автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование одностадийных низкотемпературных процессов формирования силицидных контактных и нитридных барьерных слоев для технологии микроэлектроники

ОА 1 3 ноя

На правах рукописи

ВАСИЛЬЕВ АНДРЕЙ ГЕОРГИЕВИЧ

ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОСТАДИЙНЫХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ СИЛИЦИДНЫХ КОНТАКТНЫХ И НИТРИДНЫХ БАРЬЕРНЫХ СЛОЕВ ДЛЯ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ.

Специальность: 05.27.01 - твердотельная электроника и

микроэлектроника

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва - 1995

Работа выполнена в Физико-технологическом институте Российской Академии наук

Научный консультант - доктор технических наук, профессор ОРЛИКОВСКИИ A.A.

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук,

профессор АЛЕКСАНДРОВ А.Ф.

Ведущая организация - Институт физики полупроводников

Сибирского отделения Российской АН

заседании диссертационного совета Д.0 03.74.01 в Физико-технологическом институте РАН по адресу: П7218, Москва, ул.Красикова 25а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Физико-технологического института РАН

доктор физико-математических наук, профессор НЕВОЛИН В.Н. доктор технических наук, профессор ИВАНОВСКИЙ Г.Ф.

Защита состоится

1995

Автореферат разослан

Ученый секретарь диссертационного совета

кандидат физико-математических наук ^¿^^ЕьюркоБ В.В.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Повышение степени интеграции и соответственно уменьшение размеров элементов интегральных схем непосредственно связано с изменением требований к свойствам составляющих их активных и пассивных элементов, что неизбежно ведет к необходимости расширения традиционно применяемого в микроэлектронике набора материалов. Это требует постоянного решения двух взаимосвязанных задач: поиск новых материалов, способных обеспечивать все возрастающие требования к физико-химическим свойствам составляющих интегральные схемы элементов, и совершенствование методов их формирования и структурирования.

Как известно, основные усилия в современной микроэлектронике до недавнего времени были направлены на разработку и исследования физических и технологических принципов построения активных элементов интегральных схем. Применяемые системы металлизации на основа алюминия, в течение длительного времени, в целом, удовлетворяли основным требованиям, предъявляемым к таким системам. Однако с уменьшением линейных размеров элементов стало очевидным, что ряд возникающих в связи с этим проблем можно решить только путем существенной модернизации или даже замены традиционной схемы металлизации. В связи с этим стали актуальными и активно развиваются исследования физико-химических и технологических свойств различных проводящих материалов и многослойных систем. К наиболее перспективным химическим соединениям, с точки зрения применения в системах металлизации, относятся силициды и нитриды тугоплавких металлов.

Детально исследованы методы получения силицидов отжигом

металлической пленки или смеси металла с кремнием на моно- или

поликремнии. Эти методы синтеза тонких силицидных слоев основаны

на процессах твердофазного взаимодействия металла с кремнием в

объеме пленки, что определяет высокие температуры отжига для

формирования конечной дисилицидной фазы, обычно для тугоплавких

металлов - То=800-900°С. Оценивая перспективы и тенденции

развития микроэлектроники, можно определенно утверждать, что с

переходом в глубокосубмикронную область размеров элементов,

основными станут низкотемпературные методы формирования

диэлектрических, полупроводниковых и металлических слоев в

сверхчистых условиях, обеспечивающие минимальный уровень

дефектности и совместимые с кластерными технологическими

системами. В этой связи важными являются поиск и исследования

методов синтеза тонких пленок, на основе которых могут быть

созданы низкотемпературные процессы формирования различных

проводящих слоев для технологии микроэлектроники.• К таким

методам, в частности, относятся' методы, основанные на

квазипослойном росте пленок, при котором формирование

кристаллической структуры металлической пленки происходит

непосредственно в процессе осаждения материала (или материалов,

в случае многокомпонентных соединений) на нагретую подложку, без

последующих термообработок. Механизм формирования таких пленок

i

аналогичен механизму формирования пленок при молекулярно-пучковой эпитаксии (Ш1Э), хотя есть и отличие, заключающееся в том, что ориентирующее действие подложки необязательно, поэтому эти методы можно определить как МПЭ-подобные. Возможности этих методов для получения тонких пленок двухкомпонентных соединений (силицидов и нитридов) с заданными свойствами практически не исследованы. МПЗ-подобные

методы, в отличив методов, основанных на объемных твердофазных реакциях взаимодействия металла с кремнием на границе раздела пленка-подложка, основаны на поверхностных процессах, происходящих на границе раздела пленка-вакуум, поэтому можно ожидать изменений таких свойств тонких пленок, как температура формирования гомогенных низкоомных слоев, структура кристаллических зерен и межзеренных границ, состояние и структура границ раздела пленка-подложка, электрофизических характеристик пленок. Эти возможности представляются крайне интересными как с точки зрения собственно физических исследований одностадийных процессов фазообразования двухкомпонентных соединений непосредственно в процессе роста тонких пленок, без последующих высокотемпературных обработок, так и для практических применений, поскольку такие процессы необходимы для разработки низкотемпературной технологии формирования контактных, барьерных слоев и локальных межсоединений в СБИС

Цель работы состоит в комплексном исследовании структуры и свойств, процессов фазообразования и кинетики роста двухкомпонентных соединений (силицидов и нитридов) с заданными свойствами при осаждении тонких пленок из молекулярных пучков, разработке на этой основе совместимнх с кластерными технологическими системами одностадийных, низкотемпературных процессов формирования пленок силицидов и нитридов тугоплавких металлов, для формирования контактных, барьерных слоев и локальных межсоединений в кремниевых интегральных схемах.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие основные задачи:

-Исследование электрофизических и структурных свойств,

механизма фазообразования и кинетики роста стехиометричных гомогенных силицидных слоев при электронно-лучевом соиспарении в сверхвысоком вакууме для низкотемпературного формирования низкоомных тонких пленок непосредственно в процессе роста из молекулярных пучков, без последующих отжигов.

-Исследование процессов формирования, структуры, свойств и методов селективного травления структурно- и фазово- различных пленок силицидов на кремнии и БК^ при электронно-лучевом соиспарении в сверхвысоком вакууме и магнетронном сораспылении нестехиометричных силицидов.

-Разработка и исследование одностадийного

низкотемпературного процесса формирования контактов к мелкозалегающим р-п переходам

-Разработка и исследование процесса формирования низкоомных слоев нитрида титана при реактивном магнетронном распылении с малыми мощностями для формирования барьерных слоев и локальных межсоединений.

-Исследование термостабильности многослойных структур, сформированных с помощью самосовмещенного низкотемпературного процесса формирования -контактных силицидных слоев, процесса реактивного магнетронного распыления при малых мощностях для осаждения барьерных слоев нитрида титана< тугоплавких металлов и алюминия.

