автореферат диссертации по электронике, 05.27.06, диссертация на тему:Физико-технологические основы ионно-плазменного травления карбида кремния

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГС&А ТВЕННЫЙ ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ

ЧКАН ХАЙ-ИН-

ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ И0НН0-1ШЗМЕНН0Г0 ТРАВЛЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ

Специальность 05.27.06 - "Технология полупроводников и

материалов электронной техники"

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на- соискание ученей степени кандидата технических наук

На правах рукописи

Санкт-Петербург-- 1993

Работа выполнена в Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете.

Научный руководитель: доктор технических наук, профессор Таиров Ю, М..

кандидат физико-математических наук, доцент Лучинин В; Б.

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор Косогов О.В.

кандидат физико-математических наук, Иванов Е.Г.

Ведущая организация: Нонструкторско-технолсгическое бюро АО "Светлана"

, Защита состоится "12" октября 1993 г. в 14:00 часов на заселении специализированного совета К 063.33.10. в Санкт-Петербургском государственном злектротзхрическом университете по адресу: 197022,Санкт-Петербург, ул. проф. Попова, д.5.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке университета.

Автореферат разослан "2" сентября 1993 г.

Ученый секретарь специализированного соьета доцент

ЮЛ'. Окунев

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ. Карбид кремния (SIC) - один из перспективных широкозонных полупроводниковых материалов для экстремальных условий эксплуатации. На основе SIC возможно создание г.олупроведнлковых приборов, которые устойчивы, к высоким температурам,.агрессивным средам и радиации, благодаря серии ценных качеств самого материала, среди которых выделяются: широкая запрещенная зона, высокая, теплопроводность и устойчивость к внешним действиям (термическому, химическому и корпускулярному). МикропрорилироЕание поверхности SIC является одной из ключевых технологических операций при изготовлений микроэлектронных приборов на основе SIC. Однако значительная энергия связи, характерная для данного алмазоподобкого материала, делает малоэффективными традиционные-методы травления SIC. Классическое травление SIC в расплавленных солях или щелочах реализуется при высокой температуре, при этом имеют место значительные трудности при маскировании и низкое разрежение микрорельефа. Карбид кремния практически не травится в стандартных условиях ir установках ионно-плазменкого травления. .Поэтому актуальной проблемой является разработка аппаратуры ь методики, обеспечивающих одновременно приемлемую скорость травления SIC, высокое качество поверхности после обработки Sid и- простоту маскирования. ■

Исследование взаимодействия плазмы с карбидом 'кремния, находящимся- в различных структурных состояниях, построение физической модели процесса травления имеет большое значение для совершенствования технологии "сухого" микропрофклирования SIC.

ЦЕЛЬЮ НАСТОЯЩЕЙ РАБОТЫ являлась разработка аппаратуры методики исшно-плазменного травления SIC. включая оятимиза цию процессов обработки SIC по критериям: скорости травлени? топологического разрешения и качества поверхности, а так» разработку механизма "сухого" травления SIC и активны^ уст роййтв контроля процесса в раСочей камере.

Для достиженья поставленной цели были определены следу! щие задачи:

- исследование возможности эффективного травления амэр< кого, поликристаллического и монокристаллического SIC метод плазмо-химического травления (ПХТ)';

г разработка аппаратуры для ВЧ-магнетронного реактивно конно-плазменного травления SIC;

- поиск оптимальных режимов травления и состава ^аза-ре гента для интегрального обеспечения приемлемых скорости тра ления и качества поверхности образцов после травления, а так возможности маскирования поверхности при травлении SIC;

- разработка методики сухого травления SIC для ФормироЕ ния глубоких мезаструктур и каналов при изготовлении г.олеес транзистора и тензорезистивного датчику давления;

- разработка механизма иоино-плазменногс травления S10;

- разработка методики текущего контроля процесса и« нс-плазменного' травления SIC на ссноре интеграции методов . зэрной «нтерйерометрии и масс-спектрометрик.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА:

1. Преложена методика реактивного ВЧ-магнетронного тр ления SIC в плазме Сторсэдержаиш газов, огнованная на лона

зации зоны обработки, за счет сканирующего магнитного поля, обеспечивающего сочетание высоких скоростей травления SIC с высоким качеством поверхности после обработки и бозмоимостью маскирования.

