автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых биполярных изделий

На правах рукописи

ЛИТВИНЕНКО Дарья Александровна

ОТЖИГ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ ДЕФЕКТОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ИЗДЕЛИЙ

Специальность 05.27.01 - Твердотельная электроника,

I

радиоэлектронные компоненты,

I

микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах

АВТОРЕФЕРАТ

I,

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Воронеж-2003

Работа выполнена в Воронежском государственном техническом университете

Научный руководитель

доктор технических наук, профессор Горлов Митрофан Иванович

Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Петров Борис Константинович;

кандидат технических наук, Бойко Владимир Иванович

Ведущая организация

ФГУП «Воронежский научно-исследовательский институт электронной техники»

Защита диссертации состоится 16 декабря 2003 г. в 14 часов в конференц-зале на заседании диссертационного совета Д 212.037.06 Воронежского государственного технического университета по адресу: 394026, г. Воронеж, Московский просп., 14.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного технического университета.

Автореферат разослан 12 ноября 2003 г.

диссертационного совета

Ученый секретарь

Горлов М.И.

17Я1

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

В последние 30 лет к воздействию статического электричества на полупроводниковые изделия (диоды, транзисторы, интегральные схемы) проявляется повышенный интерес. Это связано со снижением их качества и надежности под воздействием электростатических разрядов (ЭСР). Разряды статического электричества способны вывести из строя не только отдельные полупроводниковые изделия (ППИ), но и целые блоки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

В создавшейся ситуации возникла необходимость разработки эффективных мер защиты РЭА и ППИ от повреждения и помех при воздействии ЭСР. В литературе описываются различные способы защиты ППИ от ЭСР, начиная от подавления электростатических зарядов (ЭСЗ) и заканчивая увеличением стойкости аппаратуры и ее комплектующих к воздействию ЭСР за счет внешнего и внутреннего конструктивного решения.

Особую опасность ЭСР представляют для больших интегральных схем (БИС). Дальнейшее повышение сложности и степени интеграции, а, следовательно, и уменьшение минимальных размеров элементов приводят к большей чувствительности полупроводниковых интегральных схем (ИС) к воздействию ЭСР. Поэтому кроме применения внешних защитных мероприятий за послед-

Несмотря на все принимаемые меры, отрицательное воздействие ЭСР на ППИ остается проблемой.

Воздействие ЭСР приводит к повреждениям ППИ двух типов: катастрофическим и скрытым (или параметрическим).

Известно, что воздействие радиации на ИЭТ вызывает такие же типы повреждений. Но для параметрических радиационных дефектов характерно явление отжига, заключающееся в том, что после облучения у ППИ с течением времени в нормальных условиях или при повышенной температуре происходит частичное или полное восстановление электрических параметров.

В отечественной и зарубежной литературе до 1995 года не было сообщений о наличии явления отжига электростатических дефектов. И только в 1995 году появилось сообщение профессора Горлова М.И. с сотрудниками кафедры полупроводниковой электроники ВГТУ об обнаруженном явлении отжига электростатических дефектов.

Это явление дает возможность восстанавливать значения электрических параметров и надежность ППИ после воздействия ЭСР. Поэтому детальное исследование явления отжига электростатических дефектов весьма актуально для обеспечения необходимого уровня надежно ста ППИ.

Работа выполнена по теме ГБ 2001-34 «Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых стр

ние годы разработаны методы встроенной (внутренней) защиты ИС.

Цель работы.

Экспериментально подтвердить явление отжига электростатических дефектов у кремниевых биполярных изделий различных типов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

на основе обзора литературы сравнить виды дефектов биполярных ППИ, возникающих при воздействии радиации и ЭСР, приводящие к параметрическим отказам;

изучить процесс отжига электрических параметров кремниевых биполярных ИС, подвергшихся воздействию ЭСР;

исследовать влияние циклических воздействий «ЭСР-отжиг» на параметры кремниевых биполярных транзисторов;

сравнить кинетику отжига электростатических дефектов р-п-р- и п-р-п-транзисторов;

разработать методику проведения выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий типа «ЭСР-отжиг».

Научная новизна.

В работе получены следующие новые научные и технические результаты.

1. Экспериментально подтверждено наличие у ППИ отжига электростатических дефектов различных видов: медленный (длительный или «временной») при нормальных условиях, термический и отжиг в режиме электротермо-тренировки.

2. Определена энергия активации отжига электростатических дефектов для маломощных транзисторов п-р-п и р-п-р типов. Полученные значения энергии активации отжига электростатических дефектов (0,3...0,5 эВ) соответствуют значениям энергии активации при нарушениях структуры оксида кремния.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

Основные положения и результаты работы, выносимые на защиту.

1. Полупроводниковые изделия, имеющие параметрические отказы, возникшие под воздействием ЭСР, полностью или частично восстанавливают свои электрические параметры в результате воздействия режима электротермотре-нировки, длительного хранения в нормальных условиях и после выдержки при повышенной температуре, то есть в результате отжига электростатических дефектов.

2. Величина энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов соответствует энергии активации нарушений в струк-

туре оксида кремния.

3. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии

Практическая ценность и реализация результатов работы.

1. Показано наличие различных видов отжига электростатических дефектов у полупроводниковых изделий: термического, в режиме электротермотре-нировки, хранения в нормальных условиях.

2. Численно определена энергия активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов различной полярности.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. На данный способ подана заявка на изобретение.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ №2204142 7 001Я 31/26 от 26.03.2001.

Апробация работы.

Материалы диссертации обсуждались на ежегодных международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1999-2003 г.); международной конференции «Релаксационные эффекты в твердых телах» (Воронеж, 1999 г.); конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1999-2002 г.).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 работ, получен патент РФ. В совместных работах автору принадлежит экспериментальная часть, разработка способов диагностического контроля надежности, обсуждение результатов.

Структура и объем диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 106 страниц текста, включая 33 рисунка, 25 таблиц и список литературы из 78 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертации, определена цель и поставлены задачи исследования, показана научная новизна полученных результатов и их практическая значимость, сформулированы основные положения, выносимые на защиту, приведены сведения о публикациях по теме диссертации, личном вкладе автора в совместных работах, структуре и объеме диссертации. . ,

В первой главе проведен анализ отечественной и зарубежной литературы по воздействию радиации и ЭСР на ППИ. Показано, что в кремниевых ППИ под воздействием ЭСР возникают те же типы повреждений, что и под действием радиации - катастрофические и параметрические.

Отмечена некоторая аналогия между открытым недавно явлением отжига электростатических дефектов ППИ и отжигом радиационных дефектов. Благодаря данному открытию, вероятно, изменится сложившееся представление о необратимости нарушений, образовавшихся в ППИ под воздействием ЭСР.

