автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка и исследование интегральных мультиплексоров, предназначенных для работы при низких температурах

РГ6

- 8 ЭДЙ0СТГСТ1РСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ

УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи УДК 537.311.33; 621.382

БОКК Николай Эдуардович

РАЗРАБОТКА И ИССЛЕДОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ, ПРЕДНАЗНАЧЕННЫХ ДЛЯ РАБОТЫ ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ

05.27.01 - Твердотельная электроника, микроэлектроника и ' наноэлектроника

А втореферат диссертации На соискание ученой степени кандидата технических наук '

Новосибирск - 1996

Работа выполнена в Институте физики полупроводников

Сибирского отделения Российской Академии наук.

Научный руководитель: кандидат технических наук, с.и.с. Е.И. Черепов.

. Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук, лауреат государсгеенной премии РФ, член-корреспондент РАН И.Г. Неизвестный;

кандидат технических наук, доцент П.П. Люмаров.

Ведущая организация: Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской Академии наук, г.Новосибирск.

Защита диссертации состоится 8 октября 1996г. в 15 часов на заседянии Специализированного Совета К 063.34.U4 по техническим наукам в Новосибирском государственном техническом университете по адресу: 630092, г.Новосибкрск-92, нр. К..Маркса, 20.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Новосибирского государственного технического университета.

Автореферат диссертации разослан _"__1996 года

Ученый секретарь Специализированного Совета кандидат техн. наук, доцент

А.С. Берлинским

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. ИК-техннка является одним из наиболее интенсивно развивающихся направлений мнкрофотоэлектроники. Современные теплонизионные системы характеризуются большим чиспом фоточувствнтельных элементоп в приемнике излучения, что предъявляет жесткие требования к электронной системе считывания и обработки информации. Подавляющее большинство многоэлементных приемников ИК излучения работают при охлаждении до определенной температуры. При этом интегральная система считывания и предварительной обработки информации (интегральный мультиплексор) охлаждается до температуры датчиков, так как располагается в фокальной плоскости приемной системы. Приемники ИК излучения длинноволнового диапазона как правило требуют охлаждения до температур ниже 30 К. В этом случае возникает серьезная проблема с мультиплексором, поскольку характеристики кремниевых приборов при этих температурах1 претерпевают радикальные изменения из-за вымораживания свободных носителей в кремниевой подложке. МДП транзисторы с индуцированным каналом являются по существу единственными кремниевыми приборами, которые все еще работают при таких низких температурах. К сожалению, на выходных характеристиках стандартных МДП транзисторов при этом появляются аномальные эффекты (кинк-эффект, гистерезис, избыточный НЧ шум) [1-4], которые негативно сказываются на работе мультиплексора. Все это вызывает Необходимость разработки специальной элементной базы и принятия комплекса мер конструктивного и технологического характера, направленных на обеспечение работоспособности мультиплексора. В настоящий момент нет общепринятого решения этой проблемы, а информация по этому вопросу в литературе представлена очень скудно.

Цель работы. Разработка и исследование интегральных: мультиплексоров, работающих при криогенных температурах.

Основные задачи.

1. Теоретическое и экспериментальное исследование электрофизических характеристик существующих кремниевых МДП приборов при работе в диапазоне криогенных температур.

2. Разработка усовершенствованных или альтернативных кремниевых ' ■ приборов, способных работать в диапазоне температур ниже 30 К..

3. Разработка 64-входового мультиплексора для линейки ИК фотоприемников длинноволнового диапазона, работающих при температуре йиже 30 К.

4. Экспериментальное исследование характеристик мультиплексора и определение природы его собственных шумов.

НаучНЯЯ Н"ВИЩ.

1. В результате экспериментального исследования стоковых ВАХ я шума МДП транзисторов с индуцированным каналом в диапазоне криогенных температур обнаружено, что на стоковых ВАХ как р- так и п-ранальных транзисторов, работающих в диапазоне малых токов стока (I -300 мкА) при температурах ниже 15 К доминирует гистерезис. Экспериментально показано, что при понижении температуры рост избыточного шума в а- и р-канальных транзисторах при напряжении на стоке 10 В начинается уже при температурах 60 К и 35 К соответственно. Подлегирование канала в транзисторе р-типа приводит к увеличению шума.

