автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Получение и свойства омических контактов микронных размеров к полупроводникам А3 В5 (GaAs, InP)

I' 1

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ

На правах рукописи УДК 621.315.592

ЛОПАТИН Вадим Владимирович

ПОЛУЧЕНИЕ И СВОЙСТВА ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ МИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ К ПОЛУПРОВОДНИКАМ А3В5 (СаАэ, 1пР)

05.27.01 - твердотельная электроника и микроэлектроника

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Москва - 1994

Работа выполнена в. Ордена Трудового Красного Знамени Институте радиотехники и электроники РАН

Научные руководители - доктор физико-математических наук,

профессор ЛЕВЧЕНКО В.Е. - кандидат Зизико-математича ских наук БРЯНЦЕВА Т.А.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

профессор РОМАНОВ Ю.А. - доктор технических наук КОТЕЛЯНСКШ И.М. Ведущая организация - НПО "ИСТОК"

Защита диссертации состоится я 2¿ " апреля 1994г. в /3 час. 00 мин, на заседании Специализированного совета К 002.74.01 при Институте радиотехники и электроники РАН по адресу: 141120 Московская область, г.Фрязино, площадь академика Введенского, д.1.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ХРЗ РАН. Автореферат разослан " 24 " _1994г.

Ученый секретарь Специализированного совет к.ф.-м.н.

И.И.Чусов

Общая характеристика работы Актуальность темы

Омические контакты являются неотъемлемой частью полупроводниковых приборов и от их качества зависят функциональные параметры приборов и устройств. Прогресс в этой области связан как

Г5 К

с появлением новых полупроводниковых материалов группы А В ( 1пР, 1п ва Аэ , 1п йа Аэ Р ), так и с уменьшением размеров

x 1 ~~ x у x 1 у 1 •■■у

элементов приборов. Такая тенденция в свою очередь обуславливает большой интерес к исследованию омических контактов, ограниченных по площади, в том числе контактов микронных размеров (площадь -10_6- Ю^см2).

До настоящего времени исследования особенностей получения

*з с:

контактов микронных размеров к полупроводникам А В касались в основном их электрофизических параметров. При создании ке тонкопленочных контактов большую роль играет конечность размеров пленки металла, поскольку процессы взаимодействия ее с подложкой, особенно в процессе термического отжига, на границах контактной площадки идут не так, как в ее середине, что отмечалось в ряде работ, где в качестве полупроводника использовался При

уменьшении размеров контактов эти эффекты могут стать определяющими.

Цель настоящей работы состояла в том, чтобы на основе изучения процессов происходящих при формировании омических контактов микронных размеров получить представление о механизме

о с:

взаимодействия пленки металла с полупроводниками А В , об особенностях процессов диффузии и коалесценции в сложной системе, включающей металл, полупроводник и защитный слой ( БЮг ) при

термическом отжиге и разработать методики получения омических контактов микронных размеров с низким удельным сопротивлением, в частности, для маломощных диодов Ганна миллиметрового диапазона длин волн. При этом рассматривались следующие основные вопросы:

особенности процессов взаимной диффузии в сложной тонкопленочной системе, включающей пленки Аи, СаАз(1пР) и БЮг;

- особенности процессов коалесцентного распада тонких пленок золота и его сплавов на окиси кремния, а также в сложной системе, включающей пленки СаАз(1пР) и защитного окисла БЮг;

"3 с

- возможность создания к полупроводникам А В контактов с низким удельным сопротивлением различной площади и формы, в том числе контактов микронных размеров.

Научная новизна проведенных исследований заключается в следующем.

- Впервые обнаружено, что процесс формирования тошсопленочных омических контактов микронных размеров Аи-СаАБ и Аи-1пР в окнах, вскрытых в слое диэлектрика (Б10г); сопровождается миграцией элементов Ш группы ( Са и 1п ) в прилегающие к области контакта участки пленки золота расположенные на БЮг. Произведена оценка коэффициента диффузии Са и 1п в области температур формирования омических контактов Аи-баАз и Аи-1пР. Обнаружено, что уход элементов Ш группы ( Са и 1п ) из контактных окон приводит к значительным растравам полупроводника в области окон, к .существенному изменению морфологии и фазового состава поверхности контакта, к увеличению удельного сопротивления контактов, что создает дополнительные трудности при изготовлении омических контактов микронных размеров.