Во второй главе описаны результаты экспериментов по влиянию ЭСР и отжигу электростатических дефектов биполярных транзисторов КТ3102 и КТЗ107; произведен расчет энергии активации отжига.

Для эксперимента было произвольно взято по двенадцать транзисторов КТЗ 107 и КТЗ 102 р-п-р и п-р-п типа соответственно, имеющих исходное значение информативного параметра, не выходящее за рамки технических условий (ТУ). В качестве информативного параметра был выбран статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером /г2|Э. Измеренное значение этого коэффициента лежало в пределах 210-240 для транзисторов типа КТЗ 107 и 120-220 для транзисторов типа КТЗ 102.

Транзисторы каждого типа были разбиты на три группы. Каждая из трех групп подвергалась воздействию ЭСР различной величины для выявления влияния степени поражения структуры транзистора импульсом ЭСР на процесс отжига.

Воздействие ЭСР осуществлялось на переход коллектор-база (КБ) транзисторов, так как этот переход в меньшей степени, чем переход эмиттер-база (ЭБ) чувствителен к импульсам ЭСР, и, следовательно, представляется возможным с большей точностью проконтролировать процесс восстановления коэффициента /¡21э- При подаче импульса ЭСР положительная клемма источника ЭСР подсоединялась к выводу коллектора, а отрицательная клемма источника -к выводу базы (+К, -Б).

Измерение проводилось при напряжении коллектор-база транзисторов £/кб = 5 В, токе эмиттера /э = 2 мА на установке Л2-56А

На рис. 1 и 2 представлена кинетика восстановления коэффициента /¡213 транзисторов КТЗ 107 и КТЗ 102 соответственно. Различные кривые соответствуют различной степени воздействия ЭСР.

Для перехода К-Б транзисторов КТЗ 107 используемая в эксперименте величина ЭСР 5 кВ не представляет опасности, так как при таком напряжении ЭСР не происходит катастрофических изменений ВАХ. Также и величина ЭСР 3 кВ, используемая в эксперименте, допустима для транзисторов КТЗ 102.

Отжиг приборов проводился в нормальных условиях в течение одного часа.

На этих рисунках введены следующие обозначения: й2°]э - значение коэффициента передачи тока до воздействия ЭСР; - после следующего за воздействием ЭСР отжига.

^214

КТ3107

^ , - Л2Т!

I КТ3102

10 20 30 40

50 «О /, МИН

30 10 -10 о

3-10 импульсов по ЗкВ

2-5 импульсов по ЗкВ I - 2 импульса по ЗкВ

О 10 20 30 40 ЗД 60

I, МИН

Рис. 1 Кинетика восстановления коэффициента Л21Э транзисторов КТЗ107

Рис 2. Кинетика восстановления коэффициента Ицэ транзисторов КТЗ 102

Следует особо отметить, что рис. 1 и 2 отражают результаты восстановления коэффициента А21Э при комнатной температуре, то есть отжига в нормальных условиях или так называемого «временного» отжига.

Анализируя результаты эксперимента, можно сделать некоторые выводы о природе нарушений, возникающих при воздействии ЭСР на транзисторы, и механизмах последующего отжига.

Одним из основных механизмов, вызывающих катастрофические отказы полупроводниковых изделий под воздействием ЭСР, является тепловой пробой р-п-перехода или тепловое образование макродефектов в материалах структуры изделия: полупроводнике, металле, оксиде. ЭСР, проходя через структуру изделия, приводит к локальному разогреву и, как следствие, появлению различных дефектов: тепловому пробою р-п-перехода, расплавлению участков кремния, прожогу или взрывному распылению металлизации и т. п., - которые приводят, к катастрофическим отказам.

В случае, если величина заряда недостаточна для возникновения немедленного катастрофического отказа, в структуру изделия из-за неравномерности нагрева вносятся механические напряжения. Величина этих напряжений может быть достаточной для образования микродефектов (дислокаций, пор в оксиде и т.п.), приводящих к ухудшению электрических параметров изделий. Последующая релаксация этих механических напряжений со временем, с воздействием температуры и/или электрического режима приводит к релаксации микродефектов, что в свою очередь приводит к восстановлению электрических параметров до первоначального уровня.

Этот механизм отжига характерен в большей степени для биполярных изделий. Чем меньше возникших нарушений в структуре изделия, тем больше вероятность полного восстановления его электрических параметров в процессе отжига.

Для определения энергии активации отжига проводился изотермический

отжиг приборов. Для этого транзисторы, подвергшиеся такому же воздействию ЭСР, как и в описанном выше эксперименте, отжигались при температуре 7"= 100 °С. Наиболее наглядно результаты эксперимента по сравнению термического и «временного» отжига можно продемонстрировать на транзисторах, подвергшихся воздействию ЭСР средней степени. Для транзисторов КТ3107 это 100 импульсов ЭСР по 5 кВ, кривая 2 рис. 1; для транзисторов КТ3102 соответственно 5 импульсов по 3 кВ и кривая 2 рис. 2.

Сравнение кинетики отжига при комнатной и повышенной температуре приведено на рис. 3 и 4 для транзисторов КТ3107 и КТ3102 соответственно. Для наглядности результатов кривые на этих рисунках приведены для первых 20 минут отжига, так как именно в это время процесс отжига происходит наиболее интенсивно. Видно, что восстановление коэффициента передачи тока транзисторов в схеме с общим эмиттером /г2|э при термическом воздействии происходит более эффективно, чем в нормальных условиях.

А0 _ и"™

21Э 21Э

20 I, МИН

Рис 3 Иллюстрация расчета энергии активации отжига электростатических дефек-юв транзисторов КТЗ107

Рис 4 Иллюстрация расчета энергии активации отжига электростатических дефектов транзисторов КТЗ 102

Для вычисления энергии активации отжига нужно учесть, что при различной температуре отжига приборов, имеющих одинаковое количество дефектов, для уменьшения их числа до заданной величины требуется разное время. Связь между этим временем и температурой дается уравнением:

/ -е

= с.от1,

0)

где Е - энергия активации; Т - абсолютная температура; к - постоянная Больцмана.

Тогда отношение времен и 12, необходимых для получения заданного числа электростатических дефектов при температурах Т\ и Т2, связано с энергией активации соотношением

1п-

Т

_1_ у;

(2)

Следует отметить, что это уравнение применимо только в том случае, если кинетика отжига определяется одной постоянной энергией активации. В нашем случае это условие выполняется, так как процесс отжига протекает при постоянной температуре.

Энергия активации отжига, определенная по изотермам для транзисторов КТ3107Г (р-п-р), оказалась равной 0,3 эВ. Для транзисторов КТ3102ВМ (п-р-п) рассчитанное значение энергии активации составило 0,5 эВ.

