автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Количественные изменения локальных электрофизических свойств полупроводников в растровом электронном микроскопе

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ

На правах рукописи

КОНОНЧУК Олег Владимирович

п в ОД

УДК 548.4:1539.25:539.27]

КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ИЗМЕРЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ В РАСТРОВОМ ЭЛЕКТРОННОМ МИКРОСКОПЕ

Специальность 05.27.01 - твердотельная электропика п микроэлектроника

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических паук

Черноголовка 1994

Работа выполнена в Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Научный руководитель: доктор физико-математических наук Якимов Е.Б.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук Дюков В.Г. доктор физико-математических наук, профессор Конников С.Г.

Ведущая организация:

Московский Государственный Университет им. М.В. Ломоносова, физический факультет.

Защита состоится Л? » _1994г. в (С час. на заседании

специализированного совета при Институте проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН по адресу: 142432, Черноголовка, Ногинского района, Московской области, ИПТМ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат химических наук

О Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Современная технология создания приборов мик-1 роэлектроники ставит перед исследователями ряд диагностических и матери-аловедческих проблем, связанных со значительным уменьшением вертикальных и горизонтальных размеров элементов интегральных схем (ИС). Возникает необходимость увеличения как числа измеряемых электрических параметров полупроводников, так и увеличения локальности и точности их определения. Поэтому на сегодняшний день разработка физических основ нераз-рушающих методов изучения и контроля полупроводниковых материалов и структур с субмикронным разрешением является весьма актуальной задачей.

К наиболее перспективным методам, удовлетворяющим этим требованиям, относятся электронно-зондовые методы. Важной особенностью растрового электронного микроскопа (РЭМ), обусловленной многообразием физических явлений, возникающих при взаимодействии пучка высокоэнергетических электронов с твердым телом, является возможность проведения комплексного анализа объектов, то есть измерения целого ряда геометрических, электрических, структурных параметров.

В настоящее время для исследования полупроводниковых материалов, используемых в микроэлектронике, необходимо латеральное разрешение порядка нескольких мкм и лучше, а разрешение по глубине лучше, чем 0.1 мкм. Одна из основных проблем, возникающих при уменьшении размеров исследуемой области, - повышение дозы облучения. Так, при локальности 1 мкм и требуемой точности измерения 1%, минимальная доза облучения достигает значения 1012см 2 и возрастает при уменьшении "квантового выхода" исполь-

зуемого метода. Увеличение точности измерения или локальности неизбежно приводит к увеличению требуемой дозы облучения, что в свою очередь приводит к изменению свойств исследуемого объекта. Таким образом, для того, чтобы диагностические методы были неразрушающими, необходимо учитывать возможность повреждения исследуемого объекта при выборе используемого метода.

Наиболее перспективными с точки зрения уменьшения радиационной нагрузки являются методы наведенной концентрации, в которых сигнал формируется от вторичных электрон-дырочных пар, генерируемых первичными высокоэнергетичными электронами.

Метод, наиболее широко используемый для исследования локальных электрических свойств полупроводников, - это метод наведенного тока (НТ). Он обладает одним из самых высоких среди методов РЭМ "квантовым выходом" (103-104), и, следовательно, его можно считать наименее повреждающим, хотя следует отметить, что он, по-видимому, требует самой большой точности измерения, что несколько увеличивает требуемую дозу. Высокая чувствительность метода позволяет надеяться на его использование и в аналитических целях. При этом примеси будут фиксироваться в электрически активном состоянии, что в ряде случаев не менее важно, чем определение их полной концентрации.

К той же группе методов можно отнести катодолюминисценцию (КЛ) и емкостные методы - сканирующую релаксационную спектроскопию глубоких уровней (СРСГУ) и наведенную емкость (НЕ). Эти методы дают более прямую информацию о природе электрической активности центров и их "квантовый

выход" сравним с соответствующими значениями для метода НТ (Ю'-Ю3 для КЛ и I О"2— 10 ' для СРСГУ и НЕ) и выше, чем у традиционных локальных аналитических методов оже-спектроскопии (ОС) и рентгеноспектрального микроанализа (РСМА). Таким образом, методы наведенной концентрации - менее разрушающие и, кроме того, в отличие от методов ОС и РСМА, они позволяют исследовать распределение центров с концентрацией до 10|0см-3 (чувствительность ОС и РСМА ~ 10"см-3). Однако их пространственное разрешение сравнимо с разрешением в методах ОС и РСМА и определяется размерами области генерации электрон-дырочных пар, что составляет для обычных энергий, используемых в РЭМ, несколько микрон. Поэтому наиболее актуальной задачей является разработка на основе методов наведенной концентрации новых методов с улучшенным пространственным разрешением.

