автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование и разработка процессов формирования непроникающих омических контактов на основе силицида титана к мелкозалегающим Р-П-переходам кремниевых ИС

. „ п г\ Г!

\} 1 О и.-.

\ 7 ФЕО ДО7

Иа правах рукописи

./Г

Экз. N1.

РАЙНОВА МАРИЯ ЮРЬЕВНА

ИССЛЕДОВАНИЕ И РАЗРАБОТКА ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ НЕПРОННКАГОЩИХ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ НА ОСНОВЕ СНЛНЦНДА ТИТАНА К МЕЛК01ЛЛЕГАЮ1ЦИМ Р-П-ПЕРЕХОДАМ КРЕМНИЕВЫХ ИС.

(05.37.01-Ттердотчльна» •лектронмка, микромы» роима м ивмоэметроника)

Автореферат д»*ссартвф<»1 на соиоанш ученой опции кандидата твхнмчасжмх наук

МОСКВА -19»7

Работа выполнена ■ Московском институте электронной техники

Научный руководитель:

Доктор технических наук, профессор

МЛ. Короле*

Научный консультант:

Кандидат технических наук, доцент

Официальные оппоненты:

Доктор технических наук, профессор

В.И. Шеюхое

СЛ. Неустроее

Кандидат твхшнеских наук »едущий научный сотрудник

ВИ. Золотаре«

Ведущая организаций • НИИМП

Зашита состоится'

_1»7 г.

на засевании диссертационного Совета Д.053.02.02 е Московском института электронной техники по адресу: 103498 Москва, К-498, г. Зеленоград, МИЭТ

С диссертацией можно ознакомиться а библиотеке института.

Автореферат разослан

• - *

, (997 г.

Ученый се«ретаръ диссертационного Сомпа^-к.ф-м и., доцент

,М. Орлое

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Доминирующее направление развития микроэлектроники, - повышение степени интеграции ИС, осуществляемое в основном за счет уменьшения размеров элементов. Вместе с тем освоение промышленного выпуска ИС с элементами субмикронных размеров невозможно без кардинального решения проблемы металлизации, так как с повышением степени интеграции роль системы металлизации возрастает, она занимает все большую площадь кристалла и вносят значительный вклад в основные параметры ИС: быстродействие, площадь кристалла, помехоустойчивость, надежность и другие.

Как известно, при уменьшении размеров элементов ИС используют закон масштабирования, предполагающий, • частности, пропорциональное уменьшение как гориэонтягькых. так и вертикальны* размеров приборов. Поэтому в современных СБИС на основе МОП - транзисторов с длиной канала I мкм глубины залегания диффузионных областей уже имеет значение £ 0,2 мкм. Традиционные методы создания контактов к таким мелким р-п-переходам или не обеспечивают необходимо низкое переходное сопротивление (поликремниевые контакты), или происходит глубокое неконтролируемое проникновение материала контакта в полупроводник (алюминиевые контакты). Поэтому задача разработки технологии формирования малопроникающих контактов является крайне актуальной. Одним из путей решения проблемы является использование си.-мцидных контактов, которые, как известно, позволяют создавать контактные системы с малым переходным солротивлетем и относительно небольшой глубиной проникновения в кремний.

К началу выполнения настоящей работы проблемы разработки некоторых конструктивно-технологических методов создания контактных систем на основе силицидов во многом не были решены как у нас в стране, так и за рубежом.

Так, существующие технологии на основе одного из перспективных силицидов тугоплавких металлов - Т&г • характеризуются невысокой воспроизводимостью толщины образования силицида, требуют привлечения специального оборудования.

Основным конструктивным вариантом контактной системы для мелкозалегакндих диффузионных областей является сочетание трех слоев: контактного проводника (силицид), барьерного слоя (препятствующего диффузии алюминия и кремния), металла разводки (например, алюминий), Вместе с тем вопрос выбора материалов контактной системы остается открытым и диктуется конструктивно-технологическими особенностями конкретных приборов.

Нерешенным является вопрос минимизации эффекта перераспределения примеси в кремнии в процессе силицидообразования и последующих тврмообработках.

До конца не решена проблема уменьшения латерального роста силицида ■ технологии одновременного создания самосовмещенных силицидных контактов к кремнию и полицидных электродов.