Научная новизна работы состоит в том, что в диссертационной работе впервые создана новая концепция, определены и развиты подходы к решению проблемы создания одностадийных, низкотемпературных процессов фазообразования силицидов и нитридов тугоплавких металлов непосредственно в процессе роста тонких пленок заданного состава из молекулярных пучков

(МПЭ-подобные процессы), что позволило разработать новые высокоэффективные, совместимые с кластерными технологическими системами процессы формирования контактных, барьерных слоев и локальных межсоединений в кремниевых интегральных схемах с субмикронными размерами элементов.

Впервые выполнены комплексные исследования процессов фазообразования и особенностей формирования тонких пленок силицидов при осаждении из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме. Исследовано влияние условий формирования слоев на температуры фазообразования, электрофизические и структурные свойства, состояние границ раздела пленка-подложка.

Предложена новая феноменологическая модель фазообразования силицидннх слоев, объясняющая различия свойств пленок, формируемых в МПЭ-подобных процессах и при отжиге металлической пленки на кремнии различными механизмами оттеснения примеси при силицидообразовании.

Впервые обнаружено и дано объяснение формированию тонких пленок силицидов титана с фазовым и структурным контрастом на кремнии и 5102 при осаждении нестехиометричных силицидов из молекулярных пучков в высоком вакууме. Обнаружен и исследован конвертированный рост силицидных фаз на ЗЮ2 по отношению к росту силицидных фаз на кремнии.

Впервые предложен и исследован новый одностадийный низкотемпературный способ выращивания низкоомных пленок силицидов, основанный на магнетронном сораспыления металла и кремния на нагретую подложку, позволяющий самосовмещенно формировать контакты к мелкозалегающим р-п переходам с глубинами залегания менее 0.15 мкм.

Исследованы процессы формирования тонких пленок нитрида

титана методом реактивного магнетронного распыления титановой мишени при малых мощностях и давлениях азота, меньших критического (давление азота при котором происходит нитридизация мишени). Предложен способ формирования тонких и сверхтонких беспористых поликристаллических слоев с мелкозернистой столбчатой структурой и экстремально низким удельным сопротивлением на диэлектрических и проводящих подложках для барьерных слоев и локальных межсоединений в кремниевых ИС.

Впервые исследованы особенности формирования многослойных структур, состоящих из силицидного контактного слоя, сформированного в, одностадийном низкотемпературном процессе, барьерного слоя нитрида титана, вольфрама и алюминия. Показано, что предлагаемые способы формирования слоев позволяют выращивать термостабильные многослойные структуры с планарными межслойными границами.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Фазообразование низкоомных гомогенных силицидных слоев, формируемых в процессе контролируемого роста тонких пленок из молекулярных пучков (МПЭ- подобный процесс), происходит при температурах существенно более низких (на 200-300°С), чем при отжиге металлической пленки, что связано с заменой твердофазной реакции взаимодействия металла с кремнием на границе раздела пленка-подложка при отжиге пленки, на поверхностные процессы на границе раздела пленка-вакуум при росте пленки.

2. Формирование пленок дисилицида титана осаждением металла и кремния из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме при высоких температурах подложки (Т>700°С) может приводить к образованию дефектных гетерообластей на границе раздела пленка-подложка (эпитаксиальных кремниевых "бугров" в пленке и

силицидннх микровключений в подложке), что связано с условиями формирования пленки, состоянием поверхности и дефектности подложки и зависит от локальной стехиометрической неоднородности распределения атомов титана в пленке.

3. Электрофизические и структурные свойства тонких пленок силицидов, получаемых одновременным осаждением металла и кремния на нагретую подложку, зависят от механизма оттеснения кислорода на межзеренные и межфазные границы в процессе роста силицидных фаз. Низкоомные пленки дисилицида титана, полученные в

I

результате квазипослойного контролируемого роста из молекулярных пучков имеют низкое содержание кислорода на межзеренных границах за счет оттеснения кислорода на границу раздела растущая фаза-вакуум в процессе формирования пленки.

4. Формирование фазово- и структурно- различных пленок силицидов титана на кремнии и ЭЮ^ в одностадийном процессе осаждения нестехиометричных силицидов из молекулярных пучков в высоком вакууме происходит даже при относительно низкой температуре подложки (Т=600°С) и высоком содержании кремния в исходной пленке ( до ИЭ^ 5). Осаждение нестехиометричных силицидов на кремний и Б102 при определенных условиях приводит к конвертированному росту силицидных фаз на бю2 по сравнению с ростом силицидных фаз на кремнии. Это объясняется латеральной диффузией кремния и влиянием кислорода на процесс силицидообразования.

5. Одностадийный низкотемпературный способ выращивания низкоомных пленок силицидов, основанный на магнетронном сораспылении металла и кремния на нагретую подложку, при оптимизации скоростей осаждения и температуры процесса, обеспечивает максимальный структурный и фазовый контраст

\

силицидных пленок на кремнии и ЗЮ2, необходимый для полного селективного, по отношению к Т1Б12, стравливания пленки ТШХ на в102 при задаваемом исходном составе силицидных пленок до Т1811 у Оптимальная температура процесса, при которой взаимодействие нестехиометричной силицидной пленки с 6Ю2 не приводит к образованию трудноудаляемых окислов титана, составляет Г=675°С.

6. Формирование тонких пленок нитрида титана методом реактивного магнетронного распыления титановой мишени при малых мощностях и давлениях азота меньших критического, при котором реализуется квазипослойный рост пленки, позволяет получать на диэлектрических и проводящих подложках тонкие и сверхтонкие беспористые поликристаллические слои с мелкозернистой столбчатой структурой и экстремально низким удельным сопротивлением (менее 25 мк0м*см).

7. Применение одностадийных низкотемпературных процессов роста силицидных контактных слоев, барьерных, слоев нитрида титана на основе реактивного магнетронного распыления при малых мощностях и давлениях азота ниже критического, осаждения вольфрама и алюминия позволяет формировать многослойные структуры на кремнии с планарными межслойными границами являющимися термостабильными до 550°С.

Практическая ценность работы заключается в том, что на основе комплексных исследований методов формирования, структуры и свойств тонких пленок силицидов тугоплавких металлов, разработан одностадийный низкотемпературный процесс формирования контактных слоев к мелкозалегающим р-п переходам, совместимый с современными кластерными технологическими, системами, который обеспечивает самосовмещенное формирование низкоомных силицидных

контактов в системах металлизации ультрабольших интегральных схем.

Разработанный на основе реактивного магнетронного распыления при малых мощностях метод формирования тонких пленок нитрида титана позволяет формировать барьерные слои для обеспечения высокой термостабильности в многослойных системах, состоящих из силицидов, тугоплавких металлов и алюминия.

