автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Механизмы поверхностных процессов при спонтанном травлении кремния атомами фтора

российская академия наук

институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов

Р Г

"Од На правах рукописи

УДК 661.185:621.794.4:539.9 БАБАНОВ Юрий Евгеньевич

МЕХАНИЗМЫ ПОВЕРХНОСТНЫХ ПРОЦЕССОВ ПРИ СПОНТАННОМ ТРАВЛЕНИИ КРЕМНИЯ АТОМАМИ ФТОРА

Специальность 05.27.01. — Твердотельная электроника и микроэлектроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических на) к

Черноголовка 1094

Работа выполнена и Институте микроэлектроники РАИ.

II а у ч н ы й р у к о в о д н т с л ь:

кандидат физико-математических наук Световой В. Б.

Официальные оппонент ы:

доктор физико-математических наук Словец к ни Д. И., кандидат * Н 1л наук Редьки н С. В.

Ведущая организация: Физико-технологический институт РАН.

на заседании специализированного совета K003.90.0I и Институте проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН по адресу: пос. Черноголовка, Московской обл. ИПТМ РАН.

С диссертационной работой можно ознакомиться в библиотеке Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН. Справки по тел. 72-24.

Автореферат разослан « зь, апреля 1994 г.

Защита состоится

Ученый секретарь специализированного с< кандидат химических

Н. В. Л и ч к о и а.

обшдя характеристика работу

Актуальность тена диссертации:

СовранпкжП этап развития . микроэлектроники характеризуется страгатояыгостья разигтия технологии производства интегральных схем С'СЬ а та гиге быстрый ростом стешм интегрэщш - основного паренэтра технического урсвкл НС, Зспот в совершенствовании осиовтпс хврзлтзристак ПС в ограикоа. степени зависят от дсстшмгасй р сЗлаетн тадояоппг шкрозлгктрогаши я, особенно, от развития ггетсдсз фориироваим изобразил и трзелеюм рисункоо инкрогслего п cycwutpos того размеров в различных

футшлсмзлыпл слоях. КС» Освоптю прсютленного шпуско с разкзрат! злекеитсп »¡ниьшэ X mat а значительной степени определяется пс?!!о.тпост,таг размерного травле/вю микроструктур. Дальнейшее рзэЬитий технологии в этем направлении требует ссвоешш иетодоз "сухой" обработки маториалов, применяемых о производства КС. Оига пэ перспективах методов такой ооработки является плазнохтлпоскоо травление (ПХТ) крзнния, Основу ПХТ составляет реакции хттчаcitsr активных частиц с обрабатываешь« материалом из его поверхности. Число-работ, посвяцешшх различим вопросам прамзшншя ПХТ» росло и рзстот быстрыми тешами. Однако, остается до , сих пер норесошоП главная проблема - недостаточное потшчюгз иохвтшев, управляй®« процессами п роакцияки, которые происходят на поверхности твердого тола и в газовой фазе.

Для понимания процесса ПХТ -необходимо решение трех основных эвдвч«

I} опрэделзюю внутренних пграмвтроо плазмы по задаваема внеетпм параметра« разрядовi

2} исследования кинетики химических реакций. определяющей химический состаэ плчзка а, а частности, концентрации и типы

активных частиц, Ооыбэрдарущих поверхность иатериалоо;

3) исследование механизмов, и кинетики гетерогетшх реакций на поверхности обраОатцьаеуух нэториалов, вкдшая определение типа частиц» удалявди материал с поверхности, а также частац, пассивирущих поверхность н' зашдлящих травление.