Значения энергии активации 0,3-0,5 эВ, полученные для отжига параметрических дефектов, соответствуют, согласно литературным данным, энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

В третьей главе описаны эксперименты, подтверждающие наличие отжига электростатических дефектов у ИС серий 106 (кремниевые схемы транзисторно-транзисторной логики с диэлектрической изоляцией элементов) и 142 (кремниевые стабилизаторы напряжения с изоляцией элементов р-п-переходом).

Для ИС серии 106ЛБ2 результаты воздействия ЭСР и последующего отжига оценивались по изменению вольтамперной характеристики, снятой между входом «или» и шиной «питание» (рис. 5).

Рис. 5 Изменение прямой ветви ВАХ ИС серии 106ЛБ2 под воздействием ЭСР и последующего отжига

1 - ВАХ до воздействия ЭСР,

2 - ВАХ после однократного воздействия ЭСР величиной 1 кВ,

3 - восстановление ВАХ схем после хранения в нормальных условиях;

4 - восстановление ВАХ схем после выдержки при повышенной температуре

Рис. 6 Стойкость к воздействию ЭСР ИС типа КР142ЕН12, восстановивших свои параметры в результате отжига

1 - контрольная партия

2 - ИС после ЭСР и отжига

Для ИС типа КР142ЕН12 было подтверждено наличие отжига электростатических дефектов при испытаниях на надежность.

ИС типа КР142ЕН12, предварительно подвергнутые воздействию ЭСР напряжением 2000 В, в процессе последующего высокотемпературного отжига восстановили контролируемый параметр 11еых ,„,„ до исходного значения. Затем данные ИС подвергались воздействию электростатических разрядов различной величины до тех пор, пока не наступал катастрофический отказ. Результаты эксперимента представлены на рис. 6 (каждая точка на рис. 6 соответствует усредненному значению количества отказов при данном потенциале ЭСР для пяти ИС). Для сравнения приведена кривая для контрольной партии ИС, не подвергавшихся воздействиям ЭСР.

Как видно из результатов эксперимента, чувствительность ИС, подвергшихся воздействию ЭСР значением ниже опасного и восстановивших свои параметры в процессе отжига, такая же, что и у контрольной партии ИС.

В четвертой главе описаны эксперименты по изучению циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на транзисторы КТ639А и КТ312А.

На основе исследования влияния на транзисторы циклов типа «ЭСР-отжиг» предложен способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов в процессе производства и эксплуатации, на который подана заявка на патент.

Данный способ направлен на устранение недостатков известного метода разбраковки транзисторов по величине токов утечки после воздействия импульсами тока высокой плотности. В предлагаемом способе исключено испытание приборов током стрессовой плотности, предельной для начала электромиграции алюминиевой металлизации на кристалле, которая в дальнейшем может привести к катастрофическому отказу испытуемых транзисторов.

В предлагаемом способе на транзисторах партии производится контроль обратных токов (токов утечки) сначала до воздействия ЭСР, а затем после воздействия трех циклов ЭСР и термического отжига.

Воздействие ЭСР осуществляется на наиболее чувствительный к ЭСР переход транзистора эмиттер-база. Величину ЭСР выбирают равной допустимому по техническим условиям на транзисторы потенциалу.

Воздействие ЭСР включает в себя три цикла. За один цикл принимается воздействие пяти разрядов одной и пяти разрядов другой полярности.

ЭСР величиной, лежащей в пределах допустимого потенциала, вносит некоторые изменения в концентрацию поверхностных состояний и в механические напряжения различных приповерхностных слоев (оксид кремния, алюминий, кремний). Повторение циклов воздействия ЭСР приводит к увеличению этих изменений. Причем степень изменения тем больше, чем меньше стабильность поверхностных состояний. Отжиг в течение 1-4 часов при температуре 70-150 °С приводит к релаксации возникших при воздействии ЭСР изменений.

Воздействие ЭСР ограничено именно тремя циклами на основе экспери-

ментальных данных. Это максимальное количество циклов, при котором ЭСР воздействует только на поверхность и не вносит существенных необратимых изменений в структуру перехода.

Относительное изменение значения обратного тока после отжига можно оценить с помощью коэффициента нестабильности обратных токов:

_ ^Чанмг ^Пиач (3}

~ I ~ I '

01Х/7Я Онач

где /0 эср ш - величина обратного тока после третьего воздействия ЭСР; /0 нач - начальное значение обратного тока; ¡оотм - величина обратного тока после отжига последнего цикла.

На основе значений коэффициента нестабильности обратных токов можно разделить партию транзисторов на две партии, надежность которых в эксплуатации будет различной. Чем меньше значение этого коэффициента , тем выше надежность прибора. Наибольшую надежность будут иметь транзисторы с коэффициентом нестабильности равным нулю.

Приведен пример применения предложенного способа.

Для эксперимента было взято 22 транзистора КТ639. Допустимый по техническим условиям потенциал ЭСР для данного типа транзисторов составляет 1000 В.

Эксперимент проводился в следующей последовательности.

1. Перед началом испытаний произвели измерение обратного тока /0 „ач эмиттерного перехода каждого транзистора (при напряжении = 5 В).

2. На переход эмитгер-база осуществили воздействие ЭСР величиной ±1000 В пять раз (при подаче первых пяти импульсов ЭСР переход находится в прямом смещении; при подаче других пяти импульсов переход находится в обратном смещении), измерили ток /0оср1 после первого цикла воздействия ЭСР для каждого транзистора.

3. Повторили воздействия ЭСР, описанные в п. 2 еще два раза; измерили „ токи /0 эср п и 10 эср ш после второго и третьего цикла для каждого транзистора.

4. Транзисторы подвергли отжигу при температуре 100 °С в течение одного часа, охладили до нормальной температуры, измерили значение обратного

ч тока /0 от« после отжига.

Результаты измерений обратного тока, проведенных в эксперименте, и расчеты коэффициента К приведены в табл. 1. По этим данным транзисторы с порядковыми номерами 2, 3, 5, 8, 9, 14, 15, 16, 20 являются стабильными и будут более надежными при эксплуатации, чем остальные транзисторы.

Для транзисторов КТ312 эксперимент по изучению воздействия циклов «ЭСР-отжиг» проводился на переходе эмиттер-база. Допустимый потенциал электростатического разряда для данных транзисторов по техническим условиям составляет 1000 В.

Для эксперимента было взято 14 приборов. Транзисторы подвергались пяти циклическим воздействиям.

