каталог авторефератов диссертаций по электронике, диссертация на тему Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах Специальность 05.27.01 ВАК РФ

• Исследование электрически активных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe методами растровой электронной микроскопии
  1994 Панин, Геннадий Николаевич
  Международных конференциях по микроскопии полупроводниковых материалов (.Оксфорд, 1991, 1993), на IV Международной конференции по выявлению дефектов и обработке изображения в полупроводниках и приборах (Манчестер, 1991
• Количественные изменения локальных электрофизических свойств полупроводников в растровом электронном микроскопе
  1994 Конончук, Олег Владимирович
  К наиболее перспективным методам, удовлетворяющим этим требованиям, относятся электронно-зондовые методы. Важной особенностью растрового электронного микроскопа (РЭМ), обусловленной многообразием физических явлений, возникающих при взаимодействии пучка высокоэнергетических электронов с твердым телом, является возможность проведения комплексного
• Конструктивно-технологические методы создания МДП-структур, основанные на исследовании физических и деградационных процессов
  1994 Матвеенко, Ирина Петровна
  Повышение надежности МДП ИС может быть достигнуто за счет оптимизации процесса их изготовления. Технологический процесс производства МДП БИС содержит десятки операций и в связи с этим большое значение имеют работы, связанные с исследованием закономерностей протекания физических и деградационных процессов при формировании и эксплуатации ИС, а также
• Механизмы поверхностных процессов при спонтанном травлении кремния атомами фтора
  1994 Бабанов, Юрий Евгеньевич
  СовранпкжП этап развития . микроэлектроники характеризуется страгатояыгостья разигтия технологии производства интегральных схем С'СЬ а та гиге быстрый ростом стешм интегрэщш - основного паренэтра технического урсвкл НС, Зспот в совершенствовании осиовтпс хврзлтзристак ПС в ограикоа. степени зависят от дсстшмгасй р сЗлаетн тадояоппг шкрозлгктрогаши
• Моделирование изображений в растровом электронном микроскопе и разработка метода прецизионных измерений топологических размеров интегральных схем
  1994 Козлитин, Алексей Иванович
  Основной гчдачей микроэлектроники является создашь элементной Сазы (интегральных микросхем) для устройств, обэспечиЕавскх все более быструю обработку возр .тзетих >шфэрмашюкнкх потеков
• Моделирование и разработка технологических процессов и маршрутов формирования самосовмещенных биполярных транзисторных структур для сверхбыстродействующих СБИС
  1994 Муратчаев, Султанхан Абдулвагавович
  Уменьшение геометрических размеров полупроводникового прибора выводят задачу получения воспроизводимых электрофизических параметров при его серийном производстве в разряд одной из важных. Кроме того, условия жесткой конкуренции на мировом рынке электронных изделий требуют решения етой проблемы уже на этапе проектирования без применения
• Напiвпровiдниковi газочутливi перетворювачi на основi структур з вiд'емним опором
  1994 Осадчук, Елена Владимировна
  Бикориствння частоти, як »(формативного параметру, дозволке уникнути застосучання аналого-цифровых перетворювачхв при обробцг ЫформмШ, що знизить варт1сть систем д1агностики i контролю
• Получение и свойства омических контактов микронных размеров к полупроводникам А3 В5 (GaAs, InP)
  1994 Лопатин, Вадим Владимирович
  Омические контакты являются неотъемлемой частью полупроводниковых приборов и от их качества зависят функциональные параметры приборов и устройств. Прогресс в этой области связан как
• Получение и свойства омических контрактов микронных размеров к полупроволдникам А3В5 (GaAs, InP)
  1994 Лопатин, Вадим Владимирович
  Омические контакта являются неотъемлемой частью элупроводниковых приборов и от их качества зависят функциональные зрэмртры приборов и устройств. Прогресс в этой области связан как появлением новых полупроводниковых материалов группы А3В^ ( 1пР, 1 Са. Аз , ш 0а( Ае Р, ), тая */ с уменьшением размеров
• Разработка методов аттестации конструкции ИС по надежностным критериям
  1994 Чистякова, Стелла Владимировна
  Освоение современных методов в первую очередь означает создание качественно новых внутрифирменных систем управления и обеспечения качества п надежности ИМЭ на этапах их создания и производства. При этом решающее значение для обеспечения надежностных характеристик имеет этап разработки
• Разработка методов и средств оценки устойчивости микропроцессоров в составе РЭС при воздействии электромагнитных помех