Разработанные методы формирования силицидов и нитридов тугоплавких металлов с экстремально низкими удельными сопротивлениями позволяют использовать тонкие пленки этих материалов в качестве локальных межсоединений в системах многоуровневой металлизации кремниевых интегральных схем.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на Всесоюзной научной конференции "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", г.Минск, 1985г.; Всесоюзной школе по микроэлектронике, г.Юрмала, 1986г.; I Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основы микроэлектроники", г.Вильнюс, 1987г.; 71 Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом", г.Москва, 1987г.; XIII Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, г.Сумы, 1987г.; VI Отраслевой научно-технической конференции "Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем", г.Москва, 1987г.; Всесоюзной конференции "Современные проблемы информатики, вычислительной техники и автоматизации", г.Москва, 1988г.; Симпозиуме по микроэлектронике АН СССР и АН ГДР, г.Москва, 1988г.; VII Международной конференции неупругих столкновений, г.Краков, Польша, 1988г.; II Международной конференции по электронно-лучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна,

Болгария, 1988г.; V Международной конференции по количественному поверхностному анализу, Лондон, Англия, 1988г.; VIII Международной школе по вакуумной электронной и ионной технологии, Варна, Болгария, 1989г.; XIV Всесоюзной конференции по электронной микроскопии, г.Суздаль, 1990г.; VII и VIII Международной конференции по микроскопии полупроводниковых материалов, г.Оксфорд, Англия, 1991г., 1993г.; VII Международной конференции по микроэлектронике "Микроэлектроника-90", Минск, 1990г.; IV - Республиканской ' конференции по электронной микроскопии, Кишинев, 1990г.; Европейских конференциях E-MES, г.Страсбург, 1990г., 1991г.; X Европейской конференции по электронной микроскопии, г.Гранада, Испания, 1992г.; I Российской конференции "Микроэлектроника-94", г.Звенигород, 1994г.; Европейской конференции "Материалы для металлизации", г.Радебель, ФРГ, 1995;

Публикации. Результаты проведенных научных исследований опубликованы в 45 публикациях, включающих публикации в ведущих отечественных и зарубежных научных журналах, а также на отечественных и международных научных конференциях.

Структура диссертации. Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитированной литературы из 223 названий. Объем диссертации - 307 страниц, в том числе 92 рисунка.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ • Во введении обоснована актуальность темы диссертации, сформулированы ее цель и задачи, охарактеризованы научная новизна, основные защищаемые положения, практическая ценность работы, изложено содержание по главам.

Первая глава является обзорной и посвящена анализу процессов формирования, электрофизических и структурных свойств тонких пленок силицидов и нитридов тугоплавких металлов. Рассмотрены механизмы роста тонких пленок силицидов, условия образования первой и последовательность роста последующих силицидных фаз при твердофазной реакции взаимодействия металла с кремнием. Показано, что основным процессом, используемым при формировании силицидных слоев в интегральных схемах, является так называемый "салицидннй" процесс, основанный на формировании силицидных фаз при взаимодействии металлической пленки в местах контакта с кремнием при отжиге и отсутствии такого взаимодействия в местах контакта с 8102. Проанализированы особенности формирования, кинетика роста и свойств силицидов при росте пленок на п+-81 и р+-31 легированных областях. Показано, что основной недостаток, ограничивающий применение традиционного "салицидного" процесса в глубокосубмикронной области, заключается в том, что для формирования контактов необходимо расходование кремния из подложки, в приповерхностной области которой сформирован р-п переход. Для решения этой проблемы необходим поиск такого способа формирования силицидного слоя, который обеспечит минимальное расходование кремния из приповерхностной области подложки. Уменьшить расход кремния из подложки при силицидообразовании можно осаждением слоя аморфного или поликремния соответствующей толщины до или после осаждения металла для того, чтобы в результате твердофазной реакции взаимодействия расходовался кремний из этого слоя. Б настоящее время основные усилия направлены на совершенствование методов синтеза тонких силицидных слоев с заданными свойствами и поиск новых технологических приемов, способных обеспечивать

возможность формирования низкоомных силицидных контактов к супермелкозалегаюдим р-п переходам (с!<0.1 мкм), что необходимо для технологии в глубокосубмикронной области.

Проанализированы процессы формирования и свойства тонких . пленок нитридов титана, использующихся в основном как барьерные слои в многослойных системах металлизации.

Вторая глава посвящена исследованиям процессов формирования стехиометричных силицидов непосредственно в процессе роста тонких пленок из молекулярных пучков на нагретую подложку в условиях сверхвысокого вакуума. Исследованы электрофизические характеристики тонких пленок дисилицида титана при различных-способах формирования. Показано, что в отличие от способов, основанных на твердофазных реакциях взаимодействия металла с кремнием в объеме пленки, требующих высокотемпературных отжигов (То=800-900°С) для получения низкоомных пленок, при осаждении титана и кремния из молекулярных пучков, соответствующих стехиометрии дисилицида, в условиях сверхвысокого вакуума

_7

(р<10 Па), возможно формирование тонких пленок низкоомной модификации дисилицида титана С-54 И312 непосредственно в процессе роста пленки (ТП=500-650°С), без последующих высокотемпературных воздействий, при этом удельное сопротивление пленок составляет 13-25 мкОм*см. Исследовано влияние температуры подложки, стехиометрии пленок, давления остаточных газов, скоростей осаждения металла и кремния на электрические свойства пленок. Проведена оптимизация условий формирования, найдены режимы получения тонких пленок дисилицида титана осаждением из молекулярных пучков на нагретую подложку (ТП=700°С) с экстремально низким удельным сопротивлением - 11.740.1 мк0м*см.

Исследования фазового состава, и кристаллической структуры

тонких пленок дисилицида титана, полученных в процессе роста из молекулярных пучков показали, что пленки, осаждаемые при

V Г>

оптимальных условиях, уже при температуре подложки Тп=60СгС преимущественно состоят из низкоомной модификации дисилицида титана, фазы С-54 TiSi2. Определена зависимость кристаллической структуры (размеры зерен, концентрация дефектов в зернах) тонких пленок от условий формирования.

Исследована структура границ раздела TiSi2-Sl(1ll) и TiSi2-Si(lOO). Обнаружены особенности формирования тонких пленок и границ раздела пленка-подложка при осаждении из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме. Показана возможность образования в пленке кремниевых "бугров", имеющих ориентационное соответствие с подложкой, и микровключений модификаций С-49 и С-54 TiSi2 в подложке, на границе раздела пленка-подложка. Установлено, что образование дефектных гетерообластей на границе раздела дисилицид-кремний происходит при температурах более 650°С и связано с диффузией титана по приповерхностным дефектам в подложке.