Каждый цикл состоял из следующих этапов: два воздействия электростатического разряда (ЭСР) величиной 5 кВ (эта величина ЭСР ниже опасного потенциала), хранение в нормальных условиях в течение семи дней, отжиг при температуре 150 °С в течение одного часа. Причем на базу первых семи транзисторов в процессе эксперимента осуществлялось воздействие ЭСР отрицательной полярности, а на эмиттер - положительной (-Б+Э). Для второй партии из семи транзисторов - полярности «±» (±Б±Э), т.е. первое воздействие -Б+Э, а второе воздействие +Б-Э. На каждом этапе измерялся обратный ток эмитгерно-го перехода

Таблица 1

Расчет коэффициентов нестабильности обратных токов транзисторов КТ639А

Порядковый номер транзистора Величина обратного тока /0 на различных этапах эксперимента. нА Значение коэффи-

^о нач /о ЭСР 1 /ОЭСРИ АзЭСР 111 ¿О 0ТЖ ностиК

1 15 20 20 35 20 0,25

2 10 15 15 20 10 0

3 15 15 20 20 15 0

4 20 25 35 40 25 0,25

5 30 35 40 45 30 0

6 25 30 30 35 30 0,80

7 25 40 40 45 30 0,25

8 70 77 80 90 70 0

9 50 55 55 60 50 0

10 35 40 45 50 40 о.зз

11 50 55 60 65 55 0.33

12 70 80 85 95 75 0.2

13 65 70 80 85 70 0,25

14 50 50 55 60 50 0

13 70 60 75 85 70 0

16 75 85 95 95 75 0

17 100 130 150 160 140 0,66

18 80 100 100 105 85 0,2

19 115 125 135 135 120 0,25

20 95 100 105 110 95 0

21 125 150 155 165 140 0,375

22 130 140 165 170 145 0,375

Результаты эксперимента по пяти циклам испытаний показаны на рис. 7. На основе данного эксперимента предложен способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

мкА

1-й цикл 2-й цикл 3-й цикл 4-й цикл 5-й цикл

Рис. 7 Изменение обратного тока эмиттерного перехода транзисторов КТЗ12А под воздействием циклов «ЭСР-отжиг», содержащих воздействие ЭСР различной полярности

Алгоритм действий при контроле надежности транзисторов в партии данным способом следующий.

1. Перед началом испытаний проводят замер информативного параметра транзисторов, который должен по возможности наиболее полно характеризовать функционирование транзистора и значительно изменяться под воздействием однократного ЭСР. Рекомендуется в качестве информативного параметра выбирать обратный ток какого-либо перехода транзистора /„,,„.

2 Испытания начинают с воздействия единичного импульса ЭСР. Напряжение ЭСР выбирают величиной на 5-10 % ниже опасного потенциала. Затем проводят замер информативного параметра ¡эп> и рассчитывают первый коэффициент изменения

3. Транзисторы подвергают хранению в нормальных условиях в течение трех-семи дней, проводят замер информативного параметра 1хр.

4. Транзисторы подвергают отжигу дефектов при максимально допустимой по техническим условиям (ТУ) температуре в течение одного часа, проводят замер информативного параметра 1отж и рассчитывают второй и третий коэффициенты изменения

^ _ ^омл

1*,

(5)

5. О степени надежности судят по величине коэффициентов изменения. Критическое значение коэффициентов изменения (максимально или минимально допустимое значение коэффициента) устанавливается экспертным путем для каждого типа транзисторов. Для определения критического значения коэффициентов изменения следует провести несколько циклов типа «ЭСР-отжиг» в последовательности, указанной в п. 1-^4, и выявить, каковы значения этих коэффициентов у отказавших и сохранивших работоспособность приборов.

В качестве примера использования данного способа контроля надежности проанализированы результаты эксперимента на транзисторах КТ312А, описанные выше. В табл. 2 приведены абсолютные значения информативного параметра и рассчитанные коэффициенты изменения для первого цикла испытаний.

Таблица 2

Расчет коэффициентов изменения информативного параметра на основе результатов первого цикла испытаний

Номер прибора 1-й цикл испытаний

/,„,,„ мкА /¡а>, мкА Лр, мкА у МКА К, к2 Кз

1 0,001 0,001 0,001 0,001 1,00 1,00 1,00

2 0,002 0,257 0,215 0,161 128,50 0,75 0,63

3 0,002 0,800 0,630 0,370 400,00 0,59 0,46

4 0,002 0,002 0,002 0,002 1,00 1,00 1,00

5 0,001 0,166 0,117 0,100 166,00 0,85 0,60

6 0,001 0,033 0,027 0,015 33,00 0,56 0,45

7 8 " 0,001 .....оГооТ 0,554 ОДНИ 0,448 0,001 0,193 554,00 0,43 0,35

0,001 1,00 1,00 1,00

9 0,005 0,337 0,250 0,182 67,40 0,73 0,54

10 0,017 0,123 0,115 0.097 7,24 0,84 0,79

11 0,006 0,006 0,006 0,006 1,00 1,00 1,00

12 0,001 0,035 0,033 0,026 35,00 0,79 0,74

13 0,001 0,001 0,001 0,001 1,00 1,00 1,00

14 0,012 0,170 0,120 0.095 14,17 0,79 0,56

Критические значения коэффициентов изменения составляют

= 200; к Г" = 0,7; = 0,5.

Транзисторы, для которых значения коэффициентов изменения выходили за пределы указанных критических величин (в табл. 2 выделены жирным

шрифтом), отказали на последующих четырех циклах испытаний. Таким образом, подтверждено, что транзисторы под номерами 3, 6, 7, обладают низкой надежностью.

Данный способ может быть использован для контроля надежности транзисторов по критериям: стойкость к ЭСР и температурному отжигу, а также для повышения достоверности других способов контроля и отбраковки как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

На способ получен патент РФ № Кг 2001107987/09 (008376) 70011131/26).

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Проведенный анализ отечественной и зарубежной литературы по воздействию радиации и ЭСР на ППИ показывает, что виды отказов ППИ под воздействием радиации и ЭСР идентичны: катастрофические и скрытые (или параметрические). В литературе подробно описано явление отжига радиационных дефектов, однако информация по отжигу электростатических дефектов практически отсутствует.

2. Отжиг электростатических дефектов ППИ возможен только в случае, если по своей величине импульс ЭСР ниже значения опасного потенциала для данного типа изделий; поэтому при проведении экспериментов необходимо знать величину опасного и допустимого потенциала ЭСР.

3. Наличие временного отжига подтверждено восстановлением коэффициента усиления А21э У транзисторов КТ3107 и КТ3102, подвергнутых воздействию ЭСР; наличие термического отжига - значительным приближением к первоначальному виду ВАХ схем 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР.

