автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Моделирование структурнозависимых технологических процессов формирования и характеристик поликремниевого МДП-транзистора

РОССИЙСКАЯ -АКАДШМ ШК .

дазико-ташолошчкский шсмгл ,<

На правах рукописи

ЗйШУРОВА ЭЛЬВИРА ЗУЛЬФАКАРОЕЙ.

. УДК 621.382.323.001

МОДЕЯИРСВАШЕ СТРУКТУРШЗАБИСИМБК ШИОЛОПЯЕСИОС ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ И ХАРАКТЕРИСТИК ШШСРЕ>5ВСЕЗОГО ВДД-ТРАНЕИСТОРА

, Спвдаатьиооть 05.27.01 - Твердотельная электроника,

микроэлектроника

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 1392

Райота выполнена в Московском институте электронной техники

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук

Реввлева М.А.-

■Официальные оппоненты: доктор физико-математических ваук

Гергель В.А.

кандидат технических наук Зуйов А.В.

Ведущая организация: Научно-исследовательский институт

Молекулярной электроники

Защита состоится " 6 » ШСКлЯ 1992 г. в часов

на заседании Специализированного Совета Д 003.74.01 в институте океанологии РАН по адресу: 117218 г.Москва, ул.Красикова, 23.

С диссертацией можно Физико-технологического

Автореферат разослан

ознакомиться в библиотеке института РАН

"•^3" Сцсреси^ 1992 г.

Учений секретарь Спещализмроьанного Совета кандидат физико-математических наук

Лг^^соб АГАФОНОВ А.И.

Успехи современной технологии гшкроолектренжн приг.еди х возможности перехода к трехмерной интеграции схем. Разра-Зать'ваемье трехмерные интеграяьние схемы ЫС) состоят из нескольких изолированных между собой проводящих слоев, в которых изготавливаются активные приборы. Преимущества таких схем зчевицчы: а) возможность резкого повышения степени интеграции за счет многослойности; б) полная диэлектрическая изоляция приборов, размеренных в разных проводящих слоях; в) раньше-где суммарной длины межсоединении благодаря вертжчльям контактам через изолирующие слои; г) увеличение радиационной стойкости из-за возросшего количества изолирувдих слоев.

Опним из способов (¡ормировения таких схем является создание ЗДЦ-транзисторов с пол&кристаялячеекой пленке крегчния. Этот способ оказывается технологичным и дешевым. Однако наличие границ зерен в лоликремниевой пленке, грубая шероховатая поверхность с разумной ориентацией кристалтитов, ограниченность объема плешей - все это глияет на протекание технологических и электрофизических процессов, так что физические модели, разработанные для соответствующих процессов в монокристаллическом кремнии, ухе не годятся.

Использование таких транзисторов в составе трехмерных ИС требует проведения сравнительного анализа протекания процессов изготовления и функционирования МДП-транзисторов, размещенных как в мояокриеталличеоком, так и в полшсрисгал-лическом кремнии, вкизлеше дяя последнего критических операций, зависящих от свойств пленки, и создание моделей, опи-_ сшзаюшх его технологические и электрофизические параметры.

Цель рабог'ц: моделирование технологических и электрофизических процессов изготовления а функционирования поликремниевого ЩД-транзистора, зависящих от свойств поликрем-наевой 'пленки.

Поставленная цаяь вызвала необходимость реиеяяя следующих задач:

I) построение физической модели роста окисла на поликристаллических пленках кремния;

2) моделирование ди'Ц-узкл примеси б лоликремниевшс пленках;

3) разработка модели проводимости ь хсанале поликремниевого ЫДЛ-транзистора;

4) исследование и моделирование влияния подложки на характеристики тонко пленочного поликремниевого ВДИ-транзи-. стора

Научная новизна диссертационной работы заключается в слецу.мам:

- разработана модель окисления аолккре;лнкя, основанная на представлении о г лаянии шероховатости его поверхности на скорость окисления и опесыбь:ш;&я с помощью теории •¡рактаяов вез характерный особенности окисления поликрем-¡пшвых пленок;

- исследовано влияние границ зерен на процесс диЭДузли прш.всп в поликристаадлдешых пленках. Показано, что ускоренная ди^узия примеси по границам зерен приводит к существенному подлегироваяиэ областей вблизи границ зерен. Из сравнения теоретических расчетов и экспериментальных данных определено значение коэгМяциватоь диффузии по границам зерен гля бора и .¡ocjopa;