Исследовано влияние подготовки поверхности (ионная чистка под прямыми и скользящими углами и высокотемпературный отжиг) и условий роста пленок (температура подложки, скорости осаждения металла и кремния) на формирование эпитаксиальных слоев TiSi2 на Sid 11). Определены эпитаксиальные соотношения. Наиболее часто встречающееся соотношение: (202)c-54TiSi2//(ni)Si,

[0l0]TiSi2//[H0]Si. Показано, что несоответствия решеток дисилицида титана и кремния компенсируются дислокациями несоответствия, непосредственно прилегающими к границе раздела и не распространяющимися вглубь liSij.

Проанализировано влияние кислорода на фазообразование

силицидов титана. Показано, что кинетика роста силицидных фаз связана с содержанием кислорода в пленке. Предложена феноменологическая модель фазообразования силицидов, основанная на рассмотрении предельных растворимостей кислорода в металле, кремнии и силицидных фазах. Показано, что при формировании силицидов происходит оттеснение избыточного кислорода растущей фазой на межслойные и межзеренные границы, причем растущей фазой является та, которой соответствует максимальная предельная растворимость кислорода при данной температуре. Таким образом в беспримесных пленках первой растущей фазой является дисилицидная фаза, имеющая минимальную энергию образования, а в пленках с примесью кислорода - металлообогащенная фаза, имеющая максимальную предельную растворимость кислорода.

Различие " электрофизических свойств тонких пленок, сформированных отжигом металлической пленки или смеси металла с кремнием и пленок, выращенных в безотжиговом процессе осаждения из молекулярных пучков на нагретую подложку, объясняется различными механизмами оттеснения кислорода растущей фазой. При твердофазной реакции взаимодействия металлической пленки с кремниевой подложкой, реакция начинается в объеме структуры, на межслойной границе и оттеснение избыточного кислорода при силицидообразовании происходит на границу раздела пленка-подложка, границы зерен и поверхность пленки. В результате такого процесса формируются поликристаллические пленки, на границах зерен которых находятся аморфизованные прослойки с избыточным содержанием кислорода. При осаждении пленок дисилицидов из молекулярных пучков на нагретую подложку, при оптимизации процесса формирования, реализуется квазипослойный рост пленки, при котором кислород преимущественно

вытесняется растущей дисилицидной фазой на границу раздела пленка-вакуум. Получаемая таким образом пленка имеет безкислородные границы раздела и, как было экспериментально показано, малое удельное сопротивление.

Третья глава посвящена исследованиям процессов формирования тонких пленок силицидов со структурным и фазовым контрастом на кремнии и ЗЮ2 в одностадийных безотжиговых процессах осаждения тонких пленок в сверхвысоком вакууме из молекулярных пучков, соответствующих нестехиометричннм силицидам.

Реализация самосовмещения при твердофазной реакции взаимодействия металлической пленки с кремниевой подложкой, применяемой в традиционном "салицидном" процессе, основана на способности металла реагировать с кремнием при отжиге, образуя силициды, и не взаимодействовать с 3102, создавая таким образом возможность селективного травления металлической пленки на вю^ по отношению к силицидной на кремнии. Такой процесс является двухстадийным и требует высокотемпературных отжигов. Цель исследований, представленных в данной главе, заключалась в том, чтобы изучить возможность получения тонких пленок силицидов, имеющих достаточные структурные и фазовые различия для селективного травления пленок на БК^, по отношению к пленкам на кремнии, непосредственно в процессе роста пленки из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, без последующих отжигов. Для этого необходимо создать такие условия роста пленок, при которых на кремнии, за счет диффузии недостающего кремния из подложки, формировалась бы дисилицидная фаза, а на йЮ^ осаждалась бы силицидная пленка, соответствующая задаваемой стехиометрии. Эксперименты показали, что реализация такого процесса возможна. Исследования кристаллической структуры, стехиометрического и

фазового состава тонких пленок силицидов, осаждаемых из молекулярных пучков на нагретую подложку показали, что уже при температурах подложки 600°С существует значительная разница в свойствах пленок силицидов на кремнии и вю2. При температурах подложки ТП=650°С, на кремнии, в результате взаимодействия с подложкой, формируется низкоомная фаза С-54 №12, а на Б102 растет пленка, соответствующая стехиометрии, задаваемой в эксперименте. Исследования селективного травления таких структур указывают на полное стравливание силицидной пленки с и

неизменность дисилицидной пленки на кремнии.

При исследованиях фазового состава силицидных пленок на в102, вблизи края ступени БК^/Э!, при осаждении титана и кремния из молекулярных пучков на нагретую подложку, обнаружен специфический рост силицидных фаз. На границе раздела пленка-йЮ^ растет метастабильная металлообогащенная фаза и^б^, сверху этого слоя обнаружена фаза т1б1, и в приповерхностной области пленки - Т1Б1г. Такой конвертированный, по отношению к росту на кремнии, рост силицидных фаз объясняется латеральной диффузией кремния из подложки и взаимодействием силицидной пленки с 8102. Механизм фазообразования определяется соотношением предельных растворимостей кислорода в титане, кремнии и силицидных фазах. При взаимодействии силицидной пленки с 8Ю2, в условиях избытка кислорода, первой растущей фазой будет фаза, имеющая наибольшую предельную растворимость кислорода, т.е. И^!^. При неизменной температуре процесса, толщина слоя М^!^ будет определяться количеством кислорода, попадающего в пленку из БЮ^. При некоторой толщине слоя количество кислорода в силицидном слое становится сравнимым с тем количеством, которое допускает образование при этой

температуре фазы №1. Эта фаза и будет образовываться над И^Э!^. Поскольку толщина окисла значительно больше критической толщины, при которой возможна диффузия кремния через слой бю2 при данной температуре, дополнительный кремний поступает в пленку за счет латеральной диффузии. Формирование моносилицида завершится при достижении некоторой толщины, при которой содержание кислорода в пленке, согласно тройной фазовой диаграмме М-ЭЬО, допускает образование фазы М312.