2. Впервые экспериментально показано, что передаточные характеристики элементарных электронных схем (инвертор, нстоковыи повторитель) на МДП транзисторах с индуцированным каналом при температурах ниже 30 К нелинейны и подвержены гистерезису во всем рпбочем диапазоне, что делает проблематичным использование их в аналоговых устройствах.

3. Предложен МДП криотранзистор, работающий на основных носителях, выходные характеристики которого свободны от низкотемпературных аномалий, свойственных стандартным МДП транзисторам с индуцированным каналом (кинк, Iистерезис, избыточный НЧ шум ).

4. Обнаружено, что шум сброса при низких температурах может в несколько раз превышать уровень кТС шума. Предложена модель шума сброса, учитывающая дополнительный источник шума, связанный с флуктуациями заряда, эмиттцроваиного с поверхностных состояний под затвором транзистора сброса. При использовании метода "заливки-сброса" для установки потенциала плавающего зарядочувствительного узла на входе мультиплексора шум сброса определяется. кТС шумом при понижении температуры вплоть до 40 К.

5. Обнаружен новый вид деградации выходного сигнала ПЗС с поверхностным каналом, заключающийся а ослаблении выходного сигнала при уменьшении тактовой частоты. Предложен физический механизм, объясняющий этот эффект.

Практическая ценность.

I. Разработан кремниевый МДП криотранзистор, позволяющий устранить гистерезис и эффективна подавлять кинн-эффект и связанный с ним НЧ шум на выходных характеристиках.

2. Разработан 64-входовой мультиплексор для линейки ИК фотоприемников длинноволнового диапазона, который работает при температуре ниже 30 К и обладает высоким динамическим диапазоном (80 Дб).

3. Предложенная модель шума сброса позволяет оптимизировать конструкцию узла считывания при разработке мультиплексора.

Основные положения, выдвигаемые на защиту.

1. Результаты исследования стоковых ВАХ и шума МДП транзисторов с индуцированным каналом в диапазоне криогенных температур.

2. Результаты экспериментального исследования передаточных характеристик элементарных электронных схем (истоковый повторитель, инвертор) на МДП транзисторах с индуцированным каналом при температурах ниже 30 К.

3. Конструкция кремниевого МДП криотранзистора.

4. При низких температурах шум сброса может значительно превышать уровень кТС шума. Предложенная модель шума сброса, учитывающая флуктуации заряда, эмиттированного с поверхностных состояний под затвором транзистора сброса, хорошо описывает экспериментальные данные.

5. В ПЗС с поверхностным каналом обнаружен новый вид деградации выходного сигнала, которая заключается в зависимости амплитуды выходного сигнала от тактовой частоты и напряжения обратного смешения на области стоп-диффузии, служащей для бокового ограничения канала. Предложенный физический механизм объясняет основные особенности этого эффекта.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертации докладывались И обсуждались на конференциях "Физические проблемы МДП-интегральной электроники" (Севастополь, 1990),

"Микроэлектроника-94" (Звенигород, 1994), "2nd European Workihop On Low Temperature Electtonics" (Leuven, 1996), в также на семинарах ИФП СО РАН.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 9 печатных, работ, получено 1 авторское свидетельство на изобретение. Список работ приводится в конце реферата.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, пяти глав и заключения. Она содержит 119 страниц машинописного текста, Ьписок литературы из 92 наименований и иллюстрирована 46 рисунками

s

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы диссертационно!, работы, определена цель работы и дано краткое содержание диссертации по главам. Укатаны научная новизна и практическая ценность. Определены положения, выносимые на защиту.

В ' первой главе, носящей обзорный характер, рассмотрены особенности работы МДП приборов при температурах ниже 40 К, изложены существующие в настоящее время физические модели кинк-эффекта, гистерезиса и избыточного НЧ шума. Анализ имеющихся литературных данных показал, что ь настоящее время не существует модели, которая бы могла достаточно достоверно описать статические и динамические характеристики члементов КМОП интегральных схем в диапазоне температур ниже 40 К. В насгояшип момент известно только очень ограниченное количество полуэмнирическнх моделей, которые описывают некоторые низкотемпературные эффекты. Эти модели обычно громоздки и требуют много дополнительных данных.

|Ш|, 3

Рис. 1. Стоковые ВАХ п-каиального (сплошная линия) и р-канальнеч и (пунктирная линия) МДП транзисторов с индуцированным каналом при температуре 7 К.