Каждая,из этих задач имеет очень ваансе значение дл,ч решения проблема псюмешш ПХТ в целом. Задачи эти тесно связаны друг с . другой. Но поскольку плазма является только постевпжон бктиеных частиц для: раекшш травления, .то решение первых двух задач как Сы задает исходные дшш? для решения третьей/ Нисколько не умаляя важности задач I) и 2) (их решение составляет цолов направление в физике плавны), в диссертационной работе основное внимание сосредоточено на определения мехвшзЫов .позврхносткнх процессов при спонтанном травлении крешшя. Это'представляется аахши и необходишш начальный этапом • в создашш 'о&зой иодали плазменного травления. . -

Одной нз • разновидностей плазменного тр&влещя является радикальное травление, когда поверхность подвержена действа» только нейтральных частиц. Большинство. нсследсвЛелей о пасторе©. .'время сходятся на том, что главными чафщаш^, •отвэтстреш&шц как • за : плазыохиничвскоэ, так и "ра&швдое* трэвяошв' крешшя,' являются " атомы фтора,. Другие _кошо'центц плазма могут 'влиять. нэ скорость травления, активируя или • пассивируя .поверхность, но реакция между фторои и креншем является ' основой процесса травления. Суйествувдая экспериментальиая Информация о э!-? взаимодействии требует теоретического осмысдйьш и объяснения.

Цель» диссертационной работе являлось.'

I) выделение информации о вшшодейитвии ьтоиов фтора с крещшеи из осилил, имвсцкхся экспериментальных данных;

2) построение на зтсЛ основа теоретической модели пронесся СП01ГГ31ПЮГ0 травления .'кремния ЯТСМ31М Стер я, объясняпсшП С одиной точки эрення основкиз ззкснснаркссти зтого процессе.

Научная новизна и практическая ценность работа

Показано, что скорость травления кремния атемзмн фтора определяется процессом! на поверхности пленки з 1 , образующейся на травимой поврехностк, а процессы, протекапце в объеме пленки, ио влияют па скорость травлэння в стационарном рхшшо.

На основа прадполохения о ешмегаш теплота адсорбции зтона ■фтора''на- поверхности, пассивированной атомгрнни кислородом, сбькснено рассогласование экспоримеоталыш лзнгах по вероятности

ТрЗПЛЗННЯ ВО Гг - ПЯЧЗНО.

Раздэлеки механизму травления пассийировэнноЯ (термическое проодолешю • поверхностного барьера) и .'гепассивнрапптшсЛ кислороде»! поверхности кремния. В случае чистой поверхности необходимое сгсаешш поверхностного барьера обеспечивается электрическим полем в пленке 31г. возгшаяякн з результате туштлировзния валснтш.'Х элеетроков к адсорбирозатшму Стору.

Получену обене кинетические уравнения, учитывайте следугсше процесси:' адсорбции атомов фторз; туннэлгровзтм электронов к адсорбированному Фтору и обратно, преодоление поверхностного бврьерз ионом фтора,-Как слегтпиэ этих уравнений, в стационарном режиме получено нелинейное уравнение на нэпряяенность электрического поля в пленке 81Г,.

Вах'шм следствием предложенной модели спонтанного травления является вывод о безэктивационнон преодолении поверхностного барьера ионоц фтора. При этом полученное рырааегою для скорости травления линейно по потоку налетающего фтора, что согласуется с экспериментальными данными.

.. Показано, что наблюдаеная зкспершентайьно отргия «ктивзции, соотьетствупцая истинному взаимодействии фтора с крешшзы, полностью о^ясняотся на основе представлений ..о нногофоно:иой риликсашш избыточной энергии налотащего атома фтора. Следовательно,- кеойхошш таательшй анализ условий, в которых проводдтзд Измерения, • . .

Учот кинетических особенностей диссоциативной хемосорбцин. молекулы Хег'а при 'трачленчи. кремния позволил, в рамках предложенной иоде ля, объяснить аномальиу» температурную зависимость скорость травдешя кремния н атмосфере

Предлокеш^я кодель можот быть основой для создания обцвп модели пдазмохшическото травления, неоОлодашсй ддя планирования и оптимизации технодогичесюгх процессов при создании ИС.

