автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Осаждение пленок и отжиг радиационных дефектов в кремниевых структурах при воздействии ИК и УФ излучений

ГОСУДАРСТВЕН ал КОКЖЗТ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ЕКСШШУ ОБРАЗОВАН® ТАГАНРОГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ РАДКОТЕХНИЧЕСКУД УНИВЕРСИТЕТ

На правят, рукописи

УДК 621.382.002

V

П0.ЛЯК03 Вадим Еятальович

ОСЛЗДЕНТЕ ПЛЕНОК И ОКНО1 РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНЕВЫХ СТРУКТУРАХ ПРИ воздействия ик и уф ИЗЛУЧЕНИИ

Специальность 05.27.01 - твердотельная электроника,

микроэлектроника и нано-элзктроника.

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученей степени кандидата технических наук

Таганрог 1995 г.

Работа выполнена на кафедре микроэлектроники и технологи больших интегральных схем Таганрогского Государственной радиотехнического университета

Научный руководитель - доктор технических наук, профессор,

Д.А.Сеченов

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук.

на заседании диссертационного Совета по прлсугщенаю учено! степени кандидата технических наук в Таганрогском Государственпсь радиотехническом университете (г.Таганрог, пер.Некрасовский,44, ауд.Д-406)

С диссертацией мокно ознакомиться в библиотеке университета.

Просим Вас принять участие в работе Совета или прислат! отзыв в двух экземплярах, заверенный печатью учрегщеккя, ш адресу: 347928, Таганрог, ГСП-17, пер.Некрасовский,44 Таганрогский Государственный радиотехнический университет Ученому секретарю Совета

Автореферат разослан " 3 " 1996 г.

профессор, Б.Н. Лозовский доктор технических паук, профессор, А.Г. Захаров

Ведущая организация - НИИ Электронной техники

НПО "Электроника", г.Воронег:

Ученый секретарь диссертационного Совета К.063.13.02 канд. техн. наук, доцент

В.В.ШеОолков

-з-

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теми, Развитие микроэлектроники по пути уменьзгення размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снинащих пли устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурно -временны?ли режимами.

Для повышения степени интеграции, надежирсти, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаздения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.

Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИТО). Диапазон длительностей температурного воздействия при использовании ИТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, реким теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных лзмп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.

Наряду с этил, зарекоме!1Довало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов ссахщения металлических, полупроводниковых'и диэлектрических пленок, а такав травлении и легировании. Резонансное возбуждение и. селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.

Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию ИТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью ИТО, и одновременного снижения ее

температуры за счет сгагазния энергии агитации процессов.

Цель и задачи работы. Целью данной .диссертационной работы -является исследование ( возможности совместного использования УФ и ИК излучений для снижения' температуры и длительности процессов осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов, перераспределения примеси и очистки поверхности кремниевой подложки.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи: создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов ■ и перераспределения примеси й совместным использованием УФ и ПК излучений;

теоретически проанализированы и промоделированы фотохимические реакции при осаздении диоксида кремния из газовой фазы ТЭОС/Од с использованием УФ облучения;

- исследованы физико-химические- процессы, протекающие при осаздении 3102 на поверхность кремния в условиях Ш. и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;

- исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на перераспределение принеси в ионно-легированных слоях кремния.

Научная' новизна работы

- впервые, на основании термодинамических расчетов, получены энтропия и энтальпия тетраэтоксисилана (ТЭОС) в газообразном состоянии;

- построена кинетическая модель дпя расчета скорости осаздения диоксида кремния;

- рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОС; показано, что УФ излучение поникает энергию активации молекулы ТЗОС в 3 раза по сравнению с неактипкрованкым состоянием;

- на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и ИК излучения показано, что интенсивное поглощение УФ иглучежя и разогрев приповерхностного слоя по всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600-700°С;

- установлено, что под действием ИТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения

о о

коэффициента диффузии в 1'10"-5'Ю" раз по сравнению с ИТО без УФ, при чем коэффициент ускорения диффузии уменьшается с

увеличением времени отжига по закону ехр(-1;/г);

- показано, что наибольшее влияние на полупроводниковые приборы при НТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.

Практическая значимость

- разработан пакет программ "СТО-1" для расчета режимов, необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом разлонении ТсОО/О,,;

создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180нм на пластины диаметром до 76мм из смеси ТЭ0С/0о в температурном диапазоне 200-Ь00°С;

- создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, в том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300-1350°С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром дс 100мм в условиях опытного и серийного производства; ,

- на основании экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и КТО повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;

- на основе технологии с применением ИТ0 и УФ стимуляции созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся терморезистивными и газочувствительными свойствами.

Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры "Микроэлектроники и технологии БИС" Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период 1992-1997 гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных расот (№1 113325, 13328, 13332, 13353), выполненных в ТРТУ в 19ц7-19УЬ ТТ.

основные положения виносшяге на защиту;

- совместное использование УФ к ОТО при очистке поверхности кремгюерой подлома улучшает эффективность очистки в 2 раза по сравнению с кидкостпой отмывкой;

- кинетическая модель для расчета скорости осаздения

-б-

диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭОС/09;

- УФ излучение в качестве активирующего воздействия покю;ает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

- показано, что в результате НТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всей глубине поглощения уф только при температурах отжига до 700°С;

- применение ИТо с УФ стимуляцией сникает длительность перераспределения примеси в ионнс-легировашшх слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в 1'1СГ-5"10^ раз по сравнению с ИТО без УФ, при этом коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжга по згк~ну exp(-t/x);

- при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры оказывает УФ составляющая спектра.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г.Воронеж л 1383г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (г.Москва, 19Э1г.), VI Всесоюзной научно-технической конференции "Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве" (г.Москва, 1991г.), Международной конференции "Advanced and laser technologies - ALT'92" (Moscow, - 1992г.), Всероссийской научно-технической конференции с Международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г.Таганрог, 1994г.), научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (г.Гурзуф, 1994г.), на ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986-1995 гг.).

Публикации. По результатам диссертационной работь опубликовано 14 печатных работ, получено 4 авторские свидетельства на изобретения.

объем работа. Диссертация - состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Об'дий объем диссертации 135 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 3 таблиц.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во пведэнип обоснована актуальность темы диссертационной работи, сформулированы цель и задачи исследования, кратко изложено содержание диссертации, охарактеризована научная новизна л практическая ценность по.г'чошых результатов, приведены полегания, вынослив на зглину.

з-гтэрвсй глазе проведен анализ литературных источников, посвлценных использованию излучений оптического диапазона для зятпващс! технологических процессов формирования микросхем.

В созсрз литературы по очистке поверхности кремниевых подходок от загрязкяггада веществ анализируются различие типы загрязнений поверхности, рассматриваются различные методы борьбы с ними. Анализ показал, что наибольшую эффективность из существующих методов очистки тлеет очистка с использованием дальней и вакуумной области спектра УФ излучения. Однако существует проблема, связанная с образованием окисной пленки на поверхности кремниевой подложи в результате очистки УФ, но она легко устранима путем последующего нагрева подложки до 850°С с целью испарения окисла.

