автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка литографических методов и спецоборудования для создания СБИС и транзисторных структур с субмикронными размерами элементов

Введение.

Глава I. Разработка контактной установки рентгеновского экспонирования.

1.1. Методы литографии в производстве СБИС(обзор).

1.2. Точечные источники рентгеновского излучения.

1.3. Разработка контактной рентгенолитографической системы 09ФСР-1-001 «Рентгенотрон».

1.4. Сравнение источников рентгеновского излучения, определение оптимальных параметров технологического источника синхротронного излучения.

1.5. Выводы.

Глава II. Разработка технологии изготовления рентгеношаблонов на основе кремния, легированного бором.

2.1. Требования, предъявляемые к рентгеношаблонам.

2.2. Сравнение методов изготовления мембран рентгеношаблонов.

2.3. Разработка конструкции и технологии изготовления шаблонов для рентгенолитографии.

2.4. Исследование способов формирования рентгенопоглощающего рисунка шаблонов.

2.5. Выводы.

Глава III. Исследование литографических свойств резистов, разработка резистов для рентгенолитографии.

3.1. Особенности рентгенорезистов их свойства и характеристики.

3.2. Синтез и исследование чувствительности сополимеров глицидилметакрилата.

3.3 Синтез и исследование чувствительности сополимеров метилмета-крилата.

3.4 Расчет сенсибилизации резистов. Зависимость свойств резистов от длины волны рентгеновского излучения.

3.5 Исследование чувствительности, контрастности, разрешающей способности рентгенорезистов к синхротронному излучению.

3.6 Выводы.

Глава IV. Разработка технологии изготовления СБИС ЦМД емкостью

1-16 Мбит.

4.1 Постановка задачи.

4.2. Разработка планарной технологии изготовления кристаллов СБИС ЦМД типа К1605РЦ1.

4.3 Разработка новых технологических процессов и оборудования изготовления фотошаблонов для СБИС ЦМД емкостью свыше

1 Мбит.

4.4 Разработка субмикронной технологии изготовления СБИС ЦМД с помощью электронной и рентгеновской литографии.

4.4.1. Выбор структуры СБИС ЦМД на основе ионно-имплантирован-ных структур продвижения (ИИСП) и способы их изготовления.

4.4.2. Особенности формирования рисунка элементов СБИС ЦМД методами ПХТ и ИЛТ.

4.4.3 Применение ПХТ для формирования субмикронных структур с размерами элементов 0,1-1,0 мкм.

4.5 Выводы.

Глава V. Исследование методов формирования субмикронных структур при использовании контактной оптической литографии и метода самоформирования.

5.1. Самоформирование в технологии СБИС.

5.2. Создание МДП- транзисторов на Si и GaAs с длиной затвора «0,1 мкм.

5.3. Магнитометр с длиной мостика «0.1 мкм.

5.4. ЗУ на ЦМД с плотностью записи более 4 Мбит/см2.

5.5. Формирование рисунка линии задержки на ПАВ с периодом

0,2 - 0,6 мкм.

5.6. Способы создания шаблонов с размерами « 0.1 мкм.

5.7. Выводы.

В современных условиях ускорения научно-технического прогресса особую важность приобретает задача создания и освоения новых поколений ЭВМ всех классов. Ведущую роль в решении этой задачи играет высокоэффективное производство новейших сверхскоростных (ССИС) и сверхбольших (СБИС) интегральных схем с применением как технологии на кремнии, так и технологии на арсениде галлия в зависимости от требуемого уровня быстродействия и условия применения.

Кроме кремниевых и арсенид-галлиевых типов СБИС, широко используемых в большинстве классов ЭВМ, в составе микропроцессорных систем в качестве энергонезависимой внешней памяти используются и запоминающие устройства на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ на ЦМД). Данные устройства отличаются высокой плотностью записи, радиационной стойкостью, сохраняют информацию без потребления энергии, некритичны к перенапряжениям и перегрузкам, имеют высокие температурную и временную стабильность параметров и помехозащищенность. Поэтому ЗУ на ЦМД могут решать вопросы надежности военной, космической аппаратуры, систем проектирования и оборудования с тяжелыми условиями эксплуатации. Эта твердотельная память состоит из ЦМД накопителя на ЦМД СБИС, управляемых полупроводниковыми микросхемами.

Наиболее глубоко к настоящему времени разработаны ЗУ с элементной базой, основанной на использовании магнитомягких пленочных аппликаций из пермаллоя 80№ - 20Бе, располагающихся над поверхностью ЦМД - содержащей эпитаксиальной феррит - гранатовой * пленки (ГРЭС). При этом плотность записи информации в ЦМД

СБИС определяется диаметром домена с! и уровнем разрешения 5 технологии управляющих элементов, ограничивающего воспроизводи-ф мый минимальный размер 8 в топологии ячейки памяти [1]. При разрешении < 0.5 мкм можно обеспечить плотность записи информации 4 Мбит/см2 в случае использования ЦМД диаметром 1 мкм и 16 Мбит/см2 для ЦМД с диаметром 0.5 мкм.

Постоянно растущая потребность в объемах всех видов памяти ведет к необходимости резкого повышения уровня интеграции микросхем за счет увеличения кристалла и уменьшения размеров элементов. Исходя из потребностей СБИС повышенной емкости возникает потребность в разработке микросхем с критическими размерами элементов 0.5 мкм и менее.

В этой связи особую важность приобретает задача разработки прогрессивных технологических процессов и оборудования, позволяющих формировать субмикронные элементы микросхем, ^ обеспечивая тем самым производство СБИС сверхвысокой степени интеграции.

Отсюда и основная цель представленной диссертационной работы:

- разработка литографических методов, технологий и оборудования, обеспечивающих производство СБИС с субмикронными размерами элементов.

Достижения этой цели требовало решения следующих задач: усовершенствование технологий изготовления существующих микросхем с целью увеличения выхода годных микросхем и улучшения характеристик самих микросхем;

- разработка методов формирования топологии схем и оборудования для изготовления фотошаблонов повышенной сложности;

- разработка технологий изготовления СБИС высокой степени интеграции, включающих формирование резистивного рисунка схемы, перенос изображения с минимальными уходами размеров (< 0.05 мкм) • в функциональные слои и обеспечивающих при заданных физических характеристиках уменьшение критических размеров элементов с 1.5 мкм до 0.1 мкм в поле экспонирования > 2см2;

- разработка и модернизация устройств и установок, обеспечивающих формирование заданной топологии интегральных схем.

