автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Получение и свойства омических контрактов микронных размеров к полупроволдникам А3В5 (GaAs, InP)

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ

На правах рукописи УДК 631.315.592

/X

ЛСПАТИН Вадаш Владимирович

ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ МИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ К ПОЛУПРОВОДНИКАМ А3В5 (СаАэ, 1пР)

C5.27.0I - твердотельная электроника и микроэлектроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени

кандидата физико-математических наук

Москва - 1994

Работа выполнена в. Ордена Трудового Красного Знамени Институте радиотехники и электроники РАН

Научные руководители - доктор физико-математических наук,

профессор ЛЕВЧЕНКО В.Е. - кандидат физико-математических наук БРЯНЦЕВА Т.А.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

профессор РОМАНОВ Ю.А. - доктор технических наук КОТЕЛННСКИИ И.М. Ведущая организация - НПО "ИСТОК"

Защита диссертации состоится " 21 " сигре/я 1994г. в /3 час. 00 мин, на заседании Специализированного совета К 002.74.01 при Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 141120 Московская область, г.Фрязино, площадь академика Введенского, д.1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ИРЭ РАН. Автореферат разослан " /? / " Ма/>73. 1994г.

Ученый секретарь Специализированного совета к.ф.-м.н.

И.Й.Чусов

Общая характеристика работы

Актуальность теш

Омические контакта являются неотъемлемой частью элупроводниковых приборов и от их качества зависят функциональные зрэмртры приборов и устройств. Прогресс в этой области связан как появлением новых полупроводниковых материалов группы А3В^ ( 1пР, 1 Са. Аз , ш 0а( Ае Р, ), тая */ с уменьшением размеров

х : -Л у х 1 -х у 1 -у * ^ г г

тементов приборов. Такая тенденция в свою очередь обуславливает >льшой интерес к исследованию омических контактов, ограниченных ) площади, в том числе контактов микронных размеров (площадь -Г6- 10~7снР).

До настоящего времени исследования особенностей получения

.3^5

«тактов микронных размеров к полупроводникам А В касались в новном их электрофизических параметров. При создании ке ккоплекочнкх контактов большую роль играет конечность размеров ешш металла, поскольку процессы взаимодействия ее с подложкой, обенно в процессе термического отжига, на границах контактной ощадки идут не так, как в ее середине, что отмечалось в ряде бот, где в качестве полупроводника использовался Б1. При эньшеяии размеров контактов эти эффекты могут стать обделяющими.

зль настоящей работы состояла в том, чтобы на основе изучения эдессов происходящих при формире?ппга скктестгал контактов срониых размеров получит> представление о механизме

Г! гг

гамодеЯствия пленки металла с полупрово дникаж А^В , об )бенностях процессов диффузии и коалесцеыции в слокной системе, ночающей металл, полупроводник и защитный слой ( Б Юг ) при

термическом отжиге и разработать методики получения омических контактов микронных размеров с низким удельным сопротивлением, в частности, для маломощных диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн. При этом рассматривались следующие основные вопросы:

особенности процессов взаимной диффузии в сложной тонкопленочной системе, включающей пленки Аи, СаАэЦпР) и БЮг;

- особенности процессов коалесцентного распада тонких пленок золота и его сплавов на окиси кремния, а также в сложной системе, включающей пленки СаАз(1пР) и защитного окисла БЮг;

о с

- возможность создания к полупроводникам А В контактов с низким удельным сопротивлением различной площади и формы, в том числе контактов микронных размеров.

Научная новизна проведенных исследований заключается в следующем.

- Впервые обнаружено, что процесс формирования тонкопленочныг омических контактов микронных размеров Аи-ОаАБ и Аи-1пР в окнах, вскрытых в слое диэлектрика (810г); сопровождается миграцие® элементов Ш группы ( Са и 1п ) в прилегающие к области контакте участки пленки золота расположенные на БЮг. Произведена оценкг коэффициента диффузии ва и 1п в области температур формированш омических контактов Аи-СаАз и Аи-1пР. Обнаружено, что ухо; элементов Ш группы ( Са и 1п ) из контактных окон приводит I значительным растравам полупроводника в области окон, I существенному изменению морфологии и фазового состава поверхност! контакта, к увеличению удельного сопротивления контактов, чтс создает дополнительные трудности при изготовлении омически; контактов микронных размеров.