- Исследованы особенности коалесцентного распада тонких пленок Аи-йе при формировании контактов ограниченных размеров. Показано,

что при этом происходит частичный перенос материала пленки с поверхности окиси кремния на вскрытые участки поверхности полупроводника и коалесценция металлической пленки на окиси кремния вплоть до полного распада на изолированные островки.

- Исследовано влияние состава пленок на морфологические и электрофизические свойства контактов к п-1пР. Показано, что добавление в пленку золота небольших количеств германия, индия и фосфора позволяет получать однородные омические контакты к п-1пР с малым удельным сопротивлением.

Практическая ценность проведенных исследований заключается в следующем:

- разработана методика изготовления омических контактов к п-1пР;

- предложен способ й разработана методика изготовления изолированных омических контактов заданной формы и малых размеров (площадью 10 -10 см' ) к п-1пР, п-йаАз и твердым растворам на ¡я

основе типа 1п ва, Аэ и 1п ва. Аэ Р. ;

X 1-х у X 1-х у 1-у

- изготовлены и исследованы планарные структуры типа диодов Ганна из 1пР;

- изготовлены образцы маломощных диодов Ганна из 1пР, 1п Са Аэ , 1п Са Аэ Р. , СаАэ, устойчиво работающие в

x 1 —x У xi ~"x у 1 ""у

качестве активных элементов генераторов.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. При формировании омических контактов Аи-СаАз и Аи-1пР в окнах, вскрытых в слое окиси кремния на поверхности полупроводников, в процессе термического отжига происходит быстрая миграция элементов Ш группы Са и 1п из контактных окон в расположенные на окиси кремния участки пленки золота с участием

границ зерен Аи. В случае контактов микронных размеров (диаметром 8-25 мкм ) уход йа и 1п из контактных окон вызывает значительные растравы поверхности полупроводника в области контакта и существенно изменяет морфологию и фазовый состав поверхности контакта. Уход Са и 1п приводит к увеличению удельного сопротивления контактов микронных размеров и обуславливает трудность изготовления таких контактов с низким удельным сопротивлением.

2. В основе процесса формирования омических контактов микронных размеров в окнах, вскрытых в слое окиси кремния на

о с

поверхности полупроводников А В , при термическом отжиге тонких пленок Аи-ве лежит процесс коалесцентного распада. При этом происходит частичный перенос материала пленки металла с поверхности окиси кремния в окна полупроводника и коалесценция металлической пленки на окиси кремния вплоть до полного распада на изолированные островки. Эти процессы обусловлены различием коэффициентов термического расширения золота, окиси кремния и полупроводника.

3. При создании контактов Ли-1пР добавление в пленку золота германия, индия и фосфора позволяет получать однородные омические контакты к п-1пР с низким удельным сопротивлением менее

10_40м.см2, в том числе контакта микронных размеров с площадью р •

10 -10 сиг. Введение фосфора в пленку золота достигается при этом путем добавления фосфида индия в испаряемую навеску. Апробация работы

Результаты работы докладывались на Всесоюзных конференциях: "Всесоюзное совещание по фосфиду индия в полупроводниковой электронике" (Кишинев, 1985), "Физические и физико-химические

основы микроэлектроники" (Вильнюс, 1987), "Физика и применение контакта металл-полупроводник" (Киев, 1987), "Интегральная электроника СВЧ" (Красноярск, 1988), "Физические основы твердотельной электроники" (Ленинград,' 1989), на конференции молодых ученых и специалистов ИРЭ АН СССР (1987), на мездународных конференциях "Self- formation physics, technology and application" (Vilnius, 1992), "Physics of low-dimensional structures" (Chernogolovka, 1993), на научных семинарах лаборатории полупроводниковой электроники СВЧ ИРЭ РАН.