- построена модель проводимости яолякремния, основанная на представлении о случайном характера распределения краев запрещенной зоны иоликристаллического полупроводника. Получены аналитические выражения для концентрации носителей заряда в зависимости от параметра флуктуации краев запрещенной зокц;

- построена модадь проводимости в канале поликрешие-во/о ВДЦ-транзистора, с поыогоью которой описана модуляция нодвгсхностя носителей в канале напряжением на затвора транзистора;

- рассмотрено влияние подложки на вольт-амперные характеристики тонкоплешчного поликре:лниевого ЩЗД-транзистора.

Достоверность полученных результатов подтверждается хороши согласием с экспериментальными далшмл, совпадением в продельных случаях с иодеяяли, ошскЕввдяая соответствующие процессы в монокриеталлическом кремнии и отсутствием

противоречий с другим;: моделями, разработсшш.ет тля подикрем-НИ8ЕЫХ КрайОрОЕ.

Практическое значение. Результаты теоретических исследований бо всех '¡ассштриваешх задачах доведет до уроьня вычислительных прикладных программ iura прости аналитических выражений, которые могут быть использованы специалистам:! в САПР ИС. Часть результатов работ внедрена в ШЛ Точной Технология, о чем гаеется соответствующая акт.

Научные положения, выносимые на защиту:

- Фрактальная ко цель окисления поликрноталлических иле-' яок кремния.

- Аналитические выражения для провоцшоста ъ поликрем-нш в зависимости от параметра флуктуации краев запрещенной зоны.

- Аналитические выражения для ьолът-ашернкх характеристик поликршнпевого ВД1-траяэистора с учетом модуляции напряжением на затворе яодаилности носителей и влияния подложки.

* Основные результаты-исследований, изложен-

ных в диссертация, опубликованы в одной статье и двух тезисах докладов.

Диссертационная работа была апробипована на: I) 1У всесоюзном семинаре "Границы раздела в материалах электронной техники", Черноголовка, 1989 г; 2) 71 Республиканской научно-технической конференции "Физические проблещи ЫДП-иктегра-льной электроника", Севастополь, 1990 г; 3) У Совещании "1.1а-томагячесжоэ моделирование приборов микроэлектроники", Горно-алтайок, 1989 г; 4) УН Международной конференции по микроэлектроника "ilXCRQELC.CTRONlCS "SO", Шнек, Г990 г; 5) Научном семинаре Физико-технологического института, Москва, 1991 г.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырехглав, заключения н-списка цитируемой литературы. Материал диссертации изложен на 162 страницах, включая 36 рисунков, одну таблицу и библиографию на I4C наиманошчий.

- 6 -

Основное сопеца-аиге £асю£Н

Во введении обоснована актуальность проведенной работы показана научная новизна и практическая значимость получении: результатов. Сформулированы цель работы и защищаемые положения.

Б первой главе, носдаэй обзорный характер, проанализированы чостоккства и недостатки трехыерных ИС, различные под ходи к создании трехмерных ИС. Отмечено, что наиболее технологична аз Ш1Х является создание вДО-транзисторсв на основе поликристаллических плзиок кремния. Высокие пороговые напряжения и токи утечки препятствовали широкому применении таких МВД-транзисторов в составе СБИС, работающих в диапазоне напряжений до 5 В. Однако, использование тонного иоцзатвордаго диэлектрика, тонкого моя иолякремник совместно с пассивацие ловушечких состояний в р-канальных приборах, работающие б ре киме обеднения, позволяет сортировать поликрешиевни ЬЦЩ-транзистор с низким пороговым напряжением, высоким током сто ка, кизкиы током утечки и с хорошей воспроизводимостью параметров. Такие транзисторы оказываются пригодными для использования в схемах, пдя которых основным требованием является плотность упаковки и высокая радиационная стойкость. В схемах статической памяти, например, они применяются в качестве нагрузочного р-канального элемента в КЭДДЦ-структуре с объем-нш п-канальнда прибором.