Не лучше обстоят дела и с информацией экспериментального характера о работе МДП приборов при температурах ниже 40 К. Например, практически нет данных о шумовых характеристиках МДП транзисторов или о эффективности переноса в ПЗС с поверхностным каналом. Не ясно насколько должны сказаться низкотемпературные аномальные эффекты на выходных характеристиках МДП транзисторов на , работе электронных схем. На основании обзора литературных данных сформулированы основные задачи диссертационной работы.

Во второй главе представлены результаты экспериментального исследования МДП транзисторов с индуцированным каналом и элементарных электронных схем на их основе при криогенных температурах. Для исследования низкотемпературных эффектов были разработаны и изготовлены специальные тестовые структуры, пасположенные на одном кристалле.

Рис.2. Зависимость спектральной плотности НЧ шума, приведенного к затвору, от напряжения на стоке для р-канального МДП транзистора при температуре 8 К. 1^= 7.5х1014см-3 (квадратики); N<1 = 4х10|5см"3 (кружки).

Медленное формирование области -пространственного заряда при температурах ниже 20 К приводит к гистерезису, который доминирует на стоковых ВАХ МДП транзисторов при токах стока меньше 300 мкА (см. рис.1). Показано, что для уменьшения шуМа и нестабильности на ВАХ п-канального МДП транзистора необходим надежный контакт к подложке

как с пленарной, та); и с тыльной стороны. Проведено сравнение шума р-канальных и п-канальных транзисторов. Общим для транзисторов обоих типов является • увеличение шума при понижении температуры ниже определенного значения. У р-канальных транзисторов рост шума наблюдается при охлаждении ниже 35 К, а у п-канальных уже с 60 К. Напряжение на стоке при этом было равно 10 В. Для п-канальных транзисторов при температурах ниже 20 К характерно наличие пика НЧ ' шума, связанного с кинк-эффектом, при определенном напряжении на стоке [5]. Показано, что у р-канальных транзисторов при этих температурах НЧ шум увеличивается монотонно с ростом напряжения на стоке и затем насыщается на определенном уровне, пропорциональном концентрации легирующей примеси в канале транзистора (см. рис.2). В р-канальном транзисторе с подлегнрованным каналом НЧ шум возрастает более интенсивно и при меньшем напряжении на стоке.

. №м1 , В

Рис.3. Передаточные характеристики инверторов на п- и р-каналы». транзисторах при температуре 8 К.

Экспериментально показано, что передаточная характеристика инвертора на МДП транзисторах с индуцированным каналом при температурах ниже 30 К нелинейна и нестабильна (гистерезис и 114 дрейф) во всем рабочем диапазоне (см.рис.3). Передаточная характеристика истокового повторителя на п-канальном МДП транзисторе при 28 К еще

\

линейна, но уже при 25 К в начале характеристики появляется небольшой участок с пониженным пороговым напряжением. При дальнейшем понижении температуры этот участок быстро расширяется, сдвигаясь в сторону больших входных напряжений. Основной сдвиг происходит от 25 до 20 К. В, переходной области между участками с разным пороговым напряжением наблюдается резкое падение коэффициента усиления истокового повторителя. .Кроме того, передаточная характеристика истокового повторителя тоже нестабильна.

Полученные данные позволили сделать вывод о возможности использования стандартных МДП транзисторов в мультиплексорах, работающих при температурах ниже 30 К, только в качестве ключей.

Рис.4. Продольное сечение п-канальнОго криотранзистора.

В третьей главе для борьбы с кинк-эффектом и гистерезисом на выходных "характеристиках предложен МДП транзистор на основных носителях (криотранзистор). Проводящим каналом в таком транзисторе служит аккумуляционный слой на границе раздела полупроводник-диэлектрик. Подвижные носители в аккумуляционный .слой практически безинерционно поступают из сильно легиройанного истока. Отсутствие непоявнжного пространственного заряда под затвором устраняет причину I

для возникновения гистерезиса на ВАХ. Неосновные носители, образованные в результате ударной ионизации в области отсечки канала возле стока, не накапливаются в подложке, а уходят в исток. Установлено, что встроенный канал позволяет избежать пробоя между стоком и истоком криотранзистора (см. рис.4). Пороговое напряжение такой структуры равно

= + Уы,

где Урв - напряжение плоских зон, - контактная разность потенциалов р-п перехода.

иаз, В

Рис.5. Стоковые ВАХ п-канального криотранзнстора и стандартного МДП транзистора с индуцированным п-каня.'шм при температуре 8 К. Напряжение на затворе составляет 0.5 - 1.25 В (шаг 0.25 В) и 0.5 - 2 В (шаг 0.5 В) соответственно;

Показано, что для подавления кинк-эффекта необходимо минимизировать ток подложки. Это достигается соответствующим выбором концентрации примеси и ширины имплантированного слоя. Для того чтобы неосновные носители не выталкивались в подложку за счет дрейфа в поперечном электрическом поле, необходимо обеспечить внутри имплантированного слоя наличие нейтральной области. Тем не менее при этом все еще существует воможность для образования тока подложки за счет диффузии неосновных носителей к встроенному р-п переходу. Поэтому толщина встроенного канала не должна быть меньше определенного значения, которое определяется следующим выражением:

Л = (Ш)1'2 = Ь(кТ/чУ03)1/2,

где О - коэффициент диффузии неосновных носителей, I - время пролета от стока к истоку, I. - длина канала транзистора, к - постоянная Больцмана, Т - температура, ц - элементарный заряд, - напряжение сток-исток.

Найдены оптимальные параметры п-слоя (для п-канального криотранзистора) - Ы,] = 2х 1016 см 3 и (1 = 0.4 мкм, которые позволяют эффективно подавить кинк-эффект и сопутствующий ему избыточный НА шум. На рис.5 представлены стоковые ВАХ п-канального криотранзистора и стандартного МДП транзистора с индуцированным каналом при 8 К. Результаты измерения НЧ шума свидетельствуют о том, что шум криотранзистора практически не зависит от напряжения на стоке. При изменении напряжения на стоке от 0 до 5 В и температуре 10 К спектральная плотность НЧ шума Ц = 10 Гц) криотранзистора составляет 0.5 мкВ/Гц"2. В приложении произведен расчет распределения потенциала в направлении, перпендикулярном проводящему каналу, для двух вариантов криотранзистора.

В четвертой главе рассматриваются вопросы, связанные с разработкой и исследованием мультиплексора для считывания сигнала с линейки И К детекторов длинноволнового диапазона в условиях слабого фона. За основу ячейки считывания была вз«та типовая схема "истоковый повторитель на каждый детектор" [6]. Проведен анализ оптимизации конструкции ячейки считывания мультиплексора с целью- увеличения чувствительности. В результате этого анализа типовая схема была дополнена усилительным каскадом, что позволило уменьшить входную емкость мультиплексора. Работой мультиплексора управляет КМОП . регистр сдвига, который подключает последовательно зарядочувствнтельные ячейки к выходной шине считывания и синхронизирует сброс накопленного заряда в отдельных ячейках. В аналоговых цепях мультиплексора были использованы криогранзисторы.

В результате экспериментального исследования мультиплексора показано, что его передаточная характеристика линейна в диапазоне температур ниже 30 К. Динамический диапазон мультиплексора равен 80 Дб, а собственный шум составляет от ¡ЗА до 200 шумовых электронов на выборку в зависимости от постоянного смещения на входе. Показано, что шум ячейки считывания мультиплексора определяется неопределенностью потенциала на входе после сброса заряда в конце периода накопления и превышает расчетный уровень кТС шума примерно в 3 раза.

Для более обстоятельного исследования шума сброса была изготовлена -специальная тестовая структура, состоящая из транзистора сброса (стандартный МДП транзистор п-типа) и транзис.ора нстокового

повторителя (крно>ранзистор). Показано, что шум сброса превышает уровень кТС шума при температуре ниже 77 К (см. рис.6)» В то же время, если применить для установки потенциала на входе мультиплексора метод "заливки-сброса", то шум сброса определяется к ТС шумом при понижении температуры вплоть до 40 К. Предложена модель шума сброса, которая учитывает неопределенность Потенциала на входе, возникающую в результате эмиссии носителей заряда с поверхностных состояний под затвором транзистора сброса. Расчетная кривая показана па рис.6 сплошной линией. Получено энергетическое распределение плотности поверхностных состояний вблизи дна зоны проводимости.

28«

НИ

О 1

а г

кТС

кТС/2..

..-О""

5«

0 150 2М, Техщратдра, К

25®

..-"И

Рис.6. Зависимость шума сброса от температуры. 1 - обычный метод сброса; 2 - метод "заливки-сброса"; пунктирная линия - расчетная величина кТС шума; сплошная линия - расчетная величина шума сброса.