Актуальность данной работы определяется, с одной стороны, практическими потребностями повышения технических характеристик уже существующих приборов: снижение энергопотребления, расширения температурного диапазона работы, повышения надежности, а также необходимости совершенствования элементной базы с целью достижения максимальной плотности записи информации при данном литографическом разрешении, с другой стороны, для создания СБИС высокой степени интеграции требуется разработка и освоение новых Ф технологических методов и устройств, так как задача создания ЗУ емкостью 1-16 Мбит, обуславливающая, при заданных физических характеристиках, уменьшение критических размеров элементов массива хранения информации с 1.5 до 0.5.0.3 мкм в поле экспонирования более 2 см2 не может быть решена методами традиционной фотолитографии.

Изготовление СБИС высокой степени интеграции с субмикронными размерами возможно методами электронно-лучевой, рентгеновской и ионно - лучевой литографии, а также фотолитографией с источником глубокого ультрафиолетового излучения (ГУФ). Использование новых литографических методов, особенно рентгеновской литографии, метода самоформирования и «сухих» способов травления, может оказаться важной и при разработке предполагаемого поколения магнитной памяти - ЗУ на вертикальных блоховских линиях с плотностью записи на порядок и более превышающей плотность записи информации на ЦМД и критическими размерами « 0.1 мкм, кремниевых и арсенид - галлиевых МДП транзисторов с длиной затвора « 0,1 мкм, приборов на эффекте Джозефсона, линий задержки на ПАВ и других приборов микроэлектроники с размерами элементов « 0,1 мкм.

Диссертационная работа состоит из 5 глав, введения и заключения.

В первой главе рассмотрены основные литографические методы формирования резистивного рисунка схем. Дана их сравнительная характеристика, выводы и рекомендации по использованию их в технологии изготовления микросхем с критическими размерами 0,1-1,0 мкм. Проведена теоретическая и экспериментальная оценка возможностей различных источников рентгеновского излучения: установки с вращающимся анодом (А1, Си, Ag) и синхротронного ^ излучения (СИ). Проведена теоретическая оценка влияния различных параметров экспонирования (интенсивности, длины волны излучения, поглощения излучения и др.) на характеристики рентгенолитографи-ческих систем. Проведены исследования возможности применения синхротронного излучения в рентгенолитографии. Даны рекомендации на разработку, изготовление и модернизацию рентгенолитографи-ческих систем с характеристиками, обеспечивающими субмикронную технологию. Показано, что разработанная установка экспонирования «Рентгенотрон» удовлетворяет требованиям технологии изготовления многослойных СБИС с размерами элементов 0.5 - 1.0 мкм. Показано, что наиболее предпочтительным источником излучения, обеспечивающим разрешение « 0.05 мкм и высокое качество изображения, является накопительное кольцо с энергией 0.8 ГэВ, током 1 А и X « 2,0 нм, позволяющее повысить производительность метода рентгенолито-графии в 102 - 103 раз.

Вторая глава посвящена исследованию и разработке шаблонов для рентгенолитографии, которые должны удовлетворять весьма сложным и довольно специфичным требованиям. Рассматриваются несколько конструкций и технологических маршрутов изготовления рентгеношаблонов, исходя из исследованных возможностей использования различных материалов в качестве мембран рентгеношаблонов и поглощающего слоя. Из нескольких типов разработанных шаблонов наилучшими характеристиками (прочностью, стабильностью и т.д.) обладает шаблон с комбинированной мембраной из 1 мкм слоя кремния, легированного бором, и 1 - 2 мкм слоя полиимида, который может использоваться как в случае применения точечных источников, так и для СИ. Показано, что в качестве поглощающего слоя помимо золота могут использоваться вольфрам, тантал, рений. С целью повышения геометрической стабильности с поглощающим слоем из этих металлов предложен метод снижения остаточных механических напряжений в пленках за счет использования слоев молибдена, хрома, БЮг, обеспечивающих компенсирование этих напряжений.

В третьей главе рассмотрены свойства резистивных материалов с целью их использования в рентгенолитографии. Исследована чувствительность, контрастность и разрешающая способность существующих электронных резистов к рентгеновскому излучению от точечных источников с анодами из Ag, А1, Си и синхротрона С - 60. По результатам исследований определены пути синтеза резистов для рентгенолитографии. Проведено исследование чувствительности рентгенорезистов в зависимости от состава сополимеров, молекулярной массы и молекулярно-весового распределения. Показано, как варьируя составом сополимера и его обработкой, можно добиться увеличения чувствительности резистов на порядок.

Проделаны теоретические расчеты возможной сенсибилизации рентгенорезистов. Показано, что для одновременного улучшения чувствительности и разрешающей способности рентгенорезистов следует в качестве сенсибилизирующих добавок выбирать атомы элементов с большим атомным коэффициентом поглощения и максимальным выходом низкоэнергетических вторичных электронов. Результаты исследований позволили рекомендовать для этой цели элементы с порядковым номером в таблице элементов ъ - 28 - 34, 51 -68, 90 - 92. Проведено теоретическое и экспериментальное исследование влияния фото - и оже - электронов, возникающих в подложке и рентгеношаблоне, на процесс экспонирования. Выявлено, что негативные резисты, хотя и имеют высокую по сравнению с позитивными чувствительность, но обладают меньшей разрешающей способностью, имеют более слабый контраст.

В четвертой главе рассмотрены технологические способы и приемы изготовления МИС на ЦМД. Основное внимание уделено: отработке технологии изготовления выпускаемых микросхем с целью увеличения выхода годных и улучшения характеристик самих микросхем; разработке технологии изготовления фотошаблонов; разработке технологии создания ЗУ на ЦМД емкостью 1-16 Мбит. Показано, что формирование коммутационной разводки путем анодирования сплава А1 - Си, использование полиимидного лака в качестве изоляционного, планаризирующего и защитного материала, использование в качестве защитной маски при ИЛТ пермаллоя слоя диэлектрика с минимальным коэффициентом распыления позволили повысить надежность работы приборов, упростить технологический процесс изготовления МИС на ЦМД.

В отработке существующих и в разработке новых технологий одним из основных факторов является наличие высококачественных и фотошаблонов. Запуск технологического модуля, оснащенного ф специально разработанным для нужд ЦМД электронно-лучевым генератором изображений топологии 10:1 и 5:1 (Отэлло-44), контрольно-измерительной аппаратурой и другими линиями, одновременно с разработкой технологических процессов изготовления ПФО, промежуточных фотошаблонов, рабочих фотошаблонов позволил обеспечить существующее производство и новые разработки необходимыми шаблонами.