Основные защищаете положешя;

- на трави^оП лоеераиости крошшя образуется планка flit^. -неполностью фторярозашюго кремния, адсорбционные характеристики которой определяют'поверхностей барьер , для проникания фтора и глусь этой планки. Получена оценка .величины поверхностного барьера и тепдоти адсорбции атома фтора па гтоп поверхности. В стадиона ркоя ршше травления процессы ца поверхности пленка определяют скорость травления, процессы хэ внутри sir -слоя на

являются лшитирущишк

- атомарный кислород, роядиифШся в плазме из остаточных газов или при взаимодействия?, со стенками реактора» пассивирует трэвшув поверхность, снижая теплоту адсорбции атоиа фтсра. На основе »того предподотенпя объяснено рассогласование вкспари ментальных данных по вероятности травлешм (срекиия ео Рг-плазна. Найдена величина актйбячмонного . Oepwpa для температурное: зависимости скорости травления пассивированной

поверхности, хорошо согласующаяся с экспериментальны!» знзч-зпкзм.

- больигя теплота адсорбции птома фтсрз на чистой поьерхкссти крентыл исключает термической преодолеть поверхностного барьера. Необходимое. «твида барьера обеспечивается электрически» полем, зозникияяы в плеикр sif при т^тРШфоБа'ся* оадентшх электрйнев из кремния к адсорбированному Фтору. Пол/чет; гатетсчесг-н-э уро виския, описмвснчИо поверхностные процесс«- яри спснтзпнс?* трзг-.тешгд крепнид, которые приводят к рояине'йисму уравнения ка наиряаенлост» электрического пелл. Яз ревения этого урзэногпя получается пьрахенн? для скорости трзвлеттл лии-зйноа по потоку иэльтагаего фтора.

- бозактивзциошюо преодоление поверхностного барьера ионсм-сторз., являицееся следствием предложенной модели трав/екил', но противоречит имек-цикся экспериментальным дэннкм, Экспериментальна наблюдаемая энергия активации, ссотватствупиая истинис-му. 1'ззи.»сдеДстЕИи> Фгора с крекисм, полностьв объясняется на основе Представлений о иногофсиоинод релаксации избыточней .г.нзрпш налутавдого атома фтора.

- аномальная тешмрзтуриэя зависимость скорости травления'

К.рСМИЙЯ S ЗТНОС-Jep« ХеГ СбЪЯСШеЪХЯ C}U6CTSO!18HU6H

•i:!i:!CopO;!pC35i;iiurO СОСТОЯВ!-I. ЛрйДИ!СТЬУ»«',еГО X?fc--CCOp0U»i<i STOUOil

фтора, В рамках лрпдяояшшс-З исдоли, из смотря из слоянуя кинетику этого процесса, реализуется линейная зависимость скорости травления от потока.

Апробация работы:

Основные результаты, изложенные а диссертационной работе, докладывались на I-оЯ Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основи иикроэл?ктроники" (Вильнюс. 1907); 2-ом и 4-см Всесоюзных совещаниях "Математическое моделирование

физических процессов В . полупроводниках U ПОЛуИрОЕОДШГСОВЫХ приборах" (Ярославль, 1033, 1930); 2-он Рсосоюзном cei.rnuape "(Лжролитографил" (Черноголовка, 1988); 2тОМ.Есесоизнои совыцанш: "■Гнэико-хття взаимодействия ношст'о и фотонного излучения с поверхность» твердо. тол" . (Звашйгорсд, 1588); 0-ой 'Междисциплинарной ко^ерснцли по «аукай о поверхности (Ливерпуль, Великобритания, 1989); 18-ой' Международной ' школе по физике полупроводниковых соедин-'ишЛ (Устань, Польша, 1989); П-см Международном вакуумном конгрессе " и Y-ой 'Мохдунеродиой конГерона'.ш по поверхности тверда тал (Кельн, ФРГ, 1939); '2-cíí МевдуивродкоЙ конференции гю • .технологии твердо • тел. и интегральных схем (Пекин, Kí?, I939J; 4-ом. Всесоюзно» сешшарв Миытф&я химия поверхности' конокристол чических полупроводников" , (Новосибирск Д&ЗЭ); 2-сй и 3-еи Всесоюзных • совещаниях по физически» проблеиан лазарно-ндазменнс!! иикротехпояогии .(МГУ, • нос,Лазоревскоо, 1950, 1991), изхдукьродцоП ' конференции "Технология микросхем :5Э" . (Маастрихт, . Нидерланды, 19ЭЗ), a также на лаборатории* и институтских сешшзрах . и., екегодних научи« копферендемх И РАН, из соминарах к íimü РАИ, СТИ РАЗ!, ИКС РА!Г.

