автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Математическое моделирование процессов экспонирования и проявления в рентгеновской литографии

АКАДЕМИЯ НАУК СССР Ф И 3 К К О - Т Е X Н О Л О Г И Ч Е С К И И ИНСТИТУТ

На правах рукописи

КОБА ИГОРЬ МИХАЙЛОВИЧ

УДК 621.382.002

МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ЭКСПОНИРОВАНИЯ И ПРОЯВЛЕНИЯ В РЕНТГЕНОВСКОЙ ЛИТОГРАФИИ

Специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника и

микроэлектроника

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва 1991

Работа выполнена в Физико-технологическом институте АН СССР

Научные руководители: доктор физико-математических наук

Махвиладзе Т.Ы.

кандидат физико-математических наук Ковтун Б.Н.

Официальные оппоненты: Член-корресповдёнт АН СССР,

доктор физико-математических наук Афанасьев A.M.

кандидат физико-математических наук Митрофанов A.B.

Ведущая организация: Институт проблем технологии

микроэлектроники и особочистых

материалов АН СССР

Защита состоится 1991 г. в часов

на заседании Специализированного совета Д 003.74.01 в Институте океанологии АН СССР по адресу: 117218 г. Москва, ул. Красикова, 23.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физко-технологического института АН СССР.

Автореферат разослан *Р-2- " ^п^р с-и_ 199^1 г.

Ученый секретарь Специализированного совета кандидат физико-математических

наук ^tcög АГАФОНОВ А.И.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность темы. В настоящее время в технологии микроэлектроники активно осуществляется переход к субмикронным размерам элементов микросхем. Одним из лимитирующих факторов при этом является ограниченная разрешающая способность фотолитографического процесса. Дальнейшее развитие микролитографии настоятельно требует перехода к использованию для формирования микроизобракения других, более кестких видов излучений, таких как рентгеновское, ультрафиолетовое, электронные и ионные пучки.

Существующие системы электронной литографии позволяют получать элементы с субмикронными размерами, вплоть до 0,1 мкм. Однако применение этого метода в крупносерийном производстве сдерживается недостаточно высокой производительностью. Необходимым для крупносерийного производства сочетанием высокой производительности и разрешающей способности потенциально обладает метод рентгеновской литографии (РЛ). Этим объясняется то внимание, ^ которое в последнее время уделяется исследованиям в этой области крупнейшими фирмами при поддеркке государства в США, Японии,

ФРГ. По мнению зарубежных экспертов, рентгеновская литография

\

найдет практическое применение к середине 90-х годов.

Практическое использование рентгеновской литографии сдерживается следующими факторами: сложностью получения интенсивного рентгеновского излучения с низкой расходимостью, несовершенством существующих рентгеновских шаблонов, сложностью и неисследованностью процессов формирования скрытого

изображения и проявления резиста.

Высокая стоимость экспериментов, отсутствие специализированных синхротронных и лазер-плазменных установок с системами фокусировки, экспонирования и совмещения, большое количество влияющее факторов настоятельно требуют для исследования физических процессов рентгеновской литографии широкого использования методов математического моделирования с применением ЭВМ. Их применение позволяет, в частности, выбирать наилучшие параметры технологических процессов и оборудования.

Важнейшими физическими процессами, ограничивающими разрешающую способность рентгеновской литографии являются дифракция рентгеновского излучения на элементах шаблона, разлет вторичных фото- и оке-электронов, проявление сформированного в резисте скрытого изображения. Поэтому весьма актуальной является разработка комплексной математической модели, адекватно отражающей влияние перечисленных факторов. Описанные в литературе модели либо не учитывают всех указанных факторов, либо содержат неоправданно сильные упрощения.

Целью работы является построение математической модели рентгенолитографического процесса, адекватно отражающей все его этапы и физические явления, определяющие разрешающую способность, а также ее реализация в виде пакета программ для сквозного моделирования РЛ-процесса.

Решение поставленной задачи включало следующие этапы: I. Разработка алгоритма расчета дифракции рентгеновского

излучения на элементах паблона.

2. Построение математической модели формирования скрытого изображения, основанной на использовании функции близости.

3. Разработка эффективного численного алгоритма для расчета функции близости.