Большой интерес исследователей сосредоточен на вопросе влияния технологических Факторов на кинетику силицидообразования, поскольку решение данной проблемы позволит повысить воспроизводимость процесса силицидообразования.

Процесс формирования слоев двуокиси кремния на поверхности силицидных слоев предоставляет новые возможности для реализации различных конструктивных решений. Технология создания таких слоев разработана, однако имеющиеся в

литературе данные достаточно противоречивы, и в раде случаев отсутствуют сведения о связи электрофизических характеристик получаемого окисла с технологическими параметрами их формирования.

Таким образом, задача разработки процесса формирования омических контактов на основе силицидов, с малой глубиной проникновения в кремний, обладающих улучшенными электрофизическими параметрами, более эффективного как с экономической, так и с точки зрения способности его использования в различных ИС, является актуальной и имеет важное научное и техническое значение. Дня упрощения терминологии в дальнейшем такие контактные структуры будут называться непроникающими контактами.

Цель работы: исследование и разработка процесса формирования непроникающих омических контактов на основе силицидов тугоплавких металлов к мелкозалегающим р-п переходам в кремниевых ИС.

Для достижения поставленной цели потребовалось решение следующих

задач:

1. Разработать процесс формирования силицидных контактов к мелкозалегающим р-п переходам, отличающийся простотой и воспроизводимостью параметров образующихся слоев силицида титана.

2. Провести поиск материала барьерного слоя для создания термостабильного омического контакта на основе силицида титана с использованием алюминия в качестве металла разводки.

3. Исследовать эффект перераспределения примеси при силицидообразовании и последующих термообработках, разработать технологическое решение, приводящее к его минимизации.

4. Исследовать влияние конструктивно-технологических факторов на латеральный рост силицида при одновременном создании самосовмещенных силицидных контактов к областям истока, стока и лолицидного электрода затвора МОП. ИС.

5. Исследовать влияние примесей, содержащихся в атмосфере отжига и в слое металла на кинетику и фазовый состав образующегося силицида.

6. Провести комплексное исследование технологии выращивания слоев БЮг на поверхности Т®г и их электрофизических характеристик.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА

1. Установлены закономерности процесса формирования непроникающих силицидных контактов, основанного на самоостанавливающемся способе образования двухслойной структуры: силицид титана-окисел титана при термообработке системы: титан-кремний во влажной среде.

2. впервые получены количественные данные по зависимости проводимости слоев двуокиси титана нестехиометрического состава (ТЮг.ж, где х<0,5) от технологических параметров ее температурной обработки в диапазоне 450-1000"С.

3. Разработан метод локальной модификации проводимости слоев ТЮз-л путем термообработки при наличии на их поверхности маски - диффузионного барьера для кислорода.

4. Предложена качественная физическая модель процесса силицидообраэования, основанная на вакансионном механизме диффузии кремния в ТКЬ. исследованы закономерности влияния кислорода, содержащегося в атмосфере отжига и в пленке титана, на кинетику образования и фазовый состав силицида при термообработке системы Т1-Б|.

5. Проведено комплексное исследование кинетики образования окисла кремния на поверхности силицида титана и его электрофизических характеристик. Выявлена корреляция критической напряженности электрического поля окисла с технологическими режимами его формирования а диапазоне температур 700-1000°С.

6. Впервые исследованы электрофизические параметры контактов А1-ТЮг.». Установлено, что контакты обладают омическими свойствами, а их минимальное удельное переходное сопротивление составляет величину - МО ® Ом см г.

ПРАКТИЧЕСКАЯ ЗНАЧИМОСТЬ

1. Разработанный процесс формирования сМЛИЦИДных контактов характеризуется существенной простотой, воспроизводимостью и темным контролем толщины создаваемого слоя силицида титана.

2. Разработанные структуры отличаются высокой стабильностью параметров и могут быть эффективно использованы при создании металлизации СБИС с алюминиевыми межсоединениями.

3. Разработанные самоостанавливающийся процесс формирования двухслойной структуры ТЮг-х -Т181г и метод локальной модификации проводимости Т10г., являются основой для усовершенствованной технологии одновременного формирования самосовмещенных силицидных контактов к кремнию и полицидных электродов затворов в составе МДП СБИС.

4. На основе выявленных закономерностей влияния кислорода на процесс силицид ^образования сформулированы технологические принципы формирования слоя дисилицида титана при пониженной температуре (~550°С).