Публикации: '

Результаты работа еаубликоввад' в .даух препринтах ГЛ! .'РАН и секи статьях г. оарубомшх и российских куриалах (список в кснцо автореферата). . . ' ' /. ' '

Структура и объем диссертации: ■ . Диссертационная работа состоит из введения, пяти' глав, заключения и списка цитируемой литературы из ' 124 наименований. Работа содержит I2P страниц;' машинописного текста!, 9 рисунков, I . таблицу.

КРАТКОЕ СОДЕР1ШИЕ РАБОТЫ:

Во ВПЕДЕШ1- кротко обосновывается необходимость развития технологии одного из- методов "сухой" обработки материалов микроэлектроники плазмо-хишнеского травления (ПХТ). Показано, что опрвдалеияв механизмов поверхностных процессов прч спонтанном трэгяешш крешия, как одной из трех основных задач проблемы понимания ПХТ О цело«, является важным и необходимым нвчздьчым этапом в создании обцзй «одели плазменного травлегшя. Дается краткое содержание диссертации по главам и приводятся осномтие результаты, выносимые на .защиту.

В ПЕРВОЙ ГЛЛВЗ ■ ДИСШТЛНИ! ■ оОоЗда'ы гкспернмеитэлыго наблюдаемое . особенности .спонтанного трьвлончя кремнлл и рассмотрены.. осноянио модельные представлении с нр&цесса радикального .'траэления, В первом параграфе проьоздн анализ суэествуксугХ в лптературо эксперииеэталымх даниих пс спонтанному тровл&гти крем1вст атомами фтора с целью ответа на три основных попрсйа

1) кагае газофазные частицу реагируют с поверхностью, приводя к ее газафякзции.

2) что является конечная продуктом реакций трэнления,

3) какие прсцессм на поверхности ведут к псеррац.'т'ю исхсдяьх реагентов в летучий продукт?

Основной . упор сделан' аз анализ экспериментов по травлению кремния в специальных модельных газах {атскаркыЯ \Jrcp; г - плазма, хег^), исключающих' влияние побочных эОСектов на взаимодействие ётоксв фтора с кремнием; являсаегося оспоаой спонтанного травления. Выделенн&в закономерности этого взаимодействия являются основой для построения модели травления кремпия атомами

фтора.

Во второй пзраграфе дастся краткое описание я анализ суиествукдих модельных представлений:

качественного описания процесса травления рядом последовательных этапов с выделением лимтгрука'ей стадии,

- полуэмпирической модели Д.Я, Фяэмиа (1931),

- модели травления (Бакланов Ы.Р., 1939; Полтиер д*., 1988) на основа феноменологического описания адсорбционко-дзсорбционноп кинетики на травимой поверхности,

- механизма . усиленной полем дн1Фузии (Винтере Х.Ф. с соавторами, 1583, 19Ь7).