- Исследованы особенности коалесцентного распада тонких плено] Аи-йе при формировании контактов ограниченных размеров. Показано

что при этом происходит частичный перенос материала пленки с поверхности окиси кремния на вскрытые участки поверхности полупроводника и коалесценция металлической пленки на окиси кремния вплоть до полного распада на изолированные островки.

- Исследовано влияние состава пленок на морфологические и электрофизические свойства контактов к п-1пР. Показано, что добавление в пленку золота небольших количеств германия, индия и фосфора позволяет получать однородные омические контакты к п-1пР с лалым удельным сопротивлением.

Практическая ценность проведенных исследований заключается в ;ле дующем:

- разработана методика изготовления омических контактов к

1-йР;

- предложен способ и разработана методика изготовления

[золированных омических контактов заданной формы и малых размеров —Р, —7 ?

даощадью 10 -10 см ) к п-1пР, п-СаАэ и твердым растворам на их >снове типа 1п йа, Аз и 1п ва. Аа Р, ;

X 1-х У X 1-х у 1-у

- изготовлены и исследованы пленарные структуры типа диодов 'анна из 1пР;

- изготовлены образцы маломощных диодов Ганна из 1пР, п ва, Аэ , 1п йа. Аз Р. , ОаАз, устойчиво работающие в

X 1 -х у XI -X у I -у г

ачестве активных элементов генераторов. Основные научные положения, выносимке па гвалту:

1. При формировании омических контактов Аи-ОаАз и Аи-1пР в киах, ¡«скрытых в слое окиси кремния на поверхности олупроводников, в процессе термического отгагя происходит быстрая играция элементов Ш группы ба и 1п из контактных окон в асположенные на окиси кремния участки пленки золота с участием

6 I

границ зерен Аи. В случае контактов микронных размеров (диаметро) 8-25 мкм, ) уход йа и 1п из контактных окон вызывает значительны! растравы поверхности полупроводника в области контакта ] существенно изменяет морфологию и фазовый состав поверхност! контакта. Уход йа и 1п приводит к увеличению удельноп сопротивления контактов микронных размеров и обуславливав1 трудность изготовления таких контактов с низким удельны! сопротивлением.

2.' В основе процесса формирования омических контакто: микронных размеров в окнах, вскрытых в слое окиси кремния н

о с

поверхности полупроводников А В , при термическом отжиге тонки: пленок Аи-йе лезсит процесс коалесцентного распада. При это) происходит частичный перенос материала пленки металла поверхности окиси кремния в окна полупроводника и коалесценци металлической пленки на окиси кремния вплоть до полного распада н изолированные островки. Эти процессы обусловлены различие: коэффициентов термического расширения золота, окиси кремния полупроводника.

3. При создании контактов Аи-1пР добавление в пленку золот германия, индия и фосфора позволяет получать однородные омически контакты к п-1пР с низким удельным сопротивлением мене Ю^Ом.см2, в том числе контакты микронных размеров с площадь Ю^-Ю^см2. Введение фосфора в пленку золота достигается пр этом путем добавления фосфида индия в испаряемую навеску.

Апробация работы

Результаты работы докладывались на Всесоюзных конференциях "Всесоюзное совещание по фосфиду индия в полупроводниково ьлоктронике" (Кишинев, 1985), "Физические и физико-химически

основы микроэлектроники" (Вильнюс, 1987), "Физика и применение контакта металл-полупрсводник" (Киев, 1987), "Интегральная электроника СВЧ" (Красноярск, 1988), "Физические основы твердотельной электроники" (Ленинград, 1989), на конферзкц^<; молодых учешх и специалистов ИРЭ АН СССР (1987), на меадународтгг конференциях "Sell- formation physics, technology and application" (Vilnius. i&92), "Physics of lcmr-dteenaioTial structures" (Chernogolovka, 1993), на научных семинарах лаборатории юлупроводниковой электроники СВЧ ИРЭ РАН.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, список соторых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Ее объем состевляет 149 страницы, жлючак Д5 рисунка, $ таблиц и список литературы из /Л" наи-геноЕаний.

Содержание работы.