Четвертая глава диссертации посвящена исследованиям и разработке самосовмещенного процесса формирования контактов к мелкозалегающим р-п переходам на основе магнетронного сораспыления металла и кремния. Основной недостаток традиционного "салицидного" процесса заключается в невозможности формирования контактов к мелкозалегающим р-п переходам из-за потребления кремния, необходимого для образования силицида во время отжига, из приповерхностной области подложки, где и формируются р-п переходы. Избежать потребления кремния из подложки можно только реализуя .его доставку из внешнего источника, но это создает проблемы с самосовмещением, делая его невозможным при использовании стехиометричных силицидов в процессах отжига смеси металла с кремнием. На основе результатов исследований процессов фазообразования тонких пленок силицидов осаждением из молекулярных пучков на нагретую подложку в сверхвысоком вакууме, предложен и исследован одностадийный, низкотемпературный процесс формирования контактов к мелкозалегающим р-п переходам. Исследования процесса магнетронного сораспыления титана и кремния на нагретую подложку показали возможность формирования в едином технологическом цикле тонких пленок дисилицида титана на кремнии и нестехиометричных

силицидов на Для использования самосовмещеннго процесса

формирования контактов к мелкозалегающим р-п переходам, основанного на осаждении нестехиометричннх силицидов, важно определить максимальное содержание кремния в осаждаемой пленке, при котором возможно образование силицидных пленок с такими фазовыми и структурными различиями, которые обеспечат селективность травления. Исследования показали, что даже в случае осаждения пленок состава ИБ:^, из-за разницы в структуре поверхностей, на которые осаждаются пленки, возможны структурные различия пленок, которые, однако, недостаточны для селективного травления. Уменьшение содержания кремния в исходной пленке приводит к большей селективности процесса травления, и при составе Т1в11 5, пленка на ЗЮ2 после селективного травления является не сплошной, а состоит из отдельных островков. Установлено, что полное селективное травление силицидной пленки с вМр по отношению к дисилицидной пленке на кремнии, возможно при максимальной, задаваемой в процессе формирования пленки, стехиометрии Т1Б11 у Проведена оптимизация скоростей осаждения металла и кремния, а также температуры подложки в процессе формирования, для получения гомогенных силицидных пленок на , кремнии, состоящих из низкоомной модификации С-54 ИБ^. Исследован процесс взаимодействия нестехиометричннх силицидов с БЮ^. Температура подложки в процессе осаждения силицидной пленки должна быть достаточна для формирования низкоомной дисилицидной фазы, но не слишком велика, поскольку при взаимодействии силицидной пленки с ЗЮ2 возможно образование трудноудаляемых окислов титана. Исследования показали, что пленки Т1Б11 у осаждаемые при- температурах подложки ТП<675°С полностью удаляютя с поверхности окисла.

Для исследования электрофизических свойств самосовмещенных силицидных контактов к мелкозалегающим р-п переходам, сформированных в одностадийных процессах формирования при магнетронном сораспылении на нагретую подложку, были изготовлены и исследованы тестовые структуры для измерений токов утечек диодов и контактных сопротивлений. Исследования показали, что токи утечек, при глубине залегания р+-п и п+-р переходов 0.12 мкм составляют не более 1-3 нА/см2. Контактные сопротивления силицидных пленок к п+й1 и р+Б1- И^Ю^Ом/см2.

Пятая глава диссертации посвящена исследованиям процессов формирования тонких пленок нитрида титана при магнетронном распылении титановой мишени с малыми мощностями и давлениями азота ниже критического для барьерных слоев и локальных межсоединений.

Предложено качественное объяснение процесса реактивного осаждения тонких пленок нитрида титана в области критических давлений азота. На основе решения уточненного уравнения для поглощения атомов азота в процессе реактивного осаждения нитрида титана, показано существование критической точки процесса, соответствующей началу нитридизации мишени. Приведено объяснение расширения области получения стехиометричных пленок нитрида титана с уменьшением мощности разряда в диапазоне давлений азота от стехиометрического до критического.

Экспериментально исследованы зависимости скорости осаждения стехиометрических пленок от мощности магнетрона и смещения на подложку. Показано, что при мощности магнетрона 200Вт - 1кВт область стехиометрического роста нитридннх пленок при давлениях азота меньших критического расширяется с уменьшением мощности. Исследовано влияние параметров процесса на удельное

сопротивление пленок. Определены оптимальные условия процесса для получения тонких пленок с малым удельным сопротивлением. Показано, что тонкие (200-300нм) и сверхтонкие (20-30нм) пленки нитрида титана, получаемые при малых мощностях и давлениях азота ниже критического, имеют удельные сопротивления 30-40 мкОм*см. Исследовано влияние на свойства пленок нитрида титана отрицательного смещения на подложку, в процессе формирования пленок. Показано, что в этом случае пленки имеют удельное сопротивление 25 мкОм*см. Исследованы кристаллическая структура и состав пленок нитрида титана. Проведено сравнение структуры и свойств пленок, полученных при малых мощностях и давлениях азота ниже критического с пленками, полученными в режимах реактивного распыления нитридизованной мишени. Показано, что квазипослойное формирование нитридной пленки со скоростями роста Т=0.1 - 0.2 нм/с, реализуемое при реактивном осаждении, приводит к образованию пленок с малым (<1$) содержанием кислорода и как следствие, малым удельным сопротивлением. Пленки имеют столбчатую поликристаллическую структуру с характерным размером зерен 20 - 30 нм. Исследования взаимодействия пленок нитрида титана с поверхностью ЗЮ2 показали, что процесс активного раскисления начинается при температурах подложки ТП=400°С. Определены структура границы раздела пленка-подложка и морфология поверхности пленки. Показано, что при реактивном осаждении с малыми мощностями, неровность поверхности нитридных пленок составляет не более 3 нм, при этом толщина сплошных беспористых пленок менее 10 нм. Исследован процесс заполнения субмикронных щелей в кремнии с отношением глубины к ширине 2:1 при реактивном магнетронном осаждении пленок нитрида титана. Показано, что в этом случае возможно конформное нанесение тонких

и сверхтонких слоев Т1Н на рельефные поверхности. Исследованы барьерные свойства пленок нитрида титана в системе в^тими. Показано, что активного взаимодействия алюминия с кремнием не происходит при температурах отжига То=550°С.

Шестая глава посвящена исследованию термостабильности и границ раздела многослойных структур на основе силицидных контактных слоев, нитридных барьерных слоев, тугоплавких металлов и алюминия для металлизации соединений в СБИС.

Экспериментально исследована термостабильность многослойных структур 31/М812/А1, Б1/И812/1У/А1, Эх/МБ 1^/7^1,

в!/! 1Э12/Т£N/№/¿1 в зависимости от температуры и среды отжига. Исследования системы 81/Т1Б12/А1 методами Резерфордовского обратного рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновского микроанализа показали, что до 550°С структура системы не меняется, хотя наблюдается развитие границ А1 и М812. При повышении температуры процесс взаимной диффузии алюминия и кремния приводит к образованию тройных химических соединений Наличие слоя вольфрама между алюминием и

дисилицидом титана предотвращает образование тройных соединений во всех исследованных системах. Установлено влияние условий отжига на структуру слоев и межслойных границ. В отдельных случаях на границах раздела обнаружены аморфные прослойки толщиной несколько нанометров. Их появление связано с образованием интермегаллических соединений. Показано, что при отжтиге на воздухе, уже при температурах То=550°С, в системе 81/М312/Я/А1, происходит диффузия вольфрама в кремниевую подложку с образованием соединений а сама пленка вольфрама преобразуется в металлообогащенный силицид Значительная