Цель работы состояла в разработке комплекса количественных элект-ронно-зондовых методов с повышенным пространственным разрешением для исследования локальных электрических свойств полупроводников.

Основные задачи:

1) Исследование возможности количественного определения локальной концентрации центров захвата основных носителей заряда.

2) Анализ механизмов формирования сигнала в методе наведенной емкости и разработка модели, позволяющей количественную обработку результатов.

3) Исследование возможностей восстановления профилей диффузионной длины с разрешением по глубине в субмикронном диапазоне.

4) Разработка методов, позволяющих определять неравномерность легирования полупроводников с точностью не хуже 10% и локальностью порядка микрона.

Научная новизна

1) Предложен новый метод "аппаратной" томографии, позволяющий измерять электрические свойства полупроводников с разрешением лучше, чем размеры области генерации электрон-дырочных пар.

2) Предложена модель формирования сигнала в методе сканирующей спектроскопии глубоких уровней для центров захвата основных носителей заряда, количественно описывающая экспериментальные результаты.

3) Предложена модель формирования сигнала в методе наведенной емкости. В рамках этой модели показана возможность восстановления латерального распределения концентрации легирующей примеси.

4) Обнаружена зависимость электрической активности дислокаций в кремнии от пройденного ими пути.

Практическая ценность

Разработанный комплекс локальных электронно-зондовых методов позволяет контролировать качество эпитаксиальных слоев микронной и субмикронной толщины, концентрацию рекомбинационных центров в полупроводниковых пластинах на уровне 109-10'°ст-3, неравномерность распределения легирующей примеси с точностью до 10% и локальностью в микронном диапазоне, восстанавливать профили распределения по глубине диффузионной длины неосновных носителей заряда и концентрации мелкой легирующей примеси. Результаты работы могут быть использованы при оптимизации и контроле технологических режимов выращивания и обработки полупроводниковых материалов.

Основные положения, выносимые на защиту.

1) Пространственное разрешение в методе наведенного тока с модуляцией ОПЗ зависит от глубины модуляции и дебаевской длины в кристалле, а не от размеров области формирования сигнала, как в стандартном методе наведенного тока.

2) Использование модуляции ОПЗ позволяет получить явное выражение диффузионной длины как функции экспериментально определяемых величин.

3) Электрическая активность дислокаций в кремнии существенно зависит от пройденного ими пути, при этом наблюдаются не только количественные, но и качественные изменения спектра электронных состояний.

4) Условия, необходимые для реализации локальных измерений в методах наведенной емкости и сканирующей релаксационной спектроскопии глубоких уровней.

Апробация работы:

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на семинарах, Всесоюзных и Международных конференциях, в том числе:

1-ой Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основы микроэлектроники" (г.Вильнюс 1987); VI, VII, VIII Всесоюзных симпозиумах по РЭМ и аналитическим методам исследования твердых тел (Звенигород 1989, 1991, Черноголовка 1993): XIV Всесоюзной конференции по электронной микроскопии (Суздаль 1990): III и IV международных конференциях "Defect Recognition in Semiconductors Before and After Processing" (DRIP) (Токио, Япония, 1989, Манчестер, Великобритания, 1991): II Европейской конференции "Electron and Optical Beam Testing of Integrated Circuits"

(Дуйсбург, Германия, 1989): V Международной конференции "Gettering and Defect Engineering in the Semiconductors Technology" (Франкфурт, Германия, 1993); I и II Международном семинаре "Beam Injection Assesment of Defects in Semiconductors" (Париж, Франция 1988, Лилль, Франция, 1991): Международной конференции "Scanning Microscopy" (Вашингтон, США, 1991): семинаре физического факультета университета г. Болонья, Италия, 1992.

Публикации. Материалы диссертационной работы отражены 14-ю публикациями в журналах и в материалах конференций.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, и заключения с выводами и содержит страниц текста, рисунков, и список литературы из наименований.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Глава I. Литературный обзор локальных электрофизических методов на базе РЭМ.