Ь. Технология получения окисла кремния на поверхности силицида титана позволяет обеспечить самосовмещенную пассивацию силицидных контактов и упростить технологию межуровневой изоляции металлизации СБИС.

6. Ряд результатов работы внедрен в учебный процесс курсов "Технология интегральных микросхем", "Технология больших интегральных схем", изучаемых на кафедре "Физика и технология интегральных микросхем" МИЭТ. Результаты диссертационной работы использованы в х/д НИР каф. ФТИМС МИЭТ ТУ с НИИТТ (Шифр "Интрада", г. Москва), с НИИФП ( Шифр "Инвазия", г. Москва), НИИМП (Шифр "Идея", г. Москва). Ряд результатов работы использован в НИР, проводимой в рамках Государственной Научно-технической программы "Перспективные технологии и устройства микро- и наноэлактроники" (шифр "Итог-ГБ-Б-ФТИМС") и в НИР (Гранты Госкомвуза 1993,1996 г.)

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

1. Новая структура термостабильного непроникающего силицидного контакта на основе двухслойной структуры: силицид титана/окисал титана.

2. Технологический процесс формирования непроникающих контактов к кремнию, основанный на одновременном силицидообразоаании и окисКнип титана.

3. Физическая модель твердофазного силицидообразования в системе Б-Э!, учитывающая влияние кислорода, содержащегося в атмосфере отжига и в пленке титана.

4. Технологический метод локальной модификации проводимости слоев ТЮг.а.

5. Результаты комплексного исследования параметров окисла, выращенного на слое силицида титана при его термообработке в различных окисляющих средах

6. Результаты исследования электрофизических характеристик контактов А1-ТЮа ».

Апробация работы и публикации: Основное содержание рабй^ь отражено е 8 опубликованных научных статьях, 7 тезисах докладов, 3 описаниях авторских свидетельств на изобретение, 5 научно-технических отчетах по НИР.

Основные результаты работы доложены на следующих научно-технических конференциях и семинарах: XII- Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике. Тбилиси, 1987; VII Научно-технической Конференций молодых ученых и специалистов, Рига, 1987; VI и VII Координационного Совещания 'Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств*, Москва, 1988, 1991; Российской Конференции с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94", Москва, 1994; Всероссийской Научно-технической Конференции "Электроника и Информатика*. Москва, 1995; 40 Международный Коллоквиум, Ильменау, Германия, 1995.

Структура и объем рабрты: Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы и приложения. Работа содержит 129 страниц машинописного текста, в том числе 42 рисунка, 17 таблиц, список использованных источников из 93 наименований на 7 страницах, и 3 акта внедрения результатов работы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ Во введении обоснована актуальность проведенных исследований, сформулирована цель работы, показана научная новизна, основные положения, выносимые на защиту, практическая ценность работы.

В пяряой главе диссертации проведен литературный обзор, посвященный анализу конструктивно-технологических методов изготовления непроникающих

омических контактов к мелкозалегающим диффузионным областям, рассмотрены особенности процессов, протекающих при силицидообразовании в системе: титан-кремний.

На основании проведенного обзора литературных данных сформулированы цель и задачи диссертационной работы.

Вторая глава посвящена разработке процесса формирования силицидных контактов к мелкозалегающим рп-переходам на основе влажного окисления титана.

В результате анализа существующих технологий формирования нелроникающих контактов к кремнию на основе силицида титана предложена структура омического контакта на основе АИТОг^-Т! Б<2/31, в которой в качестве диффузионного барьера используется слой восстановленной двуокиси титана, материала разводки - алюминий, материала контакта - дисилицид титана. Структура такого контакта и способ ее изготовления защищены авторским свидетельством на изобретение.

Указанная выше структура была изготовлена с помощью впервые разработанного нами так называемого "самоостднавливающегося процесса", когда термообработку пленки титана, расположенной на кремниевой подложке, проводят в окисляющей среда, в результате чего в системе протекают одновременно два процесса: окисление титана на поверхности с образованием Т Юг.» и силицидообразование на границе раздела титан-кремний. Процессы завершаются, когда оба растущих слоя смыкаются, причем толщины результирующих слоев контролируемо определяются температурой обработки, составом окисляющей атмосферы и начальной толщиной слоя титана. Таким образом можно сформировать непроникающий контакт к кремнию, даже если первоначальная толщина слоя титана достаточно велика. Предложенный способ формирования силицидных контактов

характеризуется простотой технологии и повышенной воспроизводимостью толщины образующегося слоя силицида.