2. Определены зависимости скоростей тразленил SIC от параметров технологического процесса и энергетических параметров плазмы; получены численные уравнения регрессии.

3. Иссл?доьано влияние составов реагентов на качество поверхности кристаллов SIC после травления.

4. Показана эффективность использования стандартных фото-резистивньис масок при микропрофилнровании SIC.

ii. Разработана методика текущего контроля процесса "сухого" травления SIC на основе* интеграции методов лазерной интерферометрии и масс-спектрометрии.

6. Установлено, что в основе механизма реактивного ВЧ-магнетронного тразлекия SIC лежит процесс разупорядочения поверхности SIC вплоть до амсрфизации с удалением продуктов разупорядочения в результате химической реакции с активными частицами плазмы.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ. Разработана установка ВЧ-магнетронного травления, оснащенная системой сканирования плазмы, устройствами текущего лазерного интерферометрического контроля толщины и скорости травления и мэсс-спектрокетрического конт-' роля постава плазмы, обеспечивающая "сухое" травление монок-ристзлличеокого SIC- с большой скоростью при минимизации выделяемся ьющности разряда и возможности использования для маскирования поверхности стандартных фоторезистов.

Установлен оптиадлонкй режим "сухого" травления SIC. поз-

воляющий одновременно обеспечивать высокое качество поверхности после обработки и максимальную скорость травления. (Для оптимального режима: основной газ — SF6. добавка — 7 объема Нг, давление в камере — Р«0, ЗПа. удельная мощность разряда — Vi _ »1,0— 1.5Вт/омг, . скорость траеления монокристаллов

УД»

6H-S1C достигает 0,15 - 0,2мкм/мин.):

Определена уравнения регрессии скоростей травления от режимов. хорошо, совпадающие с экспериментальными данными и обеспечивающие прогнозирование режимов травления.

Созданная аппаратура лазерной интерферометрии, интегрированная с рабочей камерой, позволяет вести текущий контроль процесса травления SIC по толщине и скорости.

ПРЕДСТАВЛЯЕМЫЕ К ЗАЩИТЕ НАУЧНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ.

1.Обеспечение приемлемой скорости "сухого" травления SIC достигается выполнением следующего условия реализации процесса: процесс ионно-плазмениого травления осуществляется таким образом, что он характеризуется разупорядочением поверхности о аморфиаациеП поверхностных слоев SIC, .которые удаляются преимущественно в результате химической реакции с активными частицами плазмы, при этом также обеспечивает высокое качество поверхности (гладкость, отсутствие загрязнений) и ее структурное совершенство.

2. Реализация процесса реактивного ВЧ-магнетронкого травления В-плагме Фторсодержащих газов .обеспечивает возможность прецизионного кикропрофилирогания SIC с микронным разрешением через стандартную фоторезкетивнуо маску.

ПУБЛИКАЦИИ. По материалам диссертации опубликовано 2 печатных работы.

СТРУКТУРА ДИССЕРТАЦИИ. Диссертации состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложений, объем диссертации . составляет 122 страницы машинописного текста, 23 рисунков,. 17 таблиц и содержит список литературы из \?3 наименований, 2 приложения.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

ВО ВВЕДЕНИИ обоснована актуальность теми исследования, дана общая характеристика работы, сформулированы ц^ль работы и основные задачи, изложены основные результаты и прелстштеишк» к защите научные положения.-

ПЕРВАЯ ГЛАВА посвящена анализу основных существующих методов травления карбида кремния и обзору работ по сухому мик-роп'рофилиров*нию этого материала.

. Травление в расплавленных солях или щелочах является традиционным методом обработки SIC. Карбид кремния ^¡чУктльно травится в-расплавах Na,, С03ч, Na^O^. . NaOH. Na^o,,. Na.,о.. + NaOH (1:3) и т.д. при температурах более 300 °С. При итом основной проблемой является маскирование и обеспечение высокого разрешения. Газовые травители'О . С1г. С1,+о,. Гг. С1РЯ и IL. как правило требуют еще.более высоких температур.и чрезвычайно агрессивны.

Электролитическое травление SIC протекает лги комнатной температуре, однако скорость электролитического трлвлеыш Sic очень низка.

Для микропрофилирования SIC используются И метод» ЭЛОКТ"

ронко-лучевой и лазерной обработки. Данная технология разработана слабо и вносит значительные разрушения в зону обработки.