Первая часть главы посвящена обзору локальных методов исследования распределения центров с глубокими уровнями в запрещенной зоне полупроводника. Показано, что емкостные методы, такие, как сканирующая релаксационная спектроскопия глубоких уровней и наведенная емкость, являются наиболее перспективными из-за большой чувствительности. Приводятся основы теории емкостной спектроскопии, рассмотрены основные модификации метода, различные аппаратурные реализации. Отмечено, что в большинстве работ был реализован токовый вариант СРСГУ, исследовались центры захвата неосновных носителей заряда. Для этого случая имеется ряд работ, посвященных проблеме получения количественной информации, предложена

количественная модель формирования сигнала токовой СРСГУ для неосновных носителей заряда. Однако работы, посвященные емкостным измерениям, носили лишь качественный характер, отсутствовала количественная модель формирования сигнала для захвата основных носителей заряда, было получено пространственное разрешение порядка 15-20 мкм, что явно ниже потенциальных возможностей метода.

Проанализирована крайне немногочисленная литература по методу наведенной емкости. Отмечено, что предлагающиеся механизмы формирования сигнала не описывают всю совокупность экспериментальных данных.

Во второй части главы рассматриваются способы определения диффузионной длины и скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда. Показано, что электронно-зондовые методы имеют ряд преимуществ по сравнению с другими методами, в частности, по локальности и высокой разрешающей способности. Наиболее перспективным с точки зрения точности и локальности определения диффузионной длины является метод наведенного тока. Рассмотрена теория определения электрических параметров полупроводника этим методом для экспериментов, использующих разную геометрию. Обсуждаются вопросы реконструкции распределения диффузионной длины. Однако несмотря на то, что этот метод известен как наиболее локальный для измерения диффузионных длин, он не может решить многие современные проблемы. Так, пространственное разрешение немногочисленных экспериментов по восстановлению распределения диффузионной длины, известных из литературы, составляет несколько микрон, что обусловлено интегральной природой этого метода. Только в отдельных случаях специальных

структур, таких как двойные гетеросгруктуры, или при заранее известных распределениях рекомбинационных центров удавалось повысить пространственное разрешение. Другой недостаток метода - это невозможность измерения больших диффузионных длин, сравнимых или больших толщины образца или слоя.

В конце главы сформулированы основные задачи диссертации.

Глава II. Методика эксперимента.

Эта глава посвящена методическим вопросам измерения емкости и наведенного тока. Описана экспериментальная установка для емкостных измерений, изготовленная на базе специально разработанного высокочувствительного емкостного моста. Конструкция моста основана на нерезонансном принципе измерения емкости. Большой динамический диапазон измерения емкости обеспечивается малошумящим входным усилителем и применением диодного баллансного смесителя. Используется тестовый сигнал частотой 1 МГц и амплитудой 100 мВ. Чувствительность установки, определенная экспериментально, составила ЛС/С=Юш6, что находится на уровне лучших современных зарубежных аналогов.

Во второй части главы описана методика измерений наведенного тока и производной наведенного тока по напряжению смещения. Использование двойного синхронного детектирования позволило 'улучшить соотношение сигнал-шум. Одновременно в компьютере регистрировалось 3 сигнала - наведенного тока, его производной и вторичных электронов. Последующая нормировка и накопление сигнала позволили устранить низкочастотный дрейф тока пучка и существенно улучшить точность измерения наведенного тока. Реализованная ме-

тодика позволила использовать для измерений малые токи пучка (до Ю-12 А), причем шум измерений определялся дробовым шумом тока пучка.

В заключение описаны методики приготовления барьеров Шоттки и омических контактов, используемые в работе. Приведены процедуры подготовки поверхности кристаллов кремния и арсенида галлия, позволяющие получать диоды Шоттки с малыми токами утечки. Также описана методика получения образцов кремния с малой плотностью дислокаций с различной длиной пройденного дислокациями пути.

Глава III. Возможности количественного определения локальных концентраций глубоких центров и легирующей примеси емкостными методами.