Далее в работе детально исследована кинетика формирования проводящей пленки двуокиси титана путем окисления во влажной атмосфере. Экспериментально определены значения линейной и параболической констант скорости роста окисла титана.

На основании полученных экспериментальных данных была разработана и представлена в работе аналитическая кинетическая модель самоостаиавливаюихегося процесса (1):

(Ха'/К.) + Хс/ К,» *

Х.г = И ( 1 )

Хс/2,5 + Хц/1,75 ш X

где X - толщина нанесенного слоя титана, Хо - толщина слоя окисла титана, Хз -толщина слоя силицида, К1, Кс1 - линейная и параболическая константы скорости роста окисла титана, О - параболическая константа скорости роста силицида.

При выводе аналитического выражения (1) принималось во внимание, что из единицы толщины слоя титана образуется 1,75 ед. толщины ТЮг-х и 2,5 ед. толщины ТОД. На основании разработанной модели были рассчитаны номограммы параметров процесса, позволяющие оптимизировать технологические режимы с точки зрения толщины образующихся слоев силицида и окисла титана.

»'й рис. 1, 2 приведены зависимости времени самоостановки и толщины образующегося слоя силицида (соответственно) от температуры влажного окисления и толщины исходного слоя титана.

Рис.1

Рис.2

Сопоставление экспериментальных и расчетных данных показало их удовлетворительное соответствие.

С . ' ■ ■

С использованием разработанной технологии самоостанавливающегося процесса были изготовлены омические контакты к мелкозалегающим (-0,5 мкм) р*л и п*р переходам. Полученные контакты обладали переходным сопротивлением, не уступающим полученным традиционными способами и отличались высокой термостабильностью.

Далее представлены результаты исследования перераспределения примесей (в, Р, As) в Si при твердофазном силицидообразовании в системе Ti-Si и показано, что использование а конструкции силицидного контакта слоя нестехиометрической двуокиси титана, являющегося своеобразным стол-слоем для диффузии примеси, позволяет уменьшить эффект перераспределения примеси диффузионных слоев в процессе силицидообраэования и последующих термообработок и обеспечить более низкое значение переходного контактного сопротивления.

Представлены результаты исследования электрических характеристик контактов А1-ТЮг.* и установлено, что контакт AI-TÍOj-, обладает хорошими

омическими свойствами. Его удельное переходное сопротивление составляет величину МО"4 Омсмг, что позволяет использовать непроникающие контакты ТЮг-„-ТК12 в системе металлизации ИС с А1 соединениями.

Третья глава посвящена исследованию особенностей технологии ЗДИСШЕ. Для решения задачи эффективного использования самоостзнавливающегося процесса силицидообраэования в рамках известной базовой технологии БАиСГОЕ был разработан метод локальной модификации проводимости слоя окисла титана. Он основан на использовании локальных защитных масок и проведении специальных термообработок. Установлено, что эффективным материалом для создания таких масок является пленка аморфного кремния, позволяющая сохранять первоначальную проводимость проводящего слоя ТЮг-, при термообработках вплоть до 1000°С.

Представлены результаты исследования электрических характеристик МОП-транзисторов, изготовленных с использованием различных вариантов модифицированной технологии ЗАУСЮЕ. Выявлена эффективность самоостанавливающегося процесса силицида титана в технологии ЭАиСЮЕ, связанная с уменьшением латерального роста силицида и упрощением технологии металлизации в целом.

Четвертая глава посвящена анализу и исследованию процессов силицидообраэования и окисления титана с учетом особенностей диффузии в системе ТВД-БЬ Проведен анализ факторов, влияющих на скорость твердофазного взаимодействия титана с кремниевой подложкой, и установлено, что скорость диффузии кремния, а, следовательно, и скорость силицидообраэования, в значительной степени зависит от величины потока вакансий, источником которого является открытая поверхность металла.

В результате экспериментального исследования выявлена связь величины потока вакансий и содержания кислорода в пленке металла и атмосфере отжига.