Исследованы возможности использования электронной и рентгеновской литографий в производстве изготовления МИС на ЦМД с критическими размерами 0.5 - 1.0 мкм. Выбраны и отработаны технологические маршруты изготовления СБИС ЦМД электронной и и рентгеновской литографией. Показано, что синхротронное излучение от синхротрона С - 60 может с успехом использоваться в технологии изготовления прецизионных рабочих шаблонов для фотолитографии с глубоким ультрафиолетом и непосредственно для изготовления СБИС ЦМД с размерами 0.5 мкм и менее. На специализированном канале С -60 на разработанном и изготовленном автоматизированном устройстве были изготовлены комплекты (на кварцевых заготовках 102 х 102 мм и 127 х 127 мм) фотошаблонов для создания МИС на ЦМД емкостью 1 - 4 Мбит и изготовлены кристаллы СБИС ЦМД на основе ионно-имплантированных структур емкостью 1-16 Мбит.

В пятой главе рассматривается применение методов самоформирования и литографии для изготовления МИС на ЦМД емкостью 4 - 32 Мбит, полевых транзисторов с длиной затвора (0.1 мкм и других приборов с субмикронными и нанометровыми размерами элементов. Для оптимизации процессов формирования микроструктур • используется математическое моделирование операций фотолитографии и химического травления. Показано, что использование возможностей метода самоформирования - формировать в процессе эволюции в объекте структуры, не заложенные в шаблоне, и ц переносить изображение из одного слоя в другой с точностью (0.1 мкм, и резистивных масок с упрощенной геометрией и большими размерами элементов, сформированных с учетом выработанных в результате моделирования процессов рекомендаций, позволяет с успехом изготавливать приборы с размерами элементов (0.1 мкм).

В заключении сформулированы основные результаты диссертации.

В данной работе впервые получены следующие результаты. I. Разработана лабораторная технология процесса рентгенолито-графии, включающая:

1.1. Проведена теоретическая и экспериментальная оценка возможностей различных источников рентгеновского излучения - установок с вращающимся анодом (Р<1, Мо, N1), 81, А1, Си) и синхротронного излучения (СИ) для использования их в установках рентгеноли-тографии для промышленного изготовления СБИС.

По результатами исследований проведена разработка и изготовление установок рентгеновского экспонирования ДРС-2М, АРТВА-2, «Рентгенотрон» и установки экспонирования в пучках СИ.

Теоретически показано, что наиболее предпочтительным источником рентгеновского излучения является компактное электронное накопительное кольцо с энергией 0,8 ГэВ, током 1 А, А,«2 нм, обеспечивающим разрешение « 0,01 мкм.

1.2. Разработана новая технология изготовления рентгеношаблонов. - Предложены конструкции рентгеношаблонов из полиимида, легированного бором кремния с возможностью фиксации зазора между шаблоном и рабочей пластиной с одновременным отводом тепла с шаблона.

- Показано, что в качестве поглощающего слоя вместо золота могут ф использоваться вольфрам, тантал, рений, которые не находили применения из-за наличия в пленках большого остаточного механического напряжения. Для снижения уровня напряжений в пленках этих металлов предлагается использовать слои молибдена, хрома, БЮг, Ре-№. Слои хрома и Бе-М обеспечивают не только компенсацию напряжений, но и служат маской при формировании рентгенопоглощающего рисунка методами плазмохимического травления.

- Предложен способ формирования знаков совмещения, обеспечивающий использование оптического совмещения с точностью лучше 0,1 мкм.

1.3. Проведено исследование чувствительности, разрешающей способности, контрастности резистов к рентгеновскому излучению и электронно-лучевому экспонированию.

- Показано, как варьируя составом сополимера, молекулярным весом и его обработкой, можно добиться увеличения чувствительности резиста на порядок.

- Проведены теоретические расчеты возможности сенсибилизации рентгенорезистов. Показано, что для одновременного улучшения чувствительности и разрешающей способности рентгенорезистов следует в качестве сенсибилизирующих добавок выбирать атомы элементов с большим атомным коэффициентом поглощения и максимальным выходом низкоэнергетических вторичных электронов. В качестве сенсибилизирующих добавок лучше использовать элементы с порядковыми номерами в таблице элементов Z=28 - 34, 51 - 68, 90 -92. Были изготовлены рентгенорезисты с добавками Бе и Ое, чувствительных которых увеличилась в 3 - 5 раз на А1 - Ка-излучении.

1.4. Проведена опытная эксплуатация, коррекция конструкции установки «Рентгенотрон» и разработана лабораторная технология ф изготовления многослойных СБИС с размерами 0.5 - 1.0 мкм.

I.5. Впервые в стране совместно с НИИТМ и ФИАН на синхротроне С

- 60 создана установка для обеспечения экспонирования в пучках синхротронного излучения кремниевых пластинах и кварцевых ФШЗ размером до 150 мм. Разработан технологический процесс рентгеновского экспонирования в пучках СИ образцов с толщиной резиста 0.5 - 1.0 мкм производительностью до 3 пластин/час.

II. Разработана технология изготовления СБИС ЦМД емкостью 1-16 Мбит.

2.1. Разработан и введен в эксплуатацию технологический модуль по производству ПФО, ЭФШ, РФШ, оснащенный ЭЛУ "Отэлло-44", "Отэлло-1", системой машинного программирования СМП "Кулон-1" и "Кулон-4", фотоштампов AER, контрольно-измерительной и технологическими линиями, производительностью более 250 комплек тов в год. Впервые в отрасли проведено промышленное эксплуатационное испытание ЭЛУ "Отэлло-44", "Отэлло-1", проведена модернизация узлов, доработано программное обеспечение этих установок, что было использовано при изготовлении нового поколения установок ЭЛУ.

2.2. Разработаны и внедрены технологические процессы изготовления:

- ПФО, ЭФШ, бездефектных РФШ с 3х и 4х ПФО;

- шаблонов с увеличенным размером кристалла (20x20) мм и минимальным размером элементов (0,9 ± 0,1) мкм;

- рабочих фотошаблонов с размерами 0,5 - 1,0 мкм для фотолитографии с ГУФ с помощью электронной и рентгеновской литографии.

2.3. Разработана технология изготовления ЗУ на ЦМД по планарному варианту, включающая использование пористого и плотного анодирования коммутационного слоя, полиимидного лака как планаризирующего, изоляционного и защитного покрытия, слоев диэлектрика в качестве защитной маски пермаллоя при ИЛТ, позволяющая значительно повысить надежность работы приборов и расширить область устойчивой работы серийно выпускаемых приборов.

2.4. Разработана технология изготовления ЗУ на ЦМД с размером 0,51,0 мкм с помощью электронной, рентгеновской и оптической литографии с ГУФ, позволяющая достичь плотности записи информации 16 Мбит/см2 в экспериментальных образцах.

2.5. Показано, что из известных методов ПХТ предпочтительнее является плазмохимическое травление в планарном реакторе. С помощью методов литографии и ПХТ в Та, Nb, Si, Si02, полиимидном лаке сформированы субмикронные структуры с вертикальными стенками и размерами элементов 0,1 - 1,0 мкм.

