автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Локальная модификация поверхности проводящих материалов в туннельном микроскопе



< 4 Г

л

На правах рукописи

ГРИНЬКО ВЛАДИМИР ВЛАДИМИТОВИЧ

ЛОКАЛЬНАЯ МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПРОВОДЯЩИХ МАТЕРИАЛОВ В ТУННЕЛЬНОМ МИКРОСКОПЕ

(05.27.01 - твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника)

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

МОСКВА - 1996

Работа выполнена в Московском институте электронной техники

Научные руководители:

доктор физ.-мат наук, профессор доктор технических наук

Неволин Владимир Кириллович Мальцев Петр Павлович

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук кандидат технических наук

Ильин Евгений Михайлович Громов Дмитрий Викторович

Ведущая организация:

Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина

Защита состоится "_" _ 1996 г.

на заседании диссертационного Совета Д.053.02.02 в Московском институте электронной техники по адресу: 103498 Москва, к - 498, Зеленоград МИЭТ (ТУ)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ (ТУ) Автореферат разослан "_"_1996 г.

Ученый секретарь диссертационного совета ^^ .

кандидат физико-математических наук, доцент'^Ч 4 ^ Б.М. Орлов

ч

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ Актуальность работы.

В рамках данной диссертации проводились экспериментальные и еоретнческие исследования методов локального изменения лектрофизических свойств поверхности проводящих подложек методом 'канирующей Туннельной Микроскопии (СТМ).

Низкие энергии туннелирующих электронов (десятки мэВ) в ежиме измерения в совокупности с возможностью получения высокой апряженности электрического поля (~108 В/см) и плотности электронного ока (>10 А/см2) в локальной области на поверхности под острием гольчатого зонда туннельного микроскопа позволяют совмещать в СТМ, аряду с метрологическими функциями - технологические, делая СТМ никальным методом, позволяющим формировать и исследовать труктуры, размеры которых пока не доступны современным методам итографии таким, например, как электронно-лучевая, рентгеновская -1..10 нм).

Исследование методов локальной модификации поверхности роводящих материалов с помощью СТМ актуально в целях развития овой технологии - нанотехнологии и создания на ее основе элементной азы нового перспективного направления электроники - наноэлектроники, ак как резервы дальнейшего повышения быстродействия шкроэлектронных приборов, работающих на основе дрейфово-иффузионного переноса носителей, практически исчерпаны.

Несмотря на то, что СТМ-нанолитография не имеет конкурентов по азрешающей способности и потенциальным возможностям [анипулирования отдельными атомами, метод СТМ не получил пока шрокого применения, ввиду ряда имеющихся проблем:

-относительно невысокой производительности процесса юдификации с помощью СТМ по отношению к процессам традиционной ланарной технологии;

-неизученностью процессов, протекающих на локальном (десятки анометров) участке поверхности подложки под игольчатым зондом;

-неизученностью набора технологических параметров и влияния нешних факторов, определяющих воспроизводимость процесса юдификации;

-отсутствие адекватных теоретических моделей предполагаемых [роцессов, протекающих в приповерхностном слое подложки при юдификации поверхности методами СТМ;

-современным состоянием теории движения ускоренных электронов твердом теле, пока не позволяющим с достаточной точностью оличественно описывать основные закономерности поглощения энергии [нжектируемых электронов.

В настоящее время известен ряд физических процессов, которые югут быть использованы в качестве доминирующих при локальной юдификации поверхности. Тем не менее, для получения надежно оспроизводимых результатов необходимы более детальные исследования тих процессов, что является достаточно непростой задачей, ввиду ложности проведения анализа наноразмерных объектов в процессе их юрмирования. Это в свою очередь требует создания соответствующих

технологических устройств и методик измерения, позволяющих локально изменять электрофизические свойства приповерхностной области образца и затем проводить исследования сформированных на поверхности наноразмерных неоднородностей.

Чтобы частично восполнить эти пробелы, были поставлены соответствующие цели и задачи диссертационной работы.

Цель работы:

Исследование методов наномасштаб ной модификации поверхности проводящих материалов.

Определение основных физических процессов, протекающих е приповерхностной области подложки при технологическом воздействии.

Установление основных закономерностей воспроизводимого получения локальных неоднородностей на поверхности образцов.

Нахождение параметров режимов устойчивого формирования наноструктур.

Цель достигается экспериментальным исследованием процессов, протекающих на поверхности проводящих подложек при создании е локальной области сильного электрического поля; установлением механизмов и выявлением оптимальных параметров воздействия игольчатого зонда на приповерхностную область подложки, при котором имеет место устойчивое формирование наноструктур. Проведение таких исследований требует создания туннельно-зондовых устройств, совмещающих в себе технологические и метрологические функции, требования к которым несколько отличаются от таковых дл* исследовательских туннельных микроскопов.

В качестве объекта исследований использовались металлические пленки Аи, Си, N1 и высокоориентированный пиролитический графит.

Научная новизна:

Разработаны методики исследования поверхностей проводящих материалов с помощью СТМ на воздухе и в жидких диэлектриках.

Рассмотрены физические процессы, приводящие к необратимым изменениям в локальных областях подложки.

Получены новые результаты по контактной и бесконтактно? модификации поверхности металлических пленок: Аи, Си, №.

Получены качественно новые экспериментальные результаты пс созданию локальных неоднородностей на поверхности графита.

Предложена физическая модель электродинамическое воздействия игольчатого зонда на образец, представляющий собой тонки? проводящий слой, удовлетворительно согласующаяся с экспериментом.

Практическая значимость:

Результаты диссертационной работы позволяют лучше понят! физику процессов, протекающих в локальной области (единицы, десяти нанометров) поверхности подложки при воздействии сильньш электрическим полем. Установить механизмы и выявить оптимальные параметры воздействия игольчатого зонда на приповерхностную облает образцов.

Разработанные методики измерения электрофизических свойств поверхности и способы их локального изменения могут быть использованы в приложениях физики поверхности, а также при разработке новой технологии - нанотехнологии.

Достоверность результатов

Полученные соискателем экспериментальные результаты и выводы на их основе подтверждают ряд гипотез и теоретических моделей, описанных как в отечественной, так и в зарубежной периодической печати. Кроме того, имеется ряд зарубежных экспериментальных результатов, так или иначе повторяющих некоторые результаты, опубликованные соискателем. Это свидетельствует о высокой степени обоснованности предположений и выводов, а также достаточной достоверности исходных данных и численных оценок, сделанных автором диссертационной работы.