Во ВТОРОЙ ГЛАВЕ рассмотрен процесс формирования поверхностной пленки в1Тж <у=-1,г,з) - ^еполнсст'ь» фторированного кремния, образующейся 'на травиной поверхности. Подчеркивается, ее ванная роль р процессе травления. Показано, что проблема. преодоления поверхностного барьера для проникания атома фтора.в глуоь плоски глк^ является главной в процессе радикального трчвления кремния,

Заполнение поверхности адсорбированным фтором описывается кинетическим уравнением ■

г аг ..." •

•а? " 4<гг 1 > "к<Г)Г

где Г4 - число активных • центррв одсорбции, г - поверхностная концентрация адсорбированных атомов, лг - поток атсмов фтора на . поверхность, а -сечение эахвата атома поверхностью, а

• к-(г) « кв(г) + хг<п -

вероятность ухода • атома с поверхности за счет десорбции или

вступления в рэвшш (уход под поверхность).

Сташ(онорное решение кинетического урчвненмя определяет ьаписиыость г от потока нагетзкцего фтора Jr. А для скорости травления подумается следующее выражение

<тГ. W

IH *

где зависимость констант ухода от лг остается неизвестнее». Проведенный фансменолоплческий анализ и сравнение с дешкмн 3!'.СПир'П.'0ГГГ0П позволило устаногить возмояный вид этой зависимости

Я (Jr) « »Jr или Ef(Jr) » aat

Для спредолений конкретного se вида этой зависимости необходимо пострсонио микроскопической теории.

lía основе феноменологического анализа полутона оценка теплоты адсорбции (<э > 1,1 .эВ) атома фтора на поверхности пленки sií .

Ъ заключительной части главы сбсуждзотся роль атомарного кислорода, роядашегося в плчзиа из остаточных газов или при взгимодэйствиях со стенками реактора и пзесивирупзаго поверхность в процессе травления. Механизм тразлення такой поверхности связан с термически акпгштровзннич преодолением поверхностного барьера. Предполояеюш о пассивации поверхности атомарным кислородом позволило объяснить рассогласование даюшх по вероятности травления кремния во ^-плазме.

ТРЕТЬЯ ГЛАВА посвяденв собственно мехзщ!зму спонтанного травления кремния атомами фтора. Основные представления о формировании электрического поля в поверхностной пленка sirr дэны

в первом параграфе. При туинелироавюш валентных электронов из креисы к адсороировенному фтору на поверхности образуются отрмцвте;илшо ионы г", е. на границе раздела полупроводник -диздактрд скапливаются дырки. Поло этого длойного слоя и приводит к енкхииию поверхностного барьера для пронакаьия фтора.

Процесс туннелировакия электронов описывается во ьторсм параграф. Показано, что характерные времена прямого

(V • £ *| •

х + Ч]

я обратного

злектрониих переходов зависят от. соотношения между. элактронПмм уровнем V в адсороировэяном фторе, и уровнем Ферми £г в кремнии. Здась т* - время резонансного туннелирования электрона, из кремния на электронный уровень во фторе.. •.

Подученнуе 8 третьем параграфа кинетические ураннекия на кокцектрацид адсорбировании на поверхности атомов <»-П ц ионов (м) фтора имеит сладуидиП вид:

<з»; г - к и и

аг Т4 - г н ЗЕ " ~г" т~

где, кроме времен хг я х' эдэктронных обменов. Поверхностные вроцэссы хврактеризуются ьременамч адсорбции

я преодолеют поверхностного бзрьсрэ

е. -е(?а

т » т" вхр

' ■ кТ

Здесь а - расстояние от вдсорб1фоватюго атома до поверхности,

4 л еИ

нгггряпспшостъ поля двойного слоя.

и' стационарном случае записывается формальное репение кинетических уравнении

• т. (и) (1 ♦ ) ттсш ♦ т,

и получается ураопаше на напряженность электрического поля в плашоэ 51?^. В .силу, зависимости времен тт, х'т и от концентрации шэноз к и, следовательно, напряаепности поля, подученное в результате уравнеюэ является нелинегшш и не поддается зиаятпесш^ решштп в общем ш!Дэ.