глубина проникновения вольфрама в кремниевую подложку связана с

наличием дефектов в приграничных областях подложки. Алюминий существенно ускоряет процесс диффузии вольфрама, так как система si/lisig/w при таких температурах является стабильной. Однако в зависимости от условий отжига и состава силицидной пленки процесс взаимодействия слоев существенно различается. В системе si/TiSi^/w/Al, при отжиге в вакууме, активного взаимодействия между слоями не происходит. Велико влияние стехиометрии силицидного слоя на термостабильность систем Si/TiSi^/Al. Отличие стехиометрии слоя силицида от TiSi2 приводит к началу взаимодействия на границе раздела силицид-кремний. Поскольку в системе титан-кремний преимущественно движущимися частицами являются атомы кремния, это приводит к образованию на границе раздела TiSix-Si богатого вакансиями слоя кремния, в который начинается диффузия вольфрама с образованием wsiz. Экспериментально обнаружено, что при отжиге в вакууме при температурах отжига То=550°С, . в системах Si/TiSi2/W/Al и Si/Tisig/TiN/ff/Al наблюдается повышенная неровность межслойных границ раздела, по сравнению с системами отожженными при температурах 450°С и 650°С. Это связано с образованием областей повышенной концентрации дефектов ,в приповерхностных слоях кремниевой подложки. Из этих областей возможна диффузия кремния с одновременным смещением границы раздела TiSi2-Si. В результате такого процесса образуются волнистые границы раздела Tisi^-si и TiSi2-TlN-w. При повышении температуры отжига процесс диффузии кремния -происходит более интенсивно. Поскольку в кремнии наиболее химически стабильны плоскости (III), преобладающими направлениями эррозии подложки будут [211], которые параллельны поверхности (III) подложки. Таким образом, при повышении температуры подложки, границы раздела выравниваются.

f

Наиболее термостабильной, среди рассмотренных систем является система ЗУИа^/тт/ШЬ Наличие барьерного слоя нитрида титана предотвращает значительные диффузионные потоки между слоями и обеспечивает отсутствие промежуточных аморфных прослоек или включений при температуре отжига То=550°С.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1.Установлено, что фазообразование в тонких силицидных слоях, формируемых непосредственно в процессе контролируемого роста пленок, происходит при температурах, существенно более низких чем при твердофазном взаимодействии металла с кремнием (на 200-300°С). На примере силицида титана определена кристаллическая структура таких слоев и ее связь с электрофизическими' свойствами. Определены оптимальные параметры низкотемпературного, безотжигового процесса роста низкоомных гомогенных (фаза С-54) силицидных слоев (р=13-25 мкОм*см при ТП=550-650°С) и области их изменения. Найдены режимы роста тонких пленок при которых получены слои с экстремально низкими удельными сопротивлениями (р=П.7 мкОм*см).

2. Дано объяснение процессов фазообразования и кинетики роста силицидных фаз в • системах металл/кремний и металл+кремний/кремний в зависимости от содержания кислорода в пленках. Предложена новая феноменологическая модель фазообразования силицидных слоев, объясняющая различие электрофизических свойств тонких пленок, сформированных в МПЭ-подобных процессах и при отжиге металлической пленки на кремнии различными механизмами оттеснения примеси при силицидообразовании. Показано, что для снижения температур

формирования низкоомных силицидных слоев, вместо традиционных процессов, основанных на твердофазном взаимодействии металла с кремнием в объеме пленки, необходимо использовать поверхностные процессы фазообразования силицидов при контролируемом росте пленки из молекулярных пучков.

3. Установлена связь структуры границ раздела ИБ^/М ( наличие аморфного слоя, волнистость границы и т.д.) с обработкой поверхности кремния (ионная бомбардировка и отжиг в сверхвысоком вакууме). Обнаружена возможность образования на границе раздела пленка-подложка дефектных областей, а именно: в пленке -кремниевых "бугров", имеющих зпитаксиальное соответствие с подложкой и в подложке - микровключений Тй^, имеющих структуру С-49 и С-54 в зависимости от способа формирования пленки. Показано, что формирование таких дефектных областей связано с локальной неоднородностью распределения атомов титана в пленке. Установлено, что рост пленок Т:Ш12 вглубь подложки при высоких температурах (750°С) происходит даже при осаждении стехиометрических пленок. Сдвиг границы раздела силицид-кремний вглубь подложки происходит через образование так называемых "карманов" из избыточных атомов . титана с последующим превращением их в дисилицид.

4. Установлено, что использование механизма фазообразования силицидов непосредственно в процессе роста нестехиометричных пленок приводит к возможности создания таких условий формирования силицидных слоев, при которых происходит структурно- и фазово- различный рост силицидов на кремнии и 8Ю2 в одном технологическом цикле. Показано, что процессы переноса кремния из подложки в растущую пленку, необходимые для формирования конечной дисилицидной фазы и соответственно

обеспечения структурного и фазового контраста, при осаждении нестехиометричных силицидов, зависят от условий роста пленок и происходят при относительно низких температурах (600°С). Исследован процесс образования структурно- и фазово- различных слоев силицидов титана и его зависимость от стехиометрии исходных пленок, скоростей осаждения металла и кремния, способа подготовки поверхности, вакуумных условий и температуры подложки. Определены оптимальные параметры процесса для обеспечения максимального контраста и соответственно полного селективного травления.

5. Обнаружен специфический рост силицидных фаз на БК^ (конвертированный по отношению к росту силицидных фаз на кремнии, а именно: металлообогащенные фазы на границе раздела пленка-подложка, моносилицид в объеме и дисилицидная фаза на поверхности пленки) при осаждении нестехиометричных силицидов на нагретую подложку. Дано объяснение этому факту, основанное на рассмотрении процессов латеральной диффузии и силицидообразования при высоком содержании кислорода в пленке. Показано, что использование эффекта конвертированного роста силицидных фаз при формировании силицидных пленок для контактов в СБИС может приводить к уменьшению влияния латеральной диффузии на ужирение силицидных слоев

6. Разработан и исследован одностадийный низкотемпературный метод формирования структурно- и фазово- различных силицидных слоев с высоким содержанием кремния в исходной пленке (ИМф 8-МБ^) на основе магнетронного сораспыления титана и кремния на нагретую подложку. Исследованы зависимости фазового состава, кристаллической структуры (размер зерен, дефектность), состояния границы раздела пленка-подложка и электрофизических свойств

тонких пленок от параметров процесса магнетронного сораспкления (мощность, давление, температура и скорость вращения подложки, расстояние мишень-подложка). Показано, что при осаждении нестехиометричных силицидов с содержанием кремния до Т1311 ^ за счет диффузии кремния из подложки возможен рост низкоомной фазы С-54 на кремнии и мелкозернистой смеси металлообогащенных, моно-и дисилицидной фаз на БК^ при температурах 600-675°С в одном ростовом процессе.

