-
1996
Карабанов, Сергей Михайлович
Установлено, что вызванная светом деградация фотоэлектрических свойстз пленок нелегнрозанного аморфного гидрогенизированного кремния сопровождается изменением структуры п увеличением толщины дефектного поверхностного слоя пленки, а удаление этого слоя значительно снижает деградацию
-
1996
Архипов, Алексей Владимирович
С повышением степени интеграции изделий микроэлектроники уменьшаются геометрические размеры активных и пассивных элементов ИС. Микроминиатюризация полупроводниковых приборов и ИС достигла такого уровня, при котором технические параметры конструктивных элементов зависит от геометрических размеров
-
1995
Фан Хонг Фыонг
Проведение исследований, по предложенной проблематике, сдерживается отсутствием пакетов прикладных программ, как отечественных так и зарубежных, позволяющих в полной мере производить анализ нелинейных режимов СВЧ - усилительных устройств о отмеченными особенностями
-
1995
Симакин, Сергей Геннадьевич
Вторично-ионная мзсс-споктрометрия (ВИМС) является одним из основных средств аналитического обеспечения микроэлектронной технологии. Послойный элементный анализ (ПА) пленарных структур с высокой чувствительностью и локальностью как по поверхности, так и по глубине объекта - область наиболее эффективного применения'метода ВИМС. Профиль ПА дает
-
1995
Березин, Всеволод Авенирович
Изучение сверхпроводников значительно активизировалось после открытия высокотемпературной сверхпроводимости. Большое количество работ по этой теме вышедших за последние годы подтверждает огромный интерес к сверхпроводимости и возможным применениям этого явления в технике
-
1995
Коротков, Андрей Леноктович
Величина минимально обнаружимой мощности излучения идеального ВТСП болометра, ограниченная только термофлуктуационными (фонон-ными) шумами при Т5 « 80 К, оказалась, по оценкам, более чем на порядок лучше, чем уровень 5-10-Ю Вт-Гц'1/2, достижимый для пироэлектрических приемников [1]. Это стимулировало детальные исследования новых сверхпроводниковых
-
1995
Смирнов, Валерий Константинович
Требование локальности пробоотбора приводит к сохранению приоритета на настоящее время и в будущем за ионно-и электронно-зондовыми методами, основанными на диагностике объектов с помощью сравнительно легко формируемых, фокусируемых и управляемых ионных и электронных пучков. Сюда относятся в первую очередь вторично-ионная масс-спектрометрия (ВИМС
-
1995
Васильев, Андрей Георгиевич
Повышение степени интеграции и соответственно уменьшение размеров элементов интегральных схем непосредственно связано с изменением требований к свойствам составляющих их активных и пассивных элементов, что неизбежно ведет к необходимости расширения традиционно применяемого в микроэлектронике набора материалов. Это требует постоянного решения двух
-
1995
Галушков, Александр Иванович
На значения чувствительности магнитотранзисторов, в частности МОП двухстоковых магнитотранзисторов, оказывают сильное влияние геометрические параметры их топологии, .л также физико-т хно-логические параметры. На данный момент отсутствуют доступные раз
-
1995
Топоров, Андрей Юрьевич
С ростом сложности современных приборов, с повышением требований, предъявляемых к этим приборам, растут и требования, предъявляемые к методам исследования их качества. Появление микро- и нанотехнологий нового поколения заставило создавать контрольно-измерительную аппаратуру, соответствующую требованиям сегодняшнего дня
-
1995
Кривоконь, Игорь Александрович
Актуальність теми дослідження. На ринку сучасної продукції дедалі вагомішою стає конкуренція якості, а не конкуренція кількості. Тому контроль вихідних матеріалів, технологічних процесів на різних етапах, готових виробів займає все більше місце і вагу в ході' виготовлення та реалізації продукції. Серед різних методів контролю особливе місце
-
1995
Мартюшенко, Алексей Викторович
Переход от производства СБИС к производству ультрабольших интегральных схем (ULSI - ultra large scale integration) сопряжен с заменой ранее традиционной пакетной обработки индивидуальной
-
1995
Поляков, Вадим Витальевич
Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и
-
1995
Поляков, Вадим Витальевич
Просим Еас принять участие в работе Совета или прислать отзыв в двух экземплярах, заверенный печатью учреждения, по адресу: 347928, Таганрог, ГСП-17, пер.Некрасовский,44 Таганрогский Государственный радиотехнический университет Ученому секретарю Совета
-
1995
Бойко, Владимир Иванович
В общем объеме мирового производства полупроводниковых приборов <ПП) и интегральных схем (ИС> постоянно растет доля изделий з пластмассовых корпусах. Это вызвано, в основном, сравнительной простотой автоматизации процесса их сборки и испытаний, меньшей стоимостью по сравнению с приборами в герметичных корпусах, удобством монтажа
-
1995
Кеньо, Галина Владимировна
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОВОТИ Актуальн1сть теми При розробвд та виготовленн! прилад!в на ochobî структур "кремн1Й-на-1золятор1" (KHI) проблематичним е завдання прогнозування електричних параметр1в та характеристик акгивних компонент!в. Основн! причини труднооцв у виршешп uieï проблеми полягають у в1дм!нностях будови прилад!в i ускладнен-н1
-
1995
Фирсова, Алиса Анатольевна
Растровая электронная микроскопия как один из основных методов исследования свойств поверхности твердого тела получила широкое распространение благодаря созданию микроскопов с высоким (до нескольких нанометров) разрешением. В последнее время растровый электронный микроскоп все больше используется как измерительное средство, что предъявляет
-
1995
Головин, Сергей Викторович
Научная новизна. Представлена новая методика расчёта энергетического спектра поверхностных состоянии, их поперечных сечения захвата и параметра Флуктуации поверхностного потенциала, отличающаяся от иэвстных тем, что позволяет рассчитывать указанные параметры по б-У характеристикам НОП-структур, измеренным на одной Фиксированной частоте при двух
-
1995
Погосян, Аршак Степанович
Среди микроэлектрошшх сенсоров ва'кное место занимают с.зк-зры концентрации химических ведестз - аоносеяз&тавнзэ л гиш-зски чувствительные полевые транзисторы: (ИСЛТ, ХИЛ), полупрс-здааковые газовые сенсоры, сенсоры элаяяссти, бпосэясорн и ,го
-
1995
Козлов, Александр Иванович
Апробация работы. Основные положения и результаты работы докладывались и обсуждались на семинарах Отдела физики поверхности ИФП СО РАН; на семинарах "Вычислительные -системы" ИФП СО РАН; на 1-ой Краевой научно - практической конференции (Красноярск, 1965); на Третьем Региональном семинаре "Распределенная обработка информации" (Улан-Удэ, 1989); на