-Предметом ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАШ является репение и анализ уравнения на • йапряхошюсть электрического поля в плеш-.о в наиболее интересных пределышх случаях. Например, когда туннельный переброс электронов совершается быстро

тт " х* '

т.е., случай тонких пленок то в этом пределе напряженность

поля определяется уравнением

е, - - кт ц ) + *т ш [ ^ - 1]

которое рошаэтся методой итераций. В нулевом приближении имеем

!г-)

е1°' • е - кг 1п

с «

Следует подчеркнуть, что барьер г. это» случав преодолевается безактивационно

е""

' г - е'"

I

Отсутствие активационной экспоненты в * является нетривиальным следствием предложенного механизма травления. Скорость травления можно представить в этом пределе следующим образом

Т.о. налицо линейная йэеисимость от потока фтора, а слабое отклонение связано с логарифмической поправкой в выражении длл напряженности поля.

Проведенный анализ численных параметров системы кремний -адсорбированный Фтор позволил заключить, что электронной уровень ао фторе лежит всегда ниже уровня' Ферми в кремнии. Поэтому возник?,шее в пленке э!^ электрическое поле с напряженностью - Ю7 В/си обеспечивает необходимое снижение поверхностного барьера для проникания фтора в пленку.

В ПЯТОЙ ГЛАВЕ анализируются особешюсти температурной зависимости скорости травления кремния. Взжюш следствием предложенной модели является вывод о созактивациснноц прэодолсшш поверхностного барьера ионоц фтора. При этом скорость травления слабо зависит от температуры.Интерпретация экспериментачьных да.Ш2)Х о температурной зависимости требует тщательного анализа условий, в которых проводились измерения. Отмечено, что СУЩвСТБУОТ ТОЛЬКО ОДИН эксперимент (Vasile n.J., Stsvie P.A., 1982} по измерении энергии активации скорости травления непэссивнрозэннй поверхности кремш1я, в котором эта энергия может соответствовать истинному взаимодействие фтора с кремнием. Атомарный Фтор генерировался б этом эксперименте- термической дкссо1шацией молекул Рг. Показано, что наблюдаемая днергая активации может быть целиком объяснена многофононноП релаг.сациеЕ. избыточной энергии налетающего атома фтора.

БтороЯ параграф этой главы посвящен ■ анализу кинетических особетюсте'й при травлении кремния в атмосфере xeF2 и объяснению аномальной (наличие мпотмума при 4I0K) температурной зависимости скорости травления, наблюдаемой на эксперименте. В ряде работ аномальная темперзтурная зависимость объяснялась наличием Физнсорбироваттого состояния • у молекулы xei> на травимой поверхности. Однако, ни в одной из этих работ не была рассмотрена диссоциативная хемосорбция xèF^ mi из газовой Фазы, ни из ФизнссрСироватгого состояния, а . все эффекты такого рода включались а произвольную константу. Но диссоциативная хемосорбцкя xeFa является очень важной, поскольку кинетика адсорбции в атом случае является нелинейной из-за захвата сразу двух атомов фтора поверхностью, а наблюдаемая экспериментально зависимость скорости травления от потоке xev2 остается тем не

менее линейной.

Кинетические уравнения поверхностных процессов при травлений в хвгг имеют следующий вид:

(г: - г )г ♦ k'( г. г)

1 / V2

у. - у(г: -г. { г.

3

Г - 1с Г

а . *

Здесь г - поверхностная концентрация адсорбированных частиц» г* -концентрация активных центров адсорбции, k v к» - константы диссоциативная хеносорбции XoF2 из газовой фазы и физг.сорбирсванного состояния, соответственно, - константа реакции фтора с кремнием (k гв - потек атомов, уходявдх с поверхности в результате вступления в реакцию с крешшем или с одним из фторидов кремния), ащ - сечение захвата молекулы в Физисорбирэванное состояние, зт - лоток налетающих молекул xeF,. Десорбция атомарного Фтора в уравншшях на учи.-ыааотся. поскольку теплота . ого адсорбции <q > 1,1 зВ) великь. По-прежнему рассматривался стационарный рехим травления.