III. Разработана технология изготовления структур микроэлектроники с размерами 0,1 - 0,5 мкм.

- Показано, что применением метода самоформирования и оптической литографии можно изготавливать структуры микроэлектроники: ЗУ на ЦМД с критическими размерами 0,2 - 0,3 мкм, кремниевые и арсенид -галлиевые МДП, ПТШ - транзисторы с длиной затвора < 0.1 мкм, магнитометры на эффекте Джозефсона с критическими размерами < 0,1 мкм, линии задержки на ПАВ с шагом 0.2 - 0.6 мкм.

Основное содержание диссертации опубликовано в работах, список которых приведен в конце диссертации. Общее число публикаций по теме - 59, в том числе : авторских свидетельств 21, НИР и ОКР-14.

Основное содержание диссертационной работы может быть сформулировано в виде следующих положений, которые и выносятся на защиту.

1. Разработана технология процесса контактной рентгенолитографии, включающая :

- разработка, изготовление, коррекция конструкций установок рентгеновской литографии : компактной установки с вращающимся анодом (А1, Си) - "Ренгенотрон" (к~ (0.8 - 1.3)нм), автоматического устройства экспонирования в пучках синхротронного излучения (синхротрон С - 60, 2,5 нм);

- разработка конструкций и технологии изготовления рентгеношабло-нов;

- исследование, расчеты сенсибилизации и синтез рентгенорезистов.

2. Впервые в стране разработана технология изготовления ПФО, ЭФШ, бездефектных РФШ с размерами 0,5 - 1,0 мкм методами оптической, электронной и рентгеновской литографии на отечественных установках ЭЛУ "Отэлло - 44", "Отэлло - 1" и разработанной установке экспонирования по шаблонным заготовкам размером до (153 х 153) мм в пучках синхротронного излучения

С - 60).

3. Разработана технология изготовления приборов микроэлектроники, с размерами 0,1 - 1,0 мкм, включающая:

- формирование резистивного рисунка схемы методами оптической, электронной и рентгеновской литографии,

- перенос изображения с минимальными уходами размеров ( < 0.05 мкм) в функциональные слои способами "сухого" и химического травления.

- формирование субмикронных структур в функциональных слоях, не заложенных в шаблоне, методами литографии и самоформирования.

5.7. Выводы

Рассмотренные в данной главе технологические маршруты изготовления магнитометров, ЗУ на ЦМД, МДП-транзисторов, линий задержки на ПАВ, дифракционных решеток и шаблонов для нанолитографии показывают, что использование таких возможностей метода самоформирования, как:

- способность формировать в процессе эволюции в объекте структуры, не заложенные в шаблоне;

- способность изготавливать только одной литографией без прецизионного совмещения субмикронные элементы;

- способность переносить изображение из одного слоя в другой с помощью соответствующих травителей с точностью ±0,1 мкм; и резистивных масок с упрощенной геометрией и большими размерами элементов, сформированных с учетом выработанных в результате моделирования процессов фотолитографии и химического травления рекомендаций, позволяет с успехом изготавливать приборы с размером элементов = 0,1 мкм, что ранее считалось возможным только для электронной и рентгеновской литографий.

Кроме того, использование метода самоформирования совместно с электронной или рентгеновской литографией позволяет формировать структуры с нанометровыми размерами элементов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Успехи, достигнутые в микроэлектронике, в значительной степени объясняются использованием литографических процессов и, как показано в настоящей работе, наиболее предпочтительной в производстве сверхбольших интегральных схем является рентгеновская литография, которая легко приспосабливается к уменьшению геометрии рисунка схемы, т.к. в зависимости от длины волны экспонирования может воспроизводить любые размеры топологии схем. Разработка технологии изготовления интегральных схем показала, что для изготовления ИС с размерами элементов 0.5-1 мкм могут применяться рентгенолитографические установки с вращающимся анодом (А1, 81, Си), а для СБИС с размерами 0.05 - 0.5 мкм -синхротронное излучение с X « 2.0 нм. Однако в настоящее время для изготовления СБИС с размерами до 0.25мкм. вне конкуренции остается все же оптическая фотолитография с применением источников с длиной волны X = 248 нм и 193 нм. А применение метода самоформирования и любой из литографий может быть с успехом использовано при создании приборов микроэлектроники с размерами до «0.1 мкм.

Разработанные в диссертационной работе технологические методы, процессы, оборудование и материалы могут быть доведены до промышленного уровня их применения в изготовлении изделий микроэлектроники с высокой степенью интеграции. Особенно актуальным представляется развитие работ по формированию быстродействующих МДП-транзисторов, приборов на основе эффекта Джозефсона, линий задержки на ПАВ с размерами элементов « 0.1 мкм. С другой стороны, работы по углублению результатов данной диссертации привели к необходимости использования методов нанотехнологии для получения сверхтонкого рисунка и сверхточного совмещения слоев в области размеров <0.5 мкм.

Методы быстроразвивающейся туннельной микроскопии могут быть успешно применены совместно с развитыми в диссертации для изготовления действующих приборов с рекордными параметрами уже на современном этапе.

Благодарности.

Считаю своим приятным долгом выразить глубокую благодарность моим коллегам и соавторам по научной работе, прежде всего Чиркину Генадию Константиновичу, многолетнее творческое общение с которым оказало на меня большое влияние при формировании как специалиста, Семину Юрию Федоровичу как основному помощнику и исполнителю всех разработанных идей, который не позволял остановиться на достигнутом и содействовал дальнейшему усовершенствованию начатых работ, а также Гревцеву Николаю Васильевичу, Скиданову Владимиру Александровичу, Барышеву Юрию Петровичу, Лукичеву Владимиру Федоровичу в содружестве с которыми получена часть результатов диссертации. Выражаю также глубокую признательность Орликовскому Александру Александровичу, участникам руководимого им семинара и сотрудникам его лаборатории за доброжелательное и критическое обсуждение ключевых исследований и помощь в проведении исследовательских работ.

Особую признательность выражаю Валиеву Камиль Ахметовичу за его постоянный интерес и поддержку всех работ выполняемых на протяжении моей научной деятельности, Якименко Михаилу Николаевичу, Александрову Юрию Михайловичу и коллективу лаборатории ЛЭВЭ ФИАН за совместное плодотворное сотрудничество, помощь в проведении исследовательских работ и дружеское участие в моей деятельности.

1. Чиркин Г.К. Исследование и разработка элементов и системы проектирования СБИС на ЦМД. Док. Дис. Москва. 1987.