7. Разработана технология полного селективного травления смеси силицидных фаз на БЮ2 по отношению к дисилициду на кремнии при высоком содержании кремния в исходной пленке (до Т1Б11 3). Определена минимальная температура процесса при которой возможно получение фазового контраста за счет образования дисилицидной фазы на кремнии. Исследованы процессы взаимодействия силицидных слоев различного состава о ЭК^ при магнетронном сораспылении на нагретую подложку. Определена максимальная температура (675°С) при которой взаимодействие силицидных фаз с £Ю2 таково, что не влияет на структуру и фазовый состав силицидных пленок и приводит к полному селективному стравливанию продуктов реакции с поверхности

8. Разработана новая низкотемпературная самосовмещенная технология формирования низкоомных силицидных контактов к мелкозалегающим р-п переходам в кремнии на основе одностадийного процесса формирования тонких силицидных слоев методами осаждения нестехиометричных силицидов на нагретую подложку. Показано, что такая технология позволяет получать контакты к п+ и р+ областям с глубинами залегания р-п переходов ¿<0.15 мкм. При этом токи утечек 1ут>=1 нА/см2, контактное сопротивление Ис=10"7 Ом/см2.

9. Разработан и исследован метод формирования низкоомных

пленок нитрида титана для барьерных слоев и локальных межсоединений на основе реактивного магнетронного распыления при малых мощностях разряда и давлениях азота меньше критического. Определены режимы и области их изменений для устойчивого осаждения стехиометричных пленок со скоростями осаждения 0.1-0.2 нм/с при которых возможно получение тонких (200нм) и сверхтонких (Юнм) слоев Till с удельными сопротивлениями р=25-30 мк0м*см. Исследована кристаллическая структура пленок, морфология поверхности и состояние границы раздела пленка-подложка. Показано, что малые значения удельных сопротивлений пленок, полученных реактивным магнетронным осаждением при давлениях азота меньших критического, являются результатом низкого (менее 1%) содержание кислорода в пленках, что обусловлено квазипослойным ростом нитридной фазы в процессе роста пленки. Дано объяснение процесса реактивного магнетронного осаждения тонких пленок нитрида титана при давлениях азота меньше критического. Получены конформные сплошные беспористые пленки толщиной 10 - 200 нм на поверхности кремниевых тренчей с отношением глубины к ширине 2:1.

10. Установлено, что применение самосовмещенного низкотемпературного процесса формирования низкоомных контактных силицидных слоев, процесса реактивного магнетронного распыления при малых мощностях и давлениях азота ниже критического для осаждения барьерных слоев TIN, позволяет получать термостабильные многослойные структуры на основе силицидов, нитридов и тугоплавких металлов. Установлено влияние условий формирования различных многослойных систем, таких как Si/TiSig/Al, Si/TiSig/W/Al, Si/TiSij/W/Al И Si/TiSij/TiM/W/Al И условий отжига на структуру и планарность межслойных границ.

Исследован механизм взаимной диффузии А1, Я, при отжиге на воздухе и в вакууме. Показано, что многослойная система 81/И812/!Ш/'*/А1, сформированная развитыми в работе способами,

о=

является термостабильной при темппературах То=550°С.

По теме диссертации в открытой печати опубликовано 45 работ. В том числе:

I. Антонов С.Л., Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский A.A.,. Седельников А.Э. Исследование тонких пленок TiSi2, полученных электронно-лучевым соиспарением в высоком вакууме.-Поверхность, 1987, N8, с.89-96

2 Антонов С.Л., Васильев А.Г., Орликовский A.A., Седельников А.Э. Пленки дисилицида титана для металлизации соединений сверхбольших интегральных схем.-Труды ИОФАН, 1987, т.8,с.126-135

3. Антонов СЛ., Васильев А.Г., Орликовский A.A., Седельников А.Э. Исследование тонких пленок дисилицида титана, полученных методом электронно-лучевого испарения из двух источников в высоком вакууме.-Тез. докл. Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития микроэлектронной техники", Минск, 1985, с.238

4. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Орликовский A.A., Седельников А.Э. Кинетика фазообразования TiSi2 в пленках, полученных осаждением из молекулярных. пучков.-Высокочистые вещества, 1988, N1, с.61-68

5. Антонов С.Л., Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Исследование тонких пленок TiSi2, полученных электронно-лучевым соиспарением в высоком вакууме методами ВИМС и СФИВ.-П Международная конференция по электронно-лучевым технологиям ЭЛТ-88, Варна, НРБ, 1988, с.875-880

6.Антонов С.Л., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A.,

Орликовский А.А., Седельников А.Э. Исследование свойств пленок TiSig, полученных электронно-лучевым соиспарением в сверхвысоком вакууме.-Труды ИОФАН, 1988, т.14, c.III-122

7. Вольф Ф., Рихтер Ф., Бисер Е., Васильев А.Г., Орликовский А.А., Сравнение различных методов формирования тонких пленок TiSig.-Симпозиум по микроэлектронике АН СССР и АН ГДР, Минск, 1988, с.49-51.

8. Валиев К.А., Васильев А.Г., Вольф Ф., Орликовский А.А., Рихтер Ф. Исследование процессов фазообразования в тонких пленках TiSi2, полученных осаждением И и si из молекулярных пучков.-Симпозиум по микроэлектронике АН СССР и АН ГДР, Минск, 1988, с.53-54.

9. Бугель Э., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев Н.А., Орликовский А.А. Электронно-микроскопические исследования пленок TiSi2.- Симпозиум по микроэлектронике АН СССР и АН ГДР, Минск, 1988, с.61-62

10. Antonov S.L., Valiev К.А., Vasiliev A.G., Orlikovsky A.A. The Angular Dependence of Sputtering Yield of TiSL> Layers and Analysis of Titanium Disilicide by SIMS and SCANIIR Methods.-VII International Workshop on Inelastic Ion Surface Collision, Krakov, Poland, 1988, p.92

11. Valiev K.A., Vasiliev A.G., Vasiliev A.L., Kiselev N.A., Orlikovsky A.A. The investigation of TiSig phase formation in the thin films produced by electron beam coevaporation in ultrahigh vacuum.E-MRS Spring meeting, Strasbourg, Trance, 1988, p.D-82

12. Антонов С.Л., Валиев К.А., Васильев А.Г., Иошкин В.А., Орликовский А. А. Угловая зависимость полного коэффициента распыления пленок TiSi2 и анализ дисилицида титана методом ВМС.-Поверхность, 1988, N12 с.22-27

-3213. Васильев А.Л., Киселев H.A., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Электронно-микроскопические исследования тонких пленок дисилицида титана.-Известия АН СССР (серия физическая) 1988, т.52, М7, C.I288-I29I

14. Антонов С.Л., Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Исследование тонких пленок IiSi2 методами ионно-фотонной спектроскопии и масс-спектрометрии вторичных ионов.-Поверхность, 1989, N1, с.32-37

15. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Орликовский A.A. Влияние параметров электронно-лучевого соиспарения на электрические и структурные свойства пленок Iis ig.-Микроэлектроника, 1989, т.18, вып.З, с.241-247.