Обзорная часть фотостикулировашюго УФ излучением осеэдения диэлектрических слоев посвящена анализу литературы по данной теме. Рассмотренные свойства пленок двуокиси кремния осажденной из парогазовых смесей показали преимущество пиролиза ТЭОС с точки зрения электрофизических характеристик получаемых пленок. Однако високая температура разложения (~700°С) сдергивает его применение в фсрлшрозании межслойного и защитного окислов многослойных полупроводниковых структур БИС. В связи с этил сформулированы основные пути снижения температуры процесса осаждения, одним из которых является УФ активация молекул газа-носителя. В частности, в обзоре рассматриваются примеры УФ активации разложения моносилана, дихлорсилана, ТЭОС при выразнвании пленок диоксида кремния.

Отмечается, что существует мнокество способов и устройств, реализующих метод фотостимулированного осаадения из газовой фазы кремнкйсрганических Ееществ, приводится концепция низко температурных фотохимических процессов, згключащаяся в сочетании УФ очистки и осахдекия 1п з!1:и, позволявшего улучшить

качествэ получаемых приборов.

отмечается, что особый интерес предстазляет сочетание УФ излучения с термическим отжигом, .однако малочисленные работы по этому направлению не дают конкретной картины в механизмах воздействия УФ и термоотжига (или ИТО) и носят либо чисто экспериментальный, либо оценочный характер. _ .

В заключении первой главы на основе проведенного _анализа литературы формулируются цель и задачи исследования.

Во второй главе рассматриваются фотохимические процессы в газовой фазе при-очистке поверхности УФ излучением и осаждении пленок S10, из ТЭОО.

На основании анализа фотовозбуждэния и фотодиссоциации кислорода воздуха дальним и ближним УФ излучением отмечено, что формируются активные кислородные частицы чести видов, включал озон. Диссоциацией других молекул (С0о,Н,0) можно пренебречь, поскольку в рассматриваемой области спектра концентрации продуктов их фотолиза очень малы.

Рассмотренные возможные фотохимические реакции показали, что энергия возбуждения молекул и спектр поглощения вещества зависят от его строения. Поэтому загрязняющие вещества (органического происхождения) могут эффективно удаляться с поверхности излучением порядка 248-750нм, поскольку содержащиеся в строении данных молекул связи 0=0, C--ÏI à 0=0 имеют энергию разрыва,-соответствующую длине воли данного диапазона. Поэтому Уф излучением можно осуществлять деструкцию илг окисление воцестза.

Проведенные эксперименты по адгезии металлических пленок А1 и фоторезиста на кремниевой подложке после УФ очистки лампой IIPK-7 в сочетании с ИТО на установке <MîO-2ffl.îB в течении 15с показали, что жидкостная очистка почти в два раза уступает в качестве предложенному методу очистки. Качество адгезионного контакта проверялось методом царапания закругленной иглой (для А1 пленок) и методом отслаивания в капле электролита (для фоторззистивных пленок).

Рассмотренный процесс фотохимического осаадзния диоксида кремния из газовой фазы ТЭ0С/02 позволил па основании термодинамического расчета выявить, что наиболее вероятной реакцией в газовой фазе является процесс окисления ТЭОО атокар^чгл кислородом, b результате вычислений были впервые получены

:ропия ЛБ298^80Э,2 Да/моль град и сятялыпш ДН^98--1017кДж/моль )С в газообразном состоянии.

. На основании описанной гипотезы разложения ТЭОС была ¡троена кинетическая модель ка основе уравнений баланса, ¡ученная в результате ее решения аналитическая зависимость )рости осавденкя от обьема камеры, расстояния от источника ¡а до подложки, общего потока газа, плотности мощности >тсзого потока, температуры, давления и пр. позволяет оценить ?рость осаждения диоксида от данных пременннх. Сравнение 5исим0стей скорости осаждения о? скорости потока газовой смеси )С/09 показало, что расчетная скорость .осзждетая дает [ественное совпадение с эксперимент аль:-:ыул результатам!.

В третьей глазе рассматриваются Зкзжсо-химические процессы поверхности кремния в условиях Ш и У5 обработки при сстэденни жскда кремния из ТЭОС.

Рассмотренное закономерности поглощения излу-гения ¡эрхностью кремния в диапазоне длин волн близкого УФ ртутных и излучения галогенных ламп =1,1мхч) позволило сделать зод о том, что поглощение данного излучения происходит на :бодккх носителях заряда или собственному механизмам поглощения фгии. Произведен расчет зависимости коэффициента поглощения от гаы волны излучения и концентрации примзси. Полученные лгаченил гбины поглощения в пределах 0,.1-С1,5мкм говорят о поверхностном 'лопении УФ излучения при толшике подложки ЭОСМОСмкм.

Рассмотренная адсорбционная способность и каталитическая [■явность поверхности кремпия позволила сделать вывод о том, что ¡■газация, поверхности полупроводника возможна только излучением, яга волны которого находится в области его собственной гачувстБительности.

Возбуядениа поверхностного атома 31 вследствие поглощения км излучения приводит к появлению дополнительного потенциала зерхности в области активного центра (например в виде зеванной связи кристаллической решетки 31). Произведенный

;чэт поверхностного потенциала на длине волны 0,?.48мсм и

о —1 й

¡50 С составил 0,78эВ=1,2"10 'Дя. Зависимость данной Волгины

температуры и длины волны говорит о том, что с уменьшением

ты еолнн более - эффективны?.! становится, воздействие УФ

1учеш!Я. Таким образом, УФ излучение вносит дошшштельньй

ча-

вклад в уЕЭЛичение каталитической активности адсорбционног центра.

Рассмотрены пять возыохшш. .вариантов диссоциации ТЭОС i поверхности S1, учнтаващие, что конечными продуктам! днссоцкащ служат ненасыщенные оксида кремния или саг,! 1фемни5. В качесп критерия вероятного механизма диссоциации была выбрана ..веляч^л энергии активации в условиях каталитического действ] активированной поверхности на вобуаденную молекулу. При зт< исходили из следущих положений. Энергетическое воздействие ; излучения на молекулу ТЭОС осуществляется дваггды: в газовой фа: вследствие поглощения молекулами энергии излучения' (и возбуждения) и на поверхности кремния. в результате поглощен энергии излучения поверхностными активными центра!.а и сообщен поглощенной энергии возоуадения адсорбированным на них молекула Поскольку средняя энергия активации диссоциации молекулы ТЗОС невозбуащенном состоянии достаточно велика (Е0~ 3500кДк/моль) учитывался маловероятный распад молекул в газовой фазе, рассматривалась диссоциация только с участием поверхнос подложки.

В рамках вышеизложенных представлений, диссоциация молеад ТЭОС с образованием окисла осущзстЕляетоя в три стада. На перх стадии разрывается одна из связей С-0 (S1-0), оказавна! ближайшей к поверхности S1. Разрыв этой связи оказывав1: возможным вследствие механического взаимодействия возбувденз молекулы ТЭОС с адсорбционным центром поверхности. На вто] стадии диссоциации разрываются еще две связи, в результ; адсорбционного взаимодействия фрагмента молекулы ТЭОС адсорбционным центром поверхности , в условиях их термичес! флуктуации. И наконец, третью стадию составляет разрыв послед связи, возбуждение которой произошло на первой стадии.