  1994 Селезнев, Игорь Львович
  Эксплуатация РЭС, как правило, происходит в условиях внешних дестабилизирующих факторов, среди которых большую опасность представляют электромагнитные помехи (ЭМП), воздействие которых может существенно изменять характеристики РЭС, и тем самым обуславливать необратимые и обратимые нарушения их работоспособности. Многообразие процессов, приводящих
• Разработка статистического метода контроля дефектности рабочих пластин на основе моделирования выхода годных и его применение при анализе и прогнозировании производства изделий микроэлектроники
  1994 Радаев, Александр Анатольевич
  Характерной особенность!) развития производства изделий микроэлектроники /ШЭ/ на современном этапе является неуклонное увеличение степени интеграции элементов на кристалле. По мере повышения степени интеграции и приблкжепия к субютронным размерам элементов ШЭ существенно возрастает отрицательная роль дефектов различного происхождения; что
• Реальная структура, электродинамические свойства синтетического алмаза и создание на его основе детекторов ионизирующего излучения
  1994 Романко, Людмила Алексеевна
  Наибольший прогресс достигнут в области разработки и использования в различных областях техники алмазных детекторов ионизирующего излучения. Уникальное сочетание в алмазе отдельных 4®зйческих свойств, радиационная и химическая стойкость, высокая теплопроводность, электрическая прочность и тканеэквивалентность делают природный алмаз перспективным
• Синтез и электрические свойства оксидной керамики для применения в электронике
  1994 Жеглова, Анка Ивановна
  Методы исследования: в работе использованы основы теории спекания, основы теории фазовых переходов, метод математического планирования эксперимента Новизна работы
• Синтез кристаллов твердых растворов CuAlxIn1-xSe2 и исследование их физико-химических свойств
  1994 Цырельчук, Игорь Николаевич
  Соединения А1Б111С2^ являются оптически активными нелинейными прямозонными материалами с большим коэффициентом поглощения и имеют широкий диапазон ширины запрещенной зоны. Они могут быть получены как р - , так а п - типа проводимости. Это перспективные материалы для оптоэлектроипки, нелинейной оптики, светоизлучающвй .техника и солнечной
• Создание и исследование элементов рентгеновской оптики на основе искусственных структур с нанометровыми размерами
  1994 Фирсов, Александр Анатольевич
  Простейшим элементом, преобразующим интересующий нас диапазон излучения, является просто многослойное зеркало. Экспериментально обнаружено, что минимальный период бинарного слоя, начиная с которого многослойная
• Стабилизация структурно-примесных и электрофизических свойств системы 91-910/2 в производстве кремниевых микросхем
  1994 Зайцев, Николай Алексеевич
  Извести-- способы ста5и/шзции электрофизических скоЯст» системы В1-310: используют слоя фос$оросил»кат- ■ кого стекле или ионног.- легирования фосфором диэлектрических пленок. Данные технологические приемы практически нееозмег'о испольвэалть для стабилизации тсчккх в сверхтонких слоер диоксида кремния. Также отсугстйуюг ??оретя-теские и
• Структура и свойства пленок металлов и полуметаллов, полученных методом частично ионизированного потока с высокой эффективностью ионизации
  1994 Кононенко, Олег Викторович
  Для получения пленок были выбраны металлы с низкой температурой плавления (В1 и В1БЬ: Тпл = 270° С), средней температурой плавления (А1: Тп„ = 660° С) и высокой температурой плавления (Ре, Со и ТЬ: Гпл = 1536° С; 1496° С; 1365° С). Висмут и его сплав с сурьмой, в силу своих уникальных свойств, являются перспективными материалами для изучения
• Схемно-топологическая оптимизация элементной базы аналоговых и аналого-цифровых БИС/СБИС частного применения
  1994 Дворников, Олег Владимирович
  Однако разработка А и АЦ БИС/СВИС затруднена, с одной стороны , существенным увеличение затрат и времени проектирования годного изделия, а, с другой стороны, худшими статическими параметрами изделий, обусловленными особенностями существующей элементной бапи современных БИС/СБИС
• Точность фазочастотных характеристик гибридных и КМОП-устройств частотной селекции
  1994 Невежин, Евгений Васильевич
  Задача проектирог-ания микросхем частотной селекции представляет ,собой комплекс проблем, свлкшша с вопросами яппрокош.гашш Функций, схемотехники, технологического обеспечения, эптимизашш, настройки, расчета надежности и серийноспособности. Многообразие технических требований, пр-эдглвляемих' к втим устройствам, затрудняет формулировку

• Назад
• 1
• ...
• 36
• 37
• 38
• 39
• 40
• Вперед