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 печатных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Ее объем составляетстраницы, включая 33 рисунка, 3 таблиц и список литературы из /¿>0 наименований.

Содержание работы.

Во введении обоснованы актуальность темы диссертации, сформулирована ее цель и кратко изложено содержание по главам.

В первой главе диссертации дан обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных исследованию процессов взаимодействия в системе металл-полупроводник при формировании омических контактов и свойств этих контактов. Анализ литературных данных показал целесообразность проведения исследования особенностей процессов получения и свойств омических контактов Au-GaAs(Au-InP) микронных размеров (площадью Ю^-Ю^см2).

Во второй главе приведено описание методики изготовления образцов и исследования контактов. Образцы представляв: собой либо

1 17 -Ч

эштаксиальные слои с концентрацией электронов п-10 -10 см , выращенные на сильнолегированных или полуизолирующих подложках (СаАа, 1пР) методами газотранспортной или жидкостной эпитаксии, либо пластины, вырезанные из слитка монокристаллического арсенида галлия или фосфида индия п-типа с концентрацией электронов п Ю^-Ю^см-3. Контакты изготавливались либо в виде полосок (1x4 мм) при осаздении металла через маску, либо в виде дисков диаметром 8-25 мкм с расстоянием между центрами окон 15-45 мкм (сотовая структура) или колец шириной 5-25 мкм, диаметром 500 мкм при осавдении через окна, вскрытые с помощью фотолитографии в пленке окиси кремния (БЮг), предварительно нанесенной на поверхность полупроводника пиролитическим методом. Напыление и термический отжиг пленок металлов и металлических сплавов на полупроводниковые структуры производились в вакууме 10~4Па. Перед напылением металла поверхность полупроводника очищалась в сернокислотном травителе. В настоящей работе использовались в качестве испаряемых навесок: золото (Аи), германий (Се), индий (1п), галлий (Са), фосфид индия (1пР) и арсенид галлия (СаАэ). Для исследования процессов формирования омических контактов был использован в основном температурный интервал от 300 С до 600С Изменения, происходящие в системе контактная пленка-полупроводник при отжиге, процессы коалесценции тонких пленок металлов на поверхности Б Юг, СаАэ, 1пР хорошо обнаруживались на уровне оптической микроскопии и электронной растровой микроскопии.

Для исследования пространственного распределения элементов (Са, 1п) в области контактов применялись специально разработанные химико-аналитические методики с использованием фотометрического и эмиссионного спектрального методов анализа.

Качество создаваемых контактов оценивалось, по степени однородности поверхности контактов, по величине удельного контактного сопротивления. Исследовались также вольт-амперные характеристики образцов для контроля контактов в сильных полях.

Третья глава посвящена исследованию физико-химических процессов в системе Аи-СаАз(1пР) - защитный окисел (БЮг) при формировании омических контактов микронных размеров (диаметром 825 мкм). Рассмотрены вопросы перераспределения Са и 1п в пленке золота, особенности процессов формирования омических контактов и особенности их электрических свойств, связанные с миграцией Са и 1п в пленку золота.

В области температур изготовления омических контактов 450-575С с помощью химико-аналитических методик с использованием фотометрического и спектрального анализа обнаружен и исследован эффект миграции элементов Ш группы (галлия и индия) из контактных окон в пленку золота на БЮг. Химико-апалитические методики позволили определить с большой точностью общее количество галлия и индия. Это в свою очередь, в сочетании с данными полученными с помощью методов растровой электронной микроскопии позволило заключить, что миграция Са и 1п осуществляется посредством диффузии по границам зерен пленки золота. Были оценены коэффициенты диффузии Са и 1п и энергии активации процесса. Быстрая межзеренная диффузия галлия сопровождается процессом растворения золота в жидком галлии. Процесс массопереноса галлия и индия из окон сопровождается возникновением больших механических напряжений в системе из-за различия коэффициентов термического расширения пленок Аи, СаАз(1пР) и Б Юг, которые играют важную роль в реализации зернограничного механизма диффузии.

Уход йа и 1п из контакта вызывает значительше растравы поверхности полупроводника и оказывает существенное влияние на морфологию, фазовый состав поверхности контакта и электрические параметры контакта металл-полупроводник.