Расчеты, основанные на законе' сохранения импульса внесенными изменениями, учитывающими энергетическое воздейст УФ излучения показали следующие результаты. Во всех случаях (п механизмов) характерно снижение энергии активации диссоциации УФ облучении в 3 раза по сравнению с неактивированным состояли На основе проведенного анализа использование УФ излучение качестве активатора диссоциации адекватно снижению фоне температуры пиролитического разложения ТЭОС на 200-600 градусс

//

Поведение расчетных кривых свидетельствует о незначительной 1еисюлост:1 энергии активации диссоциации от длины волны ¡лучения, что подтверждает предположение о нре'иут^астзенном )глощэ:яш излучения активным центром поверхности креглшя. шбольпее снга:огаю энергии актпващш диссоциации наблэдштся для >ротковолновой части оптического спектра. Сравнение полученных ¡гультатов показало, что наямепее вероятен механизм с

>разоЕаниен радикала S10, , хотя он представляется наиболее 12гспр1гятиым для последу:^?го зародысесбразовяния пленки юксида кремния, структурой?! элементами которой служат ^упорядочение сриентаровйнныо креипеквслородйыо тетраэдры S104. шболее вероятным оказался механизм с образованием в результате азложения ТЭОО 31, но он пригоден скорее к процессу роста г-?.1п:евнх пленке.

В чотзертоа главе рассматриваются вопросы, связанные с сиянием НТО УФ стсууляцгтеЯ отжига радиационных дефектов и Грузии пршесп.

На основании рассмотрения спектров излучения галогенной и гутной ламп отмечается, что при комнатной температуре аблюдаетсл пропускание Ж энергии в диапазоне I.Imm.í (галогенные зклы) и поглощение излучения с дайной волна менее Э65нг,1 (ртутные аулы) в тонком приповерхностном слое кремния. Лалее, при нагреве о температуры 600-7СЮ°С в результате поглощения УО излучения 1'дет происходить нагрев приповерхностного слоя 31 пластины месте с постепенным прогревом всего объема частью ИК излучения алогенных ламп. Этот процесс будет происходить до начала нтенсивного поглощения излучения галогенных ламп (~700°С). Таким бразом, в результате воздействия УФ излучения совместно с ИК агревом при 11Т0 будет происходить увеличение температуры нагрева олупроводкшеовой подложки вследствие интенсивного поглощения УФ злучения. Следовательно, время отжига, необходимое для лэктрической активации имплантированного слоя в крегяши будет вньшэ при ICO с ■ УФ стимуляцией, чем при одном ИГО галогенными ;аоташ. Прячем эффект будет более заметен при ориентации влупроводшпеовой пластины имплантированным слоем к источнику УФ злучения.

В свете вышеизложенных представлений при смещении длины !олнн излучения г: УФ область спектра при ИТО будет происходить

уееличение коэффициента диф®зии. В - результате компьютерного моделирования оыло установлено, что коэффициент дкффузш увеличивается в i'lCT- Ь'10~ раз. Ого возникает вследствие УС стимуляция UTo, так как излучение УФ диапазона снижав! энергию активации диффузии. Получено выражение для эффективкогс. коэффициента диффузии

иЭф(t)-D1+(xDtQ/t)[!-exp(-t/x)],

где Di- cocctbshhl'I: коэффициент диффузии, ut0- коэффициент ускоренной диффузии при времени t-O, х - время жизни точечных дефектов.

Из выражения видно, что эффективный коэффициент диффузии под действием уф излучения уменьшается с увеличением времени отжиге по закону ехр(-х/х). Таким образом, чем длительнее процесс ИТО с УФ симуляцией, тем меньше эффективный коэффициент диффузии, чтс подтверждается экспериментальными результатам на примере отжиг г ионнс-легирсванных слоев кремния бором и фосфором.

Различия в скорости роста температуры, электрической активации и перераспределения профиля имплантированной примеси i ai подложке между используемыми лампами наблюдается только i начале отжига. Галогенные лампы имеют широкий спектр излучения. Почти весь световой поток проходит сквозь кремниевую подложку i начале отжига. Маленькая интенсивность поглощения обуславливает небольшое увеличение роста температуры, поскольку поглощение света данной длины волны однородно по всей толщине.

Пятая глава посвящена экспериментальному исследованю фотостимулированных процессов.

В начале рассматривается оборудование, разработанное дл; проведения исследований. Приводится ряд установок ИТо, в toí числе и с УФ стимуляцией (ФИТО-20МВ), а также списываете! разработанная лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния из газовой смеси ТЭ0С/02. Приводят« технические характеристики данного оборудования.

Процесс осаждения проводился при температурах подложки 300 -400°С. В течении ¡¿Сшн получали пленки толщиной от 0,1 до 1),2мкм. Получена основные зависимости толщины.пленки от времени процесс; осаждения, скорости роста пленки диоксида кремния от температур! подложки, плотности у,? излучения и скорости подачи смоск

тмальшэ параметры пленок имели место при температурах -400°С. ' ■

Наряду с технологическими параметрами Саля провэдзпы педования элехтро-физических характеристик. Измеренные Зившге напряжения составили для различгшх образцов от Э6В/см до б'Ю^/см. Значения заряда я плотности поверхностных гояний в окисле имеют зависимость от температуры: при снижении пкратуры. возрастает количество дефситоз в пленке. Полученные чекия электро-фязичзских параметров сравнимы с аналогична::! сзателямн при чисто термической рззлсззгсш ТЭОС.

Рассмотренное влияние УФ излучения при НТО па параметр« 'ДЯП уктур и транзисторов показало, что в результате подбора л.'ов обработки УФ излучением моею изменять зарлд и плотность тояний в окисле ВД1 структур и влиять па пороговое напряжение нзистсров, изменяя его в предолах технологического разброса.

Далее отмечается, чю с применением ИТО на установке 0-20МВ получек! термо и газочувствителыше элемента на оспозе хслсйных окислов металлов, напиленных на ситалл, в результате кисления-их с помощью фотостимулировпшзой КТО при температурах '-450°С в течетм 15-2Бс. При использовании различных ериалов сопротивление полученных пленок окислоз леетт в делах Ю-ЗОкОм (для скислов па основе Ро-У, У-А1, У-БЗ), 200-мОм (для окислов на основе У-Ре) и 0,5-2,Ем0м (для Б 1-У), ¡етная газочувствительность получена для пленок скислов на :ове БШ!. Введение в воздушную среду газов С0?, 1!20 изменяет сопротивление от 20м0м до 80м0м при варьировании температуры Югрэва в диапазоне 300-5СЮ0С.