Проведено исследование зависимости фазового состава силицида Т1 от содержания кислорода в атмосфере отжига. Сделан вывод о том. что существует корреляция между содержанием кислорода в рабочей атмосфере и фазовым составом образующегося слоя силицида. Установлено, что для получения стабильной низкоомной фазы Т^г необходимо обеспечивать высокую скорость диффузии кремния через слой силицида, что может достигаться двумя способами. Во-первых, при проведении отжига в атмосфере, свободной от кислорода (сверхвысокий вакуум), когда содержащиеся в слое титана атомы кислорода свободно испаряются с поверхности, или, во-вторых, при проведении отжига в активной атмосфере (например, в парах воды), в условиях, когда на поверхности металла образуется слой, с одной стороны, поглощающий вытесняемый растущим силицидом кислород, и, с другой стороны, генерирующий дополнительной количество вакансий, необходимых для поддержания высокой скорости диффузии атомов кремния при силицидообразовзнии. Это иллюстрируется рис. 3 (а, б), где приведена зависимость интенсивности Оже-сигнала от времени травления структур "П^ после термообработки при Т=600°С в течение 30 мин в низком вакууме и влажной атмосфере соответственно.

На основе выявленных закономерностей влияния кислорода не процесс силицидообраэования сформулированы технологические принципы формирования слоя дисилиццца титана при пониженной температуре.

Далее приведены результаты экспериментального исследования процесса окисления силицида Т1. Показано, что в исследуемом диапазоне температуры и времени обработки кинетика роста окисла титана имеет линейный характер, а

г

|ТТТТ(ГГТТ«?

I г 3 * 1 $ г а я т и

б)

Рис.3

рассчитанные значения энергии активации процесса для полученных результатов составили 0,57 эВ, 1,22 аВ, 2,76 эВ соответственно для окисления во влажном кислороде, в смеси Ог+НО, а сухом Ог-

Анализ состава полученных слоев окисла показал, что они представляют собой двуокись кремния и содержат лишь незначительное количество окисла титана, расположенного вблизи поверхности окисного слоя.

Представлены результаты исследования электрической прочности полученных слоев окисла, выявлена ее зависимость от технологических факторов, отличная от характерной для термического окисла, выращенного на кремнии. Так, в отличие от термичесюге ЗЮг, наивысшей электрической прочностью обладают пленки, выращенные во влажном Ог- Значение электрической прочности окисла обратно пропорционально температуре его выращивания. В таблице 1 приведены данные по электрической прочности слоев окисла кремния, полученных путем окисления силицида титана в различных технологических условиях.

Показано, что напряжение пробоя данного окисла существенно зависит от шероховатости поверхности слоя, которая в свою очередь определяется режимом

Таблица 1.

Толщина окисла, нм Темпера гура окисления,°С Окислительная среда Напряженность эл.поля (полярность*) в/см

100 850 . сух.Ог 6 ю5

100 900 сух.02 (4+5)10®

100 900 Оа+нс1 1- 104

95 950 02+ИС1 5-104+3-105

35 700 . . вл.Оа (1+2)10®

45 760 ВЛ.Ог 1-10®

117 950 вл.Ог (1+2)10®

окисления. На рис. 4 приведены зависимости шероховатости-поверхности окисла силицида титана от режимов термообработки.

Таким образом, в работе была выявлена .корреляция критической напряженности электрического поля окисла с технологическими режимами его формирования в диапазоне температур 750-1000°С. Показано, что выращенные пленки окисла могут быть использованы в качестве маскирующих слоев систем контактной металлизации.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Установлены закономерности процесса формирования силицидных контактов, основанного на образовании двухслойной структуры ТОг-и/ПЭ^ при термообработке системы П-Б! ео влажной атмосфере. Разработанный процесс характеризуется простотой технологии и повышенной воспроизводимостью толщины слоя силицида.

2. Исследована кинетика формирования проводящей пленки двуокиси титана при окислении слоя Т! в парах воды. Впервые получены количественные данные по

1- Ог, 2 - Ог + НС1, 3 - влажный Ог. Я, "ЛвЬ = 7,5 им.

Рис.4

зависимости проводимости слоев двуокиси титана нестехиометрического состава

(ТЮг.,, где х<0,5) от технологических параметров ее тепловой обработки а

диапазоне 450-1000°С-

3. Показано, что самоостанавливающийся процесс формирования силицидных контактов с использованием влажного окисления титана удовлетворительно описывается полуэмпирической кинетической моделью. Полученные номограммы параметров процесса позволяют оптимизировать режимы с точки . зрения соотношения толщины силицида и окисла Т1.