Во введении обоснованы актуальность темы диссертации, формулирована ее цель и кратко изложено содержание по главам.

В первой главе диссертации дан обзор экспериментальных и еоретических работ, посвященных исследованию процессов заимодействия в системе металл-полупроводник при формировании иических контактов и свойств этих контактов. Анализ литературных авннх показал целесообразность проведения исследование собеннсстей процессов получения и свойств омических контактов и-СаА.<з(Аи-1пР) микронных размеров (площадью 10 -J0 'см").

Во второй главе приведено описание методики изготовления 5разцов и исследования контактов. Образцы представляли собой либо

ч с ч 7

эпитаксиальные слои с концентрацией электронов п~10-10 см , выращенные на сильнолегированных или полуизолирувдих подложках (GaAs, InP) методами газотранспортной или жидкостной эпитаксии, либо пластины, вырезанные из слитка монокристаллического арсенида галлия или фосфида индия n-типа с концентрацией электронов п Ю^-Ю^см-3. Контакты изготавливались либо в виде полосок (1x4 мм) при осаздении металла через маску, либо в виде дисков диаметром 8-25 мкм с расстоянием мевду центрами окон 15-45 мкм (сотовая структура) или колец шириной 5-25 мкм, диаметром 500 мкм при осаждении через окна, вскрытые с помощью фотолитографии в пленке окиси кремния (S102), предварительно нанесенной на поверхность полупроводника пиролитическим методом. Напыление и термический отжиг пленок металлов и металлических сплавов на полупроводниковые структуры производились в вакууме 10~4Па. Перед напылением металла поверхность полупроводника очищалась в сернокислотном травителе. В настоящей работе использовались в качестве испаряемых навесок: золото (Au), германий (Ge), индий (In), галлий (Ga), фосфид индия (InP) и арсенвд галлия (GaAs). Для исследования процессов формирования омических контактов был использован в основном температурный интервал от 300 С до 600С Изменения, происходящие в системе контактная пленка-полупроводник при отжиге, процессы коалесценции тонких пленок металлов на поверхности S102, GaAs, InP хорошо обнаруживались на уровне оптической микроскопии и электронной растровой микроскопии.

Для исследования пространственного распределения элементо! (Ga, In) в области контактов применялись специально разработанные химико-аналитические методики с использованием фотометрического i эмиссионного спектрального методов анализа.

Качество создаваемых контактов оценивалось по степени

однородности поверхности контактов, по величине удельного контактного сопротивления. Исследовались также вольт-амперные ¡сарактеристики образцов для контроля контактов в сильных полях.

Третья глава посвящена исследованию физико-химических троцессов в системе Аи-ОаАэ (1пР) - защитный окисел (ЗЮг) при формировании омическях контактов микронных. размеров (диаметром 825 мкм). Рассмотрены вопросы перераспределения ва и 1п в пленке золота, особенности процессов формирования омических контактов и >собенности их электрических свойств, связанные с миграцией Са и [п в пленку золота.

В области температур изготовления омических контактов 450->75С с помощью згамако-аналитичестсях методик с использованием ютометрического и спектрального опалина обнаружен и исследован »ффект миграции элементов Ш группы (галлия и индия) из контактных «он в пленку золота на Е10г. Химико-апплитпческие методики юзволили определить с большой точностью общее количество галлия и щдия. Это в свою очередь, в сочетании с данными полученными : помощью методов растровой электронной микроскопии позволило ;аклмчить, что миграция Са и 1п осуществляется посредством Лффузии по границам зерен пленки золота. Были оценены :оэффициенты диффузии Са и 1п и энергии активации процесса, ыстрая межзеренная диффузия галлия сопровождается процессом ■астворения золота в жидком галлии. Процесс массопереноса галлия индия из окон сопровождается возникновением больших механических апряжений в системе 1**3-23 различия коэффициентов термического асширения пленок Аи, СаАз(1пР) и БЮг, которые играют важную оль в реализации зернограничного механизма диффузии.

Уход ва и 1п из контакта вызывает значительные растрави поверхности полупроводника и оказывает существенное влияние не морфологию, фазовый состав поверхности контакта и электрические параметры контакта металл-полупроводник.