Эта глава посвящена разработке емкостных электронно-зондовых методов. В начале главы рассматривается метод сканирующей релаксационной спектроскопии глубоких уровней. Представлена разработанная нами модель формирования сигнала емкостного варианта метода для случая захвата основных носителей заряда. Оценки вероятности захвата рожденного первичным пучком основного носителя заряда при пролете через область пространственного заряда показывают, что даже для больших концентраций ловушек поток электронов через ОПЗ не зависит от заполнения ловушек и определяется только генерацией. В таком приближении постоянного потока получено выражение для распределения плотности захваченного заряда в ОПЗ, использующее трехмерное аналитическое приближение для функции генерации электрон-дырочных пар. Изменение емкости барьера к моменту выключения пучка вычислено в рамках модели плоского конденсатора. Показано, что теоретические зависимости сигнала СРСГУ от тока пучка, напряжения смеще-

ния, расфокусировки для EL2 центров в n-GaAs хорошо согласуются с экспериментами. Оказалось, что зависимость сигнала от тока пучка имеет два участка - линейный при малых уровнях возбуждения, когда коэффициент заполнения во всей области генерации меньше I, и логарифмический, который реализуется на практике в большинстве случаев. В рамках модели определено пространственное разрешение метода, которое составляет ~ 0.8Л, где R -длина пробега первичных электронов. Проведенные эксперименты на кремнии, имплантированном ионами водорода через маску фоторезиста, демонстрируют сравнимое с этой величиной пространственное разрешение. Методом СРСГУ исследовано пространственное распределение глубоких центров в кристаллах CdTe. Обнаружена корреляция распределения центров уровнями Ev+0.41 eV и Ev+0.54 eV со структурными дефектами в кристалле.

Второй раздел главы посвящен методу наведенной электронным пучком емкости. Анализируются возможные механизмы формирования сигнала, оценивается вклад различных механизмов в зависимости от условий измерений. Показано, что при малых входном сопротивлении емкостного моста и сопротивлении базы образца сигнал изменения емкости определяется изменением квазистационарной концентрации неосновных носителей заряда в обедненной области при протекании наведенного тока. В этом случае сигнал пропорционален AC ~ 11 Jn , где I - величина наведенного тока, а N - локальная концентрация мелкой легирующей примеси. Приведены экспериментальные данные, полученные на диодах Cdo.4Hgo.6Te. Разница изображений в режимах наведенной емкости и наведенного тока объясняется в рамках предложенной модели.

Глава IV. Модуляция ширины ОПЗ в методе НТ.

В этой главе представлен разработанный нами новый метод наведенного тока с модуляцией ОПЗ. Метод основан на одновременном измерении зависимости наведенного тока и производной наведенного тока по напряжению смещения от обратного напряжения на структуре в планарной геометрии эксперимента. В первом разделе приводится теоретическое обоснование метода. Модель построена на следующих предположениях:

- диффузионная длина и концентрация легирующей примеси зависят только от глубины, то есть характерный размер латеральной неоднородности этих параметров должен быть порядка или больше диффузионной длины;

-уровень возбуждения мал;

- отсутствует рекомбинация носителей внутри ОПЗ;

- отсутствует рекомбинация носителей на границе металл-полупроводник;

- в диффузионной области электрические поля малы по сравнению с кТ.

В этих предположениях величина диффузионной длины в плоскости, совпадающей с границей ОПЗ, выражается через измеряемые параметры как

С(г) - зависимость скорости генерации электрон-дырочных пар от глубины (одномерная функция генерации электрон-дырочных пар), и- - ширина ОПЗ, I- наведенный ток, V - производная наведенного тока по ширине ОПЗ, которая простым образом связана с производной наведенного тока по напряжению смещения. Это выражение является достаточно универсальным и не

(1)

где

(2)

зависит от конкретного вида функции генерации, а также распределения и величины диффузионной длины. Разрешение по глубине определяется не размерами генерационной области, как в случае стандартного метода наведенного тока, а глубиной модуляции или, в пределе, дебаевской длиной в кристалле. Для измерения профиля диффузионной длины в образцах с однородным распределением мелкой легирующей примеси для восстановления профиля Ь достаточно измерить зависимости 1(н>) и при /'(м<) одной энергии пучка. Если величина V/ меняется по кристаллу, то необходимо провести измерения этих зависимостей при двух разных энергиях пучка для определения профилей /'(н<) и ¿(и»). Приведены расчеты погрешности определения диффузионной длины от параметров образца, показано, что для каждой конкретной г лубины, на которой определяется значение X, можно выбрать оптимальное с точки зрения точности значение энергии первичного пучка.

