попытки осаддения сплошных вольфрамовых пленок при температурах и концентрациях гекса^торида вольфрама соответственно менее 873 Н и 0,08% мол.не обеспечивают:

а) требуемой скорости осаядеюш проводшцих пленок;

б) гарантировэ.нтй сплошности покрытия поверхности пластины проводником.

'■з^лодокая! ирсдасси локального формирования кленск вольцо;;-г» сляшддов кз газовой пазы, оод&ряаш.ой п гргон, при до-

¡.Агмтоя дшлота: а роаэдкошою объеме. Эти процосси ироводи-.■'•;сь », диапазонах параметров:

- ,чагт..,-.й .»-г 2,СС02 кН'а до 40,53 й!а;

- 773 П до 1173 К;

- ¡.¡1 -города вольч-отгло от мол,до иол. £ "л; ,/;\аг". я. ¡¡и пленой ¡.■•озодилос' кчощ'лк:¡^к-г.п:;)!,

|;н. •• !.>:.:}• пидрогаьйу, а/лалогичнуу шшосииашшш для лродсисоз ¡го .срм-.1}юьлн'.:я проводника. ¡.'^•¡¿'Нйогяя ьшжолвооть изк&авдиж тоирши уюршрушой в /слэшах проводалаа тонок ог в^кош процесса представлена '..пеун ко Й.

. пУщ.-О кПО

• " ' г^РЗК

'п. »

О'.

/

О«1 /

7

/ ___._ 5 -Нсгк)

300 аОО «00

Рис. 2. оазнсипость тоедиш К проводящей плойки вольфра-г.а, яатучавяой мз гааоьой йази гексо>торид волыТра-;.:а-аргол, от длительности "Г процесса, при его параметрах: даелото в реакционном объомо Р =10,1325 кПо, температура обрабатываемой поверхности шгасти-пи Т - (.73 К, концентрация гекса&торида ьольл'.реыа 0,06* мол,, ноток газовой спсси С л/мин.

-.25--

Из приведенной на рис.2 графической зависимости следует, что после расходования приповерхностного кремния на восстановление вольфрама из его фторидов поступление кремния на поверхность, где происходят восстановительные реакции, не имеет места. Это • подтверждает известные свойства вольфрама как маски кремния.

" Повышение температуры процесса более 973 К ведет к получении по обсуждаемому методу локальных пленок силицида вольфрама как на монокристаллическом, так и на поликристаллическом кремнии.

Пятая глава посвящены исследованию свойств проводящих пленок, формируемых из газовой фазы восстановлением галогенидов металлов водородом.

Результаты электрофизических измерений сформированных обработкой, поверхности кремниевых пластин в газовой фазе вышеуказанных составов позволяет заключить, что номиналы удельных сопротивлений проводящих пленок из одноименного материала от способа получения не зависят и соответственно равны:

ту Г1

силицид титана . - 1,3-ИГ' + 1,5-10"' Ом-м

нитрид титана - 2,2-Ю-7 См-м

вольфрам - 6.1СГ6 ОМ'М

силицид вольфрама - 7-10"^ Ом-и '

Отмеченное обстоятельство говорит о преимуществах создания межсоединений элементов интегральных схем в водородной атмосфере ири рабочих давлениях меньше атмосферного.

При выполнении диссертационной работн, наш проводился тестовый автоматический контроль первых уровней металлизации интегральных схем, созданных вышеперечисленными методами. Результаты такого контроля показали:

I) отсутствие утечек между располояенными рядом токопроводициш

шинами; что подтверждает: а) высокую селективность формировали* - локальных пленок силицида н

- ¿ь -

нигросилпцвда титана,, а также локальных планок вольфрама его силицида; 0) наличка отработанных в производстве процессов плазмо-химечсского травления, в которых можно удалить немаскированные- фоторезистом участки сплошных гшвнок силицида и нитрида титана, пленок вольфрама и его силицидов; ¿) отсутствие пробоя маскирующего диэлектрика во всех исследуемых наик лредэссах осааденгя проводящего катеркала;

3) соласе отсутствкс разрывов токовадуиих шин на вертикальных <:орн:едах рельефа ( высотой до 2.10 м. ) обрабатываемой поверх-коз?;: пластик;

4) разброс номиналов резиоторов по всей пластине;

5) ?^рсгс20нкэ контакта Шотткк между силицидом титана а монокрис-т&отдчззкиа квжшюк тпа ВДБ-Ю и КЭФ-4,5.