2. Symp. On VLSI Tech., 1986, p. 9.

3. Solid State Technology, march 1995, p. 57 -62.

4. Валиев К.А., Орликовский A.A. Основные тенденции развития технологии СБИС. Электроника: наука, технология, бизнес. 1996, №5-6, с. 3-11

5. Валиев К.А. Физика субмикронной литографии. Москва. Наука. 1990, с. 528

6. Solid State Technology, 1986, Vol. 29, N 5, p. 249 -255.

7. Semiconductor International, 1987, Vol. 10, N 2, p. 54 -55.

8. Кириленко А.Г., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф.

9. Рентгенолитография в микроэлектронике. Зарубежнаярадиоэлектроника, 1980.№ 3, с. 36 57.

10. А. Zacharias, Solid St. Technol., 1981, Vol. 24, N 8, p. 57 59.

11. Y. Tarui, IEEE Trans, on El. Dev., 1980, Vol. ED 27, N 8, p. 1321 -1331.

12. L. Kreuzer, G.P. Hughes, C.La-Fiandra, Proc. SPIE, 1984, Vol. 471, p. 84 89.

13. Работы по созданию производственной установки рентгеновской литографии. Электроника, 1986, т. 59, № 6, с. 45 52.

14. В.Fay, Revue Technique Tomson-CSF, 1981, Vol. 13, N 3, p. 542 -575.

15. S. Harrel, Microelectronic Manufacturing and Testing, 1984, Vol. 7, » N1, p. 62-64.

16. Microelectronic Manufacturing and Testing, 1986, Vol. 9, N 8, p. 18.щ 16. Экспресс информация по зарубежной электронной технике. Вып.247 249 (5156 - 5158) от 21 - 25 декабря 1990 г.

17. Гош, Дис, Лидирующее положение ФРГ в области рентгенолитографии. Электроника, 1987, т. 60, с. 46 50.

18. Александров Ю.М.,Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф.

19. Рентгенолитография с использованием ускорителя С 60. Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции по прецизионной литографии. Москва. 1980, с.31.

20. Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Источники "мягкого" рентгеновского излучения в промышленном производстве СБИС. Электронная промышленность, 1980, № 5, с. 36 -41.

21. Боков Ю.С., Кривоспицкий А.Д., Лаврищев В.П., Мазуренко С.Н. Рентгенолитография и ее применение. Электронная промышленность. 1977, Вып. 6 (60), с. 93 99.

22. A.C. 1501841 (СССР). Способ получения рельефного изображения. Кривоспицкий А.Д., Мшенская Т.А., Селиванов Г.К., 1989.

23. Александров Ю.М., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Якименко М.Н. Использование синхротронного излучения в рентгеновской литографии. Электронная промышленность, 1980, вып. 5, с.41 -45.

24. Александров Ю.М., Кривоспицкий А.Д., Лаврищев В.П., Якименко М.Н. Использование синхротронного излучения в рнтгенолитографии. Письма в ЖЭТФ, 1979, том 5, вып. 14, с. 840.

25. Александров Ю.М., Кривоспицкий А.Д., Якименко М.Н. Рентгенолитография в пучках синхротронного излучения. УФН, 1977, т. 128, Вып. 1,с. 180.• 25. Якименко М.Н. УФН, 1974, т. 114, Вып.1, с.55

26. Кулипанов Г.Н., Скринский А.И. УФЫ, 1977,т. 122, Вып. 3, с. 369 -418.

27. E.Spillet, D.E. Eastman, R.Federetal, J.of Appl. Phys., 1970, Vol. 47, N 12, p. 5450.

28. W.Gudat. Desy Report, NSR-77/21, 1970.

29. D.Maydan; G.A.Coquin, J.R.Maldonado, S.Somekh, D.I.Lou, G.N.Taylor, High Speed Replication of Submicron Features on Large Areas by X-Ray Lithography, IEEE Tr.Electron Devices, vol.ED-22,p.429 (1975).

30. J.S.Greeneich, X-Ray Lithography Part II Pattern Replication with Polymer Masks, IEEE Tr.Electron Devices, ED-22.p.434.

31. W.D.Buckley, J.F.Nester, H.Windischmann, X-Ray Lithography Mask Technology, J.Electrochem.Soc.vol.l28.p.l 116 (1981).

32. B.B.Triplett, S.Jones, X-Ray LitographyiFabrication of Masks and Very Large Scale Itegrated (VLSI) Devices, Proe.SPIE, vol.333, p.l 18 (1982).

33. D.Maydan, G.A.Coquin, H.J.Levinstein, A.K.Sinha, D.N.K.Wang, Boron Nitride Mask Structure for X-Ray Lithography, J.Vac. Sci.Technol.,vol. 16, p.1959 (1979).

34. HP Gives Peek at X-Ray Aligner, Semiconductor Int., vol.17, May 1983.

35. D.Hofer, J.Powers, W.D.Grohman, X-Ray Litographic Patterning of Magnetic Bubble Circuits with Submicron Dimensions, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p.1968 (1979).

36. D.C.Flanders, X-Ray lithography at 100A Linewidths Using X-Ray Masks Fabricated by Shadowing Techniques, J.Vac.Sci. Technol., vol.16, p.1615.

37. T.Wada, S.Sakurai, K.Kawabuohi, Fabrication of Polyimide X-Ray Masks with High Dimensional Stability, J.Vac.Sci.Teehnol., vol.19, p.1207 (1981).

38. P.Parrens, E.Tabouret, M.C.Tacussel, Preparation of X-Ray Lithograph Masks with 0.1 mem Structures, J.Vao.Soi.Technol., vol.16, p. 1965 (1979).

39. D.C.Flanders, A.M.Hawryluk, H.J.Smith, Spatial Period Division a New Technique for Exposing Submicrometer Line - width Periodic and Quaaiperiodic Patterns, J.Vac.Sci.Technol., vol. 16, p. 1949 (1979).

40. B.M.Yong, J.D.Je, Fabrication of Polilmide Masks for X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol.19, p.1204 (1981).

41. T.Fqnayama, J.Takayama, T.Ynagaki, M.Nakamura, New X-Ray Mask of A1 A1203 Structure, J.Vac.Sci.Technol., vol.12, 9,1234, (1975).

42. E.Bassons, R.Feder, E.Spiller, J.Topelian, High Transmission X-Ray Masks for Lithographic Applications, Solid State Technol. vol.19, no.9, p.55, Sept. 1976.

43. K.Suzuki, J.Matsui, T.Kadota, T.Ono, Preparation of X-Ray Lithography Masks with Large Area Sandwich Structure Membrane, Japanese J.Appl.Phys., vol.17, p. 1447 (1976).

44. T.Ebata, M.Sekimoro, T.Ono, K.Suzuki, J.Matsui, S.Nakayama, Transparent X-Ray Lithography Masks, Japanese J.Appl.Phys., vol.21, p.762 (1982).