Благодаря прецизионному микропроцессорному управления ишаки НТО на установке ФИТ0-2СШ можно, варьируя шературно-вре:'.знными режимами, получать различные окислы жстых металлических и полупроводниковых структур. Что в гьнейзем дает возможность их применения для создания вляго и ючувствктельных сенсоров на их основе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

I. На основе . экспериментальных исследований адгезии оминиевых планок и фоторезиста установлено, что совместное

использование УФ и ИТО улучзазт эффективность очистки поверхнос^ Si подлой® в два раза до сравнены) с жидкостной отмывкой.

?,. EnepEiie расчетным путем получены энталып

(-101?№/моль) и энтропия (80Э,2Дж/мольград) ТЗОС в газооОразнс состоянии.

3. На основе термодинамического описания возможных ре акт ТЭОС в з'азовой фазе под действием УФ облучения построй! .кинетическая модель расчета скорости осаждения диоксида крсмжи 'использующая уравнения баланса, позволящая рассчитывать скорос"

осаждения диоксида кремния в зависимости от скорости пода' газовых реагентов.

4. Рассчитанная энергия активации диссоциации ТЭ< показала, что использование УФ излучения понижает энерп активации в 3 раза, причем наибольшее снижение энергии активащ диссоциации наблюдается при уменьшении длины волны.

5. Теоретически обосновано и экспериментально показано, ч' до температуры 700°С снижение длительности перераспределен: примеси в ионно-легирсванных слоях в 2-4 раза при ИТО с ; стимуляцией происходит за счет увеличения коэффициента диффуз! в 1"Ю2-ь-102 раз.

ь. Создано экспериментальное оборудование для исслэдовше возмонаюсти применения ИК и УФ излучений при осавдении диоксид; от.таге кочыо-легироБатпшх слоев и окислении пленок.

'/. Получекч основные зависимости, позволящке внбра1 оптимальный режим осакдзния диоксида кремния варьируя газов' потоком, плотностью мощности излучения, температурой и времен' проведения процесса.

8. На основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляи сформированы окислы композиции металлов Si-Kl, Sl-Ag, Уе-Сг, V-пригодные для использования в термо и газочувствительной техник

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В РАБОТАХ

1. Сеченов Д.А., Светличный A.M., Поляков В.В., Бурште В.М., Бражник В.А., Мачульский И.В., Жидкова Е.В. Установ: импульсной термической обработки ИТ0-18М. // Электронн промышленность. - 1920. - N3. - С.Ь.

2. Сеченов Д.А., Светличный A.M., 'Поляков В.В., Бурште

i.M., Ворощов Л.В., Соловьев С.И, Агеэв О.А. Вакууная установка ашульсной термической обработки ИТ0-18МВ. // Электронная гоокыаленность. - 19Э1. - N5, C.G-7.

3. Светличный A.M.. Поляков В.В. Влияние ультрафиолетового и !{?фракрасного излучения на поверхностное сопротивление кино-легированных слоев. // Сб. "Актуальные проблем мкрозлектротпш". - Таганрог, ТРТУ, 19Э4. - Вып.2. - С.35-39.

4. Королев А.Н., Сеченоз Д.А., Поляков В.В. Получение пленок )109 щи гетерогенной диссодкоаш тетраэтокснсилнна при УФ --)б лучзнли. // ФизХСМ. - 1995. - 112. - С.98-105.

5. Поляков 3.3., Варзяров Ю.Н. Модель низкотемпературного ятостплулирэвагсгаго оезкдения диоксида кр-зннкя из -етраэтоксисаяана. // Сб. научи« трудов иолодах ученых it-священный 300-летию г.Таганрога. - Таганрог, ТРТУ. - 1925. -!. 44-48.

6. Сеченов Л.А., СветлйчвыЗ A.M., полжон В.В., Воронцов [.В. Влияние импульсной термообработки и ультрафиолетового галучекия на электрофизические параметр:! ¡Щ1 структур, // Тезисы ;окл. Всесоюзного научно-технического Семинара "Радиационной :ехнология в гроизводстве i-штсгралышх схоад". - Воронея, 'осушшерситет. - 19S8. - С.27-23.

7. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Поляков В.В. ¡редоперационная очистка поверхности полупроводниковых пластин УФ t КН излучениями. // Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции 'Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве". -Ьсква. - 1391. - С.163.

8. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Поляков В.В. Установка Острого термического отжига полупроводниковых структзт? в »лэктрпческом поле!. // (там ке). - С.164.

9. Светличный A.M., Поляков В.В. Установка одновременного :ергжческого откига полупроводпиковах структур ИК и УФ 13 лучениями. // Тезисы докладов "37 научно-технической и научно-гетодичэской конференции профессорско - преподавательского :остава, аспирантов и сотрудников, института". - Таганрог, ТРТИ. -:992. - С.44.

10. Svetllchnly A.M., Sechenov D.A., Poljakov V.V. Rapid thermal annealing of lon-lraplanted layers silicon by Infra-red md ultra-violet Irradiations. // 1992 International conference

-fc-

on advanced and laser technologies ALT'92. - Мозсок. - 1992. ?t.4. - P.132.

11. Хлебников ¡ü.M., Поляков B.B. Установка mmy льет оптической обработка полупроводниковых структур в электричек полз. // Тезисы докл. Всероссийской НТК с Международным учасл •"Актуалклгз цробяздш твердотельной злектронш.и K,a;po»Ä5i.r>xjS2a:". - Таганрог, ТРТУ. - 1964, часть I. - 0.35.

12. Корслзг, Л.Н., СеченоЕ Д.А., Поляков В.В. Теоретичес! «яысаилэ низкотемпературного разложения тетрзэтоксисилана njvn облучен:?,:. ,7 (там з;:з>. - С.103.

13. ' Светличный A.I,i., Сеченов Д.А., Иоллкои В Низкотемпературное фотостппулироваппсе форорованпо ш:е: диоксида кремния. // (там жо ), часть 2. - С. 19.

14. Светличный A.M., Соловьев С.И., Варзарзв Ю.Н., Поля В.В. Моделярова1ше низкотемпературного фотостимулированн; осаждения пленок диоксида кремния из тетраэтоксисилана при низ; давлении. // Тезисы докл. НТК с участием зарубежных специалис-"Вакуумная наука и техника". - Гурзуф. - 1994. - С.72.

15. Светличный А.И., Сеченов Д.А., Поляков В.В., Агеев O.j Соловьев С.И. Устройство стерилизации медицинского инструмен: // A.c. СССР NI75069I от 0I.0i.92 г. Приоритет от 13.10.89 г.

16. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Поляков В.В. Устройс для импульсной термической обработки полупроводниковых пласт) // Положительное решение по заявке N4924230 от 25.02.91 г.

17. Светличный A.M., Сеченов Д.А., Поляков В.В., Хлебни fO.Il. Устройство кшульсной обработки полупроводниковых структ; // Положительное решение по заявке N4923355 от 0I.04.SI г.

18. Светличный А.!.!., СеченоЕ Д.А., Поляков В.В. Опо' изготовления омических контактов титан-кремний. // A.c. HI8I4' от II.10.92 г. Приоритет от 01.04.91 г.

ВВЕДЕНИЕ.

1.АНАЛИЗ ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО ИСПОЛЬЗОВАНИЮ ИЗЛУЧЕНИЙ ОПТИЧЕСКОГО ДИАПАЗОНА ДЛЯ АКТИВАЦИИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИРОВАНИЯ МИКРОСХЕМ. &

IЛ.Очистка поверхности полупроводниковых пластин ультрафиолетовым излучением.

1.2.Фотостимулированное УФ излучением осаждение диэлектрических слоев. ^

1.3.Отжиг радиационных дефектов и диффузия примеси под действием оптической активации. &&

1.4.Постановка задач диссертации.

2.ФОТОХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ГАЗОВОЙ ФАЗЕ ПРИ ОЧИСТКЕ ПОВЕРХНОСТИ И ОСАВДЕНИИ ПЛЕНОК.

2.1.Фотовозбуздение и фотодиссоциация кислорода.

2.2.Исследование влияния очистки поверхности подложки УФ излучением на адгезию алюминиевой металлизации и фоторезиста. 4/

2.3.Фотовозбуждение и фотодиссоциация компонентов газовой смеси ТЭ0С/02.

2.4.Термодинамический анализ реакций.

2.5.Моделирование газофазной кинетики.So

2.6.Вывод ы.

3.ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ В УСЛОВИЯХ ИК И УФ ОБРАБОТКИ ПРИ ОСАЖДЕНИИ.5?

3.1.Закономерности поглощения излучения поверхностью.

3.2.Адсорбционная способность и каталитическая активность поверхности кремния.

3.3.Оценка эффективного потенциала адсорбции.

3.4.Механизм диссоциации ТЭОС в условиях излучения оптического диапазона.€

3.5.Оценка энергии активации диссоциации адсорбированных молекул ТЭОС на поверхности кремния.

3.6.Выводы.W

4.ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ И ДИФФУЗИЯ ПРИМЕСИ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ УФ И ИК ДИАПАЗОНА.

4.1.Возникновение поверхностного нагрева при импульсной термообработке совместным ИК и УФ излучениями.

4.2.Модель отжига радиационных дефектов и диффузии примеси при ИТО совместным ИК и УФ излучениями.

4.3.Экспериментальное исследование отжига ионно-легированных слоев и диффузии примеси под воздействием ИТО совместно с УФ излучением.8 б

4.4.Выводы.

5.ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОСТИМУЛИРОВАННЫХ

ПРОЦЕССОВ.М

5.1.Оборудование для исследования влияния УФ и ИК излучений. .Э

5.1.1.Установка импульсной термообработки совместно с УФ излучением.^

5.1.2.Установка фотохимического осаждения из газовой смеси ТЭ0С/09.№

5.2.Исследование свойств и характеристик низкотемпературного диоксида кремния осажденного из смеси ТЭОС/кислород.

5.3.Влияние УФ излучения на параметры МДП-структур и транзисторов.

5.4.Исследование газовых сенсоров на основе двухслойных термических оксидных пленок.№

5.5. Выводы.№

Актуальность темы. Развитие микроэлектроники по пути уменьшения размеров элементов интегральных схем вызывает необходимость создания новых высокоэффективных технологий, снижающих или устраняющих недостатки традиционных методов формирования микросхем, связанные с высокими температурно -временными режимами.

Для повышения степени интеграции, надежности, долговечности и быстродействия интегральных схем необходимо снижение температуры и (или) длительности используемых при их изготовлении технологических операций очистки, окисления или осаждения окисла на поверхности пластин, перераспределения примеси и различных термических обработок.

Наиболее перспективным методом обеспечивающим снижение длительности термических операций является импульсная термообработка (ИГО). Диапазон длительностей температурного воздействия при использовании МТО достаточно широк: от пикосекунд до десятков секунд. Но наибольшее распространение в силу экономичности, отсутствия градиентов температуры по толщине подложки, возможности точного контроля температуры получил, так называемый, режим теплового баланса, основанный на применении ИК излучения галогенных ламп с длительностью импульса термообработки от единиц до десятков секунд.

Наряду с этим, зарекомендовало себя в последнее время использование оптического излучения для инициирования химических реакций в газовой фазе и структурных превращений в поверхностном слое при проведении процессов осаждения металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок, а также травлении и легировании. Резонансное возбуждение и селективный разрыв химических связей молекул оптическим излученем УФ диапазона позволяет значительно снизить температуру протекания процессов в газовой фазе и на поверхности. Однако, практическое применение УФ обработки ограничено недостаточной изученностью физико-химических процессов, протекающих в зоне реакции.

Кроме того, в литературе отсутствуют работы по совместному использованию МТО и УФ излучения, для уменьшения длительности термообработки с помощью МТО, и одновременного снижения ее температуры за счет снижения энергии активации процессов.

Цель и задачи работы. Целью данной диссертационной работы является исследование возможности совместного использования УФ и ИК излучений для снижения температуры и длительности процессов осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- создание необходимого оборудования для проведения процессов очистки поверхности, осаждения диоксида кремния, окисления пленок металлов и перераспределения примеси с совместным использованием УФ и ИК излучений; теоретически проанализированы и промоделированы фотохимические реакции при осаждении диоксида кремния из газовой фазы ТЭ0С/02 с использованием УФ облучения;

- исследованы физико-химические процессы, протекающие при осаждении SiOg на поверхность кремния в условиях ИК и УФ облучения, а также качество получаемой пленки;

- исследовано совместное влияние ИК и УФ облучения на перераспределение примеси в ионно-легированных слоях кремния.

Научная новизна работы

- впервые, на основании термодинамических расчетов, получены энтропия и энтальпия тетраэтоксисилана (ТЭОС) в газообразном состоянии;

- построена кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния;

- рассчитана энергия активации диссоциации ТЭОС; показано, что УФ излучение понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

- на основе рассмотрения спектров поглощения кремниевой подложкой УФ и МК излучения показано, что интенсивное поглощение УФ излучения и разогрев приповерхностного слоя по всей глубине поглощения УФ происходит до температуры 600-700°С;

- установлено, что под действием МТО с УФ стимуляцией происходит снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I'I02-5'I02 раз по сравнению с МТО без УФ, причем коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-tA);

- показано, что наибольшее влияние на полупроводниковые приборы при МТО оказывает УФ составляющая спектра излучения.

Практическая значимость

- разработан пакет программ "CVD-I" для расчета режимов, необходимых для получения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

- создана лабораторная установка для фотохимического осаждения диоксида кремния толщиной до 180нм на пластины диаметром до 76мм из смеси ТЭ0С/02 в температурном диапазоне 200-500°С;

- создан ряд установок для импульсной термообработки полупроводниковых структур излучением галогенных ламп в секундной длительности облучения, в том числе и с УФ стимуляцией, в температурном диапазоне 300-1350°С, позволяющих обрабатывать пластины диаметром до 100мм в условиях опытного и серийного производства;

- на основании экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что УФ излучение и ИТ0 повышает в 2 раза эффективность очистки поверхности кремния по сравнению со стандартной жидкостной обработкой;

- на основе технологии с применением ИТО и УФ стимуляции созданы структуры двухслойных окислов, отличающиеся терморезистивными и газочувствительными свойствами.

Диссертационные исследования являются частью плановых научно-исследовательских работ лаборатории новых технологий кафедры "Микроэлектроники и технологии БИС" Таганрогского Государственного радиотехнического университета, выполняемых в период I992-1997 гг. по единому заказу-наряду Государственного Комитета Российской Федерации по Высшему образованию и финансируемому из средств Госбюджета, а также хоздоговорных работ (Ш I13325, 13328, 13332, 13353), выполненных в ТРТУ в I987-1995 гг.

Основные положения выносимые на защиту:

- совместное использование УФ и ИТО при очистке поверхности кремниевой подложки улучшает эффективность очистки в 2 раза по сравнению с жидкостной отмывкой;

- кинетическая модель для расчета скорости осаждения диоксида кремния при фотохимическом разложении ТЭ0С/02;

- УФ излучение в качестве активирующего воздействия понижает энергию активации молекулы ТЭОС в 3 раза по сравнению с неактивированным состоянием;

- показано, что в результате ИТО с применением УФ излучения возникает поверхностный разогрев по всей глубине поглощения УФ только при температурах отжига до 700°С;

- применение ИТО с УФ стимуляцией снижает длительность перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза за счет увеличения коэффициента диффузии в I"102-5'1СГ раз по сравнению с МТО без УФ, при этом коэффициент ускорения диффузии уменьшается с увеличением времени отжига по закону exp(-t/u);

- при МТО наибольшее влияние на полупроводниковые структуры оказывает УФ составляющая спектра.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и представлялись на Всесоюзном научно-техническом семинаре "Радиационная технология в производстве интегральных схем" (г.Воронеж, 1988г.), Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (г.Москва, 1991г.;, VI Всесоюзной научно-технической конференции "Применение электронно-ионной технологии в народном хозяйстве" (г.Москва, 1991г.), Международной конференции "Advanced and laser technologies - ALT'92" (Moscow, 1992г.)» Всероссийской научно-технической конференции с Международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (г.Таганрог, 1994г.), научно-технической конференции "Вакуумная наука и техника" (г.Гурзуф, 1994г.), на ежегодных научнотехнических конференциях профессорско-преподавательского состава, аспирантов и сотрудников ТРТУ (г.Таганрог, 1986-1995 гг.).

Публикации. По результатам диссертационной работы опубликовано 14 печатных работ, получено 4 авторских свидетельства на изобретения.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка цитированной литературы из 87 наименований. Общий объем диссертации У35 стр., включая 31 стр. иллюстраций, 9 таблиц.

5.5.Выводы

5.5.1.Создано экспериментальное оборудование для исследования влияния ИК и УФ излучений при осаждении диоксида кремния, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок металлов.

5.5.2.Эксперименты по фотохимическому осаждению S109 из газовой смеси ТЭОС/кислород подтвердили снижение температуры осаждения под влиянием УФ излучения на 200-250°С по сравнению с пиролитическим процессом. Получены основные технологические зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим фотохимического осаждения диоксида кремния из смеси ТЭОС/кислород при варьировании газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

5.5.3.Проведена оценка влияния УФ излучения на параметры ЬЩ1 структур и транзисторов, которая позволила сделать вывод о эффективности применения ультрафиолета для управления изменением параметров данных приборов. Установлено, что при ИТО наибольшее влияние на полупроводниковые приборы оказывает УФ составляющая спектра излучения.

5.5.4.Применение установки фотостимулированной ИТО 'ФМТ0-20МВ; позволило создать ряд окислов двухслойных структур, которые являются хорошими терморезисторами и газочувствительными элементами, что позволяет их использовать в термо- и газочувствительной технике.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. На основе экспериментальных исследований адгезии алюминиевых пленок и фоторезиста установлено, что совместное использование УФ и ИТО улучшает эффективность очистки поверхности Si подложки в два раза по сравнению с жидкостной отмывкой.

2. Впервые расчетным путем получены энтальпия (-1017кДж/моль) и энтропия (809,2Дж/мольград) ТЭОС в газообразном состоянии.

3. На основе термодинамического описания возможных реакций ТЭОС в газовой фазе под действием УФ облучения построена кинетическая модель расчета скорости осавдения диоксида кремния, использующая уравнения баланса, позволяющая рассчитывать скорость осаждения диоксида кремния в зависимости от скорости подачи газовых реагентов.

4. Рассчитанная энергия активации диссоциации ТЭОС показала, что использование УФ излучения понижает энергию активации в 3 раза, причем наибольшее снижение энергии активации диссоциации наблюдается при уменьшении длины волны.

5. Теоретически обосновано и экспериментально показано, что до температуры 700°С снижение длительности перераспределения примеси в ионно-легированных слоях в 2-4 раза при ИТО с УФ стимуляцией происходит за счет увеличения коэффициента диффузии в ГК^-Б-Ю2 раз.

6. Создано экспериментальное оборудование для исследования возможности применения ИК и УФ излучений при осаждении диоксида, отжиге ионно-легированных слоев и окислении пленок.

7. Получены основные зависимости, позволяющие выбрать оптимальный режим осавдения диоксида кремния варьируя газовым потоком, плотностью мощности излучения, температурой и временем проведения процесса.

8. На основе технологии с применением МТО и УФ стимуляции сформированы окислы композиции металлов Sl-Ni, Sl-Ag, Fe-Cr, V-Сг пригодные для использования в термо и газочувствительной технике.

1. Х.Румак Н.В.Компоненты МОП-интегральных микросхем./Под ред.А.П.Достанко. Мн.: Навука 1 тэхн!ка, 1991. - 311 с.

2. Агаларзаде П.С.,Петрин А.И.,Изидинов С.О. Основы конструирования и технологии обработки поверхности р-п-перехода. /Под ред. В.Е.Челнокова. М.: Сов. радио, 1978. - 224 с.

3. З.Чистяков Ю.Д.,Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979. - 408 с.

4. Cleaning techniques for wafer surfaces./ Skidmore Kathy //Semicond.Ind. 1987. - 10,N9 - P.80-85.

5. Electrical evaluation of wet and dry cleaning procedures for silicon device fabrication./Ruzyllo J.,Hoff A.,Prystak D.//J. Electrochem.Soc. 1989. - 136,N5 - P.1474-1476.

6. UV cleaning of silicon surfaces studied by Auger spectroscopy / Krusor B.S.,Blegelsen D.K.,Ylgling R.D.// J.Vac. Sci and Technol.B. 1989. - 7,N1 - P.129-130.

7. The formation of hydrogen passivated silicon single -crystal surfaces using ultraviolet cleaning and HP etching / Takahagi T.// J.Appl.Phys. 1988. - 64,N7 - P.3516-3521.

8. Радиационно-стимулированные процессы в технологии функциональных слоев и элементов ИС / И.П.Алехин, Ю.С.Боков, Л.А.Вьюков, А.М.Маркеев, В.Н.Неволин, Н.Ф.Трутнев, В.Ю.Фоминский //Электронная промышленность 1992. - N3 - С.7-12.

9. UV/ozon cleaning of surfaces / Vlg John R.// J.Vac. Sci and Technol. 1985. - A3,N3,Pt.1. - P.1027-1034.

10. UV/ozon cleaning procedure for silicon surfacese / Baunak S.,Zehe A.// Phys.Status Solid! A. 1989. - 115,N1. - P.203-207.

11. Роль активных кислородных частиц в процессе УФ очистки поверхности неорганической подложки./А.И.Богданов, К.А.Валиев, Л.В.Беликов, С.Д.Душенков, М.И.Иванова /У Микроэлектроника. -1989. 18,N6 - С.540-543.

12. Фотохимический способ очистки поверхности / Tan Kaisheng, Kexue Xuecan //J.Electron 1991. - 13,N6 - P.659-662.

13. High, reaction selectivity on UV-laser induced desorption from chlorinated Si (111) 7x7 studed by Scanning tunneling mycroscopy/ S.Manada, S.Kenuichl //J.Ptoys.: Gondens.Matter.- 1993 5,N36 - P.6607-6612.

14. Фотостимулированная диссоциация молекул на поверхности твердого тела / Э.Я.Зандберг, М.В.Кнатько, В.И.Палеев, М.М.Сущих //Изв. АН : сер.физическая. 1992. - т.56,N8 - С.21-27.

15. Устройство для очистки подложек: Заявка IIII337 Япония,

16. МКИ4Н01Ь21/304, в 08 в 3/02/ йоссии Ситаро, Миясито Мория; К.к. Тосиба. N62-269716; Заявл.26.10.87; Опубл.2.04.89.

17. Устройство для очистки поверхности полупроводниковой подложки перед молекулярно-лучевой эпитаксией. Заявка 60-107821,

18. Япония. Заявл.16.II.83, N58-213986, опубл.13.06.85. МКИ H0IL 21/203.

19. Устройство для УФ-облучения изделий. Заявка 59-161824, Япония, заявл.04.03.83, N58-35635, опубл.12.09.84. МКИ H0IL 21/302, H0IL 21/304.

20. Способ очистки поверхности. Заявка 62-293724. Япония МКИ 4 H0IL 21/304/ Тацуми Тору; заявл.13.06.86. Опубл.П.12.87.

21. Установка жидкостной отмывки. Заявка 60-7731, Япония. Заявл.27.06.83, N58-115527, опубл.16.01.85. МКИ H0IL 21/304.

22. Установка для очистки пластин. Заявка N60-60729, Япония. Заявл.08.04.85, опубл. 14.09.86. МКИ H0IL 21/304.

23. Метод удаления органических пленок. Заявка 60-77430, Япония. Заявл.04.10.83 N58-184521, опубл.02.05.85. МКИ H0IL 21/306.

24. Приспособление для промывки полупроводниковых пластин. Заявка 60-72233, Япония. Заявл.28.09.883, N58-179949, опубл.24.04.85. МКИ H0IL 21/304.

25. Устройство для очистки пластин. Заявка 60-53032, Япония. Заявл.02.09.83, N58-160338, опубл.26.03.85. МКИ H0IL 21/31.

26. Устройство для термообработки. Заявка 60-223128, Япония. Заявл.20.04.84, N59-78465, опубл.07.II.85. МКИ H0IL 21/302.

27. Способ очистки полупроводниковых пластин. Заявка 4871416, США. МКИ 4 В 44 CI/22. Опубл.05.10.90.

28. Энергии разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону./Л.В.Гурович, Г.В.Караченцев и др. М.: Наука,1974 - 351с.

29. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн.1. Пер. с англ./Под ред. С.Зи. М.: Мир,1986. - 404с.

30. Чистяков Ю.Д.,Каминский В.В.,Гришин В.М.,Шведова В.В. Использование электромагнитного излучения в газофазных процессах технологии полупроводников.//Обзоры по ЭТ, вып.5, 1976. 82с.

31. Near ultraviolet (260-37Опт) enhancement of silicon oxidation./Nayar V.,Boyd I.V.//Chemtronics 1989. - 4,N2. P. 101-103.

32. Toyoda Yoshihiro, Moue Kohji et al. Preparation of Si09film by photo-induced chemical vapor deposition using a deuterium lamp and its annealing effect// Jap.J.Appl.Phys. 1987. -Pt.1,26, - N6. - P.835-840.

33. Inoue K.Okugama M.,Hamakawa Y. Growth of SiO^ thin filmby selective excitation Photo-OVD using VUV light//Jap.J.Appl. Phys. 1988. - v.27,N11. - P7L2152-L2154.

34. Shachan-Dlamand Y.,Chun T.,01dhanz W.G. The electrical properties of Hg Sensitized "Photox" oxide layers deposited at80°0// Solid State Electronics. 1987. 30,N2. - P.227-233.

35. Jun-ichi Takanashi and M. Tabe. Irradiation effects on chemical vapor deposition of SIO^.//Jap.J.Appl.Phys. 1985 24,N3.- P.274-278.

36. Takaaki Kawahara, A.Yuuki, Y.Matsui. Reaction mechanism of chemical vapor deposition using tetraethylorthoslllcate and ozon at atmospheric pressure.//Jap.J.Appl.Phys. 1992. - v.31, pt.1,N9a. - P.2925-2930.

37. Y.Ishikawa. Enhanced thermal oxidation of silicon in sheam ambient by UV-irradiation.//Jap.J.Appl.Phys.Pt.2. 1992. -v.31,N6b. - P.750-752.

38. Laser ablation deposition./Dieleman J.//Jap.J.Appl.Phys. Pt.1. 1992. - 31.N6b - P.1964-1971.

39. Гукетлев Ю.Х.,Васенков А.А.,Гарицын А.Г.,ФеДоренко В.В., Лазерная технология интегральных схем. М.: Радио и связь.1991. 320с.

40. Film growth mechanism of photo-chemical vapor deposition/ T.Inishima. Mat.Res.Soc.Symp.Proc. - 1988. - v.105.- P.59-70.

41. Laser indiced chemical vapor deposition of S109./

42. P.K.Boyer et al.//Appl.Phys.Le11. 1982. - v.40. -P.716-718.

43. ATF laser photochemical deposition of amorphous silicon from disilane: spectroscopic studies and comparison with thermal GVD/D./ D.Eres et al.// Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. - P.70-80.

44. Deposition оf high quality SiO Layers from TEOS by excimer laser./A.Klump et al.//Appl.Surf.Sci. 1989. - v.36. -P.141-149.

45. Laser-induced chemical vapor deposition and characterization of amorphous silicon oxide fllms/J.Shirafu^i et ai.//Thin Solid films 1988 - v.157. - P.105-115.

46. SlO-p film deposition by KrP excimer laser irradiation/

47. S.Nishino et al.//Jap.J'.Appl.Phys. 1986. - v.25. - P.L87-L89.

48. Selective growth of policrystalllne silicon by laser-induced cryogenic CVD/ T.Tanaka et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1988.-v.27. - P.2149-2157.