Исследования физико-хнмичеоких свойств проводяцих плонок, сортированных из газовой фазы восстановлением галогвнвдов метал-лез показали:

I) отоутстзае каких-либо неравномернозтей на поверхности таких пленок;

;;) анализ состава проводядих ¡иенск проведенный методами ОЖЙ-сноктроиетрик, дал следупцкэ результаты:

- пленга сияицида титана преимущественно состоят из дисилицвда титана;

- плакк::, ооаядазмыэ из газовой фазы гакоафторид вольфрама-водород до температуры процесса Э23 К состоят из вольфрама;

3) оценка адгезия сплошной планки алжинил к полученным з работе пленкам силицида к китросилицвда титана и вольфрама и силицида вольфрама дзет оледунгле усилия при отраве приваренной золотой проголоки дкаяотр'и» 3,Ю"°И:

-27- б-б-Ю'^ (!1) I- 6'Ю "(II) е случав термокомпросснонного

присоединения проволоки; - 0,11 (Н) в случае ультразвукового присоединения; 4) сплошные плошш силицида титана а вольфрама и его силицида легко поддаются операциям травления:

а) жидкостное химическое травление происходит при компатпсл температуре в растворах соответственно д/ Н4Г : Н/ИОз : Р?а> : И?0 = 3 : 10 : 5 : 30

и

К&СЛ£ : /(/Н40Н : К20 = 3,5 : 3 : 7,5 0) реактивное ионно-плазменноо травление происходит во ото-ристоуглеродной плазме.

Пестая глада содержит рассмотрение конструктивных п технологических особенностей создания систем металлизации и структур элементов интегральных схем с применением вышеописанных технологических процессов, которые позволяют иметь слодушие преимущества:

1. Нормировать интеграшше схомч высокой плотности компоновка элементов, которая будет определяться исключительно вомло.м-лостятти йотол^тограоии по полученным сплошным проводящим пленкам или по пленкам нитриде кремния ми слоям поликрисгаллического кремшш в случае создания локальных пленок нитросилиццда титана или силицидкнх гионок металлов или осявденил вольфрама.

2. Повысить плотность компоновки элементов интегральных схем размещештем прагментов их системы металлизации внутри активных структур микросхем.

3. Расыирить технологические возможности изготовления интегральных схем, используя:

л) обработку пластин в водороде при выходе па температурный рогам вышеуказанных процессов, что приводят к удаление

пленки "комнатного окисла" о поверхности немаскированного диглектриком окисла кремния;

б) термическую стойкость шенок силицида и нитрида титана или вольфрама и его силицида, а также устойчивости пленок нитрида титана к лидкосткым химическим травителям для использования названных проводящих пленок в качестве масок при формировании активных элементов ИС;

в) возможность располагать термостойкие проводящие пленки

в глубине приборных структур ИС, что позволяет уменьшить занимаемую ими площадь. ■ .

/•

• /

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Установлены границы областей параметров протекания процессов формирования сплошных и локальных пленок силицида и нитрида титана, вольфрама и его силицида из газовой фазы, включающей галогешды этих тугоплавких металлов и водород, при пониженном давлении в реакционном объеме.

2. Исследованы и разработаны гехнологачесгае процессы формирования сплошных и локальных пленок силицида и нитрида,титана , а такке вольфрама и его силицида со скоростью от 1,7-10~10ы/с

до 5-1С-3).!/с, разброс параметров которых по пластине не превышает 6*С/!, а температурные диапазоны и длительность этих процессов не вызывают деградации мелких (глубиной 2-10""^+ 3- М-7м) "р-п"-переходов. :

3. Изготовлен макет лабораторной установки осадцотш проводящих пленок из газовой фазы при погашенном давлении в реакцион-

о

ном объеме.

4. Разработано устройство для экспреоспого визуального контроля локальности формирования проводовдих пленок н псиш'отн вскрытия контактных окон к кремнию в пленках диэлектрика.

5. Исследовали электрофизические характеристики и физико-химические свойства сплошных и локальных проводящих пленок, отмечено, что:

- их электрическое сопротивление близко к аналогичному парамитру соответствуюсщх монолитных материалов;

- наиболее стабилышм для силицидов титана и вольфрама является состав с соотношением металл:кремний = 1:2;

- ош! не имеют разрывов или разнотолщиннооти на развитом рельеОо обрабатываемой поверхности пластин, имевшем углубления с вертикальными стенками до 2хЮ~6м;

- их адгезия к алюминию,■ кремнию и его огаслу или нитриду im хуке адгезии алюминия к аналогичным материалам;

- подбор составов кидкостных химических травитолей и роулпов реактивного ионного плазмохпшческого травления, используемых в производстве микросхем, обеспечивает возможность использования в электронной промышленности проводящих пленок, получаешх в разработанных процессах;

- пасснвацая коммутирующих шин из'силицидов тугоплавких металась может бить достигнута термическим окислением их поверхности.-