Экспериментально исследована зависимость удельного сопротивления контактов от их диаметра и температуры отжига. Обнаружено, что при наличии пленки золота на Б Юг вследствие ухода Са(1п) из области контакта значительно (более чем на порядок) увеличивается удельное сопротивление контактов. Это приводит к трудности изготовления низкоомных контактов микронных размеров.

Анализ возможности достижения низкого удельного сопротивления контактов микронных размеров Аи-ЛаАз и Аи-1пР, особенно в случае малого расстояния между окнами (структура типа "сотовой"), показал необходимость применения "самоизоляции" окон во время проведения термического отжига, используя процессы коалесцентного распада тонких металлических пленок на изолированные островки при нагреве.

В четвертой главе рассмотрены некоторые особенности поведения тонких пленок Аи-йе на поверхности БЮг при термическом отжиге, в также при формировании омических контактов с ограниченными размерами. Приводятся результаты исследования коалесцентного распада тонких пленок Аи-ве при формировании контактов в виде дисков и колец, рассмотрено влияние технологических факторов на процесс коалесценции, приведено объяснение наблюдаемых явлений. Методы исследования: оптическая микроскопия, электронная растровая микроскопия и электрические измерения. Использование бе в качестве добавки к золоту связано с тем, что он, во-первых, позволил понизить температуру распада пленки золота на изолированные островки с 850-900 С (без ве, до 300-420 С (с Се), а, во-вторых,

:вляется легирующей примесью при создании омических контактов к аАэ и 1пР. Вывода, сделанные в данной главе, сводятся к ледущему:

1. В основе процесса формирования омических контактов икронных размеров (площадью 1СГ6--1СГ7см2) в окнах, вскрытых в лое окиси кремния на поверхности полупроводников А3В5 (йаАз и пР) при термическом отжиге тонких пленок Аи-ве лекит процесс оалесцентного распада. При этом происходит частичный перенос атериала пленки металла с поверхности Б10г в окна полупроводника

коалесценция металлической пленки на Б Юг вплоть до полного аспада на изолированные островки. Эти эффекты обусловлены азличием коэффициентов термического расширения золота, окиси ремния и полупроводника.

2. Состав пленок металлов, их толщина, соотношение мевду элщиной пленки металла и толщиной окисного слоя существенно шлют ка процессы коалесценции и массопереноса, в частности, риводят к изменен!® температуры начала распада пленки металла на золированше островки. При этом показано, что для получения /отческих контактов микронных размеров Аи+Се-СаАвЦпР) необходимо зпользовать пленки металла с содержанием германия вблизи 5 вес? толщиной до 0,2 мкм.

3. Показана возможность получения изолированных контактов ¡данной формы и малых размеров, в том числе омических контактов к ■1пР и п-СаАз с площадью 10~6-10~'г'см2 и низким удельным

_к р

)противлением у)л-1,5.10 Ом.см в случае эпитаксиальных пленок •1йР с концентрацией электронов в п-слое п-1016см_3 и ~ 1,4. Г60м.см^ в случае эпитаксиальных пленок п-СаАа с концентрацией юктронов в п-слое п~1016см_3.

В пятой главе приведены результаты, работы по оптимизаци

методик изготовления контактов к полупроводникам А3В5 ;

исследованию их электрических характеристик: удельног*

сопротивления, вольт-амперных характеристик, в том числе в сильны

электрических полях. Показана возможность создания

использованием разработанных методик диодов Ганна на основе 1пР

ваАз, а также твердых растворов на их основе типа 1пхСа.,_хАзу

1п Оа, Аз Р . зс 1-х у 1 -у

Рассмотрены пути улучшения свойств контактов. Показано, что случае контактов Аи-1пР добавление в пленку золота германия, инди и фосфора позволяет получать более однородные омические контакты п-ШР с более низким удельным сопротивлением, в том числе контакт микронных размеров с площадью КГ^-КГ^см2. Введение фосфора пленку золота достигается при этом путем добавления фосфида инди в испаряемую навеску. При разработке этой методики кроме подбор оптимальной температуры отжига оптимизировались процесс коалесцентного распада. Для этого были проведены исследовани связанные с коалесцентным распадом многокомпонентных плено металлов (Аи, Аи+1п, Аи+1п+1пР, Аи+Се, Аи+Се+1п, Аи+Се+1п+1пР Аи+1пР и др.) на поверхности реальных полупроводниковых структур Аналогичные методики были разработаны для других полупроводнике А3В5: 1п0аАа, 1пСаАзР, п-СаАз. В таблице 1 представлены сводны данные по оптимальным режимам изготовления и электрически характеристикам контактов.