В пятой главе представлены' результаты исследования ПЗС с поверхностным каналом, легированного глубокой примесью п-типа.

'Применение ПЗС в качестве мультиплексора в монолитных ИК ФПУ на примесном кремнии привлекает сравнительной Простотой реализации. Исследуемый трехфазный регистр сдвига содержал 256 ячеек задержки и работал в режиме аккумуляции при 77 К, т. к. подложка уже была полностью выморожена. Обнаружена аномальная зависимость амплитуды выходного сигнала от частоты тактовых импульсов и обратного смещениг на области стоп-днффузии, служащей для бокового ограничения канала.

В

Показано, что амплитуда выходного сигнала ПЗС падает при уменьшении частоты тактовых импульсов. Величину выходного сигнала при этом можно восстановить, если подать на область стоп-диффузии определенное напряжение обратного смещения. Предложен физический механизм необычной деградации выходного сигнала, связанный с инжскцией дырок из охранной р+-области и последующей рекомбинацией с электронами, захваченными на поверхностные состояния. При подаче на область стоп-диффузии блокирующего напряжения -4 В выходной сигнал перестает зависеть от тактовой частоты.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Установлено, что при малых токах стока (1-300 мкА) при температуре ниже 15 К на стоковых В АХ МДП транзисторов с индуцированным каналом доминирует гистерезис. При понижении температуры ниже критической наблюдается рост шума МДП транзисторов. Критическая температура при напряжении на стоке 10 В равна 35 К для р-канальных и 60 К для п-канальцых транзисторов. У р-канальцых транзисторов с подлегированным каналом наблюдается более высокий уроаень шума, а также темп его роста при понижении температуры по сравнению с такими же транзисторами с неподпегированным каналом. Спектральная плотность НЧ шума р-канальных транзисторов не имеет характерного при температурах ииже 20 К для п-капальных Транзисторов пика, а монотонно увеличивается с ростом напряжения на стоке и затем насыщается.

2. Впервые исследована работа элементарных электронных схем (инвертор, истоковый повторитель) на МДП . транзисторах с индуцированным каналом в диапазоне температур ниже 30 К. Как для схем на р-канальных, так и п-канальных транзисторах характерны нелинейность и нестабильность (гистерезис, НЧ дрейф) передаточной характеристики. Все это делает нежелательным использование стандартных МДП транзисторов в аналоговых устройствах при температурах ниже 30 К.

3. Разработан МДП криотранзистор, который позволяет устранить гистерезис и эффективно подавить хинк-эффект, а также связанный с ним избыточный НЧ шум на выходных характеристиках. Использование в качестве проводящего канала аккумуляционного слоя позволяет устранить причину возникновения гистерезиса на ВАХ, т. к. в данном случае под затвором транзистора отсутствует слой неподвижного пространственного заряда, присущий МДП транзисторам на неосновных носителях заряда

/

Кроме того, неосновные носители заряда, образованные в результате ударной ионизации возле стока, не встречают на своем пути в исток существенного барьера, что предотвращает накопление заряда в подложке. Для устранения пробоя между стоком и истоком, в глубине подложки, предложено использовать встроенный канал. Для лучшего подавления кинк-эффекта в такой структуре необходимо минимизировать ток подложки, который зависит от параметров имплантированного слоя. В л-канальном криотранзисторе был Использован имплантированный слой с коцентрациеи доноров 2х1016 см 3 и толщиной 0.4 мкм, что позволило эффективно подавить кинк-эффект и сопутствующий ему избыточный НЧ шум.

4. Создан в интегральном исполнении 64-входовой мультиплексор для считывания и предварительной обработки сигнала с линейки ИК фотоприемников длинноволнового диапазона, В мультиплексоре используются МДП криотранзисторы, что позволило достичь высокого динамического диапазона (80 Дб) и хорошей линейности при работе устройства в диапазоне температур ниже 30 К.

5. Установлено, что собственный шум мультиплексора определяется шумом сброса зарядочувствителЬного узла и значительно превышает расчетный уровень кТС шума. Разработана модель шума сброса, учитывающая дополнительный источник шума, связанный с флуктуациями заряда, эмиттированного с поверхностных состояний под затвором транзистора сброса. Разработанная модель шума сброса позволяет объяснить рост шума сброса при понижений температуры. При использовании метода "заливки-сброса", для установки потенциала зарядочувствительного узла, шум сброса определяется кТС шумом при понижении температуры вплоть До 40.К.