Экспериментально исследована зависимость удельного сопротивления контактов от их диаметра и температуры отжига. Обнаружено, что при наличии пленки золота на Б102 вследствие ухода Са(1п) из области контакта значительно (более чем на порядок) увеличивается удельное сопротивление контактов. Это приводит к трудности изготовления низкоомных контактов микронных размеров.

Анализ возможности достижения низкого удельного сопротивления контактов микронных размеров Аи-СаАз и Аи-1пР, особенно в случае малого расстояния между окнами (структура типа "сотовой"), показал необходимость применения "самоизоляции" окон во время проведения термического отжига, используя процессы коалесцентного распада тонких металлических пленок на изолированные островки при нагреве.

В четвертой главе рассмотрены некоторые особенности поведения тонких пленок Аи-йе на поверхности БЮг при термическом отвейте, а также при формировании омических контактов с ограниченными размерами. Приводятся результаты исследования коалесцентного распада тонких пленок Аи-Се при формировании контактов в виде дисков и колец, рассмотрено влияние технологических факторов на процесс коалесценции, приведено объяснение наблюдаемых явлений. Методы исследования: оптическая микроскопия, электронная растровая микроскопия и электрические измерения. Использование Се в качестве добавки к золоту связано с тем, что он, во-первых, позволил понизить температуру распада пленки золота на изолированные островки с 850-900 С (без Се) до 300-420 С (с Се), а, во-вторых,

является легирующей примесью при создании омических контактов к ОаАэ и 1пР. Выводы, сделанные в данной главе, сводятся к следующему:

1. В основе процесса формирования омических контактов микронных размеров (площадью 1СГб-1СГ7см2) в окнах, вскрытых в слое окиси кремния на поверхности полупроводников А3В5 (СаАз и 1пР) при термическом отжиге тонких пленок Аи-ве лежит процесс коалесцентного распада. При этом происходит частичный перенос материала пленки металла с поверхности БЮг в окна полупроводника и коалесценция металлической пленки на БЮг вплоть до полного распада на изолированные остроеки. Эти эффекты обусловлены различием коэффициентов термического расширения золота, окиси кремния и полупроводника.

2. Состав пленок металлов, их толщина, соотношение мевду толщиной пленки металла и толщиной окисного слоя существенно влияют на процессы коалесценции и массопереноса, в частности, приводят к изменению температуры начала распада пленки металла на изолированные островки. При этом показано, что для получения омических контактов микронных размеров Аи+0е-СаАз(1пР) необходимо использовать пленки металла с содержанием германия вблизи 5 вес% и толщиной до 0,2 мкм.

3. Показана возможность получения изолированных контактов заданной формы и малых размеров, в том числе омических контактов к п-1пР и п-йаАз с площадью Ю^-Ю^см2 и низким удельным сопротивлением 1,5.10~50м.см2 в случае эпитаксиальных пленок п-1пР с концентрацией электронов в п-слое п~1016см-3 и у^ ~1,4. Ю'^Ом.см2 в случае эпитаксиальных пленок п-СаАэ с концентрацией электронов в п-слое п~1016см~3.

В пятой главе приведены результаты, работы по оптимизации методик изготовления контактов к полупроводникам А^В5 и исследованию их электрических характеристик: удельного сопротивления, вольт-амперных характеристик, в том числе в сильных электрических полях. Показана возможность создания с использованием разработанных методик диодов Ганна на основе 1пР, ваАз, а также твердых растворов на их основе типа 1п^.Са Аз и

1п ва. Аз Р, .

X 1-х у 1-у

Рассмотрены пути улучшения свойств контактов. Показано, что в случае контактов Аи-1пР добавление в пленку золота германия, индия и фосфора позволяет получать более однородные омические контакты к п-1пР с более низким удельным сопротивлением, в том числе контакты микронных размеров с площадью 10_6-10~?см2. Введение фосфора в пленку золота достигается при этом путем добавления фосфида индия в испаряемую навеску. При разработке этой методики кроме подбора оптимальной температуры отжига оптимизировались процессы коалесцентного распада. Для этого были проведены исследования связанные с коалесцентным распадом многокомпонентных пленок металлов (Аи, Аи+1п, Аи+1п+1пР, Аи+Се, Аи+Се+1п, Аи+0е+1п+1пР, Аи+1пР и др.) на поверхности реальных полупроводниковых структур. Аналогичные методики были разработаны для других полупроводников

о с

А В : 1пСаАз, 1гЮаАзР, пЧЗаАз. В таблице 1 представлены сводные данные по оптимальным режимам изготовления и электрическим характеристикам контактов.

Приводится описание процесса изготовления диодных структур, как типа "сэндвич", так и пленарных. На полученных диодных структурах изучались ВАХ, возможность возникновения в них колебаний тока (эффект Ганна), роль сопротивления контактов. В

> И X л «й4* ч I > 1 Полупроводник

> 1 1 1 1 л > Р н 03 и

$ 1 1? & § Й 8 Й 1 ш к ю

£ £ 1 а Температура отжига, С

-ч -А. -ч. Время отжигу мин.

1 1 1 1 I Атмосфера

ч> * % •V Концевтрация электронов в полупроводнике,

!Ч Ц >43 •ч Ка * * <Л ч Удельное сопротивление, Ом. см-

результате проведенных исследований удалось создать как планарные образцы из СаАэ и 1пР для исследования явлений в сильных электрических полях, так и маломощные диоды Ганна типа "сэндвич" с толщиной активного слоя 0,6-6 мкм на полупроводниках 1пР, СаАэ, Тп^а^^АЗу и 1пхСа) _хАэу.Р1 у, которые устойчиво работали в режиме генерации в диапазоне частот от 30 до 130 ГГц.

В заключении сформулированы основные результаты, полученные в диссертационной работе. Они сводятся к следующему.

1. С помощью химико-аналитических методик с использованием фотометрического и эмиссионного спектрального методов анализа, оптической и растровой электрошок микроскопии, а также измерений электрических параметров образцов проведено исследование процесса формирования омических контактов микронных размеров (площадью 10_6 -Ю-7см2) к ваАз и 1пР.

2. Исследовано перераспределение элементов Ш группы Са и 1п в тонкопленочных системах Аи-СаАэ и Аи-1пР при формировании омических контактов микронных размеров. В области температур формирования омических контактов микронных размеров 450-575С обнаружен и исследован эффект быстрой миграции Са и 1п в прилегающие к области контакта участки пленки золота на БЮг. Показано, что миграция Са и 1п осуществляется посредством диффузии по границам зерен Аи с коэффициентом диффузии 10_7-10"8см2/с и энергией активации — 7.3ккал/моль для Са и -И.Зккал/моль для 1п. Зернограничная диффузия Са сопровождается процессом растворения Аи в жидком Са.

3. Показано, что уход Са и 1п из контакта вызывает значительные растравы поверхности полупроводника и оказывает существенное влияние на морфологию и фазовый состав поверхности

контакта микронного размера.

4. Экспериментально показано, что диффузия ва и 1п с границы раздела в пленку Аи на БЮг приводит к заметному увеличению (более чем на порядок ) удельного сопротивления контактов микронных размеров.

5. Исследованы особенности коалесцентного распада тонких пленок (толщиной 0,05—0,1 мюл) Аи-йе ( йе до 5% вес) при формировании контактов ограниченных размеров. Показано, что в интервале температур 300-420 С происходит частичный перенос материала пленки с поверхности Б Юг на вскрытые участки поверхности полупроводника и коалесценция металлической пленки на БЮг вплоть до полного распада на изолированные островки.

6. Предложен новый способ и разработана методика изготовления омических контактов к п-1пР путем напыления и термического отжига в едином вакуумном цикле тонких пленок золота с добавлением германия, индия и фосфида индия. С помощью этого метода получены омические контакты с удельным сопротивлением на уровне лучших литературных данных.

7. Предложен новый способ и разработаны методики изготовления изолированных омических контактов заданной формы и малых размеров

_г* _гу о

(площадью 10 -10 'см ) к п-1пР, п-СаАз и твердым растворам на их основе типа 1пСаАз и ГпСаАзР.