4. Показано, что использование в конструкции силицидного контакта слоев нестехиометричвской двуокиси титана позволяет уменьшить эффект перераспределения примеси диффузионных слоев а процесса силицидообразования и последующих термообработок и сохранить низкое значение переходного сопротивления омических контактов.

5. Установлено, что контакт А1-ТГО2.« обладает хорошими омическими свойствами. Его удельное сопротивление составляет величину 1 10 е, Ом см!, что позволяет

использовать непроникающие контакты ТЮг-к-ТИг в системе металлизации ИС с А1 соединениями.

6. При формировании контактного слоя силицида титана на кремнии в окисляющей среде установлено существенное уменьшение латерального роста силицида.

7. Разработан метод локальной модификации проводимости слоев ТЮг-> путем термообработки при наличии на их поверхности маски - диффузионного барьера для кислорода.

8. Разработанный самоостанавливающийся процесс формирования двухслойной структуры ТЮг-ц -Т131г и метод локальной модификации проводимости ТЮг-< являются основой для усовершенствованной технологии формирования самосовмещенных силмцидных контактов к кремнию и пегаицидных электродов затворов в составе МДП СБИС.

9. Показано, что существует корреляций между содержанием кислорода в рабочей . атмосфере и фазовым составом силицида, образующегося в результате

твердофазной химической реакции в системе титан-кремний.

10. Предложена качественная физическая модель процесса силицидообразования, основанная на вакансионном механизме диффузии кремния а ТЩЬ. исследованы закономерности влияния кислорода, содержащегося в атмосфере отжига и в пленке титана, на кинетику образования и фазовый состав силицида при термообработке системы "П-в).

11. На основе выявленных закономерностей влияния кислорода. на процесс

силицидообразования сформулированы технологические принципы формирования

' 11 ' слоя дисилицида титана при пониженной температуре 550°С).

12. Проведено комплексное исследование кинетики образования оскила кремния на поверхности силицида титана и его электрофизических характеристик. Выявлена

корреляция критической напряженности электрического поля окисла с технологическими режимами его формирования в диапазоне температур 700+1000°С.

13. Технология получения окисла кремния на поверхности силицида титана позволяет обеспечить самосовмещенную пассивацию силицидных контактов и упростить технологию межуровневой изоляции металлизации СБИС.

Основные результаты, полученные в диссертации, изложены в следующих публикациях:

1. A.C. N 1153766 Королев М.А., Шевяков В.И., Назаренко В.Н., Райнова М.Ю. Способ изготовления диодов Шоттки. 1985 г.

2. М.Ю. Райнова, В.И.Шевяков. Влияние термообработки на электрические характеристики контакта AL-Ti/SI. //Материалы электронной техники. Межвузовский сборник,- М.:МИЭМ, 1986. с 131-134.

3. М.Ю.Райнова, В.И.Шевяков. Исследование электрофизических характеристик контактов Шоттки типа M/n*-p-SI и M/p+-n-SI. //В сб. тезисов докладов XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике. Ч. Ill . Тбилиси, 26-2S октября 1987.- Иэд-ао ТбГу , 1987. с. 111-113.

4. М.Ю.Райнова, В.И. Шевякоа. Повышение термической стабильности электрофизических характеристик выпрямляющего контакта AI-TI/SI. //В сб. тезисов докладов XII Всесоюзной научной конференции по микроэлектронике. Ч. Ill. Тбилиси. 26-28 октября 1987.- Иад-воТбГу . 1987. с. 113-115.

5. Л.М.Малышева, М.ЮРайиова, В.И.Шевяков Окисление силицида титана для создания изолирующего диэлектрике в системе многослойной металлизации, //в

сб. тезисов докладов VII НТК молодых ученых и специалистов, г. Рига, 1987, с.

6. М.Ю.Райноеа, в.И.Шееягаа. Проводящие пленки окислов переходных металлов и их использование в системе металлизации ИС. //В сб. тезисов докладов VI Координационного совещания по проблеме 'Память* "Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств".-М.'.МИЭТ, 1988. с.146.

7. М.А. Королев, М.Ю.Райноеа, В.И.Шевяков Окисление силицидов тугоплавких металлов и его применение в технологии полупроводниковых приборов и ИС. //Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Вып. 12 (1390), 19в8. 22 с.