Приводится описание процесса изготовления диодных структур как типа "сэндвич", так и планарных. На полученных диодны структурах изучались ВАХ, возможность возникновения в ни колебаний тока (эффект Ганна), роль сопротивления контактов.

> 1 £ И V л I 1 ё1 | в? о Й В »

> 1 > >> 1 1 Л Л £ ч а а и ш

$ £ О» ? 1 П о Й К £С и в и>

£ 1 а Температура отжига, С

-к Время отжигу мин.

1 1 1 1 1 Атмосфера

* ч * ■ч, Концентрация электронов в пояупроводннка,

Удельное

К> Ко *< «Л оопротвадеиаа. Ом. см*

я

а

о §

» К

в

В1

результате проведенных исследований удалось создать как пленарные образцы из йаАэ и 1йР для исследования явлений в сильны; электрических полях, так и маломощные диода Ганна типа "сэндвич" с толщиной активного слоя 0,6-6 мкм на полупроводниках 1пР, СаАэ, 1пхСа1 _хАзу и 1пкСа1 _3АзуР1 у, которые устойчиво работали в режиме генерации в диапазоне частот от 30 до 130 ГГц.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные 1 диссертационной работе. Они сводятся к следующему.

1. О помощью химико-аналитических методик с использование! фотометрического и эмиссионного спектрального методов анализа оптической и растровой электронной микроскопии, а также измерен® электрических параметров образцов проведено исследование процесс формирования омических контактов микронных размеров (площадью Ю-' -Ю^см2) к СаАэ и 1пР.

2. Исследовано перераспределение элементов Ш группы Са и 1п тонкопленочных системах Аи-СаАз и Аи-1пР при формировали омических контактов микронных размеров. В области температу формирования омических контактов микронных размеров 450-575 обнаружен и исследован эффект быстрой миграции йа и 1п прилегающие к области контакта участки пленки золота на БЮг Показано, что миграция ва и 1п осуществляется посредством диффузи по границам зерен Аи с коэффициентом диффузии 10~7-10~8смг/с энергией активации—7.Зккал/моль для Са и -И.Зккал/моль для 1г Зернограничная диффузия ва сопровождается процессом растворения 4 в жидком Са.

3. Показано, что уход Са и 1п из контакта вызывае значительные растравы поверхности полупроводника и оказывае существенное влияние на морфологию и фазовый состав поверхнос)

Í.0

онтакта микронного размера.

4. Экспериментально показано, что диффузия Ga и In с границы азделэ в пленку Au на 510г приводит к заметному увеличению (более о» на порядок ^ удельного сопротивления контактов микронных

ЗогЛОрОЬ .

•S Исследованы особенности коалесцентного распада тонких

neri'jk к ¡«jjtiktiiiü." О,CE—0,1 мкм) Au-tîe ( Ge до 5S¡ esc) пртт армировании контактов ограниченных размеров. Показано, что в тсервале температур 300-420 С происходит частичный перенос зтериала пленки с поверхности S1Û2 на вскрытые участки эверхноста полупроводника и коалесценция металлической пленки на [л? «плоть до полного распада на изолированные островки.

мП." г.к-зи новый способ и разработана методика изготовления i;F'-'ocK;r: контактов к n-InP путем напыления и термического о.т;глга '-.-дитю:.'. ьзкуумпим цикле топках пленок золота с добавление.-. :рманл;н, индия и фосфида индая. С помощью ятого метода получено: даиескио контакты o удельным сопротивлением ira уровне лучша гесрзгурнш: донтшх.

". И^гло^ч новый способ и разработаны методики изготовления !;р ::,.'0;:'-> оьопапо'л гоьтак-оь оадапноК и uajoix. рп'^-вроь

[лощадью Ю^-Ю^см2) к n-InP, n-GaAs и твердым растворам на их ;нове Tima InGaAs и InGaAsP.