4. Рассчитана энергия активации отжига электростатических дефектов. Для транзисторов КТ3107Г (р-п-р) она оказалась равной 0,3 эВ. Для транзисторов КТ3102ВМ (п-р-п) рассчитанное значение энергии активации составило 0,5 эВ. Значения энергии активации 0,3-0,5 эВ, полученные для отжига параметрических дефектов, соответствуют, по литературным данным, энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

5. У схем типа 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР, после хранения в нормальных условиях и выдержке при повышенной температуре наблюдалось значительное приближение ВАХ к первоначальному виду, то есть происходил температурный отжиг.

6. У ИС типа КР142ЕН12 наблюдалось восстановление параметра ивы* гаю после 500 ч испытаний на надежность. Это явление подтверждает наличие отжига в условиях электротермотренировки.

7. На основе исследования влияния на транзисторы циклов «ЭСР-отжиг» предложен способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. Данный способ позволяет оценить надежность транзисторов в процессе произ-

водства и эксплуатации. На способ подана заявка на изобретение.

8. На основе расчета коэффициента изменения информативного параметра в процессе проведения экспериментов по циклическому воздействию а «ЭСР-отжиг» предложен способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ №2204142.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

1. Горлов М.И., Литвиненко Д.Л. Отжиг радиационных и электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Микроэлектроника. 2002. №5. С. 352-359.

2. Пат. 2204142 1Ш. МПК С2 1С 01 Я 31/26. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии / М.И. Горлов, А.Г. Адамян, Д.А. Литвиненко (РФ); Воронеж, гос. техн. ун-т (РФ). 2001107987/09; Заявлено 26.03.01; Опубл. 10.05.03; 26.03.01 // Бюл., 2003. №13.

3. Горлов М.И., Воронцов И.В., Литвиненко Д.А. Испытания ИС, содержащие воздействия ЭСР // Сб. науч. тр. «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж, ВГТУ. 1997. С. 35-42.

4. Каехтин А.А., Литвиненко Д.А. Влияние электростатических разрядов на полевые транзисторы в процессе их работы // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 1998. С. 354-357.

5. Горлов М.И., Каехтин А.А., Литвиненко Д.А. Влияние электростатических разрядов на элементы биполярных ИС серии 106ЛБ2 // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 1999. С. 336-339.

6. Горлов М.И., Литвиненко Д.А Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Сб. науч. тр. «Элементы и устройства микроэлектронной структуры». Воронеж, ВГТУ. 2001. С 89-96.

7. Горлов М.И., Литвиненко Д.А, Зуева Е.М. Влияние циклического воздействия типа ЭСР-отжиг на параметры маломощных транзисторов // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 2001. С. 217-223.

8. Горлов М.И., Литвиненко Д.А., Тарасова Ю.Е. Исследование влияния воздействия типа ЭСР-отжиг на параметры транзисторов КТ312 // Сб. науч. тр. «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж, ВГТУ. 2001. С. 201-205.

9. Горлов М.И., Литвиненко Д.А., Тарасова Ю.Е. Кинетика отжига электростатических дефектов в маломощных биполярных транзисторах р-п- р и пр- п типа // Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 2002. С. 220-225.

сы в полупроводниковых приборах». М., 2002. С. 220-225.

10. Горлов М.И., Литвиненко Д.А Расчет энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных биполярных транзисторов // Техника машиностроения. 2002. № 5. С. 12-13.

11. Горлов М.И. Андреев A.B., Литвиненко Д.А, Новокрещенова Е.П. К вопросу об отжиге электростатических дефектов Н Матер, докл. науч.-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М., 2003. С. 215-218.

12. Горлов М.И., Андреев A.B., Литвиненко Д.А. Отжиг электростатических дефектов в полупроводниковых изделиях // Тез. докл. Междунар. конф. «Релаксационные эффекты в твердых телах». Ворор°^ 1QQQ г ">вв-о»о

ЛР№ 066815 от25.08.99. Подписано в печать 03.11.2003. Формат 60x84/16. Бумага для множительных аппаратов. Усл. печ. л. 1,0 Тираж 85 экз. Заказ № &&У

Воронежский государственный технический университет 394026 Воронеж, Московский просп., 14

I

I

i I

I I

I

I I

öooHI

17511

P 1751 f

Введение. Общая характеристика работы

Глава 1. Дефекты кремниевых биполярных изделий, возникающие при воздействии радиации и электростатических разрядов

1.1. Влияние радиации на полупроводниковые изделия

1.1.1. Виды радиационных повреждений

1.1.2. Ток ионизации в /7-и-переходе

1.1.3. Влияние облучения на элементы биполярных ИС

1.2. Отжиг радиационных дефектов

1.2.1. Быстрый отжиг

1.2.2. Медленный отжиг

1.2.3. Термический отжиг

1.2.4. Отжиг под воздействием электрического режима

1.3. Воздействие ЭСР на полупроводниковые (кремниевые) изделия

1.3.1. Актуальность рассмотрения проблемы воздействия ЭСР на полупроводниковые изделия

1.3.2. Природа возникновения электростатических зарядов при производстве ПНИ

1.3.3. Повреждения, возникающие в кремниевых полупроводниковых изделиях под воздействием ЭСР

1.3.4. Влияние ЭСР на транзисторы

1.3.5. Влияние ЭСР на биполярные ИС

1.4. Отжиг электростатических дефектов 42 Выводы к главе

Глава 2. Отжиг электростатических дефектов биполярных транзисторов

2.1. Методика проведения экспериментов по изучению явления отжига электростатических дефектов

2.1.1. Описание установки генерирования электростатических разрядов

2.1.2. Методика определения опасного и допустимого потенциала

2.2. Влияние статического электричества на транзисторы КТ3107 и КТ

2.2.1. Техническое описание транзисторов КТ 3107 и КТЗ

2.2.2. Экспериментальная проверка влияния статического электричества на транзисторы КТЗ 107 и КТЗ

2.3. Кинетика восстановления коэффициента усиления тока в схеме с общим эмиттером транзисторов КТЗ 102 и КТЗ

2.4. Расчет энергии активации отжига 60 Выводы к главе

Глава 3. Отжиг электростатических дефектов биполярных интегральных схем

3.1. Отжиг электростатических дефектов ИС серии

3.1.1. Технические характеристики ИС серии

3.1.2. Испытание на надежность ИС серии

3.1.3. Иллюстрация отжига электростатических дефектов на примере изменения В АХ ИС серии

3.2. Отжиг электростатических дефектов ИС серии КР142ЕН

3.2.1. Технические характеристики ИС серии КР142ЕН

3.2.2. Восстановление выходного напряжения ИС серии

КР142ЕН12 после ЭСР испытаниями на надежность

Выводы к главе

Глава 4. Циклическое воздействие «ЭСР-отжиг» на транзисторы

4.1. Влияние циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры маломощных транзисторов типа КТ639А