Во второй части главы приведены результаты экспериментальных исследований различных структур предложенным методом. Восстановлены двумерные распределения диффузионной длины и концентрации мелкой легирующей примеси в кристаллах ОаАэ, выращенных методом Чохральского. Обнаружено, что концентрация кремния в полосах роста изменялась в пределах от 1.8 до 3.2-1016 см-3, а диффузионная длина от 0.6 до 0.8 мкм. Измерены профили диффузионной длины в кристаллах кремния, легированного золотом, и арсенида галлия, обработанных в плазме. Показано, что в образцах 81<Аи> профиль диффузионной длины определяется экзодиффузией золота в процессе плазменной обработки, а в кристаллах ОаАв - собственными точечными дефектами, возникающими в процессе ионного травления. Профили

диффузионных длин количественно совпадают с величинами, рассчитанными из профилей распределения соответствующих глубоких центров, измеренных методом РСГУ. Пространственное разрешение по глубине составило 0.05 мкм. Это на 2 порядка меньше, чем глубина проникновения пучка и диффузионная длина. На эпитаксиальных структурах 51-51Се-81 экспериментально продемонстрированы возможности определения диффузионных длин, значительно больших толщины измеряемого слоя. Так, в этих структурах было обнаружено, что в слоях кремния толщиной 2 мкм величина диффузионной длины порядка 70 мкм, что более чем в 3 раза превышает диффузионную длину в подложке. Это объясняется геттерирующим действием дислокаций несоответствия, расположенных на 51 - 51Се интерфейсах.

В конце главы приведены результаты исследований электрической активности дислокаций в кремнии в зависимости от длины пробега. Обнаружено, что для свежевведенных при низкой температуре дислокаций как реком-бинационная активность, определенная из контраста в наведенном токе, так и концентрация дислокационных центров с уровнями в верхней половине запрещенной зоны увеличиваются с длиной пробега дислокации в процессе деформации. Показано, что электрическая активность самых коротких дислокаций, используемых в эксперименте, с длиной пробега 20 мкм на два поряд-ка,меныие, чем у обычных дислокаций, хорошо описанных в литературе. Отжиг при температуре деформации частично восстанавливает электрическую активность коротких петель. Учитывая известные зависимости стартовых напряжений дислокаций от пройденного ими пути, для объяснения полученных результатов можно предложить следующую модель. Дислокации зарождают-

ся в кристалле без примесной атмосферы. Оборванные связи либо реконструированы, либо не имеют уровней в запрещенной зоне кремния, поэтому короткие дислокации неактивны, их скорость высока и стартовые напряжения малы. В процессе движения или отжига дислокация собирает вблизи себя примеси, собственные точечные дефекты, которые взаимодействуют друг с другом и с упругими полями вблизи дислокации и определяют ее электрические и механические свойства. После некоторой характерной длины пройденного пути, которая зависит от условий деформации и примесного состава кристалла (в наших экспериментах она составляла порядка 200 мкм), дислокационная атмосфера стабилизируется, и дальнейшая деформация не приводит к изменению электрических и механических свойств.

В конце работы приведены основные выводы и заключение.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ:

1. Предложен новый дифференциальный метод растровой электронной микроскопии - метод наведенного тока с модуляцией ширины области пространственного заряда. Показано, что этот метод является эффективным методом "аппаратной" томографии, позволяющим восстанавливать распределения диффузионной длины и концентрации легирующей примеси по глубине, а также латеральное распределение этих параметров.

2. Решена задача восстановления профиля диффузионной длины в Планерной геометрии барьера. Получено явное выражение для диффузионной длины неосновных носителей заряда в зависимости от сигнала наведенного тока и его производной по напряжению смещения. Математическим моделированием определены оптимальные с точки зрения точности определения

диффузионной длины условия измерений.

3. Предложена модель формирования сигнала в методе наведенной электронным пучком емкости и показано, что в определенных условиях этот метод позволяет восстанавливать латеральное распределение концентрации легирующей примеси.

4. Предложена модель для расчета локальной концентрации центров захвата основных носителей заряда в методе сканирующей спектроскопии глубоких уровней. Экспериментально определены ограничения и пространственное разрешение метода.