8. Разработка .ноаых конструктивно-технологических решений создания СБИС с уровнем интеграции 107 элементов на кристалле. Отчет о НИР (заключительный)

. МИЭТ. Часть 1; Руководитель Глазов В.М., Шифр Интрада, N ГР 01870049863. -

м.-.тэт,та, с. 4з-7а.

9. М.А.Королев, М.Ю.Райноеа Исследование процесса окисления силицида титана. //Электронная техника, сер. 3 Микроэлектроника, вып. 1 (130), 1989, с.74-76.

10. Исследование эффектов короткого канала в КМДП транзисторах : отчет о НИР (заключительный) МИЭТ Руководитель М.А. Королев, Шифр Идея, N ГР Ф36179/8003356.- М.:МИЭТ,1989. с. 83-127.

11. Королев М.А., Райнова М.Ю. Шевяков В.И. Перераспределение примеси в подложке при термообработке структуры Т^а/Э! //"Электронная техника" сер. 3 Микроэлектроника, 1990, N 1, с. 87-88.

169-171.

12. A.C. N 1616428 Королев U.A., Райнова М.Ю., Шевяков В.И. Способ создания омических силицидных контактов к меякозалегающим р-п переходам в кремнии. 1989 г.

13. A.C. N 1671085 Королев М.А., Райнова МО, Шевяков В.И. МОП-транзистор.

1989

14. Исследование и разработка технологических процессов формирования силицидной контактной системы МДП СБИС на основе окисления титана. Отчет о НИР (заключительный). Шифр 'Инвазия*. Руководитель Королев М.А. М.:МИЭТ,1989. 62 с.

15. Райнова М.Ю., Шевяков В.И., Шелегеда А.Г. Электрофизические свойства пленок полупроводниковой двуокиси титана и. их использование е ИС. //В сб.тез. VII Координационного совещания "Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств", - М.:МИЭТ,1991 г. с. 43

16. В.И.Шевяков, М.Ю.Райнова, А.Г. Шелегеда Анализ закономерностей образования и исследование электрофизических свойств тонкопленочной структуры окисел-силицид титана-кремний. /) В сб. "Материалы твердотельной электроники*. Конкурс грантов 1992-1993 гг. по исследованиям в области твердотельной электроники Часть I п/ред В.Н.Азарова. - М.:МГИЭМ (ТУ), 1994. о. 159-172.

17. Королев М.А., Шевяков В.И , Райнова М.Ю- Исследование влияния кислорода на кинетику процесса силицидообразования в системе Tl-Si. //В сб. тезисоа докладов Российской конференции с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94", Звенигород. 4.1.- М, 1994. с.217-218.

18. Королев М.А., Райнова М.Ю., Шевяков в.И. Исследование особенностей процесса формирования слоев силицида титана на монокристаллическом кремнии. //Микроэлектроника. 1995, Том 24. N 2. с. 125-129.

19. Королев МЛ.. Райнова М.Ю., Шевяков В.И. Особенности изготовления контактной металлизации СБИС. //Сб. тез. докл. Всероссийской научно' технической конференции "Электроника и информатика".-М.:МИЭТ(ТУ)1995 с.59.

20. МАКоролеи, В.И.Шевяков. М.Ю.Райнова, А.Г.Шелегеда Особенности создания омических контактов к лоликристаллическому Si на основе AI // В сб. научных трудов "Активируемые процессы технологии микроэлектроники". П/ред. Сорокина И.Н. - М.:МИЭТ(ТУ), 1994, стр.46-51.

21. М. Koroljov, М. Rainova, V. Sheviakov The Oxygen inlluence on the Kineticks of Tf-Silickle Formation. 40. Int. Coll. Ilmenau, 18-21.09.1995 Tecnteal University Ilmenau, p. 719-723.

22. Исследование закономерностей образования слоев силицида титане на монокристаллическом кремнии.. Отчет о'НИР (заключительный). Шифр 415-ГЕ-Б-ФТИМС. Руководитель Королев МА. - М.:МИЭТ(ТУ),1995. с. 8-24.

23. Исследование и разработка методов формирования многофункциональных полупроводниковых балочных микродатчиков. Отчет о НИР (заключительный) Шифр 273-ГБ-Б-ФТИМС. Nc ГР 01930004257. Руководитель Королев МА-М.:МИЭТ(ТУ), 1995. С.31-37.