8. Исследовано влияние состава пленок на морфологические и электрофизические свойства контактов микронных размеров к п-1пР. В случае контактов к п-1пР как малой, так и большой площади показано, что добавление в-пленку золота небольших количеств ве, 1п и Р позволяет получать однородные омические контакты с низким удельным сопротивлением. Введение фосфора в пленку золота

достигается путем добавления IiiP в испаряемую навеску.

9. Изготовлены и исследованы образцы планарных структур типа диодов Ганна из InP. Изготовлены образцы маломощных диодов Ганна из InP, InGaAs, InGaAsP, GaAs устойчиво работающие в генераторах миллиметрового диапазона длин волн.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам на основе фосфида индия // Авт.свид. N 1297662 от 15 ноября 1986г.

2. Борисов В.И., Дворянкин В.Ф., Коробкин В.А., Кудряшов A.B., Лопатин В.В., Любченко В.Е., Телегин A.A. Свойства эпитаксиальных пленок фосфида индия, легированного эрбием, в сильных электрических шлях // ФТП - 1986. том 20. вып.5. с.910-913.

3. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Омические контакты на основе золота к фосфиду индия // Препринт ИРЭ АН СССР-1986, N1(440).

4. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Особенности процессов формирования невыпрямляющих контактов ограниченных

Q К

размеров к полупроводникам AB (GaAs, IriP) // Труды Первой Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основы микроэлектроники" Москва, 1987. с.301-302.

5. Брянцева Т.А., Лебедева З.М., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Диффузия элементов Ш группы в пленку золота на S102 при формировании контактов Au-GaAs и Au-InP в виде сотовых структур

// Тезисы доклада Всесоюзной конференции "Физика и применение контакта металл-полупроводник". Киев, 1987. с.38.

6. Брянцева Т.А., Лопатин В.В. Способ изготовления омических контактов к полупроводниковым приборам на основе фосфида индия // Авт.свид. N 1402196 от 8 февраля 1988г.

7. Брянцева Т.А., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Особенности коалесценции тонких пленок Au-Ge при формировании контактов ограниченных размеров // ФТТ- 1988. том 30. вып.З. с.645-648.

8. Лопатин В.В., Рогашков А.С., 1Иихалева Л.Ф., Телегин А.А., Дворянкин В.Ф. Сотовые структуры на основе слоев InxGa1_xAs Pv для СВЧ электроники // 1 Всесоюзная конференция "Физические основы твердотельной электроники" Ленинград, 1S89. с.141-142.

9. Дворянкин В.Ф., Каевицер Л.Р., Лопатин В.В., Рогашков А.С., Телегин А.С. Диоды Ганна из InGaAsP. // Твердотельные генераторы и преобразователи миллиметр, и субмиллиметр, диапазонов. - Харьков, 1989. с. 82-84.

10. Брянцева Т.А., Лебедева З.М., Лопатин В.В., Любченко В.Е. Определение примесей в золотых контактах, нанесенных на

о с

полупроводниковые структуры типа А В // Заводская лаборатория- 1991. т.57. N2. с.21-22.

11. Bryantseva T.A., Lebedeva Z.M., Lopatln V.V., Lyubchenko V.Ye. Peculiarities of self-formation of thin-film layers in Au-A°BJ structures used, in manufacture of micron-dimensioned ohmic contacts. // Fifth national conference with international participation "Self-formation physics, technoloqy and application", Vilnius, 1992. p.18-19.

12. Bryantseva T.A., Lebedeva Z.M., Lopatln V.V., Lyubchenko V.Ye. Physical and chemical Interactions in small-dimensioned

III-V semiconductor structures during diode manufacturing process // 1 st International conference "Physics of Low-Dlmenslonal Structures". Chernogolovka, 1993. p.66.

Подписано з печать 10.03.1994 г.

Формат 60x84 Т/16. Объем 0,93 усл.п.л. Тирах 100 окп. ротапринт ИРЭ РАН. 1;ак.31.