Основной вопрос здесь заключается в следувием, Скорость травления пропорциональна потоку атомов фтора, вступающих в реакцию с кремнием; « - крГ4. Концентрация адсорбировапнкх атомов определяется из нелинейного уравнения и по атой причине г^ -нелинейная функция потока Je. Из экспериментов, однако, следует, что «> - Поэтому какое бы соотношение между константами мы не в: брали, всегда будем получать либо Her-нейную зависимость от потока, либо не будет воспроизводился наблюдаемая температурная зависимость скорости травления. Ответ на поставленный вопрос заключается в том, что kr в действительности не является константой, а сама зависит от потока налетающих частиц. В главе

XV показано, что к является Функцией степени заполнения а^ и тенперптури

У.Г - Кг[ Э^Т ] - к°

XV.

Урзвнешт становится при этой еце более слсншн, но именно зависимость к от <г и пспрааялзт ситуации; Конечно, найти точное вазлптическое решеюга кэвоздозно, ::о ио«но получить приолшешюз решение и помощью итерационной процедуры. В результате для вероятности тргпяаьня крвьпшя й хор получаем

сГ (Т) - 5 а,г; А( О«";Г) ( 1 * о''

V)

о КТ

------1л

С* Е° 1

потока коло кул' хек . В!^раже1ы0 для вероятности нгоше удоич^ткоряит атсму -требовании, поскольку о"' содоркит лишь сдзС>а лэгери^чпчес-.!» ззьнскнссть ог которсл но ысжет бить ' ОДииадл&ш« >и яг;:« «¡а» ¿а.', АГвдшгс изшиизш

ногсксв. хег , 1е!.этсрг,'урн.|.1 азапсжссгь целиком опргздзлктся процессами диссоциативной хемосорбнии и физнссрбции молекул хгРз, которые учитываются, Функцией А(в ,т)>- .

В ЗШЗЛЕГОШ формулируется вывод о том, что предлоке1шая модель спонтанного травления, соединяющая феноменологическое описание. кинетики процессов адсорбции - дессрбцнч с элементами

микроскопического списания ялек7ро<шых обманов на . травимой поверхности, объясняет с единой, точки зрашш основные экспериментальные закономерности спонтанного травления креадшя етсмама Фтора. Ваянуи роль ь ыод»ли травления, играет злгктсическое полз, Еознукавдее в пленке с 1 ^ в . npoirac.be травления. В отличие от модели усиленной полем диффузии Х.Ф". Е:шерсд,_ роль подл заключается в сшиююы поверхностного барьера для проникания i-тора иод поверхность, а не в ускорении ди^}/зии ионов фтора в поверхностной плёнке- sir . Взякнч следствием предложенной модели является . безяктнвационииА характер спонтанного трав'лешя кремния атомами Фтора.

Основные положения диссертации содержится н следующих раСотвх!

Ь'Рзйзчов ¡O.E., Проказников'A.B., -Световой В.Б. Роль соотпс'петгя невду временами рзркцаи' и дэсорбшш п радикальном травлсгли - Тез.докл. Всессюэн.конф. "Физические и фио.-хим. основы микроэлектроники" - Москва, 108?. - с.'158-459

2. Пгбпнсв Ю.Е,, Прокззниксчз Л.Р., Световой 13.В. Уехяшпм Кабрера-Когтп чри травлении кремния атомами Фтора Тез. докл.Зсесочзн.сетшара "Мякрояитогр^ия". - Черноголовка, '1938. - С.85.

3. Бабаков Ю.Е., Световой В,Б. Температурная зависимость скорости травления кремния атомарный фтором - Тез.докл.Всесоюзк. совещания "Математическое моделирование ' физ. процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах" - Ярославль, I9B0. - с.12.

4. Babanov Yu Е. , Pi okazr.lkov A.V. , ■ Svi/tovoy V.B. Cabrora-Mott. ir.achanisn of silicon ctchinci by fluorine atoms •• Proc. 0-th Interdisciplinary Surf лее ''Science Conf., I.i v<ir|>ool, 1969. - p.11,-47. .

