-
1997
Кривоспицкий, Анатолий Дмитриевич
СБИС определяется диаметром домена с! и уровнем разрешения 5 технологии управляющих элементов, ограничивающего воспроизводи-ф мый минимальный размер 8 в топологии ячейки памяти [1]. При разрешении < 0.5 мкм можно обеспечить плотность записи информации 4 Мбит/см2 в случае использования ЦМД диаметром 1 мкм и 16 Мбит/см2 для ЦМД с диаметром 0.5 мкм
-
1997
Кривоспицкий, Анатолий Дмитриевич
Акту альность проблемы. В современных условиях ускорения научно - технического прмресса особую важность приобретает задача создания и освоения новых поколений ЭВМ всех классов. Ведущую роль в решении этой задачи играет высокоэффективное производство новейших сверхскоростных ( ССИС ) и сверхбольших ( СБИС ) интегральных схем с применением как
-
1997
Лебедев, Сергей Владимирович
Ячейки динамической памяти ДОЗУ 565 Р75 характеризовались низ-эй надежностью в работе /время наработки на отказ не превышало 0.3 эк./,а отдельные ячейка ДОЗУ шлзлн аномально малые времена храна-1я информационного заряда /менео 1 мс
-
1997
Лукичев, Владимир Федорович
Существует, но крайней мере, два существенных следствия икронеодпородпости травления. Во-первых, кажущиеся небольшими зменеиия в технологическом маршруте, схемотехнике ячейки или целой ксмы могут привести к неожиданным трудностям, которые могут »требовать дорогих и трудоемких усовершенствовании плазменных роцсссов для каждого специального случая
-
1997
Татур, Геннадий Анатольевич
Несмотря на большое разнообразие применяемых в микроэлектронике материалов, кремний и различные структуры на его основе остаются основными материалами при производстве интегральных схем (ИС) в настоящее время И на обозримое будущее. Однако для повышения функциональной сложности, степени интеграции и быстродействия шпегралышх схем требуется поиск
-
1997
Дроздовская, Людмила Михайловна
-
1997
Троян, Евгений Федорович
Слабое влияния примесей на физические свойства ХП до недавнего времени также считалось одной из отличительных особенностей этих материалов. Это на позволяло эффективно влиять на электрические характеристики ХП с неупорядоченной структурой и существенно затрудняло широкое их внедрение в практику приборостроения
-
1996
Масловский, Владимир Михайлович
Различные по составу слои аморфных диэлектриков на основе кремння, используемые я МДП приборах могут значительно отличаться по споим свойствам (зонная структура, подвижность и эффективная масса носителей, спектр локализованных состояний). Тек например в сильных электрических полях захват электронов в аморфном нитриде кремния 513М4 (НК) существенно
-
1996
Агеев, Олег Алексеевич
Просим Вас принять участие в работе Совета или прислать отзые б двух экземплярах, заверенный печать» учреждения, по адресу: 347928, Таганрог ГСП-17, пер. Некрасовский, 44 Таганрогский государственный радиотехнический университет Ученому секретарю Совета
-
1996
Пашков, Владимир Юрьевич
Ключевой технологической проблемой микроэлектроники в ближайшее десятилетие является освоение промышленного производства кремниевых СБИС и УБИС (сверх- и ультрабольших ИС) со степенью интеграции 10б-10а элементов на кристалл, с минимальными размерами элементов (0,35-1,2) мкм и площадью кристалла (0,652,0) см2
-
1996
Гринько, Владимир Владимирович
Низкие энергии туннелирующих электронов (десятки мэВ) в ежиме измерения в совокупности с возможностью получения высокой апряженности электрического поля (~108 В/см) и плотности электронного ока (>10 А/см2) в локальной области на поверхности под острием гольчатого зонда туннельного микроскопа позволяют совмещать в СТМ, аряду с метрологическими
-
1996
Королев, Сергей Юрьевич
-
1996
Панкевич, Игорь Миронович
Актуальн1сть роботи. Пол!кристал!чн1 шари кремн1ю широко використовуються в технологи м!кроелектронних прилад!в. Осташпм часом властиьост! структур на основ! цього матер1а-лу !нтенсивно вивчаються у зв'язку з можливостями його зас-тосування в м!н!атюрних сенсорах 1 тривим!рних 1нтегральних схемах. Основною метою таких досл1джень е покращення
-
1996
Дубонос, Сергей Валентинович
Во многом благодаря успехам в развитии технологии микроэлектроники, в последнее время возникает возможность создания и изучения систем, геометрические размеры которых становятся соизмеримыми с пространственными характеристиками электронов проводимости при гелиевых температурах, такими как, например, длина сбоя фазы электронов (? , где Б
-
1996
Бокк, Николай Эдуардович
В ' первой главе, носящей обзорный характер, рассмотрены особенности работы МДП приборов при температурах ниже 40 К, изложены существующие в настоящее время физические модели кинк-эффекта, гистерезиса и избыточного НЧ шума. Анализ имеющихся литературных данных показал, что ь настоящее время не существует модели, которая бы могла достаточно
-
1996
Матвеев, Вячеслав Михайлович
Хорошо известно, что даже обычная немагнитная поляризуемость материалов в рентгеновском диапазоне очень мала (х < ДО-' при А < 1 им). Она определяется относительно слабым томсоновским рассеянием фотонов на электронах атомов; сечение томсоновского рассеяния о? = где 2 — заряд атомного ядра и г0 — классический радиус электрона. Сечение
-
1996
Филатова, Маргарита Сергеевна
Ключевой технологией, определяющей минимально достижимый размер элементов, является высокоразрешающая литография с точным позиционированием. Основным литографическим методом на сегодняшний день является оптическая литография, единственным конкурентом, а в перспективе и преемником которой при дальнейшем повышении уровня интеграции микросхем
-
1996
Адамов, Юрий Федорович
Вопреки ожиданиям, быстрое развитие технологии не сопровождалось столь же быстрым внедрением новых изделий в аппаратуру. Схемы, предназначенные для высоконадежной аппаратуры, не могли реально в ней использоваться из-за своих низких эксплуатационных показателей: надежности, помехоустойчивости, стойкости к перегрузкам и др. Основное применение
-
1996
Гацкевич, Елена Ивановна
Эффективность применения импульсной термообработки в технологических процессах определяется знанием физики воздействия импульсного излучения. В данной области знаний, однако, имеются определенные пробелы, восполнение которых важно как с практической, так и с чисто научной точек зрения. В частности, это относится к сфере исследования термоупругих
-
1996
Красников, Геннадий Яковлевич
Проблема повышения качества и процента выхода годных (ПВГ) БИС особенно обострилась в условиях развития рыночных отношений, увеличения экспортной продукции и появлением в этой связи фактора конкуренции с зарубежными, фирмами. Исследования в области этой проблемы чрезвычайно актуальны и имеют принципиальное значение для отечественной