4.1.1 Техническое описание транзисторов типа КТ639А

4.1.2. Влияние.статического электричества на транзисторы КТ639А

4.1.3. Описание эксперимента по изучению циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры транзисторов

КТ639А

4.1.4. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов

4.2. Влияние циклического воздействия «ЭСР-отжиг» на параметры маломощных транзисторов типа КТЗ 12А

4.2.1. Техническое описание транзисторов типа КТЗ 12А

4.2.2. Влияние статического электричества на транзисторы КТЗ 12А

4.2.3. Циклическое воздействие «ЭСР-отжиг» на параметры транзисторов типа КТЗ12А 4.3. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий «ЭСР-отжиг» Выводы к главе 4 Основные результаты и выводы Список литературы

ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

В последние 30 лет к воздействию статического электричества на полупроводниковые изделия (диоды, транзисторы, интегральные схемы) проявляется повышенный интерес. Это связано со снижением их качества и надежности под воздействием электростатических разрядов (ЭСР). Разряды статического электричества способны вывести из строя не только отдельные полупроводниковые изделия (ПЛИ), но и целые блоки радиоэлектронной аппаратуры (РЭА).

В создавшейся ситуации возникла необходимость разработки различных мер защиты РЭА и ПЛИ от повреждения и помех при воздействии ЭСР. В литературе описываются различные способы защиты ППИ от ЭСР, начиная от подавления электростатических зарядов (ЭСЗ) и заканчивая увеличением стойкости аппаратуры и ее комплектующих к воздействию ЭСР за счет внешнего и внутреннего конструктивного решения [1].

Особую опасность ЭСР представляют для больших интегральных схем (БИС). Дальнейшее повышение сложности и степени интеграции, а, следовательно, и уменьшение минимальных размеров элементов приводит к большей чувствительности полупроводниковых интегральных схем (ИС) к воздействию ЭСР. Поэтому кроме применения внешних защитных мероприятий за последние годы разработаны методы встроенной (внутренней) защиты ИС [2].

Несмотря на все принимаемые меры, отрицательное воздействие ЭСР на ППИ остается проблемой.

Воздействие ЭСР приводит к повреждениям ППИ двух типов: катастрофическим и скрытым (или параметрическим).

Известно [3, 4, 5], что воздействие радиации на ИЭТ вызывает такие же типы повреждений. Но для параметрических радиационных дефектов характерно явление отжига, заключающееся в том, что после облучения у ПЛИ с течением времени в нормальных условиях или при повышенной температуре происходит частичное или полное восстановление электрических параметров.

В отечественной и зарубежной литературе до 1995 года [6-9] не было сообщений о наличии явления отжига электростатических дефектов. И только в 1995 году появилось сообщение профессора Горлова М.И. с сотрудниками кафедры полупроводниковой электроники ВГТУ об обнаруженном явлении отжига электростатических дефектов [10].

Это явление дает возможность восстанавливать значения электрических параметров и надежность ПЛИ после воздействия ЭСР. Поэтому детальное исследование явления отжига электростатических дефектов является весьма актуальным для обеспечения необходимого уровня надежности ПЛИ.

Работа выполнена по теме ГБ 2001-34 «Изучение технологических и физических процессов в полупроводниковых структурах и приборах».

Цель работы

Экспериментально подтвердить явление отжига электростатических дефектов у кремниевых биполярных изделий различных типов.

Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи: на основе обзора литературы сравнить виды дефектов биполярных ППИ, возникающих при воздействии радиации и ЭСР, приводящие к параметрическим отказам; изучить процесс отжига электрических параметров кремниевых биполярных ИС, подвергшихся воздействию ЭСР; исследовать влияние циклических воздействий «ЭСР-отжиг» на параметры кремниевых биполярных транзисторов; сравнить кинетику отжига электростатических дефектов р-п-р- и л-/?-н-транзисторов; разработать методику проведения выборочного контроля надежности транзисторов в партии на основе исследования циклических воздействий типа «ЭСР-отжиг».

Научная новизна

В работе получены следующие новые научные и технические результаты.

1. Экспериментально подтверждено наличие у ППИ отжига электростатических дефектов различных видов: медленный (длительный или «временной») при нормальных условиях, термический и отжиг в режиме электротермотренировки.

2. Определена энергия активации отжига электростатических дефектов для маломощных транзисторов п-р-п и р-п-р типов. Полученные значения энергии активации отжига электростатических дефектов (0,3.0,5 эВ) соответствуют значениям энергии активации при нарушениях структуры оксида кремния.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

Основные положения и результаты работы, выносимые на защиту

1. Полупроводниковые изделия, имеющие параметрические отказы, возникшие под воздействием ЭСР, полностью или частично восстанавливают свои электрические параметры в результате воздействия режима электротермотренировки, длительного хранения в нормальных условиях и после выдержки при повышенной температуре, то есть в результате отжига электростатических дефектов.

2. Величина энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов равнозначна величине энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

3. Способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов.

4. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии.

Практическая ценность и реализация результатов работы

1. Показано наличие различных видов отжига электростатических дефектов у полупроводниковых изделий: термического, в режиме электротермотренировки, хранения в нормальных условиях.

2. Численно определена энергия активации отжига электростатических дефектов маломощных транзисторов различной полярности.

3. Разработан способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. На данный способ подана заявка на изобретение.

4. Разработан способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ №2204142 7 ООЖ 31/26 от 26.03.2001.

Апробация работы

Материалы диссертации обсуждались на ежегодных международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1999-2003 г.); международной конференции «Релаксационные эффекты в твердых телах» (Воронеж, 1999 г.); конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1999-2002 г.).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 12 работ, получен патент РФ. В совместных работах автору принадлежит экспериментальная часть, разработка способов диагностического контроля надежности, обсуждение результатов.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 106 страниц текста, включая 33 рисунка, 25 таблиц и список литературы из 78 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Проведенный анализ отечественной и зарубежной литературы по воздействию радиации и ЭСР на ПНЯ показывает, что виды отказов ППИ под воздействием радиации и ЭСР идентичны: катастрофические и скрытые (или параметрические). В литературе подробно описано явление отжига радиационных дефектов, однако информация по отжигу электростатических дефектов практически отсутствует.

2. Отжиг электростатических дефектов ППИ возможен только в случае, если по своей величине импульс ЭСР ниже значения опасного потенциала для данного типа изделий; поэтому при проведении экспериментов необходимо знать величину опасного и допустимого потенциала ЭСР.

3. Наличие временного отжига подтверждено восстановлением коэффициента усиления к2\э У транзисторов КТ3107 и КТ3102, подвергнутых воздействию ЭСР; наличие термического отжига — значительным приближением к первоначальному виду В АХ схем 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР.