Установлено, что поликристаллические пленки SIC в плазме газов SF и SF6+02 травятся в установках реактизного ионного травления. Основной механизм травления SIC в плазме SF6+02 включается в себя химическую реакцию между кремнием и фтором, в результате чего образуются летучие соединения, а углерод монет прямо реагировать с кислородом. Однако эффективность процесса травления монокристаллических Образцов SIC низка и требует необходимости выделения в зоне обработки значительно/ мощности, что отрицательно сказывается на качество поверхносп после обработки, затрудняя процесс маскирования.

Фактически на период постановки работы технология "сухог травления монокристалличаского SIC с характеристиками, соот ветствующими' современному уровню ионно-плазменного травлени кремния отсутствовала.

ВТОРАЯ ГЛАВА посвящена разработке аппаратуры и методики области технологии и метрологии "сухого" травления карби/ кремния. ; .

В данной работе эксперименты, осуществлялись в двух типг установок: промышленной установке ПХТ и специально* разработш ней установке реактивного ВЧ-магнетронного ионно-плазменно] травления с системой магнитного сканирования зоной локализ! ц>.;< плазмы, Эксперименты по плазмохимическому травлению S осуществлялись на промышленной установке 08-ПХС-100Т-С04. О рч^тываемые образцы иомыдалксь ка заземленном электроде. Г .'огч'Л разряд обеспечивался ВЧ-генератором. Потенциал меж плазкой- и нижним электродом, на .котором располагались образц

мог достигать десятков вольт.

Для_реализации реактивного ВЧ-магнетронного ионно-плаз-менного травления монокристаллического SIC была разработана установка на базе промышленного поста УРМ-053. Особенностью установки является обеспечение зоны замкнутого магнитного поля позв'оляащего локализировать плазму в непосредственной близость от мишени, а также наличие устройства магнитного сканирования зоной локализации плазмы. Экиттируехке из микеин пг.д действием ионной бомбардировки электроны оказываются в своеобразной магнитной 'ловушке и циркулируют по замкнутым траекториям. увеличивая эффективность ионизации и возбуждения молекул л атомов рабочего газа, что резко увеличивает скорость • трясения. Наличие магнитного поля с индукцией около 0.1 Тл п 4-5 раз снижает напряжение автосмецения, что позволяет существенно уменьшить глубину радиационных нарушений.

Для текущего контроля- процесса травления в -установках плазмохимического травления . и реактивного ВЧ-магкитного ::он-но-плазменного травления установлено специально созданное устройство лазерной интерферометрии. Текущий контроль глубины травления -был реализован путем -измерения коэффициента отражения монохроматического зондирующего излучения от .поверхности обрабатываемой пластины с помощью лазерной интарферокетричес-кой системы. Используемые методы контроля позволяют определить момент полного удаления заданной пленки "при травлении и травить пленку на заданную глубину. ~ ,

Для контроля состава газовой Фазы в процессе травления был использован масс-спектрометр типа МХ-7304. Масс-гпехтро-метрические исследования обеспечивали информацию о типах и плотности частиц, существующих в плазме.

- 10 -

Оценка состояния поверхности осуществлялась на электро-нографе малоугловом регистрирующем .ЭМР-102. По результатам электроьографических исследований после ионно-плазменного травления устаковливал'. степень аморфизации поверхности SIC и уровень совершенства кристаллической структуры.

Для определения чистоты поверхности карбида кремния после травления использовался Оже-электронной спектрометр ЭСО-3.

Учитывая необходимость реализации значительного числа экспериментов для • оптимизации режимов травления , в основе экс перикентальных исследований лежала методика планирования экспериментов. Эксперименты в ' данной работе в основном проводились ро методике равномерного планирования. Которая базируется на основе ортогонального планирования. В рамках специально разработанных таблиц равномерного планирования, при использовании которых число экспериментов ¡равняется числу уровней факторов. по полученным экспериментальным данным в результат« расчетов с использованием ЭВМ определялся конкретный вид уравнения регрессии, отражающего' выявляемую закономерность. Результаты экспериментов подтвердили эффективность данного метода планирования: При. этом методика равномерного планирована выявила следующее,преймущестба: число экспериментов мало, ; таете имеется возможность регулирования порядков уровней, чт обеспечивает Нормальное и безопасное проведение экспериментов На оей'-зе Полученных уравнений регрессий возможно количествен Ное прогнозирование влияния какдого Фактора на результат :редварйтельное определение оптимальных условий экспериментов

ТРЕТЬЯ ГЛАВА посвящеИа вопросам оптимизации процессо микропрсфилиррвания SIC .И йсслелованию Механизма сухого трав ленич данного материала.:. ...

- И -

Эксперименты по плазмохимическому травлению поликристаллических и аморфных пленок карбида кремния были проведены в промышленной установке плазмохнмического травления с пленарным реактором в плазме смеси газов CF4 +0г при давлении в камере 20 Па. В процессе экспериментов варьировались три фактора: J - расход рабочего газа CF4 (I... 12л/ч): Nog - объемное процентное содержание 0г в, смеси газов(0...'40 об.Я) и У/уд -удельная мощность ВЧ-разряда (0.1...0.4&T/CM2). Каждый.из'факторов был равномерно разделен на 8 уро&ней; использовались таблицы равномерного планирования (9е). Получены следующие уравнения регрессии, определяющие зависимость скоростей травления поликристаллического и аморфного SIC от режимов травления: 1 ■■ ■

- -Ю,2 - 0,5<J-5.9)2 0.03NO, + 84V» ;

П (НИ . X уд.

• .

VTenop " 110 ~ 0,в(0-1Л.З)г - 0,096(Лог - 34)* > 60,5Иуд .

В представленных уравнениях Vt водн и Vt вмвр - скорости травления полиКрис/аллических и. амор&шх Пленок Sit;, йм/мин: размерность других Параметров. Лл/ч), Ног[объем зе), . W , (Вт/см2). , . . .

УД • ,

При типичном режиме травления (J-14,3 л/ч. No2«34 %. W -0, 3Вт/ Jm* ) скорость травления аморфного sie составляет 1.30 НМ/Ш'Н.

установке плазмохнмического травления аморфные пленки Sic травятся с наибольшей скоростьг. Травление поликристаллов

происходит медленно, а монокристаллические образцы SIC этим методом практически не травятся.

С целью увеличения скорости травления монокристаллов SIC была разработана аппаратура для'реализации метода реактивного. ВЧ-магнетронного ионно-плазменного травления, с использованием интенсификации процесса травления за счет сканирования зоной обработки материала в условиях локализации зоны плазмообразо-вания, Установлены следующие особенности процесса травления SIC в отношении скорости от режимов. В плазме чистого газа SFg скорость травления меняется с изменением давления газа в камере и мощности ВЧ-разряда. В процессе экспериментов варьировались два параметра: давление в камере Р(0,1-0,4Па) и мощность разряда W(150-500Et). На основе равномерного планирования получено уравнение регрессии скорости травления монокристаллов Sic ут от режимов обработки:, • .

VT- -0,067 + 0.3166W - 0.1846WZ - 0.2851Р' + 0.8242PW • где Vt[mkm/mhh]; РШа];- W[kBt];

Полученное уравнение хорошо согласуется с экспериментальными данными." . ,

Скорость травления SIC монотонно увеличивается с увеличением мощности ВЧ-разряда. С увеличением давления в камере ско-' ' росгь травления вначале возрастает и при давлении 0,29... 0.30 Па достигает максимума. При дальнейшем повышении давления скорость уменьшается. С увеличением мощности ВЧ-разряда оптимальное давление сдвигается к более высокому значению.

•Электронография' SIC и Оже-спектрометрия показали, что качество поверхности образцов после травления сильно зависит от

режимов обработки и составов реагентов. Результаты экспериментов показывают, что при определенной'мощности разряда качество поверхности оказывается оптимальным при давлении газа SF6 около 0.29 Па. Это давление точно соответствует оптимальному давлению для скорости травления.

При мощности ВЧ-разряда 300... 350 Вт. то есть удельной мощности Wyi »1.0-1,5 Вт/см2, качество поверхности оказывается более хорошим. Это объясняется тем. что при таком давлении процесс- травления в результате химической реакции и процесс удаления поверхностных частиц в результате ионной бомбардировки сбалансированы.

•При Р-0.29Па, W -1Вт/смг. скорость травления монокристал-уд»

лов SIC составляет 0,15мкм/мин. •

Установлено, что добавка Ar з SFe уменьшает скорость травления и не улучшает качество поверхности.

При.добавлении кислорода в SF6 • скорость травления SIC увеличивается.' Добавка 20 объемных % 0? в SF6 на 20% увеличивает скорость травления. SIC'. Добавка не улучшает качество поверхности после обработки.' Кислород сильно повышает скорость травления фоторезистов, поэтому npii микропрофилирояании SIC с помощью фоторезистизных масок добавка 0g не рекомендуется.

Добавка водорода уменьшает скорость травления SIC. Было показано, что наличие 7 объемных % Н„ в СЛ\ значительно улуч-

« * о

шает-качество поверхности после тразления, в то время как такая добавка только на 6-855 уменьшает скорость травлены SIC. Добавка Нг мало влияет на скорость травления фоторезистов.

Эксперименты по травлению фоторезистов в . установке ВЧ-магнетронного реактивного ионно-плазменного травления на основе равномерного планирования и обработка экспериментальных

данных позволили получить следующие уравнения регрессии скорости травления фоторезистов ФП-383 и ФП-201 от'режимов обработки:

Ут«п-эез + 0.4.27W- + 0,23W2 — 0.471Р + 1.571P.W,

Vt #nlg0,'- 0.1 - 0.476W + 2.416W* + 0.428Р - 0.638P%

Где Vt - скорость травления, мкм/мин.; W - мощность разряда. кВт; • ' р - давление в камере. Па.

При W-300 Вт. Р-0,3 Па. когда VT#n_3e3 - 0,26мкм/мин. и Vt - 0.242 мкм/мин., скорость травления монокристаллоб SIC . Vt ... -0.153 мы/мин. Поэтому возможно использование данных

5 1 С

стандартных резистов для микропрофилирования SIC. _ 1 . ■Оптимальный режим травления SIC:.•

Общее давление в камере Р«0,ЗПа. удельная мощность разря-' да W„. -1... 1.5BT/CM*. состав газа: SF. + 1% (объем.) Нв.

УД. В 2

Для иоследования механизма сухого травления SIC.осуществлялась запись масо-спеИтров плазмы до травления и во время . прохождения .процесса травления. По данным . масс-спектров 'при

травлении SIC в плазме зарегистрированно возникновение следую. * » •

щих частиц и атомов:

' С. CF. CFt. CF3. S1F, SlFe. S13F, S1F4 > CS. H..S, CO, С0г, S.

На основе представленных данных можно предположить протекание следующих.возмо&ных химических -реакций:

- 15 -

S1 + XF — [S1F, S1FZ, S1F3, S1F4].

э'

С + XF — [CF, CFZ, CFV CFJ.

г

SF+Sl — S1F+S.

SF+C — CF+S.

SFZ+S1 — SIFj+S,

SFjj+C — CFe+S.-

SF3+S1 — SlFa ♦•?>,

sf4+c ~ cf4+s,

S'V'Si — SIF4+S.

Предполагаемый нами механизм процесса реактивного ион-ю-плазменного травления SIC заключается в одновременном дейс-'вии физического разупорядочения поверхности кристаллов в ре-¡ультате ионной бомбардировки и химической реакции между ато-'.ами разупорядочешшх поверхностных слоев и химически активных 1эстии 'плазмы. Ионная бомбардировка разрушает или ослабляет сямические ъвязи между атомами поверхностных слоев. Это обес-1ечиваег успешное прохождения химических реакций и увеличение жорости травления. Одновременно химические реакции разрушают звязи ме:.(ду атомами, что увеличивав г возможности физического зяспнления.

ЧЕТВЕРТАЯ ГЛАВА посвящена практическим примерам применена разработанной аппаратуры метода сухого ",'равления при изготовлении реальных полупроводниковых птабороз; SIC внсокотемпе-эатурнь'х тен^орезистивмх датчиков • и полевых транзистороь о йарьером Шоттки.

Основной частью ьы.зокотимпературчогс датчика давления яз-

ляется высокотемпературны!! интегральный тензочувствительный элемент. Точность и качество создания мембраны на SIC сильно влияют на параметры датчика. При травлении мембраны важно вовремя остановить процесс обработки 'до момента полного снятия пленки SIC, что удалось осуществить с помощью разработанной аппаратуры лазерной интерферометрии.