45. T.Ono, A.Ozawa, High Contrast X-Ray Mask Preparation, J.Vac. Sci.Technol., vol.B2, p.68 (1984).

46. H.J.Smith, S.E.Bernacki, Prospects for X-Ray Fabrication of Si IC Devices, J.Vao.Sci.Technol., vol.12, p.1321 (1975)

47. D.L.Spears, H.J.Smith, E.Stern, X-Ray Replication of Electron Microscope Generated Patterns, 5th lnt.Conf.on Electron and Ion Beam Sciense and Technology, p.80, (1972).

48. R.E.Acosta, J.R,Maldonado, L.K.Towart, J.R.Warlaumont, B-Si Masks for Storage Ring X-Ray Lithography, Proo. SPIE, vol. 448, p.l 14 (1983)

49. E.J.Bromley, J.N.Randall, D.C.Flanders, R.W. Mountain, A Technique for the Determination of Stress in Thin Films, J.Vac.Sci. Technol., vol.Bl, p. 1364 (1983).

50. K.Suzuci, J.Matsui, T.Torikai, SIN Membrane Masks for X-Ray Lithography, J.Vae.Sci.Technol., vol.20, p. 191 (1982).

51. L.Csepregi, A.Heuherger, Fabrication of Silicon Oxinitride Masks for X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p. 1962 (1979).

52. A.C.Adams, C.D.Capio, The Chemical Deposition of Boron-Nitrogen Films, J.Electrochem.Soc., vol.127, p.399 (1980).

53. B.B.Triplett, R.F.Hollman, X-Ray Lithography for VLSI, Tree. IEEE, vol.71, p.585 (1983).

54. A.C.Adams, C.D.Capio, H.J.Livinstem, A.K.Sinha, D.N.Wang Radiation Mask Structure, U.S.Patent 4, 171, 489 (1979).

55. S.Harrell, X-Ray Source Technology for Microlithography, Semicon.lnt., Sept. 1983.

56. P.Blais, T.O'Keefle, D.Tremere, M.Gresswell, A Practical System for X-Ray Lithography, SEMICON/West 1982.Tech.Prog.Proc., May 26-28, Son Mateo, CA.

57. D.E.Fraser, D.J.K.Lou, High-Resolution Sputter Etching U.S. Patent 3, 975, 252 (1976).

58. G.E.Georgiern, C.A.Yankosky, T.A.Palumbo, DC Electroplating of Submicron Gold Patterns on X-Ray Masks, Proc.SPIE, vol.471, p.96 (1984).

59. A.P.Neukermans, Status of X-Ray Lithography at HP, Proc.SPIE, vol. 393, p.93 (1983).

60. G.A.Coquin, J.R.Maldonado, D.Maydan, S.R.Somech, Mask Structures for X-Ray Lithography, U.S.Patent 4,037,111 (1977).

61. J.L.Bartelt, C.W.Slayman, J.E.Wood, J.Y.Chen, C.M.McKenna, C.P.Minning, J.F.Coaoley, R.E.Holman, C.M.Perrigo, Masked Ion-Beam Lithography: a Feasibility Demonstration for Submicrometer Device Fabrication, J.Vao.Sei.Technol., vol.19,p.1166 (1981).

62. H.Aritome, S.Matsui, K.Moyikawi, S.Namba, X-Ray Lithography by Synchrotron Radiation of the SOR-Ring Storage Ring, J.Vac.Sci.Technol., vol.16, p. 1939 (1979).

63. K.Kawabuchi, S.Sakurai, M.Yobhimi, High-Voltage Electron Beam Writing, Electronic Letters, vol.19, p.287 (1983).

64. T.Hayasaka, X-Ray Lithography, SEMI Technology Symp., 1982, Tokyo, Japan, Dec. 7-8.

65. K.Suzuki, J.Lida, J.Matsui, Fabrication of Submicron Au Patterns for X-Ray Masks Using an SIN Spacer, 21 st.Symp. on Semiconductors and IC Technology, 1981.

66. D.L.Broers, X-Ray Mask Fabrication, Proc.SPIE.vol.333.p.lll (1982).

67. F.Yamagishi, J.Nakamara, Y.Pnrukawa, Fabrication of Silicon-Polyimid Complex X-Ray Mask, Fujitsu Scientific and Technical Journal, p.85, Dec. 1980.

68. M.P.Lepselter, D.A.Alles, H.Y.Levinstein. G.E.Smith, H.A.Watson, A Systems Approach to 1-micrometer NNOS, Proc.IEEE, vol.71, p.640 (1983).

69. R.P.Jaeger, B.H.Heflinger, Linewidth Control in X-Ray Lithographyithe Influence of the Penumbral Shadow, Proc.SPIE, vol.471, P.l 10 (1984).

70. D.K.Atwood, G.J.Fisaniek, W.A.Jonnson, A.Wagner, Defect Repaire Techniques for X-Ray Masks, Proc. SPIE, p. 127 (1982).

71. P.A.Sullivan, J.H.MoCoy, Determination of Wavelength and Exication Voltage for X-Ray Lithography, IEEE, Trans.Electron Devices, vol.ED-23. p.412 (1976).

72. M.P.Lepseltor, H.J.Levinstein, D.Maydan, Mask Structure for X-Ray Lithography, US Patent 4, 253, 629 (1981).

73. T.Matsukawa, Mask System for X-Ray Lithography, Jap.Patent, applied for Aug. 9, 1976.

74. J.Saito, H.Yoshikawa, J.Watanabe, S.Nakayama, Submicron Patterns Replication Using a High Contrast Mask and Two-Layer Resist in X-Ray Lithography, J.Vac.Sci.Technol., vol.B2, p.63, (1984).

75. M.Sekimoto, H.Yoshikawa, T.Ohkubo, Silicon Single-Layer X-Ray Mask J.Vac.Sci.Technol., vol.21, p.1017 (1982).

76. А.с. № 588854 (СССР). Шаблон для рентгенолитографии. Кривоспицкий А.Д., Мазуренко Н.С. и др. -заявл. 1977.

77. А.с. № 830957 (СССР). Способ изготовления шаблона для рентгенолитографии. Кривоспицкий А.Д., Симонов В.А., Шокин Е.В. и др. заявл. 1981.

78. Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Некоторые особенности конструкции и технологии изготовления рентгеношаблонов Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, 1982, вып. 4(100), с. 97 100.

79. A.c. № 1586462 (СССР). Рентгеношаблон. Кривоспицкий А.Д., Спиваков Д.Д., Скиданов В.А. заявл. 1990.

80. Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка и внедрение технологического процесса изготовления фотошаблонов для изделий "Ц". Отчет по ОКР, НИИМВ, 1988, инв. № 4284.

81. Spller Е., Feder R. and Topallan J. Lithography and microscopy with X-ray. Physics in Technology, 1977, v. 8, № I, p. 22.

82. Taylor G. N. X-ray Reslsterlals. Solid State Technology, 1980, p. 7380.

83. Tompson L.F., Felt E.D., Bowden M.L., Lenso P.Y., Spencer E.G. Pollmeric Resist forX-ray Lltography J. Electrochem. Soc., v. 121, p. 1500-1502, 1974.

84. Mailer 1., Feder R., Hatzakis M., Spiler E. J. Electrochem. Soc., v. 126, p. 126, 1979.

85. Taylor G.N. X-ray Resist Trands. Solid State Teclulol., v. 27, № 6, p. 124-131, 1984.

86. Лаймен Д.Ж. Рентгенолитсграфия претендент на ведущую роль в производстве ПС с элементами субмикронного размера. Электроника, т. 58, № 25, с. 55-59, 1985.

87. New materials developed on Japan , Tokyo, p. 165, 1984.

88. Neukermans A.P., Status of X-ray litography at H-P- Proc. SPIE, v. 393, p. 93-98, 1983.

89. Патент США № 4556619, 1982.

90. Neukermans A.P. Current Status ofX-ray Lithography.- Solid State Technol., v. 27, № 9, p. 185-188, 1984.

91. Suzuki Y., Nobuguki Y.,Teruniko Y. Negative resists profiles in X-ray litography, J. Vac. Sci. Tec., v. 82, № 3, p. 301-305, 1984.

92. Choong H., K-ahn F.J. Polytclormethylstyrene: A higt performance X-ray resists. J. Vac. Sci. Techn., v. BI, № 4, p. 1066-1071, 1983.

93. Microelectronic Manuf. and Test,, v. 6, № 10, p. 67, 1983.

94. Electronics Abstr., v. 46, p. R/6736, 1980.

95. Solid State Techn., v. 21 , № 5, p. 79, 1980.

96. Semicond. Int., v. 3, № 5. p. 61, 1980.

97. Таруи Я., Основы технологии СБИС, М. Радио и связь, стр. 400, 1985.

98. Денек дзайре, v. 20, № 6, р. 173, 1981.

99. Леней дзайре, v. 22, № 7, р. 22, 1983.

100. Solid State Techh., v. 21 № 5, p. 79, 1980.

101. Oe буцури, т. 50, №11, стр. 121 1, 1981.

102. Semicond. Int., v. 7, № 13, p. 70, 1984.

103. Semicond. Int., v. 8, № 8, p. 242, 1984.

104. Tsllda M., Olkawa., Yasuta M. et al., Dry developed negative resist in synchrotron radiation lithography. J. Vac. Sei. Techn., v. 54, № I, p. 256-260, 1986.

105. А.с.890855 (СССР). Негативный рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А.Д. и др. заявл. 1981

106. Бронштейн И.М., Фрайман Б.С. Вторичная электронная эмиссия. "Наука", 1969.

107. Боков Ю.С., Кривоспицкий А.Д., Мазуренко С.Н. и др. Физические основы сенсибилизации рснтгенорезистов. Специальная электроника, сер. 3, Микроэлектроника, 1977, 2(31), с. 3-5.

108. Боков Ю.С., Кривоспицкий А.Д., Лаврищев В.П., Мазуренко С.Н. и др. Физические основы сенсибилизации рентгенорезистов. Тезисы III Всесоюзной научно-техн. конференции, Москва, с. 8, 1980.

109. Atomic Data and Nuclear Data Tables, 27, № I, p. I, 1982.

110. A.c. 671545 (СССР). Негативный рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А.Д. и др. заявл. 1979.

111. Кривоспицкий А.Д., Смирнова О.В., Чиркни Г.К. Улучшение литографических свойств рентгенорезистов на основе эффекта Оже.

112. Тезисы 1 Всесоюзной конференции "Физические и физико-химические основы микроэлектроники", Вильнюс, с. 19-20, 1987.

113. A.c. 884430 (СССР). Позитивный электроно- и рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А.Д. и др. заявл. 1981.

114. Александров Ю.М., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д. и др. Резисты в рентгенолитографии. Тезисы III Всесоюзной научно- техн. конференции, Москва, 1980, с. 23.

115. Корсаков B.C., Кривоспицкий А.Д., Кудряшов В.А., Лаврищев

116. B.П., Мазуренко С.Н. Влияние фото- и ожэ-электронов подложки на процесс экспонирования в рентгенолитографии. Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, 1978, 5(77), с. 19-25.

117. Кривоспицкий А.Д., Кудряшов В.А., Лаврищев В.П., Мазуренко

118. C.Н. Влияние фото- и Ожэ-электронов подложки на процесс экспонирования в рентгенолитографии. Тезисы III Всесоюзной научно-техн. конференции, Москва, 1980, с. 33.

119. Кривоспицкий А.Д., Мазуренко С.Н., Смирнова О.В., Яценко.

120. B.И. Фото- и Оже-эффект при облучении СИ полиимидной пленки. Тезисы 11 Всесоюзного семинара "Микро литография" Черноголовка, с. 32, 1988.

121. Ломов Л.С., Кривоспицкий А.Д., Чиркни Г.К. и др. Разработка микросхем на ЦМД диаметром 3 мкм емкостью 256 Кбит. Отчет по ОКР "Мера-1", НИИМВ, 1982, инв. № 3717.

122. A.c. № 1086953 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Антонов A.B., Грибов B.C., Дьяков Ю.Н., Иванов С.И., Кривоспицкий А.Д., Чиркни Г.К. заявл. 1983.

123. A.c. № 1103724 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Кривоспицкий А.Д., Новиков С.И., Иванов

124. C.И., Антонов A.B. заявл. 1984щ 125. A.c. № 1137925 (СССР). Способ изготовления магнитныхинтегральных схем. Кривоспицкий А.Д., Новиков С.И., Иванов С.И., Антонов A.B. заявл. 1984.

125. Ломов Л.С., Кривоспицкий А.Д., Чиркни Г.К. и др. Разработка микросхем на ЦМД емкостью 256 Кбит, с повышенными характеристиками- Отчет по ОКР "Мера-1М", НИИМВ, 1983, инв. № 3906.

126. Спиваков Д. Д., Кривоспицкий А. Д. и др. Разработка и исследование БИС на ЦМД в планарном варианте. Отчет по НИР "Мера-2П" НИИМВ, 1983, нив. № 3870.

127. Кривоспицкий А.Д., Сорокин М.В., Чиркни Г.К. Разработка и запуск модуля по производству ПФО на базе ЭЛУ "Оталло-44" -отчет по ОКР "Мул", НИИМВ, 1984, Г.р. № У 947-26.

128. Кривоспицкий А.Д., Сорокин М.В., Чиркни Г.К. Разработкатехнологического модуля для микросхем типа К1605РЦ1 и К1605РЦ2 производительностью 250 комплектов в год отчет по ОКР "Мул-1", НИИМВ, 1985, Г.р. Л" Ф 22525.