На защиту выносятся следующие положения.

1. Анализ физических процессов, которые могут иметь место в системе игольчатый зонд-образец и определяют необратимые изменения в локальной области проводящих подложек.

2. Основные требования и технические параметры туннельных технологических устройств на базе СТМ.

3. Результаты экспериментальных исследований методов локальной модификации поверхности металлических пленок (Аи, Си, Ni) на воздухе и в жидких диэлектриках. Основные закономерности процессов.

4. Результаты экспериментальных исследований влияния промежуточной среды (воздух, вода, эпоксидная смола) на процесс модификации поверхности пиролитического графита.

5. Физическая модель процесса модификации пиролитического графита посредством послойного скалывания в результате действия пондеромоторных объемных сил электромагнитного поля.

Апробация работы.

Результаты, представленные в диссертации, докладывались на следующих конференциях: Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук" (Москва, 1991 г.), II Всесоюзный симпозиум по перспективным металлическим материалам "Новые технологии получения и свойства металлических материалов" (Москва, 1991 г.), Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Таганрог, 1994 г.), Российская конференция с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника-94" (Звенигород, 1994 г.), Первой научно-технической конференции "Состояние и проблемы технических измерений" (Москва, 1994 г.), Межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика" (Москва, 1995 г.), International Conference Physics, Chemistry, and Application of Nanostructures "Nanomeeting-95" (Minsk, 1995 г.), Всероссийской конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1995г.),

Международной научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика" (Москва, 1995 г.).

Публикации. По материалам, изложенным в диссертации, опубликовано 12 работ: две статьи и десять тезисов и докладов на конференциях.

Структура диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и содержит /77 страниц машинописного текста, включая, 7_ таблиц, 67 рисунков и списка литературы в количестве 106 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обосновывается актуальность работы, формулируются цель и задачи работы, новизна и практическая ценность полученных результатов. Кратко излагается содержание основных разделов.

Первая глава носит обзорный характер и в основном посвящена обоснованию использования метода СТМ в приложении к нанотехнологии. Для чего проводится сравнительный анализ метода СТМ с другими высокоразрешающими методами диагностики, такими как электронная микроскопия, полевая микроскопия, измерение дифракции медленных электронов, где также анализируется возможность их использования для наномасштабной модификации поверхности.

Метод СТМ выгодно отличает от других методов то, что с одной стороны, в режиме диагностики поверхности, благодаря близкому расположению игольчатого зонда относительно образца, используется низкоэнергетический пучок (десятки мэВ) туннелирующих электронов, а это особенно важно при измерениях с атомным разрешением. С другой стороны, приложение напряжения смещения в несколько вольт к туннельному промежутку создает высокую напряженность электрического поля, инициирующего ряд процессов, которые М01уг вызывать необратимые изменения электрофизических свойств на локальном участке поверхности подложки под иглой, что позволяет использовать СТМ для технологических приложений.

Рассматриваются принципы работы метода СТМ и физические процессы, приводящие к локальным изменениям физико-химических свойств поверхности, реализуемые в СТМ-методе. Показано, что основными факторами, определяющими процессы, реализуемые с помощью метода СТМ, является наличие: локального электрического поля высокой напряженности, сравнимого с внутриатомным и токов высокой плотности, вызывающих термическое и электродинамическое воздействие. Эти физические процессы позволяют осуществить: очистку подложки или игольчатого электрода от адсорбата или других загрязнений; совершенствовать или восстанавливать профиль острия зонда, путем его формирования в сильном электрическом поле, предварительно разогревая острие большими токами; локальную пластическую деформацию; локальное изменение зарядового состояния; локальное полевое испарение;

юкальные электронно-стимулированные химические реакции; создание уточников ионов; СТМ-литографию.

Приводятся оценочные формулы для описания процессов в юкальной приповерхностной области подложки под игольчатым зондом, юзволяющие делать качественные оценки и выводы о возможности геализации тех или иных процессов с помощью метода СТМ.

Все перечисленные выше процессы могут быть положены в основу ювой наноразмерной технологии и, конечно, требуют более глубокого стального изучения, что на данный момент сопряжено с техническими рудностями, а именно, отсутствием соответствующих методов и устройств, юзволяющих формировать и затем контролировать наноразмерные ггруктуры. Для реализации задач нанотехнологии необходимо создание говых технологических комплексов, совмещающих в себе возможности и юстижения различных технологических методов и средств контроля, таких ;ак, например, электронная литография и микроскопия, полевая ионная и лектронная микроскопия, молекулярно-лучевая эпитаксия, и, конечно, ондовая микроскопия ближнего поля.

В заключении данной главы отмечается, что метод СТМ >асполагает широким технологическим потенциалом, который должен [роявиться на этапе атомной и молекулярной сборки функциональных лементов. Кроме того, метод СТМ в технологическом режиме работы овмещает в себе (в какой-то степени) возможности всех выше [еречисленных методов. Следовательно, перспектива использования СТМ-тетода в приложении к наноразмерной технологии не оставляет сомнений.

Во второй главе описываются туннельно-зондовые устройства, с юмощью которых проводилось формирование локальных неоднородностей (а поверхности проводящих материалов и их последующее исследование.

Проводится анализ некоторых кинематических схем лектромеханической части СТМ, известных из периодической литературы, "формулированы основные требования к основному узлу (сканеру) налитической части туннельного микроскопа, осуществляющего точное [еремещение зонда вдоль исследуемой поверхности. Указывается на ряд ;ополнительных требований к механической конструкции СТМ для ехнологических воздействий, а именно: устройство должно быть онструкгивно приспособлено для проведения технологических опытов, :оэтому исследуемая поверхность должна располагаться горизонтально, оответственно игольчатый зонд вертикально, что связано с проведением кспериментов с использованием жидких диэлектриков (вертикальное асположение системы зонд-образец, в свою очередь, повышает требования виброизоляции); низкий температурный дрейф в направлениях X, У и 2; ростота замены образца и игольчатого зонда со свободным доступом к им; возможность перемещения исследуемого образца относительно гольчатого электрода с шагом, не превышающим размер стороны сследуемого кадра; быстрый подвод зонда к образцу до появления уннельного тока, исключающий механический контакт, с возможностью озврата в то же поле сканирования при- повторном подводе; простота и добство в обращении.

На основании вышеизложенных требований, соискателем в оавторстве был разработан в 1989 году СТМ для технологических

воздействий, см. рис. 1а, с помощью которого 1990 году были получены первые результаты по бесконтактной локальной модификации поверхности металлических пленок. На рис. 16 представлено более совершенное устройство - туннельный технологический микроскоп ТТМ-2, ставший результатом творчества небольшой группы авторов, в которую входил также соискатель. С помощью ТТМ-2, была получена основная часть результатов, представленных в данной работе.

а) б)

Рис. 1. Туннельно - зондовые устройства для технологических воздействий.

Туннельный технологический микроскоп ТТМ-2 оснащен объектным столиком, позволяющим осуществлять перемещение образца относительно зонда в плоскости А-У с шагом 0.1 мкм, а также оптическим микроскопом, который служит для установки зонда над интересующей областью поверхности, имеет собственную систему виброизоляции с резонансной частотой порядка 1.5 Гц. Вся конструкция накрыта герметичным металлическим колпаком, который обеспечивает защиту от акустических помех, электромагнитных наводок и загрязнений, а также позволяет создавать атмосферу определенного состава в туннельном зазоре.

Рассматриваются особенности системы управления СТМ, приводится блок-схема системы управления ТТМ-2. Кратко рассмотрены основные методы измерения электрофизических свойств поверхности, которые можно осуществить в методе СТМ. Более подробно описываются (с приведением блок-схем) методы измерения, реализованные в ТТМ-2, такие как: основной режим - измерение в режиме постоянного туннельного тока, измерение величины локального барьера, измерение мощности избыточного шума туннельного тока, измерение ВАХ.

Рассмотрены основные источники возникновения погрешностей при измерениях электрофизических характеристик поверхности методом СТМ.

Отмечается, что сканирование участка исследуемой поверхности связано с многократным повторением одного и того же измерительного цикла при переходе от одной точки поверхности к другой, поэтому большое значение имеет удобство работы и уровень автоматизации применяемого оборудования.

При сканировании поверхности уменьшение случайной погрешности осуществлялось аппаратным усреднением. В каждой точке зондирования, наряду с обычной топографией рельефа поверхности,

последовательно проводилось измерение локальной работы выхода лектрона и мощности избыточного шума туннельного тока, рис. 2

а) б) ^ в)

Рис. 2. СТМ - изображения участка поверхности золотой пленки, полученные разными методами измерения; а- топография рельефа, б-распределение локального барьера, в- распределение мощности избыточного шума туннельного тока. Скан: 105x105 нм.

В конце данной главы кратко рассмотрены особенности пготовления игольчатых зондов. Отмечается, что размер, форма и химическая природа острия влияют не только на разрешение и формат >азвертки СТМ, но и на наблюдаемую структуру. На практике иглы фиготавливаются путем механического шлифования или 1лектрохимического травления из различных материалов, чаще всего из юльфрама. Использование игольчатого зонда СТМ в качестве инструмента ! туннельно-зондовой технологии предъявляет особые требования по химической стойкости, механической прочности и хорошо юспроизводимой геометрической форме острия.

В третьей главе подробно рассматриваются вопросы контактной модификации (прямой механический контакт игольчатого острия с >бразцом) металлических пленок высокопластичных материалов, таких как Си и бесконтактной модификации (воздействие игольчатого зонда на >бразец посредством сильного электрического поля) металлических пленок ■аких материалов, как Аи, Си и №.

Локальная модификация поверхности металлических пленок фоводилась на воздухе при комнатной температуре в естественных для юлынинства поверхностей условиях хранения. При этом использовались юльфрамовые, платиновые и алмазные игольчатые зонды. Вольфрамовые юнды изготавливались из \У-проволоки диаметром 1мм, предварительно ггожженной в вакууме путем электрохимического травления в 0.5 Н )астворе КОН. Полученные иглы выборочно контролировались на метровом электронном микроскопе, при этом радиус кривизны острия )бычно не превышал 20 нм. Платиновые иглы изготавливались из фоволоки диаметром 0.3 мм путем механического среза и в основном фименялись при исследовании и модификации высокоориентированного шролитического графита. Алмазные иглы изготавливались из кристаллов тегированного искусственного алмаза.

Приводятся результаты экспериментов по контактной модификации поверхности пленки Аи и Си вольфрамовым зондом, рис. 3,

а) скан: 135x135 нм б) скан: 428x428 нм в) скан: 420x420 нм Рис. 3. Примеры контактной модификации поверхности а,б - Аи и в - Си.

а также монокристаллического кремния алмазным зондом, рис. 4. Алмазные иглы качественно отличаются от других типов игл своей прочностью и соответственно долговечностью. Применение зондов с алмазным острием в СТМ нам неизвестно, однако перспективность их использования в туннельной микроскопии, тем более для технологических применений,очевидна.

Рис. 4. а - алмазное острие, б -"отпечаток" на поверхности Аи и «- Бь

Чтобы игольчатый электрод не изменял свою форму при контактном формировании нанорельефа на поверхности подложки напряжение начала его пластической деформации т, должно превышать аналогичное напряжение для подложки т0, тогда условие контактного формирования можно записать в виде:

Ъ>т0, (1)

При контактной модификации поверхности Аи свежеизготовленным \У-зондом наблюдался перенос материала подложки на игольчатый зонд. Такой процесс, очевидно, будет иметь место, когда , где 1та - сила адгезии материала зонда к материалу подложки; Г<\ -сила когезии материала подложки, что выполняется для системы \V-Au. Последующее повышение напряжения смещения на туннельном промежутке вызывало обратный процесс осаждение материала с игольчатого зонда на подложку, что, по-видимому, связано с полевьм испарением атомов золота с острия на подложку, рис. 5.

и

а) б)

Рис. 5. Результаты последовательной модификации пленки золота. Полесканов: 148x148 нм.

Таблица 1.