При анализе технологического маршрута формирования тре мерных ЛС с полокремниевима ЫДЦ-транзисторачи выделаны осно ные операции, оказывающиеся наиболее чувствительными к структуре поликремниааой пленки - это выращивание подзатворного окисла на иоликр^ынкевой пленке и легирование исток-стоковю областей.

Вторая глава посвящена росту окисла на поликристаллических пленках кремния. Как доказывав1.; экспериментальные результаты, па начальном этапе этого процесса скорость роста

мела существенно выше на поликристалдических планках крем-шя по сравнению с ионокристаллнчоским крешшем ориентации сак (ICO), так и (III). Область аномального роста простирайся до 50-70 на, т.е. соответствует гслвдяе поцзатворного щэлектргаса.

Автором такое поведение кинетики окисления объясняется :клъноЙ шероховатостью поверхности поликремния, вызванное зернистостью его структура и кеоцяородяостяли, возникшими в провеса осаждения пленки. Такая поверхность имеет дополнительна "места" для окисления и большую элективную площадь по гразненизо о гладкой. Это должно повышать скорость химической зэакаии на поверхности ноликремния.

Наличие значительной шероховатости придает поверхности юликремния фрактальный характер, т.е. она списывается дроб-зой размерностью. Нами обнаружено, что яри окислении такой ио-зерхяостя поток, соответствующий химической реакции на границе оксид/долит.ремкий, нелинейно зависит от концентраций оклеил: ал я на этой границе C¿ :

F,=Kscf2 (I)

где d - эффективная дробная размерность фрактала, описывающего шероховатую поверхность; - кокетачта химической реакции.

Это выражение сводится к обычной линовкой зависимости для гладкой поверхности, идя которой d = 2.

Поток ' , в соответствии с традиционной схемой модели Дила и Гроува, равен диффузиоиному потоку окислителя в окисле, а тонка потоку, соответствующему массопереяосу окислителя в газовой фазе. Пренебрегая стадией абсорбции, не оказывающей лимитирующего воздействия, подучим следующее нелинейное уравнение для концентрации окислителя С¿ на границе фаз:

в)

где С*- равновесная объемная концентрация окислителя; Х0-толшина окисла; Ъох - коэффициент ди.[фуяии окислителя через окисел.

Чтобн рассчитать скорость роста окисла, ну.-яно приравнять поток Fs потоку формирования окисла

¿12

KsCt = <j*a (з)

где Kj, - число молекул окислителя, входящих в единичный объем огшсяого слоя.

Спстека уравнений (2)-(3) не решается в явном виде. Нами получено аналитическое решение ее, выраженное в параметрическом виде через р« CL/C* . Однако, как следует из экспериментов, поверхность шликрешия с ростом окисла сглаживается. Ддя учета этого факта в диссертация использовано эмпирическое выражение для разь-.ерности поверхности, уменьшающейся с ростом окисла и ассимптотически стремящейся к 2:

где 80 - неопределенность толщины окисла (высота шероховатости). Начальная размерность поверхности равна 2 +

л с/ .

Реиение системы уравнений (2)-(3) с учетом уменьшающаяся размерности (4) проведено на IBM PC/AT методом Эйлера-Ко-ши. Расчет гроизьедея для температур в диапазоне 740°С-1200°< Лая совпадения теоретических расчетов со взятыми из литературных источников экспериментальными данными принято, что начальная размерность поверхности 2.1, высота шероховатости 5 ны. Расчет демонстрирует ускорение роста окисла на шероховатых поверхностях, объясняет появление этапа умеренного роста и показывает высокую точность совпадения с экспериментом

Модель йыла использована к для описания роста окисла н; легированных пленках кремния. Легирующая примесь разрыхляет объем полупроводника, образуется большое количество вакансий что увеличивает элективное количество "мест" для окисления. Поверхность такого рыхлого полупроводника также может бить 0) сана с помощью представления о фракталах. Увеличение концентрации легируздеД примеси приводит к росту параметра, характеризующего нерегулярность поверхности - фрактальной размерности. Таким образом, удается описать оккслешю нелегироганннх : легированию ноликремниевкх пленок в рамках единой модели.

Предлагаемый нами Фрактальный подход к описанию легиро

зшшосо поликремния может быть использован и для легированно-"о :ло некристаллического кремния.

В третьей главе рассмотрен процесс да|фузии в пленке юлккристаллическогс кремния. Наличие грашщ зерен, в подложно воликромшевого ЫДП-транзястора влияет на свойства ксток-зтоковцх областей: I) при цийузнонноы отжиге длина канела по-икрекнкевсго ГЛДИ-транзистора сокращается значительно сильнее ю сравнении с транзистором, изготовленном в моцокристалличе-2ком кремнии*, 2) уменьшается доля активной примеси из-за сегрегации на границах зерен, что характерно гугя таких np;u.;ece£i, как (Tiocitop и мышьяк.

Для расчета этих эЭДектов модель Гилмера и Фаррела, описывающая да{фузим примеси по границам эерея, была обобщена на-«I на случал произвольного вица начальных и граничных условии. (Гожзеренная граница рассматривав!ся в гвде'тонкой плоскопар&ч-иельной полосы шириной В со своим коэффициентом ци.Ъ£узии отличащимся на несколько пороков от коэффициента диЭДузии примеси по зерну (Ъ£ . При этом решается двумерное уравнение дифрузии для концентрации гримесл в зерне Се .

Влияние границы зерна по традиционной схеме рассматривается с помощью сложного вида граничного условия на плоскости, разделяющей зерно с областью межзеренной гршищц (х =3/2):

crs гЪй 2Се QC.e .

1 ~ "ss" Ъх ~ Bi

Решение уравнения ц;,>йузии находится в виде двойного не-ортогонаяьного ряда Фурье

cosd.mxe . (6)

Собственные значения jj„ и d„m определяется исходя из граничных условий. Коэффициенты А^вычисляются нами из минимизации среднеквадратического отклонения ряда (6) от начаяь-ного условия.

Из сравнения усредненной по координате х функции (6) с экспершаенгаяьнши данными по латеральной диффузии примеси в пленка получены следующие значения коэффициентов диффузии по границам зерен для бора

^^ 'адю3ехр(-з.зЗ о8/к7),смг/в с

И фосфора

<£>,= е.хр(~2.38 эВ/кТ),с*3/8-С.

Предлагаемая модель ¡дар^узаи примеси в поликремтаевую пленку позволяет рассчитывать длину канала МДП-транзистора, с~1срмлровашюго в коликрисгаллической пленке,. в зависимости от режима термообработки и размера зерен,

£ьи рассмотрен процесс сегрегации примеси на границы за рен, приводящий к у.изявшеки.о доли активной примеси в поликреи ниэьой пленке. Ранее при расчета сегрегации не учитывалась не стационарность этого явления. Наш получена зависимость доли активной примеси от времени отхкга на основании модели (6). £ качестве коэдавдюнта сегрегации использовано выражение, выти кыошее из применения теория терморавковесяой сегрегации для металлических систем. Было показано, что процесс сегрегации на границах зареа при ди^.узии в полякре?,шевых опенках, кме-тлк ограниченный объем, происходит достаточно быстро и под-твержвенс, что можно яе учитывать настацяонарность этою явления при рс. счете диф£уз;а1 в пленке.

Ь четвертой главе рассматриваются вопрось влияния струк тури цолилре: ииоьоЯ пленка на проводимость и додьикноота носи тзлей в ;.®1-транзксторе.

Как известно, проводимость полякромнля существенно шшз чем моиокрпсгаллпческого кремния. Бызвако это наличием лову шечних состояний, с высокой плотность» локализованных на границах зеран и приводящих к возникновению потенциального бартера, сшиаздугс подвижность носителей.

Для описания такого э^'екта традиционно использовалась модель Сето, ь которой предполагается, что границы зарои в по дикое!,-.ния расположены параллельно друт другу и на равном расслоили;;:, Однгко. полевой э£«|вкг в колк„реияи«во» ШЦ1-транзио-торе вкзиьглт модуляции ьисоты дотен:у:адыюгс> барьера, а, следовательно, к не циклюем носителей. Исиояьзс! ание модели Сето адл ошсышя полового о,¿.¡акта требует ми сложного двумерного рйочут.ч с учетом стопеда заполнения ловушек на границах

зерен, или упрощенного аналитического расчета, но чающего требуемой точности при низких потенциалах.

Поэтому над® предлагается использовать ¡уш описания проводимости в канале псяиирешшевогс ^ИД-транзистора модель флуктуации краев запрещенной зоны, позволясдей перейти от двумерной модели при описании нолевого э^уекта в подикремшювом транзисторе к одномерной.

В соответствии с этой моделью носители целятся па три групли, Так, для полукристаллического полупроводника л-типа со сродню., значением края зоны проводимости Есс и полной концентрацией электронов 0 , электронн, имевшие энергию £ ша ЕСо , не участвуют в проводимости. Носители с энергией больше Есо и меньше некой пороговой энергии £ш.юдт концентрацию Л* и перемещаются с помощью приданого механизма; их пощчжность определяется параметром '¿луктуации края запрещенной зоны Г I = Ро е~г/*Г )• Носители с энергией больше £{/, имеет концентрацию Пе и макроскопическую подвижность

Проводимость, таким образом, является смешанной:

(7)

Как правило, в моделях подобного рода предполагается, что разброс краев запрешеяной зоны подчиняется закону Гаусса. Ками предложено использовать упрощенную ступенчатую аорму для вероятности распределения краев запре:цопной зоны:'

р(Ес)=г £ с 9( Ес-Еео+£г)-в(ес-Еса-$;П) (8)

где 9 (х) - симьол Крояеккара. Такой подход позволяет получить выражение цзя концентрации носителей отряда в яыюй аналитической форме. Вкрахение (0) бшго'наш учтено при расчете плотности состояний и плотности но сит алой. заряда. С учетом условия электповойтралъиости получены едед/ицие ьцраионвя дан концентрации основных носителей в цоликристачтеческом полупроводнике при уровне легирохишия N4 ■

(9)

Л], (10)

где fti.^fiizEco; Г*ГЫТ ; л^п< + п£ .

Аналогичного рода ьыракения получены и для неосновных носителей.

О помощью такой модели реиение уравнения Пуассона для поликрекниевой структуры получается из стандартного дяя мо~ нокрЕсталлического кремния заменой концентрации собственных носителей Пс на параметр пт , разный nr-ni ihYtT ■ Полученное решение свидетельствует, что при росте неоднород-ностей в полисремнии один и тот яв поверхностный потенциал достигается прикладыванием все большего напряжения на затворе.

Для использования этой модели при расчета полевого эффекта в полккрвмниевом ИЦД-транзисторе проводимость носителей (7) в канале была представлена в виде

<i £th). (12)

Б этом выражении присутствует полная концентрация носителей п , что позволяет использовать зарядовую модель при расчете вольт-амперных характеристик. Влияние ловушечных состояний границ зерен учитывается с помощью эффективной подвижности

- £-th

" Р*-*- Г** е • <IS>

Первое слагаемое в (13) определяет проводимость полупроводника при бесконечно большой пороговой энергии, когда проводимость осудестачяегся только по прыжовому механизму. С помощью второго члена учитывается часть проводимости, обусловленная носителяг.-.л, движущимися с макроскопической подвижностью, Для пороговой энергии нами использовано выражение

£.. « , ..... , CI4)

где - напротеюге на затворе; - пороговое напря-

жение; V - напряжение обратного смещения; << - параметр, зависящий от плотности лозукзчных состояний.

Проводимость, осуществляемая неосновными носите*!®;!!, представлена в подойной не форме.

Такое выражение для проводимости позволило получить аналитическую зависимость для тока стока иоликре.чнпевого ".¡ДН— транзистора, в котором учитывается модуляция потенциалом затвора подвижности носителей в канала:

-рЛ^ф^^^ (15)

где С^ - удельная емкость яодзатворного диэлектрика; Ь - длина канала; V/ - ширина канала; - чалржэнно

на стоке транзистора.

Параметры , рц и << этой модели опреде-

ляются по зависимости эффективной погвиулгостп рем> рассчитанной при малом напрядении на стоке, следулицм образом: - это значение, к которому стабилизируется подвижность в канале при малы;: напряжениях на затворе, а и оС определяются по прямой, аппсоксдаирущей зависимость

Сравнение расчетов по полученной модели с экспериментальными данными и расчетами по ио пеням других авторов показывает больную точность предлагаемой да цели, особенно при низких напряжениях на затворе.

Далее в этой же главе было рассмотрено влияние подложи на вольт-аттерные характеристики поликремшового ¡да-транзи-стора. Так как напряжение к тошсоплекочной поцлонке прикладывается через слой изолирующего диэлектрика, ток стока зависит от зарядового состояния, создаваемого на шшюй поверхности плешей поликрекшш. В случае сильной инверсии или сильной аккумуляции ток* стока по верхнему каналу птеи-сч перестает зависеть от потенциала подложи из-за электрической экранировки зарядовым слоем на нижней поверхности у;»елки. Потенциал подлоги« влияет только в случае обеднения или иополион акку1.:уля-

щ:и ка нижней поверхности плешах. Это влияние распространяется как на пороговое напряжение дая тока стока в верхнем канале, так и на подвтаность носителей.

Получены аналитические выражения дан вольт-амперных характеристик поликрешиевого МДП-транзистора при разном зарядовом состоянии на нижней поверхности пленки. Проведенное сравнение с■ экспериментом подтверждает эту модель.

Основные результаты и выводи

Е предлагаемой диссертационной работе .рассмотрено еяия-1ше, вносимое структурой поликремниевой пленки, на технологи-ческиэ процессы при формирование поликремниевого ЦЩ-транзи-стора и на его вольт-амперные характеристики.

1. Построена модель окисления поликристаллической пленки кремния, основанная на представлении о влиянии шероховатости поверхности на возникновение дополнительного начального этапа ускоренного роста окисла. Выведены 'кинетические закономерности этого процесса при помощи теории фракталов. Дяя боль шей точности совпадения с экспериментальными данными учтено, что размерность фрактала, описыватадего шероховатость, с ростом окисла падает из-за .сглаживания окисляемой поверхности. Предложено использовать фрактальную модель и здя легированных пленок кремния; показано, что вклад легирующей примеси сводится к постоянной компоненте фрактальнбй размерности.

2. Разработала модель дийузии примеси в поликрисгсшга-ческиэ пленки кремния, позволяемая рассчитывать дойну каналу поликрешиевого транзистора в зависимости от режимов термообработки и размера зерен. С помощью модели получено значение коэффициента диффузии 110 границам зерен лдя бора и фосфора. Б модели учтена сегрегация примеси на границы зерен.

В. Предложена модель проводимости в поликремяии на основе представления о флуктуации краев зон. Получены в явной аналитической форме зависимости концентрации основных и неосновных носителей от параметра флуктуации краев зон. На основании этой модели описана проводимость в канате поликремниеЕо-го транзистора и модуляция подвижности потенциалом затвора !.ДО~транэистора. Получено выражение для вольт-амперных харак-

теристюс поликрешшевого МДЯ-транзистора с учетом модуляции подвижности. Модель демонстрирует большую точность по сравнению с моделями других авторов, особенно при низках потенциалах на затворе,

4. Показано, что наличие зеренной структуры приводит к сильной модуляции подвижности носителей потенциалом подложки. Получено выражение для вольт-амперных характеристик г.оликро-мниевого ШЩ-транзистора с учетом влияния изолированней подложки.

Слщок публижатй

1. Реведева М.А., Зиннурова Э.З. Мод&жировапле технологических процессов в структурах с использованием поликристаллических пленок кремния. В кн.: Моделирование приборов и технологических процессов системы автоматизированного лроектиро~~ в алия интегральных схем: Тез. докл. 711 Международной конференции по микроэлектронике "МГСАОВКТЯОМГС^ -90" (16-18 октября 1990 г.) - Минск. -.1990. - т.З. - с.65.

2. Зиннурова Э.З., Лутчев A.B., ИишинаЛ.Ю. Эквивалентная четырехполюсная схема ЩЦГ-транзистора. - В кн.: Исследование и разработка перспективных HC памяти: Тез. докл. Бсесо-юзн. научн. конфер. (5-э координ. совещание) (4-5 февраля IS86 г.). - М.: изд. ¡.«ОТ, 1986. - с.21,

3. Зиннурова Э.З., Шишина Д.Ю. Моделирование ВД1-транзисто-ра, выполненного в пленка рекрнсталлизованного поликрзмния// Электрон, техн. Сер. 3 (Москва). - 1989. - И. - с.52-53.

33? yufäync £0. focy -U)ynX> 0iv пи

hü{ .MHvxouXiiiKiJi ^ywetee A/Js(fltu?T)