49. APT-4800 atmospheric pressure TEOS/Ozon CVD system.// Semicond.Int. 1992. - N9. - P.12-13.

50. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Зюзь JI.H. и др. //Оисьма в ЖЭТФ. 1970. - т.12. - 0.213-216.

51. Фотостимулированная диффузия в кремнии./Малкович Р.Ш., Нистрюк 1/1.В.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17,вып.1. - С.3-4.

52. К вопросу о фотостимулированной диффузии./ Зюзь Л.Н. и др.//Письма в ЖЭТФ.- 1973 т.17.вып.4. - 0.230-231.

53. UV laser doping of silicon./ Ibbs K.G.,Lloid M.L.//0pt. and laser techn.- 1983.- 15,N1.- P.35-39.

54. Роль УФО при быстром термическом отжиге имплантированного бором кремния./ Герасимов и др.//Письма в ЖТФ. том.6,вып.1. -1980. - С.58-61 .

55. Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве./Под Ред. В.А. Лабунова. Мн.: Навука 1 тэхн1ка, 1992. - 248с.

56. Ultraviolet laser doping оf silicon./Ibbs К.G.,Lloyd M.L.//0pt. and Laser technol. 1989. - v.15,N1. - P.35-39.

57. Halogen and mercury lamp annealing of Arsenic implanted into silicon/ Katsuhiro Y. et al.//Jap.J.Appl.Phys. 1887. -V.26,N2. - p.L8T-L90.

58. Eliasson B.,Hlrth М. ,Kogelschatz U. Ozone synthesis from oxigen in dielectric barrier discharges .//J. Phys. D: Appl. Phys. -1987.- N1,v.20. P.1421-1437.59.0кабе X. Фотохимия малых молекул./Пер.с англ. М.: Мир. 1961. - 500 с.

59. Основы фотохимии координационных соединений./КрюкоЕ А.И.,Кучмий С.Я.; отв. ред. Дилунг И.И.; АН УССР. Ин-т физ.химии им.Л.В.Писаржевского.- Киев: Наук.думка,1990.-280с.6I.Weawer 0. Adhesion of thin films.//J.Vac.Sci.Techn.1975. N1,v.12. - P.18-25.

60. Иванова М.й. Воздействие вакуумного УФИ на поверхность неорганических и органических веществ, применяемых в микроэлектронике.//Диссертация на соискание уч. степ.канд. физ.-мат. наук. Москва: Физико-технологический ин-т,1989.-130с.

61. Benjamin P.,Weawer G. Measurement of adhesion of thin f11ms.//Proc.Roy.Soc.,Ser.A."Mathematical and Physical Sciences". I960. - V.254,N1277. - P.163-176.

62. Варзарев Ю.Н.,Поляков В.В. Модель низкотемпературного фотостимулированного осаждения диоксида кремния из тетраэтоксисилана.//СО.Научных трудов молодых ученых "300-летию г.Таганрога". Таганрог,ТРТУ. - 1995. С.44-48.

63. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц М.Л. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ.- М.:Химия,1968.-470с.

64. Равдел А.А. Краткий справочник физико-химических величин/ Под ред. К.П.Мищенко. Л.:Химия,1967.-187с.

65. Светличный A.M.,Соловьев С.И.,Поляков В.В.,Варзарев Ю.Н. Моделирование низкотемпературного фотостимулированного осаждения пленок диоксида кремния из тетраэтоксисилана при низком давлении. //СО."Вакууумная наука и техника", Гурзуф. 1994. - С.72.

66. Вавилов В.С, Кекелидзе Н.П., Смирнов Л.С. Действие излучений на полупроводники.- М.:Наука, 1988.-192с.

67. Баранский П.Н., Клочков В.П., Потыкевич Н.В. Полупроводниковая электроника.//Справочник. Киев:Наукова думка,1975.- 703с.

68. Зворыкин Д.Б., Прохоров Ю.И. Применение лучистого ИК нагрева в электронной промышленности. М.:Энергия,1980. - 98с.

69. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.:Наука,1978.- 288с.

70. Волькенштейн Ф.Ф.Физико-химия поверхности полупроводников М.:Наука,1978. - 382с.

71. Королев А.Н.Сеченов Д.А.Поляков В.В. Получение пленок Siu9 при гетерогенной диссоциации тетраэтоксисилана при УФ-облучении.//ФИЗХОМ. 1995. - N2. - С.98-105.

72. Герасимов В.В.Герасимова В.В.Самойлов А.Г. Энергия активации реакций при гетерогенном катализе.//Доклады РАН. -1992.- Т.322,N4. С.744-748.

73. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528с.

74. Джафаров Т.Д. Радиационно-стимулированная диффузия в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1991. - 288с.

75. Джафаров Т.Д. Фотостимулированные атомные процессы в полупроводниках. М.:Энергоатомиздат,1984. - 136с.

76. Светличный A.M.,Сеченов Д.А.,Поляков В.В.Предоперационная очистка поверхности полупроводниковых пластин УФ и ИК излучениями //Тезисы докладов 4 Всесоюзной НТК "Применение электронно-ионной технологии в нвродном хозяйстве". Москва. - 1991. - С.163.

77. Svetlichnly A.M.,Sechenov D.A.,Polyakov V.V. Rapid thermal annealing ion-implanted layers silicon by infra-red and ultra-violet irradiations.//1992 International conference on advanced and laser technologies ALT'92. Pt.4 Moskow. - 1992. -P.132.

78. Концевой Ю.А.,Кудин В.Д. Методы контроля технологии производства полупроводниковых приборов. М.:Энергия. - 1973. -140с.

79. Разработка и исследование способов повышения выхода годных КМОП БИС с помощью процессов импульсной обработки: Отчет по ОКР/ НИИ МВС при ТРТИ; Науч.рук.работы A.M. Светличный.

80. N ГР 0I8407I84; mhb.N09852II62. Таганрог,1985, 64с.

81. Далиев X.С.Лебедев А.А.,Экке В.В. Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП-структур, облученных 7-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике//Физика, Техника полупроводников. 1987. - Т.21,вып.2. - С.365-369.

82. Гуртов В.А.,Иваненков О.Н.,Курышев Г.Л. Зарядовые эффекты в МДП-структурах на антимониде индия//Физика, Техника полупроводников. 1986. - Т.20,вып.3. - С.738-743.

83. Литовченко В.Г.,Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводншс. Киев: Наукова Думка, 1978. - 316с.

84. Особенности образования "аномального" положительного заряда при УФ-облучении МДП-структур/Лисовский И.П. и др.//Тезисы докладов XII Всесоюзной научно-технической коференции по микроэлектронике, 27-28 октября 1987г. Тбилиси, 1987. - Ч.З. -0.7-8.

85. Влияние температуры синтеза S13N4 на УФ-деградацию структур металл-Si^-SlO^-полупроводник/Ахмад А.Ф. и др.//Укр. Физический журнал. 1986. - Вып.5. - с.739-742.

86. Degradation mechanism of lightly doped drain (LDD) n-cannel MOS-PET'S studied by ultraviolet light irradiation./ Saitoh M. et al./v J. Electrochem. Soc. 1985. - V.132, N10. -P.2463 - 2466.