: Подложка : :ИЙЦ: / .Среда Параметры процесса Результат воздействия1;;

Аи -фольга 81(100) Алмаз Воздух Отключение обратной связи а движение кг.чы к подложке в течение 1 мс. 1 )Четаие отпечатки Ь=243 нм (си. рис. 46). 2)Менее четкие отпечатки 11=147 нм (см. рис. 4в).

11лепка Ли XV Воздух 1)Отал. обратной связи и движение иглы к подлож. в теч. 5 мс Дг=10 нм. 2 )Посяедугощее повышение СУ до 3.4 В 1) Ямки 0 21-27 нм, Ь=7нм (см. рис. 5). 2) Бугорки 020-25 нм. Ь=6 .4 нм (см. рис. 5).

11ленка Си XV Эпоксидная смола ЭД-20 Скрайбирование пленки Си закрытой эпоксидной смолой Канавка шириной 65 нм. Ь~40пм (см. рис. Зв).

Отмечается, что при модификации поверхности металлических пленок путем создания в туннельном зазоре электрического поля напряженностью ~ 107 В/см и выше, возможно протекание сразу нескольких процессов, приводящих к необратимым изменениям локальных участков поверхности образца и игольчатого электрода. Основные процессы, наблюдаемые в системе игольчатый зонд - подложка, которые могут вызывать необратимые изменения, представляются в следующем виде.

Механическая деформация пондеромоторными силами электростатического поля. Известно, что в сильном электрическом поле экспериментально наблюдается облегченное разрушение острийных образцов, при механических напряжениях, значительно меньших предела прочности [1].

Ионизация (испарение или десорбция полем). Процесс, вызывающий испарение атомных слоев материала одного из электродов (иглы или подложки) и осаждение атомов на противоположном электроде.

Автоэлектронная эмиссия. Процесс, вызывающий разогрев острия и локальной области образца под действием токов эмиссии высокой плотности. Возможен сильный разогрев (тонкого) острия вплоть до взрывной эмиссии.

Стимулирование поверхностных процессов. Изменение коэффициентов поверхностной диффузии и энергий связи частиц с поверхностью в присутствии внешних полей - хорошо известный факт, следовательно, меняя величину электрического поля можно влиять (как активатор, ингибитор) на скорость химических реакций, протекающих на

поверхности, вызывать поверхностную диффузию материала к остри зонда.

Поэтому для выявления закономерностей получения нанострукту требовалось установить процессы, определяющие соответствующ! механизмы модификации. Кроме того, при модификации поверхноа тонких пленок следует учитывать тот факт, что электрофизические свойсп тонкой пленки могут отличаться от свойств массивного материала.

Результаты экспериментов по бесконтактной модификащ поверхности пленок Ли имеют наиболее воспроизводимые результаты, чт очевидно, обусловлено высокой инертностью поверхности золота, высокс пластичностью, сравнительно небольшой температурой плавления, низки потенциалом ионизации, а это особенно существенно при работе I воздухе. При модификации поверхности золотой пленки с использование \¥-острия, наиболее воспроизводимые результаты имели место, ей предварительно перед приложением импульса напряжения остр! механически контактировало с поверхностью, см. рис. 6(а,б). Образован! такого рода выступов, по всей видимости, связано с полевым испарение золота с острия зонда, так как процесс не зависел от приложение полярности напряжения, а также вокруг получаемых выступов I наблюдалось участков понижения и даже каких либо заметных нарушен* рельефа поверхности, что, несомненно, имело бы место, если бы бугор! формировались из материала подложки.

Рис. 6. Модифицированные участки поверхности пленки Аи; а .6-осуществлялся предварительный контакт \У-острия с Аи-подложкой, скат 420x420 нм; е - использовалось чистое \У-острие, скан: 210x210 нм.

Если новой вольфрамовой иглой предварительно не касалш поверхности, то при подаче импульса напряжения образование выстуг могло не наблюдаться (довольно часто, напротив, имело место понижен! рельефа). Последующая серия импульсов вновь приводила к образовали выступов таких, как показано на рис. 6в. Такого рода выступ формируются в результате полевого реиспарения атомов золота с острия V зонда.

Приведенные экспериментальные результаты и теоретически оценки показывают, что доминирующим механизмом образован! локальных неоднородностей при соответствующих режимах формировани является полевое испарением атомов золота сначала с микровыступс поверхности пленки, расположенных под острием зонда, с последующим у осаждением с острия на подложку в виде выступов. Отмечается, чт процессы инициированные полем в отличии от процессов, инициированнь

ком не зависят от полярности напряжения смещения. Поэтому перенос эмов будет предпочтительней идти с выступающих микровыступов верхности одного из электродов (обычно острие зонда СТМ). где пряженность электрического поля выше, на другой (подложку), что и блюдается экспериментально, как для положительных, так и для рицательных импульсов напряжения с некоторой разницей в пороговых лях. Воспользовавшись наиболее простой и наглядной моделью сил ображения и учитывая, что в туннельном зазоре близко расположенный орой электрод (образец) вызывает понижение потенциального барьера паряемого атома поверхности в виде n-зарядных ионов можно записать [ражение для испаряющего поля положительных ионов [2]:

¿s-LJa+T/ (2а)

" («е)3} tT ' * 4г0 4(d-r0) Kev\

е и-кратность ионизации испаряемого атома, с-заряд электрона, Л-плота испарения нейтрального атома, I, - потенциал /-кратной ионизации ома, г0 - радиус адатома, (/-расстояние между электродами, v -частота лебаний поверхностного атома, к\,у- скорость испарения полем. 1я отрицательных ионов имеем:

1 [ е2п2 е2п2 , v}* !

Её,=~,—----~-кТ\п-} , В/А (26)

" V "" 4/-0 4 (d-r0) кег\

есъАат - сродство к электрону.

Значения критических полей Eev образования ионов, рассчитанные работе [2] для случая двух близко расположенных электродов d= 0.6 нм в ГМ, отличаются приблизительно в 2 раза в сторону уменьшения по ношению к изолированному электроду. Однако в экспериментах по жальной модификации поверхности с помощью СТМ испарение полем 1еет место и при более низких напряженностях поля [3]. Все это, 'ответственно, требует построения более сложных моделей, учитывающих )фекты экранирования, взаимное расталкивание поверхностных зарядов, ¡менно-корреляционные взаимодействия и т. п.

Также отмечается, что при более длительных импульсах шряжения, воздействующих на поверхность золотой пленки, наблюдается ¡разование выступов с образованием области понижения и "рва" вокруг .гступа, см. рис. 7-9.

Рис. 7. Выступы, окруженные "рвом", получены на поверхности золотой пленки; а, б - поле сканов: 210x210 нм; в - скан: 315x315 нм.

а) б) в)

Рис.8. Изображения участка поверхности модифицированной пленки Аи, использовалось \¥-острие, полученное механической заточкой, а-трехмерное изображение, б- топография рельефа, в- распределение локального барьера. Скан: 210x210 нм.

Рис.9. Изображения участка поверхности модифицированной пленки Аи, использовалось \У-острие, полученное электрохимическим травлением, а-трехмерное изображение, б- топография рельефа, е- распределение локального барьера. Скан: 315x315 нм.

Сформированные выступы состоят из материала подложки и обычно представляют собой укрупненное зерно, вокруг которого имеется область понижения рельефа с измененной работой выхода, как представлено на рис. 8.

Это свидетельствует о включении и доминировании новых процессов (помимо полевого испарения), связанных с миграцией материала в локальной области под игольчатым зондом. Этими процессами могут быть: пластическая деформация, обусловленная действием пондеромоторных сил электрического поля и усиленная локальным нагревом под действием тока электронной эмиссии, а также поверхностная диффузия.

Действие сил электрического поля на поверхностные заряды проводящих электродов порождает нормальные к поверхности механические напряжения, определяемые формулой Максвелла:

<7=Е2/8я, ^ (3)

Превышение развиваемых в системе (игольчатый зонд - подложка) механических растягивающих напряжений над пределом пластичности вызывает пластическое течение материала подложки.

Локальный нагрев приповерхностной области подложки происходит под действием диссипации энергии инжектируемых в подложку "горячих" электронов и, в свою очередь, сильно снижает механические

свойства материалов, тем самым, облегчая течение материала. Кроме того, для тонких поликристаллических пленок, которые обычно получают в сильно неравновесных условиях, не исключается возможность коалесценции соседних островков пленки в один островок больших размеров. Движущей силой такого процесса будет выступать результирующее уменьшение поверхностной энергии, а механизмом переноса массы - поверхностная и объемная диффузия [4].

Приводятся результаты экспериментов по бесконтактной модификации поверхности пленки Си. Отмечается, что при работе на свежеприготовленной пленке меди, менее чем через сутки образовывался такой слой окисла, что не удавалось поддерживать туннельный ток при тех же параметрах тока и напряжения смещения, поэтому эксперименты на пленках меди проводились в среде жидкого диэлектрика. В одном случае это было вакуумное масло, которое позволило относительно стабильно работать на протяжение нескольких дней, рис. 1 Оа. Воздействие осуществлялось механически заточенной вольфрамовой иглой, чтобы исключить влияние окисла, который обычно образуется на острие при электролитическом травлении. Полученные неоднородности представляли собой выступы неправильной формы ~140..160 нм у основания и 20..35 нм высотой. Постепенно масло испарялось и вновь наблюдался рост окисла. Более воспроизводимые результаты имели место в случае эпоксидной смолы ЭД-20, предварительно прошедшей электроочистку и обезгаживание в вакууме, рис. 106.

Размеры полученных выступов составляли ВО..97 нм у основания и 17..25 нм высотой. В эпоксидной смоле не наблюдался заметный рост окисла на протяжении нескольких недель. Образование выступов на медных пленках при работе в жидких диэлектриках объясняется несколькими механизмами: пластической деформацией в результате действия сильного электрического поля, локальным разогревом с коалесценцией соседних зерен, а также осаждением фрагментов молекул жидкого диэлектрика в сильном электрическом поле.

Опыты по модификации поверхности свежеприготовленной пленки никеля с использованием нового острия, полученного электрохимическим травлением, отличались более низкой воспроизводимостью по отношению к пленкам золота и даже меди. Локальное изменение рельефа наблюдалось

б)сканы 420x420 нм Рис. 10. Результаты модификации поверхности пленки Си закрытой: а- вакуумным маслом, б- эпоксидной смолой ЭД-20.

при достаточно высоких амплитудах импульса напряжения, причем после приложения целой серии импульсов. Это, по-видимому, связано с наличием тонкого слоя окисла на пленке N1, а также с более высокими по отношении к золоту и меди физическими характеристиками материала, такими ка! предел прочности, температура плавления, потенциал ионизации, поле испарения, что характерно для переходных металлов, для которых имеет место более высокая прочность связи в кристаллах и, соответственно необходимы более высокие пороговые напряжения, что и наблюдаете* экспериментально. На рис. 11(а,б) представлены выступы, полученные при

а) скан: 128x128 нм. б)скан: 64x64 нм в) скан: 128x128 нм

Рис. 11. Выступы, сформированные на пленке № а, б - новым, электрохимически полученным ХУ-острием; в- тем же острием после многократного

сканирования.

приложении серии импульсов напряжения амплитудой 11.. 12 В I длительностью 10 мс. Размеры получаемых выступов составляли 60x50 № в основании и 15. 25 нм высотой. Из сравнения представленны> изображений (см. рис. 11(а,б) и 11в) видно, что при новой "чистой" игле микроструктура поверхности, прилежащая к выступу сильнс

видоизменяется, эте

вероятнее всего связано е полевым испарением атомо! на поверхности пленки пох острием зонда с последующим их осаждением нг подложку в виде бугорка подобно тому, как это имелс место на золотой пленке.

После многократного сканирования, когдг игла становилась "грязной" образование выступоЕ

наблюдалось при подаче одиночных импульсов более низкой амплитуды 7.4 Е длительностью 10 мс (рис. 11 в), при этогу окружающий выстуг

микрорельеф поверхности не претерпевал значительны* изменений. При сниженш

Рис.12. Результаты последовательного формирования выступов на поверхности пленки №. Поле сканов: 105x105 нм.

ительности подаваемых импульсов до 30 мкс и неизменной амплитуде следовательно были получены четыре выступа на пленке никеля, измеримых с размерами зерна пленки - 10 .12 нм, см рис. 12

Таблица 2.

'езультаты бесконтактной модификации поверхности металлических пленок

Подло« -ка Иг.-»' Среда Параметры процесса ■ Результат воздействия

Ли XV воздух 1) Предварительный контакт XV-острия с Аи-подложкоя. импульс (.'=3.7 В. Ат~1 мкс 2)Чистое ХУчхлрие, серия им-пульсов V—4 В: Ат - 10 мкс 3) Увеличение времени воздействия Ат 10... 100 мс 1) Выаупы 035 .50 пм. Ь=7. ] 5 им. полевое испарение Ли с осгрия (рис.ба.б). 2) Поииж. рельефа и затем выступы 040..70 пм. Ь=10 20 пм. полевое ре-испарепие Ли (рис.бв). 3) Высгупы, окруженные понижением рельефа. (рисГ-У).

Си XV 1 )вакуумпп е масло 2)эпоксидная смола ЭД-20 1) ХУ-острие. имлгульс ?'=4.2 .5 В. Ат =40.. 100 мкс 2) ХУ-острие. имщж ¿'=4.2..5 В, Ат7 40.. 100 мкс 1 )Выстлпы 014О..16Оим 11=20 35 пм /рис. 10а). 2) Выступы 080. 90 нм. Ь=17..25 нм (рис. 106).

N1 XV воздух 1) "Чистое" Х¥-о<лрие. серия импульсов (/=11..12 В. /|г = 10мс 2 )ХУ- острие после многократного сканирования, импульс {/=7.4 В, Ат =30 мкс 1) Поншк. ре;п.сфа и затем выступи 040..70 нм. Ь=10 .20 нм. нолевое ре-испарепие Аи (рис.11а,в). 2) Выступы 010. .12 нм, Ь=5..7 нм. соизмеримые с зерном №-пленки (рис.12).

В четвертой главе теоретически и экспериментально исследуются оцессы, происходящие в приповерхностном слое высокоориентирован-го пиролитического графита при создании поля высокой напряженности.

На атомно-гладкой поверхности пиролитического графита возможно формирование туннельно-зондовым

методом наноструктур, отличающихся высокой стабильностью на воздухе. Наличие достаточно протяженных (сотни нанометров) атомно-гладких участков поверхности, а также относительно высокая электропроводность графита определяет перспективность его использования в наноэлектронике. Атомно-гладкая поверхность графита (рис. 13) широко используется в методе СТМ в качестве тестовой поверхности для калибровки сканирующих туннельных микроскопов.

>ис.13. СТМ -изображение поверхности пирографита (0001)

Из-за химической инертности графита, формирование наноструктур

осуществляется,

как правило, травлением,

Рис. 14. Результат модификации поверхности графита в капле воды (механически срезанное РЬострие); а- топография рельефа, б- распределения локального барьера. Скан: 105x105 нм.

Рис. 15. Результаты модификации поверхности графита на воздухе (механически заточенное \\^-острие) Поле сканов: 105x105 нм.

Рис. 16. Результат модификации поверхности графита на воздухе при внесении silica gel (электрохимически полученное W-острие); а- топография рельефа, б- распределение локального барьера. Скан: 105x105 нм.

стимулированным сильным электрическим полем в окислительной среде,

например в парах воды.

Результаты модификации поверхности пиро-графита, предварительно смоченного дистиллированной водой, рис.14, несколько отличаются от проделанных на воздухе, рис. 15,16.

Приведенные примеры модификаций поверхности пирографита на воздухе и в дистиллированной воде связаны с химическим травлением пирографита, стимулированным сильным электрическим полем. Понижение влажности при внесении поглотителя влаги silica gel под колпак, приводило к снижению эффекта травления ямок и образованию неодно-родностей, как на рис. 15. При повышении амплитуды импульса до 11.2 В наблюдалось редкое образование бугорков.

Отмечается, что создаваемые локальные неоднородности на поверхности слоистых полупроводниковых материалов [5], к коим относится и графит, имеют некоторые особенности по отношению к металлическим образцам, в частности, углубления имеют террасную структуру, а возвышения могут иметь вид кольцеобразных структур (рис.16), что, по-видимому, обусловлено структурой атомной решетки и специфичностью межатомных связей, приводящих к сильной анизотропии проводимости и теплопроводности.

Интересные экспериментальные результаты были получены при исследовании участков поверхности пирографита, закрытого слоем эпоксидной смолы, где до этого в среде жидкого диэлектрика формировались проводящие молекулярные каналы или мостики, через которые пропускались токи высокой плотности [6]. В результате пропускания импульсов тока порядка ~ 10 мА и длительностью 0.1-1 мс, экспериментально наблюдалось локальное скалывание нескольких приповерхностных слоев пирографита с образованием "кратеров". Размеры и форма получаемых кратеров находились в зависимости от радиуса кривизны острия туннельного зонда, а также от величины и длительности пропускаемого тока. Примеры образования таких кратеров представлены на рис.17, 18.

а) б) в)

Рис. 17. Результат модификации поверхности пирографита, закрытой эпоксидной смолой, при пропускании токов высокой плотности (механически заточенное \У-острие); а- топография рельефа, б- распределение локального барьера, «-трехмерное изображение. Поле скана: 40x40 нм.

а) б)

Рис.18. Результат модификации поверхности пирографита, закрытой

эпоксидной смолой, при пропускании токов высокой плотности (электрохимически полученное Ш-острие); а- топография рельефа, б-трехмерное изображение. Поле скана: 105x105 нм.

Результаты экспериментов показывают, что на поверхности пирографита, закрытой эпоксидной смолой, при пропускании токов высокой плотности через проводящие молекулярные каналы, на месте контакта происходит послойное скалывание приповерхностных слоев пиролитического графита,

обусловленное, по всей видимости, сильными механическими напряжениями, возникающими в приповерхностном слое за счет протекающих токов. Токи высокой плотности могут вызывать локальные механические напряжения за счет локального изменения температуры образца, а также за счет пондеромоторных объемных сил электромагнитного поля. Благодаря сильной анизотропии проводимости у (у1/уц=2.6-101) и теплопроводности X (Х_|Дц=3.51-102) вдоль и поперек слоев для пирографита [7], весь инжектируемый в подложку ток растекается в нескольких ближайших к поверхности слоях, где и будут локализованы механические напряжения, обусловленные локальным изменением температуры и действием пондеромоторных объемных сил. Увеличение температуры, в свою очередь, приводит к понижению прочностных характеристик материала. В результате имеет место альтернативный способ формирования наноструктур туннельно-зондовым методом без использования процессов окисления.

На основании полученных экспериментальных результатов предложена модель процесса послойного скалывания пирографита посредством механических напряжений, вызываемых действием объемных пондеромоторных сил электромагнитного поля. При пропускании

импульсов тока с плотностями до 109 А/см2, в цепи игольчатый зонд СТМ - подложка может оказаться существенным влияние пондеромоторной объемной силы:

(4)

с

где с - скорость света; В - индукция магнитного поля, возникающая в подложке за счет протекающих токов с плотностью у.

Рассмотрим случай, когда инжектируемый ток равномерно растекается в тонком проводящем слое, как показано на рис.19. В квазистационарном приближении систему уравнений, описывающую распределение механических напряжений, развиваемых в подложке в области растекания тока, можно записать в виде:

- сИхР ^-[7 ,в

- 4 л:-го (В = -у

(5)

где Р - тензор напряжений, развиваемых в подложке.

Влияние пондеромоторной объемной силы усиливается благодаря анизотропии проводимости пиролитического графита. Проводимость пирографита вдоль атомных слоев существенно превышает проводимость поперек слоев, которые связаны между собой слабыми ван-дер-ваальсовыми силами. Пользуясь системой уравнений (5) и учитывая геометрию задачи (см. рис.19), получим, что пондеромоторная объемная сила вызывает действие только нормальных к поверхности подложки напряжений, зависящих от расстояния г до оси токового шнура.

В области

<1< г<

п

а..(/•) = В области

(г) =

1 г

Ко, (6)

пс1 Я* - П:

г-

КС 2 г

Ко , (7)

где I - ток в цепи. Ко - радиус токового шнура. На границе областей I и II, см. рис.19, что соответствует радиусу пучка электронного тока, возникают максимальные "колющие" напряжения:

Рис.19.

а1

11 пс2 Я

(8)

о

которые при превышении предела прочности могут скалывать плоские слои пиролитического графита. При г—А) и г->у:. нормальные к поверхности напряжения а2: устремляются к нулю. Радиус К0 определяется эффективным радиусом эмиссии электронов из туннельного зонда и может быть идентифицирован в туннельном режиме СТМ. Определяя минимальный ток / при известном радиусе /?«, можно вычислять напряжение скалывания пиролитического графита.

Таблица 2.

Результаты бесконтактной модификации поверхности пирографита

Подложка

Игла

Среда

Параметры процесса -

Результат воздействии!

И

мех. рез. \У мех. заточ

н2о

1) Импульсы напряжения (.'=4.5 В. Ат 0.1 мс

2) Импульсы напряжения (/=3....5 В. /1г=0.1..1мс

Пирографит

W

мех. заточ

эл/х. трав.

Воздух

Внесли поглотитель влаги

1) Импульсы напряжения и=4.1 В. Ат =0.7 мс.

2) Импульсы напряжения и=4....7 В. ¿1г =0.1 мс.

3) Увеличение амплитуды и времени воздействия. г/=8...11 В, /1г = 10мс.

1) Ямки с подшпыми краями (брустверами) 020..70 нм (см. рис. И).

2) Ямки с поднятыми краями 025..40 нм Брустверы с изм. барьер.

1) Ямки травления глубин. Ь=2..7 нм в виде концентрических, окруж. (рис.15).

2) Матое изменение рельефа поверхности. Ь=0.9 нм с изменением локального барьера (рис. 16).

3) Редкие выступы

010.. 100 нм, Ь=2..25 нм.

W

Эпоксидная смола ЭД-20

1) Импульсы напряжения Г-—3....7 В, Ат =0.1..1 мс.

2) Токовый импульс ~ 10 мА/1г=0.1..1 мс через сформированный молекулярный канал.

1) Без результатов либо редкие выступы из гряз.

2) Скхтывание слоев пирографита с образованием кратеров 010..30 Нм.Ь=З..Ю нм (рис.17,18)._

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

I. При непосредственном участии соискателя был разработан и создан сканирующий туннельный микроскоп для технологических приложений, с помощью которого исследовались и формировались локальные неоднородности нанометровых размеров на поверхности проводящих материалов. Получен и систематизирован обширный экспериментальный материал по модификации поверхности металлических пленок (Аи, Си, №) и пиролитического графита с помощью СТМ. Проведен анализ процессов, которые могут иметь место в системе игольчатый зонд СТМ - образец и определяющих необратимые изменений в локальной области проводящих подложек.

II. Исследованы методы локальной модификации поверхности металлических пленок (Аи, Си, N1) на воздухе и в жидких диэлектриках.

1. Установлены закономерности и необходимые режимы получения локальных неоднородностей на поверхности металлических пленок, экспериментально определены пороговые напряжения для исследуемых образцов, а также выявлены внешние факторы, влияющие на воспроизводимость процесса модификации.

2. Обнаружена зависимость характера получаемых модификаций от условий нанесения пленок, в частности, от температуры подложки, что, очевидно, обусловлено степенью неравновесности процессов, происходящих во время образования пленок.

3. Обнаружено, что форма основания получаемых выступов зависит от формы острия игольчатого зонда. Материал подложки и игольчатого зонда и их соотношения могут влиять на течение процесса модификации и его воспроизводимость.

4. При проведении процессов на воздухе требуется ограничивать амплитуду импульсов во избежание электрических пробоев, поэтому наиболее предпочтительным из рассматриваемых материалов является золото.

5. Наши собственные эксперименты, а также результаты, опубликованные в периодической печати, показывают, что наиболее воспроизводимым является процесс осаждения материала с острия на подложку. Получаемые при этом наноструктуры более стабильны, чем вытянутые из объема самой подложки.

6. Обобщающий итог многочисленных экспериментов заключается в том, что при локальной перестройке приповерхностной структуры подложек необходимо учитывать и принимать во внимание наличие природных или искусственно созданных устойчивых наноструктурных образований (кластеров в поверхностном слое). В частности, стабильность рельефа, полученного на поверхности металлических пленок, обеспечивается при условии, если размеры сформированных структур соизмеримы или превышают размеры зерна пленок.