129. A.c. № 1316432 (СССР). Способ формирования изображения в светочувствительном слое. Архипов А.И., Кривоспицкий А.Д., Сорокин М.В., Чиркни Г.К. заявл. 1985.

130. Пресс Ф.П. Фотолитографические методы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем. "Сов, радио", с. 76, 1978.

131. A.c. № 855792 (СССР). Кл. Н OIL 21/312, заявл. 1979.

132. Кривоспицкий А.Д., Чиркни Г.К. и др. Разработка технологии электронной литографии для изготовления БИС на ЦМД емкостью• 1-4 Мбит. Отчет по НИР "Мол", НИИМВ, 1983, Г.р. № Ф166693.

133. Ф 134. Кривоспицкий А.Д., Сорокин М.В. и др. Разработкасубмикронной технологии для изготовления БИС на ЦМД емкостью 1-16 Мбит. Отчет по НИР "Метель", НИИМВ, 1985, инв. № 3970.

134. Миляев Ю.К., Кривоспицкий А.Д. и др. Исследование возможности изготовления микросхемы с площадью кристалла более 3 см2 и разрешением порядка 0,8 мкм. Отчет по НИР, НИИМВ, 1986, инв. № 1045/9.

135. Миляев Ю.К., Кривоспицкий А.Д. и др. Разработка изделий "Ц," на кристаллах общей площадью более 2 см2. Отчет по НИР. НИИМВ, 1986, Г.р. № Ф 26662.

136. Миляев Ю.К., Кол санов В. В., Кривоспицкий А.Д. и др. Разработка изделий "Ц" емкостью 512 у.е. Отчет по НИР, НИИМВ. 1987. инв. № 1013.

137. A.c. № 1169486 (СССР). Способ изготовления магнитных интегральных схем. Кривоспицкий А.Д., Колсанов В.В., Миляев Ю.К., Чиркни Г.К. заявл. 1984.

138. Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка лабораторной технологии формирования рисунка с размером <0,5мкм. Отчет по НИР, НИИМВ, 1991, инв. №4451

139. Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д. Критерии чистоты в производстве СБИС и перспективы субмикронной литографии, Электронная промышленность, вып. 10(178), 1988.

140. Залуцкий С.Н., Мартынов В.В., Никитин A.B., Уманцева Е.В. Фотолитография на пути к разрешению в 100 нанометров -Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, вып. 1 (146), стр.• 15, 1992.

141. Березин Г.Н., Никитин А.В., Сурис Р.А. Дифракционное фокусирование в фотолитографии Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, вып. 1 (85), с. 37-41, 1980.

142. Янушонис С.С. Самоформирование в полупроводниковой технологии. Вильнюс, 1985.

143. Климашаускас К.Ю., Шеркувене В.К., Янушонис С.С. Самоформирование структур в технологии изготовления интегральных схем Электронная промышленность, вып. 1(85), с. 10-12, 1980.

144. Goel J. Method of making a short gate field effect transistor Патент 4.31 1.533 (США), 1979, Int. CI. A 01 L 21/28.

145. Lmld C.A. et al. Method of quaking self-aligned device Патент 4.319.395 (США), 1982, Int. CI. H 01 L 21/441.

146. Umebachi S. et al. Junction gate type GaAs field-effect transistor and method of forming ~ Патент 4.075.652 (США), 1978, Int. CI. H 01 L 29/80.

147. Tetsushl Sakal et al. High speed bipolar IC's using super self-aligned process technology Proceedings of the 12th Conference on Solid State Devices, Tokyo, p. 155-159, 1980.

148. Tetsushi Sakal et al. Elevated electrode integrated circuits IEEE Trans, on Electr. Dev, v. ED-26, № 4, p. 379-382, 1979.

149. Hideyuki Matsuoka et al. Mesoscopic transport In Si metal-oxide semiconductor field-effect transistors with dual-gate structure J. Appl. Phys., I November, v. 76(9), p. 55-61, 1994

150. Илькаев Д.P., Кривоспицкий А.Д., Окшин А.А., Орликовский А. А., Семин Ю.Ф. Нестандартные методы формирования субмикронных структур в микроэлектронике. Микроэлектроника, т. 25, № 5, с. 339-345, сентябрь-октябрь 1996.

151. Dill F.H., Hornberger W.P., Hange P.S. et al. Characterization of Positive Photoresists IEEE Trans, on Electr. Dev., v. ED-22, No 7, p. 455-459, 1975.

152. Macu C.A. Development of Positive Photoresists J. Electrochem. Soc.,№ t.p. 148-152, 1987.

153. Jevett R.E., Haquuuel Р.1., Neureutha' A.R. et al. Line Profile Resist Development Simulation Techniques Polym. Eng. Scl., v. 17, № 6, p. 381-384, 1977.

154. Барышев Ю.П., Валиев K.A., Дмитриев JI.JI., Кривоспицкий А.Д., Лукичев В.Ф., Лукьянова И.Ю., Орликовский A.A. Джозефсоновские субмикронные мостики переменной толщины Nb-AI-Nb Микроэлектроника, том. 16, выл. 2, с. 186, 1987.

155. Ono R.H., Savauge J.E., Jain Л.К., Schwarts B.D., Springer К.Т., Lukens J.E. J. Vac. Scl. Technol., v. B3, № I, p. 282, 1985.

156. De Lozanne A.L., Auk-law W.J., Beasley M.R. Proc. 17 Int. Conf. on Low Temp. Phys., pt. I, p. 19, 1984.

157. K-odoma J., Hontsu et al. J. Appl. Phys., v. 54, № 6, p. 3295, 1983.

158. Скиданов В.А. Область устойчивой работы каналов продвижения ЦМД на основе ассиметричных шевронов. Микроэлектроника, том 20, вып. 6, с. 545-553, 1991.

159. Kodama N, Toyooka Т, Takeuchl Т, Takeshlta М, Suzuki R. A new Junction Design on a Permalloy Comer Pattern for Ion-implanted and Permalloy Hybrid Bubble Memory Devices IEEE Trans, on Magn., vol. 28, №4, pp. 1978-1983, 1992.

160. Березин Г.Н., Никитин A.B., Сурис P.A. Оптические основы контактной литографии Москва, 1982.

161. Барышев Ю.П. Роль ионно-возбуждаемых гетерогенных процессов в ПХТ материалов микроэлектроники. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н. -Москва, 1988.

162. Барышев Ю.П., Кривоспицкий А.Д., Орликовский A.A., Пискун Н.Ю. 60-нанометровые тренчи в SiCh, полученные ПХТ. Микроэлектроника, т. 23, вып. 5, 1994.