6. Обнаружен новый вид деградации выходного сигнала при переносе заряда в ПЗС с "поверхностным каналом, заключающийся в ослаблении выходного сигнала при уменьшении тактовой частоты. Предложен физический механизм этой деградации, связанный с рекомбинацией захваченных на поверхностные состояния электронов с дырками, инжектированными из области стоп-диффузии.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Н.Э. Бокк, Х.И. Кляус, Е.И. Черепов. Частотная характеристика двойной коррелированной выборки. Автометрия, 1990, 1. стр.85-86.

2. A.c.. 1571681 СССР, Аналоговое запоминающее устройство / Н.Э. Бокк, Х.И. Кляус, Е.И. Черепов. Опубл. 15.06.90. Бюл. N 12.

3. Н.Э. Бокк, А.И. Козлов, Х.И. Кляус, В.П. Муслнвец, Е.И. Черепов, А.Е. Эпов. Коэффициент передачи прибора с зарядовой связью. Новосибирск, 1990, 32с. (Препринт / АН СССР, Сиб. отделение, Институт физики полупроводников, N 6).

4. Н.Э. Бокк, А.И. Козлов, Х.И. Кляус, П.И. Черепов. Определение неэффективности переноса в ПЗС по затуханию гармонического сигнала. Тежсы VI Республиканской конференции "Физические проблемы МДП-интегральной электроники", 1990, Севастополь, стр.32.

5. Н.Э. Бокк, А.И. Козлов, Х.И. Кляус, Е.И: Черепов. Учет влияния дискретизации при определении неэффективности переноса по амплитудно-частотной характеристике ну.¡бора с зарядовой связью. Электронная техника. Серия 2. Полупроводниковые приборы, 1990, был.6, стр.38-42.

6. Н.Э. Бокк, Х.И. Кляус, Е.И. Черепов. Исследование потерь переноса заряда - в ПЗС, работающем в режиме аккумуляции. Микроэлектроника, 1992, т.21, вып.З, стр.49-52.

7. Н.Э. Бокк, Е.И. Черепов. МДП транзистор в режиме аккумуляции для диапазона температур .4.2-40 К. Микроэлектроника, т.23, вып.1, 1991, стр.54-58.

8. Н.Э. Бокк, Е.И. Черепов. МДП транзисторы на основных и неосновных носителях при сверхнизких температурах. Тезисы докладов ! Российской конференции "Микроэлектроника-94", ч.1, Звенигород, 1994, стр.87-88.

9. N.E. Bock. Silicon cryogenic MOST. Solid-State Electronics, v.38, 4, 1995, pp.931-932.

10. N.E. Bock. Reset noise at low temperatures. Transactions of 2nd European Workshop On I.ow Temperature Electronics, Leuven, 1996.

Литература

1. S. Hanamura et al. Operation of bulk CMOS devices at very low temperatures. IEEE Journal of Solid-State Circuits, v. sc-21, 3, 1986, pp.484489.

2. F. Balestra, L. Audaire and C. Lucas. Influence of substrate freeze-out on the characteristics of MOS transistors at very low temperatures. Solid-State Electronics, v.30, 3,1987, pp.321-327.

3. S.B. Stetson et al. Design and performance of blocked-impurity-band detector focal plane arrays. Proc. SPIE, v. 686, 1986, pp.48-65.

4. B. Dierickx et al. Model for hysteresis and kink behaviour of MOS transistors operating at 4.2 K. IEEE Trans. Electron Devices, v. ED-35, 1988, pp.1120-1125.

5. E. Simoen and B. Dierickx. Kink-related low-frequency noise overshoot in Si NMOSTs at liquid helium temperatures. Solid-State Electronics, vol.35, 10, 1992, pp. 1455-1460.

6. L.J. Koztowski et al. Lbw background infrared hybrid focal plane array charactcrization. Proc. SPIE, v. 1946, 1993, pp. 199-213.

Подписано в печать 2Х 06,- 1996 г. Формат 84x60x1/16. Бумага оберточная. Тираж 100 экз. Усл.печ.л. 1. Уч.-изд.л. 1. Заказ N 39/ Бесплатно

Отпечатано на участке оперативной полиграфии Новосибирского государственного технического университета 630092, г.Новосибирск, пр.К.Маркса, 20.

te