III. Исследовано влияние промежуточной среды (воздух, вода, эпоксидная смола) на процесс модификации поверхности пиролитического графита.

1. Наблюдалась зависимость формирования локальных неоднородностей на поверхности пирографита от влажности атмосферы. С понижением влажности резко снижается воспроизводимость образования ямок, которые являются результатом электронно-стимулированного

химического травления, что согласуется с некоторыми результатами, опубликованными в периодической печати.

а) Характер получаемых модификаций отличается при проведении экспериментов во влажном воздухе и в капле дистиллированной воды.

б) Процесс модификации носит пороговый характер, начиная проявляться при U ~ 3.5 В и устойчиво наблюдается выше f ' — 4.5 В.

2. Обнаружено, что при закрытии поверхности пирогафита эпоксидной смолой, подача импульсов напряжения приводит к редкому образованию выступов (ямки практически не наблюдаются), однако при пропускании импульсов тока порядка ~ 10 мА и длительностью 0.1-1 мс, экспериментально наблюдалось локальное скалывание нескольких приповерхностных слоев пирографита с образованием "кратеров".

а) Экспериментально установлено, что размеры радиуса острия определяют в основном поперечные размеры области модификации, а величина тока определяет в основном ее глубину, при этом более сильное влияние оказывает скорость нарастания воздействия, чем его длительность.

б) Предложена теоретическая модель процесса модификации пиролитического графита посредством послойного скалывания в результате действия пондеромоторных объемных сил электромагнитного поля.

3. Модификация пирографита имеет террасную структуру, как при травлении, так и при пондеромоторном воздействии, что, по всей видимости, связано с последовательным удалением атомных слоев и определяется специфичностью межатомных связей в решетке пирографита.

Основные результаты диссертации опубл>жованы в работах:

1. Неволин В.К., Гринько В.В., Прилуцкий Д.А. Устройство для туннельно-зондовой нанотехнологии и локальной модификации поверхности подложек // Сборник докладов Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы фундаментальных наук". -М: МГТУ. 1991. Т.4. С. 100-101.

2. Гринько В.В., Неволин В.К. Микроструктура металлических пленок и ее модификация в туннельном микроскопе // Тезисы докладов II Всесоюзного симпозиума по перспективным металлическим материалам "Новые технологии получения и свойства металлических материалов". -М: АН СССР 1991. Часть II. С. 158.

3. Гринько В.В., Неволин В.К. Локальная модификация металлических пленок//Электронная промышленность. 1993. Вып. 10. С.21-23.

4. Бессольцев В.А., Боровик Д.И., Гусев А.Н., Гринько В.В., Иванов А.Ю., Неволин В.К., Хлебников Ю.Б. Сканирующий туннельный микроскоп для локального воздействия в нанометровой области // Электронная промышленность. 1993. Вып. 10. С.15-17.

5. Бессольцев В.А., Боровик Д.И., Гринько В.В., Иванов А.Ю., Неволин В. К. Измерение электрофизических характеристик поверхности проводящих подложек в нанометровом диапазоне // Тезисы докладов Первой научно-технической конференции "Состояние и проблемы технических измерений". -М: МГТУ. 1994. С.66-67.

6. Arbuzov М.А., Grinco V.V., Nevolin V.K. Nanostructurs formation by modification of graphite surface properties in scanning tunneling microscope. //International Conference Physics, Chemistry, and Application of Nanostructures "Nanomeeting-95". - Minsk, 1995. P. 222-224.

7. Volkov A.B., Nevolin V.K., Arbuzov M.A. and Grinco V.V. Creation of nanostructures by local modification of the electro physical properties in STM. //International Conference Physics, Chemistry, and Application of Nanostructures "Nanomeeting-95". - Minsk, 1995. P. 219-221.

8. Гринько В.В., Неволин В.К. Пондеромоторное скалывание поверхности пиролитического графита в нанометровых областях. // Тезисы докладов Межвузовской технической конференции "Микроэлектроника и информатика". -Зеленоград, 1995. С.25-26.

9. Гринько В.В., Неволин В.К. Эксперименты по туннельно-зондовой* модификации металлических пленок. // Тезисы докладов Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". - Таганрог, 1994. 4.1, С.22.

10. Гринько В.В., Неволин В.К. Локальная модификация проводящих подложек в сильноточных режимах. // Тезисы докладов Российской конференции с участием зарубежных ученых "Микроэлектроника - 94". -Звенигород, 1994. Ч.И. С.439-440.

11. Гринько В.В., Неволин В.К. Формирование наноразмерных сколов на поверхности пиролитического графита туннельно-зондовым методом // "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Труды второй Всероссийской научно-технической конференции с международным участием. -Дивноморское, 1995. С. 23.

12. Гаврилов С.А., Гринько В.В., Неволин В.К. Рябоконь В.Н. СТМ -исследования наноструктур кремния // Тезисы докладов международной научно-технической конференции. "Микроэлектроника и информатика". -Москва, 1995. С. 160-161.

Цитируемая литература

1. Суворов А.Л. Структура и свойства поверхностных атомных слоев металлов. - М.: Энергоатомиздат. 1990. -296 с.

2. Tsong Т.Т. Field Evaporation in Two-Electrode Systems. // Japan. Journal of Applied Physics. 1991. V.30. Nll(B). P. 1985-1988.

3. Mamin H.J., Guethner P.H., and Rugar D. Atomic emission from a gold scanning tunneling microscopy//Phys. Rev. Lett. 1990. V.65, N 19. P.2418-2421.

4. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссела, Р. Гленга, 1970. Пер. с англ. Под ред. М. И. Елинсона. М.: "Сов. радио". 1977. Т.1. - 664 с.

5. Schimmel T., Fuchs H., Akari S., and Dransfeld К. Nanometer-size surface modifications with preserved atomic order generated by voltage pulsing. // Appl. phys. lett. 1991. V. 58. N 10. P. 1039-1041.

6. Неволин В.К. Физические основы туннельно - зондовой нанотехнологии // Электронная промышленность. 1993. Вып. 10. С. 8-11.

7. Физические величины: Справочник. / Под. ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова. - М.: Энергоатомиздат. 1991. 1232 с.

Заказ №151. Тираж 100. Объем 1_Л уч. изд. л. Отпечатано в типографии МИЭТ (ТУ)