4. Численное моделирование процосса жидкостного проявления рентгенорезиста.

5. Объединение перечисленных моделей и алгоритмов в рамках пакета прикладных .программ для сквозного моделирования РЛ-процесса, обладающего развитой, системой сервисных функций и меню и ориентированной на практическое использование разработчиками технологических процессов и оборудования РЛ.

6. Адаптация пакета программ для многопроцессорной вычислительной системы на основе транспьютеров, необходимая в целях существенного ■ сокращения времени расчета с сохранением высокой точности.

Научная новизна. Впервые дано физически адекватное и . математически корректное определение функции близости в рентгеновской литографии. Развита модель формирования скрытого изображения в РЛ с учетом дифракции и разлета фото-и оже-электроноз, которая при известной функции близости позволяет быстро и точно рассчитывать скрытое . изображение для произвольного спектрального состава излучения, топологии и материала подложки и маскирующего покрытия шаблона, а также

произвольного расстояния между рвзистом и подложкой. При этом

>

необходим однократный предварительный расчет функции близости для данной структуры резист-подложка.

Предложен и обоснован эффективный метод расчета функции близости, основанный на сочетании статистического моделирования вблизи границ раздела веществ в системе резист (многослойный резист) - подложка и аналитического продолжения решения на однородные области.

Впервые в рамках приближения локальной скорости проявления предложен алгоритм, позволяющий с контролируемой точностью рассчитывать проявленные профили резиста. Развитый алгоритм позволяет выполнять расчеты при сложной пространственной зависимости скорости проявления, включая наличие разрывов, и определять при этом ряд особенностей в форме профиля, которые не выявлялись известными мотодами.

Предложении эффективные методы распараллеливания для развитых в работе алгоритмов расчета основных этапов PJI процесса. Это позволило использовать многопроцессорные транспьютерные системы и многократно уменьшить время расчетов.

Практическая ценность. В настоящей работе развиты эффективна алгоритмы численного моделирования основных физических процессов, определяющих разрешающую способность рентгенолитографического процесса. Эти алгоритмы реализованы в виде шкета прикладных программ X - SIM, имеющего развитые сервисные функции для ввода данных, задания топологии шаблона, управления ходом моделирования и вывода результатов в удобной для конечного пользователя форме. Реализация ироддозксшшх алгоритмов на многопроцессорной транспьютерной системе позволила значительно сократить необходимое для расчетов время.

Пакет Х-БШ может Сыть использован технологами и разработчиками рентгенолитографического оборудования для выбора оптимального сочетания параметров технологического процесса.

Публикации. Основные результаты проведенных исследований опубликованы в У-Х работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, приложений и заключения. Общий объем работы /3>0 листов. Она содержит Л рисунков _ и список

литературы из 9О наименований.

Основное содержание работы.

Во введении сформулирована цель работы, обоснована актуальность поставленной задачи и дано краткое содержание отдельных глав диссертации.

Первая глава носит обзорный характер. В ней дан анализ общего состояния работ в области рентгеновской литографии и детальный обзор работ по математическому моделировании основных физических процессов РЛ. Обсуждаются недостатки существующих моделей и дается постановка задачи настоящей роботы.

В п.1.2. перечисляются основные направления работ в области рентгеновской литографии, выделяются основные физические процессы, которые необходимо учитывать при моделировании РЛ.

В п.1.3. дан сравнительный анализ характеристик источников рентгеновского излучения, перспективных с точки

зрения применения для рентгеновской литографии. Разработка или моделирование источников излучения не является предметом данной работы, однако в приведенных в работе конкретных расчетах используются основные параметры таких источников.

В п.1.4.-6.. описываются существующие метода моделирования процессов дифракции рентгеновского излучения, формирования скрытого изображения и жидкостного проявления.

В заключение приводится критический анализ существующих методов моделирования, из которого вытекает постановка задачи настоящей работы.

Вторая глава содержит математическоеописание предлагаемых методов моделирования процессов. Вначале рассматривается декомпозиция общей задачи моделирования на отдельные независимые процессы.

В п.2.2. рассматривается метод моделирования дифракции рентгеновского излучения и дано обоснование использования приближен:.« Френеля в типичных для рентгеновской литографии условиях.

В п.2.3. дается определение функции близости Q(x,y,z,\) п предложен метод расчета скрытого изображения в случае монохроматического и немонохроматического излучения, а также при расчетах с совместным учетом дифракции и разлета вторичных электронов. Функция близости Q(r,\) равна плотности энергии, выделенной под воздействием излучения с длиной волны Л., в расчете на один квант, вошедший в резист в точке (0,0,0). Тогда плотность энергии dD(r,\), выделенной в резисте в точке г при облучении малого участка резиста с площадью öS и

координатами центра х0 , у0 , равна ИХ) г

е(Х) 00 о о

где 1(Х) - интенсивность излучения, прошедшего через вакуумное окно, е(М - энергия кванта, 1 - время облучения, К(х0,у0,Х) - коэффициент пропускания шаблона в точке х0, у0. Множитель 1(Х)Х/е(Х), равный числу квантов излучения, попавших на единицу площади поверхности шаблона, будем называть дозой облучения и обозначим й{Х). Следует отметить, что функция близости, введенная таким образом, "содержит"- все физические процессы, связанные с поглощением квантов и разлетом вторичнах электронов. Если такзя функция получена каким-либо методом, то скрытое изображение легко рассчитывается путем сверткл функции близости с функцией плотности падающего излучения.

Суммарная плотность энергии, выделенной в резисте в точке (х,у,г) при облучении всего рисунка, определяется интегрированием выражения (I) :

Ъ'Ь

Щх,у,г,Х)-^ ^(Х)-К(х,у,Х)-Я(х-х,!/-у,гЛ)<12с1у, а'а

где а.Ь.а',Ь' - координаты краев шаблона по осям X и У.

В случае немонохроматического источника со спектральной плотностью излучения, равной С(Х) (после прохождения вакуумного окна), в вырагании для плотности выделенной

энергии добавляется еще интегрирование по <3к :

со Ъ'Ь

о а*а

Здесь вместо дозы облучения й(М введена "спектральная доза" облучения £(Х)= С(\)Х/е(\) .

Описанный метод легко обобщается на случай совместного учета дифракции и разлета вторичных электронов.

В п.2.4. описан новый алгоритм расчета процесса жидкостного проявления резиста. Он основан на известном методе "лучевого" проявления, в который внесены принципиальные изменения и дополнения. Здесь следует сказать что ранее применявшиеся метода расчета обладали рядом серьезных недостатков. Так, для методов "ячеек" и "струны" даже при очень мелком шаге характерно накопление групповых ошибок. Они практически не способны работать в случав • больших пространственных градиентов скорости проявления. Можно привести примеры условий, когда эти методы дают заведомо неверные результаты. Метод "лучевого" проявления обладает тем достоинством, что траектория отдельного луча может быть (в рамках приближения локальной скорости травления) расчитана достаточно точно. Проблемы возникают при восстановлении профиля проявления по коцам лучей. Некоторые лучи могут сильно расходиться, другие могут пересекаться. При сильных градиентах значительные участки профиля могут формироваться пучками лучей, вышедших из очень узких участков, причем заранее правильно угадать эти участки практически нереально.

В ряде зарубежных работ предлагались подходы, основанные на порождении и уничтожениям дополнительных лучей. Такой подход приводил, по-сути, к методу "струны" с присущим ему накоплением групповых ошибок. Кроме того, эти методы оказаиаются непригодными в случае наличия в веществе границ раздела со скачкообразным изменением скорости проявления. Поэтому был предложен новый метод расчета проявления.

Как и в традиционном методе, процесс проявления представляется лучами, рассчитываемыми в приближении Эйконала. Не трудно показать, что истинный проявленный профиль получается из ломанной, соединяющей концы лучей, после удаления всех петель. Для численного расчета траекторий лучей была предложена эффективная разнстная схема второго порядка с переменным шагом. Для данной задачи схема работает значительно быстрее обычных схем типа Рунге-Кудта. Основное отличив предлагаемого алгоритма состоит в метода начального выпуска лучей. Алгоритм выпуска заключается в следующем: • фиксируется максимальный шаг выпуска лучей и максимально допустимое расстояние между концами лучей, списывающими искомый профиль. Лучи начинают выпускаться с максимальным шагом." Если расстояние между концами лучей превышает допустимое, то выпускается дополнительный луч на середине отрезка между предыдущими лучами. Эта процедура рекурснзно повторяется, пока не будет достигнута требуемая точность.

Подобый алгоритм позволяет точно расчитывать проявленный профиль в однородном веществе. Однако он непосредственно не применим в случаях, когда в веществе имеются поверхности

раздела 'например граница резист-подложка или граница мезду слоями многослойного резиста). Было установлено, что лучи, выпущенные с верхней поверхности резиста не всегда могут описать все участки проявленного профиля. Показано, что для правильного описания профиля необходимо выпускать дополнительные лучи с внутренних поверхностей раздела. Предложен соответствующий алгоритм выпуска дополнительных лучей, полностью формализующий расчет профилей проявления в различных случаях.

Применение описанного метода позволило:

1) устранить существенные недостатки, присущие методу лучевого проявления и впервые с контролируемой точностью расчитывать все участки проявленного профиля резиста, включая наиболее критичные места, где пространственная зависимость скорости проявления имеет высокие значения градиента;

2) еыявить ряд особенностей профилей проявления, которые при определенных условиях могут возникать в реальных процессах и не выявлялись при использовании известных методов моделирования;

3) расшрить возможности прежних методов и расчитывать проявленные профили для тех случаев, когда в удаляемом веществе имеются поверхности скачкообразного изменения скорости проявления (например граница раздела в многослойном резисте).

В третьей главе рассматривается способ расчета функции близости 0(х,у,гД) методом статистического моделирования.

В п.3.1. приводятся соотношения, статистически описывающие поглощение рентгеновских квантов и генерацию фото- и

оже-электронов.

П. 3.2., 3.3. содержат соотношения, использованные для моделирования процесса разлета и торможения вторичных электронов.

В п. 3.4. предложен ускоренный алгоритм расчета функции близости. Алгоритм сочетает статистическое моделирование разлета вторичных электронов вблизи границ раздела и аналитическое продолжение решения на однородные области. Приводится доказательство используемых для этого соотношений.-Даны оценки возникающей при этом дополнительной погрешности расчета. Оценки выполнены на основе модельной задачи, допускающей аналитическое решение. Алгоритм отличается от стандартного тем, что траектории вторичных электронов моделируются методом Монте-Карло только в узких слоях веществ (толщиной несколько больше пробега фотоэлектрона), причем если электрон доходит до края расчетной области, то вертикальная составляющая меняет знак и электрон продолжает движение, не выходя из слоя. Плотность энергии, выделенной в остальном однородном объеме вещества вычисляется с помощью соотношения

Д(*0>У0'г1)= ехр(-ц(2,-г0)) тх0.у0.г0), (2)

выполняющегося в однородном объеме резиста. Здесь -Г0.У0 произвольные координаты, 20, г^ - значения координат по оси, перпендикулярной поверхности резиста, ц - кэффициент поглощения рентгеновского излучения.

Используя выражение (2), дозу поглощенной в резнете энергии можно вычислить, зная дозу энергии, поглощенней на

какой-нибудь фиксированной глубине г0, достаточно далеко отстоящей от границ резиста. В качестве г0 удобно взять нижний край расчетного слоя, в котором доза выделенной энергии определяется методом Монте-Карло, согласно описанному вьете алгоритму.

Приведены результаты расчетов, подтверждающие хорошее совпадение результатов, полученных как традиционным, так и предлагаемым методом. При этом расчеты, выполненные предлагаемым методом заняли, при той же точности, примерно в 4 раза меньшее время.

В п.3.5. приведены результаты расчета точечной и лннайг.ой Функции близости для ряда характерных случаев.

Глава 4 опи с ываэт особенности программной реализации предложенных алгоритмов в виде единого пакета прикладных программ Х-Б1М.

В п. 4.1. описана структура пакета программ Х-БШ, включающего в себя, кроме собственно моделирующих программ, головную диалоговуй программу, осуществляющую диалог с пользователем и ввод данных в режиме меню, специальный графичееззй редактор для ввода и редактирования, топологии рентгеновского шаблона в удобной и наглядной форме, а также программы для представления результатов в графической форме и базу данных для хранения исходных данных, промежуточных и

конечных результатов расчетов.' Общая структура пакета Х-Б1М

/

показана кз рис.1 в конце автореферата.

В пункте 4.2. описываются технические и программные особенности работы многопроцессорных транспьютерных систем,

имеющие важное значение для реализации предложенных алгоритмов. Приводится структура программной конфигурации, позволяющей выполнять параллельные вычисления на системе с произвольным числом процессоров. При использовании подобной конфигурации производительность системы, в случае решения параллельных задач, растет практически линейно с ростом числа процессоров. Описанная конфигурация применена для распараллеливания расчета функции близости и моделирования процесса жидкостного проявления рентгенорезиста. В обоих случаях время расчета на 4-процессорной транспьютерной системе аиЛБРитШ 2, по сравнению с расчетами, проводившимися на персональной ЭВМ типа 1ВМ-АТ, сокращено в десятки раз.

В целях графического представления результатов расчетов на транспьютерной системе была адаптирована библиотека подпрограмм научной графики ГРА50Р, получившая в СССР пироксе распространение (адаптированная нами версия библиотеки получила название Т-СИА?). В составе библиотеки имеются развитые средства для построения графиков в декартовой и полярной системах координат, линий уровня функций двух переменных, трехмерных поверхностей. Библиотека подпрограмм Т-СКАР является гибким универсальным средством транспьютерной научной графики и может найти широкое самостоятельное применение.

В главе 5 приводятся результаты численного моделирования рентгенолитографического процесса, выполненные для ряда типовых условий экспонирования.

В я.5Л. списаны условия экспонирования, принятые в

качестве исходных. Рассмотрены три случая, соответствуйте различным длинам волн излучения, в также случай немонохроматического излучения, причем для достаточно сложной структуры шаблона, состоящей из многих полос. В первых трех случаях предполагалось, что излучение проходит через шаблон в виде двух узких прозрачных полос шириной 0,2 и 0,4 мкм, разделенных непрозрачным промежутком шириной 0,3 мкм , причем контрастность шаблона предполагалась равной 1:10 . Излучение, прошедшее подложку шаблона, ослаблялось в 2 раза. Излучение, прошедсее шаблон, поглощается в слое резиста ПММА толщиной 0,5 мкм , нанесенного на кремниевую подложку. Расстояние между шаблоном и поверхностью резиста 50 мкм.

В п.5.2. приводятся результаты расчета дифракционной картины и скрытого изображения для условий, описанных в предыдущем пункте. Обсуждаются особенности полученной дифракционной картины / скрытого изображения, которые могут иметь существенное технологическое значение. Особо отмечается эффект засветки резиста вторичными электронами из подложки, который может приводить к подтраву элементов, сформированных в резистном слое. В конце автореферата на рис.2 приводятся изолинии дозы выделенной в резисте энергии. На рис.2, в частности, чотко видно повышение дозы выделенной в резисте анергии вблизи подложки.

В п.5.3. приводятся результаты расчета процесса жидхостного проявления скрытого изображения для трех описанных выше случаев. Показаны расчетные профиш проявления в проявителе ЫВ1К для моментов времени 10, 20, 30, 40, 50 и

60 сэкувд с момента начела проявления. Приведенные результаты демонстрируют ряд хароктеркчх особенностей рентгенолито-графяческого процесса. Так, в случае использования коротковолнового излучения возникает заметный подтрав элементов изображения, вызванный значительным влиянием вторичных электронов, вылетающих из подложки. Подобные профили приведены на рис.3 в конце автореферата. В то же время в случае использования более длинноволнового излучения увеличивается искажение профилей, вызванное большим дифракционным размытием изображения.

Разработанные методы моделирования рантгенолитогра-фического процесса позволяют адекватно описывать процессы дифракции излучения на шаблоне, фор.шрования скрытого изображения с учетом 'разлета вторичных электронов, жидкостного проявления резиста. В частности, они позволяют с высокой точностью расчитывать влияние на конечные проявленные профили эффекта засветки резиста вторичными электронами, вылетающие из подлокки, а также производить расчеты для сложных структур, содержащих большое количество элементов.

В заключении сформулированы'основные научные положения и результаты, которые впервые получены и еывосятся на защиту: I. Дано адекватное и корректное определение функции близости в рентгеновской литографии и предложен метод расчета скрытого изображения, основанный на ее использовании. Зто позволило разделить моделирование разлета вторичных электронов, выполняемое методом статистического моделирования и расчет скрытого изображения. Функция близости вычисляется один раз

для заданной структура резист-подложка, после чего скрытое изображение может быть расчитано для различных спектральных составов излучения, топологии и -материала подложки и маскирующего покрытия шаблона, произвольного расстояния между резистом и подложкой. В отличие от известных подходов, предложенный метод позволяет быстро и точно расчитывать скрытое изображение для сложных структур, содержащих большое число элементов.

2. Предложен и обоснован эффективный метод расчета функции близости, основанный на сочетании статистического моделирования вблизи границ раздела и аналитического продолжения решения на однородные области. Выведены используемые для этого соотношения. Даш оценки возникающей при этом дополнительной погрешности расчета.

3. Предложен новый алгоритм расчета процесса жидкостного проявления, впервые позволивший в рамках приближения локальной скорости проявления выполнять расчеты с контролируемой точностью, включая случаи когда пространственная зависимость скорости проявления имеет разрывы или большие значения градиента.

4. На основе предложенных методов расчета разработан пакет прикладных программ Х-ЭШ, предназначенный для сквозного моделирования РЛ-процесса . Пакет включает, кроме собственно моделирующих программ, диалоговые, сервисные и графические средства, обеспечивающие ввод данных в удобной для пользователя форме и графическое представление результатов расчета.

5. Разработана модификация пакета, ориентированная на использование многопроцессорной транспьютерной системы. Б. Для ряда характерных условий экспонирования и проявления выполнено сквозное численное моделирование рентгенолятографи-ческого процесса. Полученные результаты подтверндавт возможность получения микроструктур с характерными размерами порядка 0.2 мкм.

Аппробапия работы. Основные результаты диссертации были долояены на следующих конференциях: на Всесоюзном семинаре "Млкроллтография" ( п. Черноголовка, май 1990 ), IV Зсесоюзком совещании "Математическое моделирование физических процессоз в полупроводниках и полупроводниковых приборах ( г. Ростов, декабрь 1990 ).

Разработанный пакет программ для моделирования рентгено-литографического процесса передан для эксплуатации в НИИ СП Министерства электронной промышленности.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. К.А.Валиев, И.М.Коба. Б.Н.Ковтун, Т.М.Махзиладзе. Функция близости и разрешающая способность рентгеновской литографии. -Микроэлектроника. 1990, т.19, М, с.347.

2. И.М.Коба, Б.Н.Ковтун, Т.М.Махвиладзе. Пакет программ для моделирования рентгеколнтографическогэ процесса.

- Москва. 1990, 26 с. (Препринт ФТИАН ЙЗ).

3. К.А.Валиев. И.М.Коба, Б.Н.Ковтун, Т.М.Махвиладзе. Моделирование процесса рентгеновской литографии. - Материалы Всесоюзного семинара "Мккролитография" ( п. Черноголовка,'йзй

1990 )

4. К.А.Валиев, И.Ы.Коба, Б.Н.Ковтун, Т.М.Ыахвиладзе. Параллельные метода моделирования рентгенолитографического процесса. Материалы IV Всесоюзного совещания "Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах ( г. Ростов, декабрь 1990 ).

Подписи к рисункгы

1. Структурная схема пакетп прикладных програ-?.! для сквозного моделирования рентгено.,итогрофичоского процесса Х-ЭШ.

2. Изолинии выделенной в резистэ энерпш.

3. Профили резиста при гидкостном проявлении.

D(x,z)=«const

X, rmkm

N Ч Ч4 \

сч

I I

1 /

\ \

\ \

I I

/

/ ^ I /

у

--

/ у

Щг ■ Ш

.'Л

\ \ N \ -

\ N ^ \ Ч

1 1 I I

Л - I "Ч I

I

I 1 1 I / / / /

/ / 'у ' !

' / / у /

'/^Ч'Г-;-'

I

\пш

I

ч!

СО

о

из о

3

*

2

О)

о"

«о о

см о

гч

0

1

из О

[ихи]г

/

П0АИНС»1Ю • печжть <?(2 лг $(? х. 3»к. №2р Тнр. ' »кз. Пм ГПНТБ СССР Кутикмй мост, 12.