;'a¡ ан.2 клням'о oot тана пленок но морфелогкчеи •рктрпфиаические свойства контакте!- шкрианых размер"*. к n-îra'. В у коптонл»р к n-InP кз:: малой, так и Оильмй плоолдп казано, что добавление в пленку золота небольших количеств Ge, . и Р позволяет получать однородные омические контакты с низким ельным сопротивлением. Введение фосфора в пленку золота

достигается путем добавления InP в испаряемую навеску.

Э. Изготовлены и исследованы образцы пленарных структур тиг диодов Ганна из InP. Изготовлены образцы маломощных диодов Гаю из InP, InGaAs, InGaAsP, GaAs устойчиво работающие в генератор? миллиметрового диапазона длин вот.

Основные результаты диссертации опубликованы в следуют работах:

1. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Способ изготовлен! омических контактов к полупроводниковым приборам на ochoi фосфида индия // Авт.свид. N 1297662 от 15 ноября 1986г.

2. Борисов В.И., Дворянкин В.Ф., Коробкин В.А., Кудряшов А.В. Лопатин В.В., Любченко В.Е., Телегин А.А. Свойст! эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием, сильных электрических полях // ФТП - 1986. том 20. вып.! с.910-913.

3. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Омические контак1 на основе золота к фосфиду индия // Препринт ИРЗ АН ССС] 1986, N1(440).

4. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Особенное процессов формирования невыпрямляющих контактов ограничены

Q К

размеров к полупроводникам А В (GaAs, InP) // Труды Перв< Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические осно; микроэлектроники" Москва, 1987. с.301-302.

5. Брянцева Т.А., Лебедева З.М., Лопатин В.В., Любченко В.: Диффузия элементов Ш группы в пленку золота на S102 ir формировании контактов Au-GaAs и Au-InP в виде сотовых струк

Е7

// Тезисы доклада Всесоюзной конференции "Физика и

применение контакта метал.п-г:о-яунровод!ШК". Киев, 1987. с.38.

Брянцева Т.А., Лопатин В.В, Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам на основе фосфида индия // Авт.свид. N 1402196 от 8 февраля iS°,Sr. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Лвбченко R.E. Особенности ксалесцетзк тонки* пленок Au-Gg при формировании контактов ограниченных размеров // ФТТ- 1988. том 30. ш.З. C.S45- С40.

Лопатин В.В., Рогашков А.С., Михалева Л.Ф., Телегин А.А., Дворянкин В.Ф. Сотовые структуры на основе слоев In^a, для СВЧ электроники // 1 Всесоюзная конференция "Физические основы твердотельной электроники" Ленинград, 1989. с.141-142. Двопяпсш З.Ф., Кяср JT.".. .Ялттятан В. Ь , TV-.гашксв А.С., Телегин А.С. Диоды " кно

генор¡jivC'I}. ■ ¡'. hmi. v. ,и:л;г.*с-?р.

диагта.":нов. Харьк-'ь, IW3. с. '¿2-е-;.

СрЯ1;ц^Б:; Т.А., З.М., Лопапш Е.?., ^ооч.; > и, У .2.

'.''iip-i^jiivffiii ;трпм'= с, il ь .-о.гютих , ;:-!Н-з:\ иа

полупроводниковые структуры 'Х'ИПа А''В'"' /.- -"•■-! ляборатс-рзя 1991. •:.,'•:! -22,

Bryantseva Т.А., Lebcdeva „.М., icpatJr. V.V., iyaDch-.-ako Peculiarities of self-formation of thln-fllm layers in Au-

A3B5

strantixrcs used in manufacture of micron-dimensioned ohrnlc

contacts. // Fifth national confcivnce international

participation "Self-format Ion physic?, ten.hnoloqy and application", Vilnius, !992. p.18-19.

Bryantseva T.A., Lebedeva Z.M., Lopatln V.V., Lyubchenko V.Ye. Physical and chemical Interactions in small-dimensioned

III-V semiconductor structures during diode manuiacturirt process // 1 st International conference "Physics o Low-Dimensional Structures". Chernogolovka, 1993. p.66.

Подписано з печать 10.03.1994 г.

Формат 60x84 I/16. Объем 0,93 усл.п.л. Тираж 100 экп. Ротапринт ИРЭ РАН. £ак.31.