G. 13а основании исследованных и разработашшх щюцессов формирования сплошных и проводяиргх пленок предложены следуюцпо технологические и конструктивные решения:

- для обеспечения требуемой производством современных ИС плотности компоновки пх элементов и высокого качества контактов полупро-

водниковых областей с системами металлизации таких микросхем создавать эти системы с использованием процессов получения локальных пленок силицида и нитрида титана, г.к. в этих случаях ширина токоведущих шин и расстояние между ними определяется в этом случае только возможностями фотолитографии по слоям поликристаллического кремния пли пленкам нитрида кремния соответственно;

- термическая стойкость проводящих пленок, получаемых в разработанных нами процессах, а такяе высокая стойкость пленок нитрида титана к большинству известных жидкостных химических травителей позволяет использовать указанные пленки в качестве масок при зозданик структур активных элементов ИС;

- размещение термостойких проводящих плапок в Глубже приборных структур ¡1С позволяет повысить плотность компоновки элементов ИС.

7. Результаты диссертационной работы использованы при разработке ряда интегральных схем в ПШ молекулярной электроники и на заводе "Микрон" с ожидаемым экономическим эффектом 86,7 тыс. руб., внедрены с подтвержденным экономическим эффектом в работах, проводимых на у><азаншх предприятиях.

Основные результаты, полученные в диссертации, изложзны в следующих работах:

I. Кечипоренко Л.П., Подольский В.А.., Чистяков Ю.Д., кербишш Л.А. "4ор.,мроЕание р-п пореходов элементов интегральных схем газофазным осаждением кремния в неизотерыическом режиме". Сборшнс "Гезиси догаадов 1У Координационного совещания "Исследование, разработка и применение интегральных полупроЕодшпювнх схем памяти", ',!., .'¿131, 19!.4г., стр.45-46.

-Ol-

2. Нечипоренко А.П., Щербинин A.A., Чистяков Ю.Д. "Получение сплошных кленок молибдена, ванадия и силицида титана из газовой фазы, содержащей хлорида металлов и водород" В книге сборник научных трудов "Материалы электронной техники", М., ЩЭТ, I9fMr., стр.32-34.

3. А.с.1082258 СССР "Структура кремниевых интегральных схем с комбинированной изоляцией элементов л способ ее изготовления" Чистяков Ю.Д., Щербинин A.A., Алферов А.П., Гущин О.П., Шелепин H.A., Подольский В.А., Нечилоренко А.П., 1984г.

4. A.C.I075G68 СССР. "Способ формирования слоев диэлектриков на вертикальных поверхностях полупроводниковых меза-структур" Щербинин A.A., Чистяков Ю.Д., Подольский Б.А., Ш&яегаш H.A., Мирошников B.C., Нечипоренко А.II., 1984г.

5. A.C.I0G3052 СССР. "Структура интегральных схем и способ ее изготовления" Щербинин A.A., Чистяков Ю.Д., Алферов А .II., Волк Ч.Н., Нечипоренко>А.В., 1964г.

6. Нечипоренко А.П:, Щербинин A.A., Чистяков О.Д. "Локальное (}орг.ыроваш1е пленок силицида титана из газовой сазы при пониженном давлении в реакционном объеме". Сборник тезисы докладов Всесоюзной научно-технической конференции "Состояние и развитие млкроэлектронной техники", Линек, 19с5г., стр.215.

7. Л.С.1К9201. Подольский В.А., Алферов A.II., Вэчшюренко А.П., Щербинин A.A., Кокин D.H., Круглов P.3I. "Способ олрэделегош полноты вскрытия отверстий в маскирующих елдях.", 13С5г., стр.

f.. A.c. ß 1200772. Нечипоренко A.II., Алферов А.Н., Порбишш A.A. "Способ изготовлешш металлизации Ж", I9t.Gr. стр.

9. Нечипоренко А.Е., Цербшшн A.A., БоробьеЕ A.B. "Создание систем металлизации БИС на основе локального иоршфования на частично маскироЕйлном даалеир:«;ом кремнии силицидов титана из га-

;>.o].o;i сазп". Сборник тезисов докладов У Координационного совещания "¡¡геледоваше и разработка перспективных ИС памяти", 1.1., I.EI3T, ВГог.,стр.04. '

10. Нсшлоренко A.U., Воробьев A.B. "Локальное сформирование пленок нитрида тктана обработкой полосок нитрида кремния в газовой (jiuio [''i L CI^-iH^J при пониженном давлении в реакционном объеме" Сборник тезисов У Координационного совещшыя "Исследование к разработка перспективных ИС памяти", И., 19Г6г., стр.93.

11. A.c.lii I20V663. Нечшоренко А.II., 'Чистяков Ю.Д., Щербинин A.A. "Способ изготовления межсоединений элементов ПС", IS87r.