5. Бвбеноо Ю.Е., Проказников A.B., СпетовоЙ В.В. Механизм травяэгая кришия атомами фтбра - Поверхность. Физика, хачпя. иахешжа, - 1989 - н| - оЛОб-113-.

fí.Bibsnov ïu.E., FrokâztilkoV Ä.V., Svetovoy V.B. Influence of the surface electron processes oh thé kinetics of silicon etching by n.uorine atona - Proc.lJ-trt Xnt-. Vacuum Congrega (IVÛ-ilj' ahd 7-th ïnt.con'f.on Solid Surfaces ¡(rcss-7), Köln» l'KG, 1S99. - p.ICI.

7. Babanov Yu. Б • r Püdshlvftlov Уч.Л., РгокЛУПIkov A.V., líoplri V.tl., Svotovoy V.B.i Vaellchlkov S.V, A kihotlc stuüy of CF4/0? placea etcftinq silicon - Ptoc.of the 3-th Jnt.Conï'.on Solid State and Int>»grat(jcl Circuits . Tuchnoiofjy. - Boljlng, China, lrf89, -l>.3J.i-3n.

О.БеЛз)!эз (O.E., Проказников. A.B., Световой В.Б. Зависимость скорости травления кремния атомаш фтора от адсорбционных Характеристик поверхности. - Химия ечсогих энергий. - 1989. -т.23, 1.-6. - с.531-533. '

9. . ВэЬмкг/ Vii.Ei, Prakarhikov /i.V., Evetovoy V.B. TIih Cabrorft-Mott npchnnism for silicon etching l.-y flüorlne atos3 -T.fhys.S Contiens, rtatcer, 1989. - Vol.l - Suppl.ö. - c. SB197 -SB19S

Г0. Babanov ïu. К., Svp.tovoy V.B. Temperatura dfependenca of silicon ett:hlmj rate by fluorina jtoxs. - Acta Physlca Poloi.lca, - 1990. .- Vol. Л77. - N2-3. - i-.355-350.

П. Бабансз HJ.IÎ.. Световой В.В., Механизмы поверхностных процессов при травлении кремния. - Пропр. M AJî СССР. -Ярославль, 1990, - нГб. - 47 с.

12.Ба0аноэ О.Б., Световой В.В., Кинотйчоскйе особенности травления кремния в W3. - Тез.Докл.iv Всесоазн.совей."Иатематическоз моделирование Физических процессов

в полупровошшквг и полупроводниковая приборах". - Ярославль, 1590. - с.в.

13. Бабапов Ю.Е., Световой В.Б. Механизм поверхностных процессов при травлении кремния, - там же. с.9.

14. uabanov Yu.E., Frokainikoy A.V., Svetovoy v.0- Influence of the surface electron procoscos on the kinetics of silicon etching by fluorine atoas. - Vacuum, 3990. - Vol.41. - H4-6. -p.902-905.

15. Бабаков O.E., Снеговой В.В., Анализ кинетических особенностей при травлении кремния в атмосфере xoF.' -fipenp.IM АН СССР, - Ярослевль. 1990. - Ш9. - 19 е..

16. Babanov Yu.E., Svotcvoy V.B. Kochanirno o£ surfaco procossee In silicon otcliing. - Plaena Chonlctry and [Чакяа Processing. - 3993. - Vol.13. - HI. - p,17-5S.

17. Babanov Yu.E., svetovoy V.B. Mochnnlsn of surface proccfisoij in ellicon etching. - Proc, Int. Conf. "Microciicult F.nqlneering'93", Maastricht, Thq Netherlands. - 1993. - p.Cl-63.

10. Babanov Yu.E,, Svetovoy V.b. Mechanism o£ nurfaco proensses in silicon etching. - Microelectronic Engineering. -1994. - Vol.23. - p.353-356.