16. Головин А.Л., Имамов P.M., Меликян О.Г., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Послойный рентгеновский анализ процессов взаимодействия атомов И и Si с поверхностью монокристаллического Si.-Поверхность, 1989, Н8, с.78-86

17. Valiev К.А., Vasiliev A.G., Vasiliev A.L., Kiselev ' N.A., Orlikovsky A.A. Investigation of The TiSi2 phase formation in the films produced by electron beam coevaporation in ultrahigh vacuum.-VEIT-89, Varna, Bulgaria, 1989, p.87

18. Antonov S.L., Valiev K.A., Vasiliev A.G., Orlikovsky A.A. Analysis of Titanium Disilicide by SIMS and SCANIIR Methods.-European Conference on Application of Surface and Interface Analysis, Antibes, France, 1989, p.168.

19. Валиев К.А., Васильев А.Г., Орликовский A.A., Васильев А.Г., Лукичев В.Ф. Проблемы создания высоконадежных многоуровневых соединений СБИС.-Микроэлектроника, 1990, т.19, вып.2, c.II6-I3I.

20. Valiev К.A., Vasiliev A.G., Vasiliev A.L., Kiselev N.A.,

Orlikovsky A.A. Sedelnikov A.E. Structure and properties of TiSi^ thin iilms and TiSig-SidH) interfaces.-Surface and Coating Technology, 1991, v.45, p.281-289

21. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев A.JI., Головин A.JI., Имамов P.M., Киселев Н.А., Орликовский А.А., Седельников А.Э. Структура и свойства пленок TiSi2 и границ раздела TiSig/Si.-Труды ФТИАН, 1991г., т.2, с.22-38

22. Антонов С.Л., Васильев А.Г., Орликовский А. А., Седельников А.Э. Процессы физического распыления и анализ методами вторичной масс-спектрометрии, и ионно-фотонной спектроскопии пленок дисилицида титана.- -Труды ФТИАН, 1991г., т.2, с.38-48

23. Vasiliev А.Ь., Kiselev N.A., Lebedev O.I., Orlova E.V., Vasiliev A.G., Orlikovsky A.A. HBBI of TiSig/Si and TiSi2/Si02 interfaces.-Inst.Phys.Conf., 1991, N117, p.297-302.

24. Yaliev K.A., Vasiliev A.G., Orlikovsky A.A. Vasiliev А.Ь., Golovin А.1., Imaraov R.M., Kiselev N.A. Structure and properties of TiSig films on Si, obtained by Ti and Si co-evaporation in high vacuum.-Vacuum, 1991, v.42, N18, p.1191-1201.

25. Kiselev N.A., Lebedev O.I., Vasiliev A.L., Orlikovsky A. A., Valiev K.A., Vasiliev A.G. Electron microscopy of structurally different titanium disilicide films, obtained in one technological iprocess.-Vacuum, 1995, v.44, N2, p.143-150

26. Kiselev N.A., Lebedev O.I., Orlikovsky A.A., Sedelnikov A.E., Valiev K.A., Vasiliev A.G. Vasiliev A.L. Investigation of thermal stability of multilayered Si/TiSig-Al and Si/TiSi2(TiN)-W-Al systems-Vacuum, 1993, v.44,N10, p.1015-1023.

27. Antonov S.I., Belevsky. V.I., Gusev I.V., Orlikovsky A. A., Valiev K.A., Vasiliev A.G. Identification of titanium disilicide

thin films by SIMS.-Vacuum, 1992, v.41 , N5-7, p.635-636.

28. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Лебедев О.И., Орликовский A.A. Процессы фазообразования пленок силицидов титана на тонких слоях Si02 переменной толщины.-Микроэлектроника, 1993, т.22, вып.2, с.53-58.

29. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Лебедев О.И., Орликовский A.A., Седельников А.Э. Формирование пленок TiSix с различными структурными характеристиками на Si и Si02 в едином технологическом цикле.-Микроэлектроника, 1992, т.21, вып.З, с.74-81.

30. Васильев А.Л., Киселев H.A., Лебедев О.И., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Электронная микроскопия высокого разрешения границ раздела силицидов титана на Si и Si02. -Известия АН СССР (серия физическая) 1991, т.55, N8, с.1483-1486.

31. Васильев А.Л., Лебедев О.И., Васильев А.Г., Орликовский A.A. Электронная микроскопия многослойных систем Al-5iSi2/(11l)Si и Al-W-IiSig/(ni)Si .-Известия АН СССР (серия физическая) 1991, Т.55, N8, c.I487-I493.

32. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Лебедев О.И., Орликовский A.A. Исследование структурно-различных пленок TiSij на Si и Si02, полученных в едином технологическом цикле.-Труды ФТИАН, 1993, т.5, с.69-84.

33. Валиев К.А., Васильев А.Г., Васильев А.Л., Киселев H.A., Лебедев О.И., Орликовский A.A. Исследование термостабильности многоуровневых систем Si/TiSi2-Al и Si/TiSi2(TiN)-W-Al, -Труды ФТИАН, 1993-, Т.6, С.80-101.

34. Валиев К.А., Орликовский A.A., Барышев В.П., Васильев А.Г., Золотухин М.Н., Исаев К.Ш., Лукичев В.Ф., Плахов Б.В. Новые субмикронные технологические процессы для сверхбыстродействующей

КМОП и БиКМОП-элементной базы высокопроизводительных ЭВМ.- Труды ФТИАН, 1994, Т.8, с.3-16.

35. Васильев А.Г.', Каско И.В., Киселев H.A., Кононов М.А., Лебедев О.И., Орликовский A.A.* Риссел X., Фрей Л. Новый саносовмещенный процесс формирования силицидных контактов к

мелкозалегающим р-п переходам.- Российская конференция

\

"Микроэлектроника-94", Звенигород, 1994, с.335-336.

36, Kasko I.V., Vasiliev A.G., Kononov U.A., Prey L., Lebedev 0.1., Orlikovsky A.A., Ryssel H. Self-aligned silicidation " by magnetron co-sputtering of TiSix thin films.-Materials for advanced metallization, Germany, 1995, p.31-32.

Типография ордена "Знак почета" издательства МГУ

119899,Москва,Ленинские горы Заказ № Тираж экз.