При изготовлении полевого •транзистора с барьером Шоттки на основе S.1C-A1H-AI£03, использовался метод сухого травления SIC для создания изолированных островков и прецизионного травления канала. При создании каналов полевых транзисторов на SiC с использованием текущего лазерного интерферометричеокого контроля, осуществлялась остановка процесса травления SIC с созданием намела толщиной порядка 0. 05 мкм. Разрешающая способность формируемых в SIC топологических структур при мик.ро-арофилированлк разработанным методом'сухого травления определялась в первую очередь разрешающей способностью фоторезистов и находилась на уровне 3-5 мкм.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ

1. На. основе проведенного анализа различных м.ето'дов • микропрофилирования SIC установлено, что наиболее приемлемым методом в отношении скорости травления, качества поверхности после обработки, простоты маскирования образца. .реал/.заЦии тп-

' куцего контроля глубины и скорости травления., а таклз безопасности процесса является реактивное ионпс-плазменное травление.

2. Введение сканирующего магнитного поля <В-<'. 05-0,1Т.,ч) в установку реактивного ионнс-плазменного травления позволило реализовать проаесо микропрофилирования ыонокриогаллов и сэпи-

гакоиалышх пленок Sic во ФторсодержащеЛ плазме SF6 с приемлемой скоростью (0.1-0, Змкм/мин.) и высокой равномерностью травления по площади(150x150мм) при минимизации общих энергетических затрат(№уд. » 0, 5-1. Г>ВТ/омг ).

3. Исследование зависимостей скоростей травления SIC от режимов обработки (давление, состаь газа, мощность разряда), проиеденное на основе метода равномерного планирования и исследование качества поверхности (степень аморфизации, наличие загрязнений, 'Гладкость) методами электронографии и Оже-яле-ктроннои сп"ктр ^"огнш '.""оказывают. что могут бить одновременно совмещены оптимальные условия как гю скорости травления так и по качеству поверхности после травления. При использовании в качества плазмообразуемого газа SFe оптимальное давление составляет п.зПа при. удельной мощности ВЧ-разряда 1,0-1,5Вт/омр. что соотьетствуэт скорости травления Sic 0,15-0, йомкм/мин Добавка в ;;F около 7 объемных процентов водорода значительно улучшает чистоту поверхности SIC и мало влияет на скорость травления.

1. Приведенный маос - спектрометрический анализ химически активных частиц и продуктов реакшш. а тадже оценка энергии "ионов, бомбардируюаих подложку, позволили сформулировать механизм трамения SIC, заключавшийся г. одновременном воздействии Физического разуиорядичения поверхности в результате ионной бомбардировки и химических реакций между атомами разупорядо-чешим Л'-'Рерхш стнкх слоев с химически активными частицами плазмы. При- оптимальном давлении эти процессы сбгишсироьанн. что обеспечивает высокое качество поверхности и максимальную скорость травления для заданной, мощности.

'J. Проведении" и:и:едовачия плаамосгойкости традиционных

фоторезистов, используемых в микроэлектронике для создания маскирующих покрытий (ФП-383. ФП-201. ФП-51) показывают, что их скорости травления в плазме SF{ сравнимы со скоростью травления SIC (Vt„ ,. / Vt _ .,„, « 0,75). Это позволило кспользо-

ш I С VII" J83

вать данные Фоторезисты при изготовлении реальных микроструктур приборов.

6. Разработанные режимы ВЧ-магнетронной ионно-плазменной обработки и созданное на основе лазерного интерферометра устройство текущего контроля глубины и скорости травления позволили практически реализовать процесс прецизионного микропрофилирования SIC на заданную глубину (с точностью до 0. ОЗмкм) при изготовлении матрицы полевых транзисторов и тензорегистивных датчиков давления.

• Основные р{)яультаты 'диссертации изложены в следующих работах:

1. Лучинин В.В., Сазанов А.П.. Чжан Хай-ин. Корпускуляр-но-хийическое травление тугоплаЕких полупроводниковых материалов. Известия ЛЭТИ. Вып. 433. .Ленинград, 1991. с 56-60.

2, Лучинин В.В., Сазанов А.П.. фиш Хай-ин. ВЧ-магнетрон-ное травление 'монокристаллов и эпитаксиальных пленок-карбида кремния. Известия ЭТИ. Вып. 443. Санкт-Петербург, '1992.

с 37-40. .