5. Обнаружена зависимость рекомбинационной активности и спектра электронных состояний дислокаций в кремнии от длины пройденного дислокациями пути.

6. При помощи разработанного метода НТ с модуляцией ОПЗ было показано, что в кремнии и арсениде галлия перераспределение дефектов в процессе ионного травления существенно меняет профиль диффузионной длины в приповерхностной области кристалла.

7. В кристаллах СаАэ, выращенных методом Чохральского, при помощи метода НТ с модуляцией ОПЗ было показано, что характерное радиальное неравномерное распределение концентрации во время роста (полосы роста) имеют не только точечные дефекты, но и легирующая примесь.

8. В экспериментах на Б^Юе-Б! эпитаксиальных структурах продемонстрирована возможность метода НТ с модуляцией ОПЗ измерять диффузионные длины, более чем на порядок превышающие толщину исследуемого слоя и существенно превышающие диффузионную длину в подложке.

Основное содержание диссертации отражено в следующих научных публикациях:

1. Бондаренко И.Е., Конончук О.В., Панин Г.Н., Ярыкин Н.А. Исследование полупроводников с помощью локального возбуждения электронным пучком // Тез. Докл. I Всес. конф. по физич. и физико-химическим основам микроэлектроники, Вильнюс. 1987. С.161-162.

2. Брайтенштайн О., Конончук О.В., Панин Г.Н., Хайденрайх Й., Якимов Е.Б. Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней IIФТП. 1988. Т.22. В.9. С.687-688.

3. Конончук О.В., Якимов Е.Б.. Сканирующая спектроскопия глубоких уровней П Тез. докл. VI Всес. симпозиума по растровой электронной микроскопии РЭМ-89. Звенигород. 1989. С.24.

4. Конончук О.В., Якимов Е.Б., О возможности количественной интерпретации данных СРСГУII Известия АН СССР сер. физ. 1990. Т.54. В.2. С.259-263.

5. Aristov V., Kononchuk О., Rau Е., Yakimov Е. SEM investigation of semiconductors by the capacitance techniques // Microelectronic Engineer. 1990. V.12. N.l-4. P.179-185.

6. Kononchuk O., Yakimov E. SDLTS investigations of deep level spatial distribution in implanted Si. II Jour, of Crystal Growth. 1990. V.103. N.l-4. P.287-290.

7. Конончук O.B., Якимов Е.Б., Сканирующая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Обзор) II Заводская лаборатория. 1990. Т.56. В.9. С.54-63.

8. Конончук О.В., Якимов Е.Б., Механизм формирования контраста в режиме наведенной емкости. II Тез. докл. XIV Всес. конф. по электронной микроскопии. Суздаль. 1990. С. 184-185.

9. Конончук О.В., Якимов Е.Б., Определение локальных значении ширины ОПЗ в диодах Шоттки на GaAs // Тез. докл. VII Всес. симпозиума по растровой электронной микроскопии РЭМ-91. Звенигород. 1991. С.19.

10. Kononchuk О., Ushakov N., Yakimov Е., Zaitsev S. Computer processing of EBIC signals//Jounalde Phys. IV 1991. V.l. P.C6-51 -C6-56.

11. Kononchuk O., Yakimov E. Mapping of diffusion length and depletion region width in Schottky diodes. //Semiconductor Sci.Technol. 1992. V.7, P.A17I A174.

12. Конончук О.В.. Якимов Е.Б., Определение профиля диффузионной длины методом наведенного тока с помощью варьирования ширины обедненного слоя // Известия АН СССР сер. физ. 1992. Т.56. В.З. С.53-57.

13. Kononchuk О., Yakimov Е. Electron beam induced capacitance. // Scanning Microscopy. 1992. V.6. N.2. P.399-404.

14. Kononchuk O., Yakimov E. Processes of defect formation and gettering under dry etching of Si and GaAs and measurements of diffusion length profile. // Solid State Phenomena. 1993. V.32-33. P.99-104.

Оригинал-макет подготовлен АК «Богородский печлтник» 142432, Московская обл., П.Черноголовка Отпечатано в ТОО «Принт», 142400, г.Ногинск

Уч.-изд. л. 0,6. Усл. печ. л. 1,06. Тираж 75 эю. Апрель 1994г Заказ