4. Рассчитана энергия активации отжига электростатических дефектов. Для транзисторов КТ3107Г (р-п-р) она оказалась равной 0,3 эВ. Для транзисторов КТ3102ВМ 0п-р-п) рассчитанное значение энергии активации составило 0,5 эВ. Значения энергии активации 0,3-0,5 эВ, полученные для отжига параметрических дефектов, соответствуют, по литературным данным, энергии активации нарушений в структуре оксида кремния.

5. У схем типа 106ЛБ2, подвергнутых воздействию ЭСР, после хранения в нормальных условиях и выдержке при повышенной температуре наблюдалось значительное приближение ВАХ к первоначальному виду, то есть происходил температурный отжиг.

6. У ИС типа КР142ЕН12 наблюдалось восстановление параметра UBbixmin после 500 ч испытаний на надежность. Это явление подтверждает наличие отжига в условиях электротермотренировки.

7. На основе исследования влияния на транзисторы циклов «ЭСР-отжиг» предложен способ разделения транзисторов по стабильности обратных токов. Данный способ позволяет оценить надежность транзисторов в процессе производства и эксплуатации. На способ подана заявка на изобретение.

8. На основе расчета коэффициента изменения информативного параметра в процессе проведения экспериментов по циклическому воздействию а «ЭСР-отжиг» предложен способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. На разработанный способ получен патент РФ №2204142.

1. How to defeat electrostatic discharge // IEEE Spectrum. 1989. № 8. P.36-40.

2. Горлов М.И., Андреев A.B., Воронцов A.B. Воздействие электростатических разрядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: Издательство ВГУ, 1997. - 160 с.

3. Болотов В.В., Коротченко В.А., Мамонтов А.П. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников, 1980, т. 14, вып.11. С. 2257-2260.

4. Мырова А.О., Чепиженко А.З. Обеспечение радиационной стойкости аппаратуры связи. М.: Радио и связь, 1983. - 215 с.

5. Черданцев П.А. Чернов И.П., Тимошенков Ю.А. Динамика аннигиляции дефектов в полупроводниковых кристаллах под действием малых доз облучения // Физика и техника полупроводников, 1984, т. 18, № 11. С. 2061-2065.

6. Каверзнев В.А., Зайцев A.A., Овечкин Ю.А. Статическое электричество в полупроводниковой промышленности. М.: Энергия, 1975. — 152 с.

7. Трошева Г.Д. Защита полупроводниковых приборов и интегральных схем от статического электричества: Обзоры по электронной технике. Сер.2. «Полупроводниковые приборы». 1980. Вып. 4 (712). -45 с.

8. Горлов М.И. Воздействие электростатических зарядов на полупроводниковые приборы и интегральные схемы в технологии, при испытаниях и эксплуатации: Обзоры по электронной технике. Сер.З. «Микроэлектроника». 1988. Вып.2. 45 с.

9. Хорват Т., Берта И. Нейтрализация статического электричества / Пер. с англ. М.: Энергоатомиздат. 1987. 104 с.

10. Чернышов А.А. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1988. - 256 с.

11. Чернышов А.А., Чепиженко А.З., Борисов Ю.А. Перемежающиеся и устойчивые отказы в цифровых интегральных микросхемах при воздействии ионизирующего излучения // Зарубежная электронная техника. Сборник обзоров, 1986. № 7. - 164 с.

12. Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. Минск: Наука и техника, 1986. № 7. — 164 с.

13. Гуртов В.А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов // Обзоры по электронной техники. Серия 2 «Полупроводниковые приборы», 1978. № 14. — 32 с.

14. Avery L.R. Electrostatic discharge: mechanism, protection techniques and effects on integrated circuit reliability // RCA Rev. 1984. №2 P.291-302.

15. Gossick B.R. Disordered Regions in Semiconductors Bombarded by Fast Neutrons.// J. Appl. Phys., 1959. v. 30.Ж8.Р. 1214-1218.

16. Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. Минск: Наука и техника, 1978.-232 с.

17. Коноплева Р.Ф., Литвинов В.Д., Ухин Н.А. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высоких энергий. -М.: Атомиздат, 1971. 176 с.

18. Cheng L.J., Lori J. Characteristics of Neutron Damage in Silicon. // Phys. Rev., 1968. v. 171. № 3. P. 856-862.

19. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники / Под ред. Е.А. Ладыгина. М.: Сов. Радио, 980. - 223 с.

20. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.: Атомиздат, 1969. - 311 с.

21. Горячева Г.А., Шапкин A.A., Ширшев Л.Г. Действие проникающей радиации на радиодетали. М.: Атомиздат, 1971. - 118 с.

22. Коршунов Ф.П., Богатырев Ю.В., Вавилов В.А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. М.: Наука и тех., 1986. - 254 с.

23. Шокли Р. Проблемы, связанные с р-л-переходами в кремнии // УФН, 1982. т. 77, вып. 1. С. 161-196.

24. Коршунов Ф.П. Некоторые закономерности изменений характеристик кремниевых диодов. // Изв. АН БССР. Сер. физ.-мат. наук. 1970. №6. С. 115-121.

25. Коршунов Ф.П. Влияние облучения на р-л-переходы. — В кн.: Радиационная физика кристаллов и р-л-переходов. — Минск: Наука и техника, 1972. С. 125-140.

26. Патрикеев Л.Н., Подлепецкий Б.И., Попов В.Д. Радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схем М.: Изд-во МИФИ, 1975. С. 46-79,97-101, 107-125.

27. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. — М.: Высшая шк., 1979.-367 с.

28. Наумов Ю.Е. Интегральные логические схемы. М.: Сов. радио, 1970.-432 с.

29. Литовченко В.Г., Кублик В.Я., Литвинов Р.О. Влияние радиаци-онно-технических воздействий на характеристики полупроводниковых структур // Оптоэлектроника и полупроводниковая технология, 1982. № 1. С. 69-73.

30. Богатырев Ю.В., Коршунов Ф.П. Иследование отжига МОП-структур, облученных высокоэнергетическими электронами при различной температуре. Известия ВУЗов АН БССР. Сер. физ.-мат. наук, 1977, №5. С.92-95.

31. Danchenko V., Desai U.D., Brashears S.S. Characteristics of the annealing of Radiation Damage in MOS FETs. J. Appl. Phys., 1968, vol. 39. № 5. P. 2417-2422.

32. Юсов Ю.П., Ведерников B.B., Лавренцев В.Д., Хорохина В.Д. Восстановление параметров МДП-приборов после воздействия ионизирующего излучения // Зарубежная электронная техника, 1988 г., №1. С. 2431.

33. Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем: Учебное пособие. Воронеж: Изд-во Воронеж, унта, 1995.-200 с.

34. Лысенко B.C., Локшин М.М. Высокочастотный отжиг дефектов в имплантированных МДП-структурах // Письма в ЖТФ. 1983. Т. 9. № 3. С. 796-799.

35. Вавилов B.C. Действие излучения на полупроводники. М.: Энер-гоатомиздат, 1992 137 с.

36. Winokur P.S., Bocsch Н.Е. Annealing of MOS Capasitors with Implications for Test Procedures to Determine Radiation Hardness // IEEE Trans. Nucl. Sci, 1981, vol. NS-28. №6. P. 4088-4094.

37. Wrobell T.F., Evans D.C. Rapid Annealing in Advarced Bipolar Mi-crocirciuts // IEEE Trans. 1982 v. NS-29. №8. P. 1721-1726.

38. Buchman P. Total dose hardness assurance for microcircuits for spase anviroment // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1986. v. 33 №6. P. 1352-1358.

39. Кузнецов H.B., Соловьев Г.Г. Радиационная стойкость кремния. М.: Энергоатомиздат, 1989 96 с.

40. Сирота Н.Н., Чериышов А.А., Коршунов Ф.П. Отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах, облученных быстрыми нейтронами // сб. «Радиационная физика кристаллов ир-и-переходов», 1972. С.33-39

41. Дж. Митчел, Д. Уилсон Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. М.: Атомиздат, 1970. 134 с.

42. Патент 59-2287739 Японии, МКИ H01L23/48. Полупроводниковые приборы / К. Кадзиухиро, О. Кунихико. опубл. 1984.

43. Обеспечение качества микроэлектронных устройств: Обзор по материалам зарубежной печати // Радиоэлектроника. 1983. С. II-32-II-34.

44. Pancholy R.K. Gâte protecion for CMOS/SOS //15-th Annual Proc. Reliability Physics. 1977. P.132-137.

45. Андреев A.B., Ильичев M.A. Исследование влияния электростатического поля на ИС //Тез. докл. IX науч.-тех. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж, 1995. С.46

46. Теверовский А.А., Коваленко А.А., Степанов А.П. Влияние статического электричества на характеристики полупроводниковых структур при их защите полимерными материалами // Электронная техника. Сер. 2, 1982. Вып. 3. С. 70-74.

47. Горлов М.И., Андреев А.В., Воронцов И.В., Воздействие электростатических зарядов на изделия полупроводниковой электроники и радиоэлектронную аппаратуру. Воронеж: Изд-во ВГУ, 1997. — 160 с.

48. Manzoni M. Electrostatic discharge protection in linear IC's //YEEE Transaction on Consumer Electronics. 1985 №3 p. 601-607.

49. Buvry E/ Les discharges électrostatiques: une cause importante de degrades circuits integers // RGE/ 1987, №2. P.14-18.

50. Электроника. 1986, №3. С. 13-14

51. Greason W.D., Castle G.S.P. The effects of electronic discharge on microelectronic devices a review // IEEE Trans. Ind. Appl. 1984. vol.20. №2. P.247-252.

52. Amerasekera E.A., Campbell D.S. An investigation of the nature and mechanisms of ESD damage in NMOS transistors // Solid State Electronics. 1989. Vol. 32. № 3. P. 199-206

53. Нойверт JI.M., Лабеукая H.A., Рыбалов О .Я. Воздействие разрядов статического электричества на микросхемы // Электронная техника. Сер. 8. 1978. Вып. 3. С. 133-139.

54. Горлов М.И., Литвиненко Д.А. Отжиг радиационных и электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Микроэлектроника, 2002, №5. С. 352-359.

55. Грошева Г.Д. Защита полупроводниковых приборов и ИС от статического электричества (реферативный обзор)// Обзоры по электронной технике, сер.2 «Полупроводниковые приборы», вып. 4 (712), М.: ЦНИИ «Электроника», 1980, - 24 с.

56. Горлов М.И., Литвиненко Д.А Расчет энергии активации отжига электростатических дефектов маломощных биполярных транзисторов // Техника машиностроения, 2002 г., № 5. С. 12-13.

57. Сирота H.H., Чернышов A.A., Коршунов Ф.П. Отжиг радиационных дефектов в кремниевых диодах, облученных быстрыми нейтронами // «Радиационная физика кристаллов ир-п переходов». 1972. С. 33-39.

58. Горлов М.И., Строганов A.B. Геронтология интегральных схем: долговечность оксидных пленок // Петербургский журнал электроники, 1997. №2. С. 24-36.

59. Горлов М.И., Андреев A.B., Литвиненко Д.А. Отжиг электростатических дефектов в полупроводниковых изделиях // «Релаксационные эффекты в твердых телах» / Тезисы докладов международной конференции. Воронеж. 1999. С. 288-289.

60. Горлов М.И., Литвиненко Д.А Отжиг электростатических дефектов полупроводниковых изделий // Межвузовский сборник научных трудов «Элементы и устройства микроэлектронной структуры». — Воронеж, ВГТУ, 2001 г. С. 89-96.

61. Горлов М.И., Воронцов И.В., Литвиненко Д.А. Испытания ИС, содержащие воздействия ЭСР // Межвузовский сб. научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж. 1997. С. 35-42.

62. Справочник. Диоды, тиристоры, транзисторы и микросхемы широкого применения, изд-во «Воронеж». 1994 г. — 719 с.

63. Горлов М.И. Воронцов И.В. Отжиг электростатических дефектов в полупроводниковых приборах // Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах: Матер, докл. междунар. науч.-технич. сем. М.: МНТОРЭС им. A.C. Попова, МЭИ, 1997. С.312-315.

64. Патент RU 2098839 C1 6G01R 31/26. Способ разбраковки транзисторов по величине токов утечки / А.Н. Бубенников, Г.А. Кобозев; 5064688/07. Заявл. 05.06.92. Опубл. 10.12.97. Бюл. №34.

65. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник / Под общ. ред. H.H. Горюновой. М.: Энергоатомиздат, 1983 г. 904 с.

66. Горлов М.И., Литвиненко Д.А., Тарасова Ю.Е. Исследование влияния воздействия типа ЭСР-отжиг на параметры транзисторов КТ312 // Сб. Статей «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж, ВГТУ, 2001. С. 201-205.

67. Горлов М.И. Адамян А.Г., Литвиненко Д.А. Способ выборочного контроля надежности транзисторов в партии. Патент РФ № 2204142 1Ш С2 7 в 01 Я 31/26). Дата поступл. 26.03.2001. Опубл. 10.05.2003. Бюл. №13.

68. ОСТ И 073.062-84. Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения.