автореферат диссертации по электронике, 05.27.07, диссертация на тему:Исследование рентгенолитографических процессов и разработка оборудования для получения структур субмикронных размеров

J

На правах рукописи

СЕМИН Юрий Федорович

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕНТГЕНОЛИТОГРАФИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ И РАЗРАБОТКА ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУР СУБМИКРОННЫХ РАЗМЕРОВ

Специальность 05.27.07: Оборудование производства электронной техники

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва, 1998 г.

Работа выполнена в Физико-технологическом институте Российской Академии Наук.

Научный руководитель - доктор технических наук

А.Д. Кривоспицкий

Официальные оппоненты: доктор технических наук,

профессор П.Е. Кандыба; кандидат физ.-мат. наук В.А. Скиданов.

Ведущая организация - Институт проблем технологии

микроэлектроники РАН

Защита состоится «__»_1998 г. на заседании

диссертационного совета Д.053.02.04 в Московском государственном институте электронной техники по адресу: 103498, Москва К-498, Московский государственный институт электронной техники (МИЭТ)

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МИЭТ.

Автореферат разослан «22» декабря 1997 г.

Ученый секретарь диссертационного совета к.т.н., доцент

Б.Г. Виноградов

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Микроэлектроника является катализатором научно-технического прогресса для всех важнейших отраслей промышленности и науки, а уровень развития и объемы производства ее основных изделий - интегральных схем (ИС) во многом характеризуют экономический и оборонный потенциал страны.

Ключевой технологической проблемой микроэлектроники в ближайшем десятилетии является освоение промышленного производства сверхбольших и ультрабольших интегральных схем (СБИС и УБИС) со степенью интеграции 10 - 108 элементов на кристалл, минимальным размером элементов до 0,25 мкм и площадью кристалла до 2 см . Поэтому создание оборудования со стабильными и высокими технологическими характеристиками, обеспечивающими получение ИС с элементами субмикронных размеров при высоких показателях выхода годных, является основой в разработке и освоении промышленного производства СБИС и УБИС 1

Существенное место в технологии микроэлектроники при создании субмикронных СБИС занимает процесс литографии, который, в основном, и определяет реализуемые минимальные размеры элементов.

Требование совершенствования литографических процессов с целью достижения высоких технологических характеристик в производстве при хороших воспроизводимости и стабильности делает крайне актуальной в микроэлектронике проблему разработки нового литографического оборудования, в частности, субмикронных рентгенолитографических систем на базе источников мягкого рентгеновского излучения (МРИ) различного типа: точечных электронно-лучевых, источников синхротронного излучения (СИ) и плазменных.

Цель работы - разработка оборудования рентгеновской литографии для производства перспективных СБИС и УБИС с субмикронными размерами элементов и оценка его технологических возможностей.

Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи исследований:

1. Исследовать возможности применения флуоресцентного МРИ в рентгеновской литографии.

2. Проанализировать использование и провести выбор оптимального точечного источника МРИ с электронно-лучевым возбуждением для рентгенолитографической системы.

3. Проанализировать влияние на спектр СИ фильтров из материалов, используемых в рентгеновской литографии.

4. Рассчитать параметры источника СИ, оптимизированного для целей рентгеновской литографии и оценить соответствие оптимизированного источника СИ требованиям рентгенолитографического процесса.

5. Провести исследование технологических возможностей разработанного спецоборудования для рентгеновской литографии с применением СИ.

6. Разработать требования и критерии построения плазменного электроразрядного источника МРИ для рентгеновской литографии.

7. Разработать средства регистрации параметров процесса разряда и МРИ для плазменного электроразрядного источника

8. Провести экспериментальные исследования и оценку технологических возможностей разработанного плазменного источника на предмет его пригодности для создания промышленной рентгенолитографической системы.

Научная новизна работы:

Впервые в мире теоретически исследована возможность использования в рентгеновской литографии флуоресцентного МРИ и установлено, что его применение целесообразно только в случае повышения чувствительности рентгенорезистов на два-три порядка.

На основе выполненного анализа возможностей различных типов электронно-лучевых точечных источников МРИ для реализации требуемых параметров рентгенолитографической системы показано, что оптимальным источником для рентгенолитографической системы является установка с вращающимся алюминиевым анодом, обеспечивающая необходимые время экспонирования и разрешение при приемлемых толщинах вакуумных окон, мембран шаблонов и поглотителей.

В результате анализа характеристик оптимизированного для рентгенолитографии источника СИ, рассчитаны параметры электронного накопительного кольца - оптимального источника СИ для рентгенолитографии и показано, что в качестве оптимизированного технологического источника СИ для рентгеновской литографии можно принять накопительное кольцо с полем отклоняющих магнитов Н = 12 кЭ, энергией электронов Е-0,8 ГэВ и током электронов на орбите /= 1 А.

Разработаны алгоритмы и создан комплекс компьютерных программ (CONTRAST, RIN-RAN-DOZA), имеющих самостоятельное научное и практическое значение, которые позволяют рассчитывать контраст рентгеношаблонов, спектры излучения и другие характеристики для разнообразных материалов и источников, применяемых в рентгеновской литографии.

Практическая ценность работы состоит в том, что разработанные методы и оборудование позволяют изготавливать ИС со структурами с размером 0,1 - 1,0 мкм при существующих материалах и оборудовании и могут быть развиты до уровня промышленного применения.

Разработана и изготовлена первая отечественная ренггенолитографическая система 09ФСР-1-001 "Рентгенотрон" на базе источника рентгеновского излучения со сменными вращающимися анодами из меди и алюминия, оснащенная автоматической системой совмещения (точность 0,2 мкм) и обеспечивающая формирование топологических структур интегральных схем с размером элементов 0,5-1,0 мкм (разрешение 0,1 мкм).

Впервые в стране разработано и запущено в эксплуатацию на синхротроне С-60 (ЛЭВЭ ФИАН) спецоборудование для рентгенолитографии в пучке СИ, обеспечивающее формирование топологических структур интегральных схем с размером элементов 0,1-0,5 мкм (разрешение 0,01 мкм) и включающее в себя специализированный технологический канал СИ, рентгенолитографический автомат, который проводит экспонирование кремниевых пластин в кассете емкостью 25 шт. в автоматическом режиме с управлением от ЭВМ и полуавтомат тиражирования рабочих фотошаблонов для ГУФ-литографии, позволяющий изготавливать фотошаблоны размерами 102x102,

127x127 и 153x153 мм (несколько десятков с одного эталонного рентгеношаблона) с высоким, коэффициентом выхода годных и превосходным воспроизведением минимальных размеров элементов схем.

Разработан и изготовлен плазменный источник мягкого рентгеновского излучения, включающий в себя источники питания основного и поджигающего разрядных контуров, обеспечивающие работу установки на частотах до 10 Гц. По имеющимся литературным данным работы по исследованию рентгеновских характеристик искрового разряда на таких частотах не проводились, а именно на этом пути возможно создание источника, практически пригодного для промышленной рентгенолит'ографической системы.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Теоретическое исследование возможности использования в рентгеновской литографии флуоресцентного МРИ.

2. Анализ возможностей различных типов электронно-лучевых точечных источников МРИ с точки зрения реализации требуемых параметров рентгенолитографической системы, демонстрирующий, что оптимальным источником для рентгенолитографической системы является установка с вращающимся алюминиевым анодом, обеспечивающая заданные время экспонирования и разрешение при приемлемых толщинах вакуумных окон, мембран шаблонов и поглотителей.

3. Анализ характеристик оптимизированного для рентгенолитографии источника СИ, показывающий, что в качестве оптимизированного технологического источника СИ для рентгеновской литографии можно принять накопительное кольцо с полем отклоняющих магнитов Н = 12 кЭ, энергией электронов £=0,8 ГэВ и током электронов на орбите /= 1 А.

4. Результаты разработки и экспериментального исследования первой отечественной рентгенолитографической системы 09ФСР-1-001 "Рентгенотрон" на базе источника рентгеновского излучения со сменными вращающимися анодами из меди и алюминия, оснащенной автоматической системой совмещения (точность 0,2 мкм) и обеспечивающей формирование топологических структур интегральных схем с размером элементов 0,5-1,0 мкм (разрешение 0,1 мкм).

5. Разработано и экспериментально исследовано на синхротроне С-60 (ЛЭВЭ ФИАН) спецоборудование для рентгенолитографии в пучке СИ, включающее в себя специализированный технологический канал СИ, рентгенолитографический автомат, обеспечивающий экспонирование кремниевых пластин в кассете емкостью 25 шт. в автоматическом режиме с управлением от ЭВМ и полуавтомат тиражирования рабочих фотошаблонов для ГУФ-литографии, позволяющий изготавливать фотошаблоны размерами 102x102, 127x127 и 153x153 мм (несколько десятков с одного эталонного рентгеношаблона) с высоким, коэффициентом выхода годных и превосходным воспроизведением минимальных размеров элементов схем.

6. Выработаны требования и критерии построения, разработан и экспериментально исследован плазменный источник мягкого рентгеновского излучения, включающий в себя источники питания основного и поджигающего разрядных контуров, обеспечивающие работу установки на частотах до 10 Гц, пригодный для создания практической промышленной рентгенолитографической системы.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на научных семинарах НИИФП, НИИТМ, НИИМВ и ФТИАН, на III Всесоюзной научно-технической конференции "Прецизионная литография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем", Москва, 1980, на I межведомственном совещании "Рентгеновские методы в современной микроэлектронике", Черноголовка, 1982, на I и II Всесоюзных семинарах "Микролитография", Черноголовка, 1985 и 1988 гг., на II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика - 97" Зеленоград, 1997.

Публикации. Результаты диссертационной работы изложены в 5-ти статьях, 1-ом авторском свидетельстве, тезисах 9-ти докладов на конференциях и 9-ти отчетах по НИР и ОКР.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованной литературы и приложения. Содержание диссертации изложено на 143 страницах машинописного текста и иллюстрируется 47 рисунками и 13 таблицами к основному тексту, список литературы включает в себя 84 наименования.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении дается общая характеристика работы, обосновывается актуальность темы, формулируются цель и задачи работы, определяются структура и объем диссертации, излагаются выносимые на защиту научные результаты.

Первая глава содержит аналитический обзор представленных в библиографии работ, посвященных использованию источников МРИ различных типов в разработке оборудования для рентгеновской литографии [1, 14].

Проведен анализ основных соотношений схемы рентгенолитографического экспонирования и показано, что при выборе оптимального источника для рентгенолитографической системы необходимо учитывать соотношение между полутеневым размытием, геометрическими искажениями, временем экспонирования и характеристиками используемого источника МРИ. Получены выражения, связывающие плотность потока рентгеновского излучения на поверхности рентгенорезиста 1тах с параметрами рентгенолитографической системы, которые позволяют, задавшись необходимыми характеристиками рентгенолитографической системы (время экспонирования, разрешение Е и т.д.), определить требуемый для их реализации набор параметров.

На пути реализации полной рентгенолитографической системы имеются определенные трудности при разработке всех компонентов, входящих в систему (источника МРИ, системы совмещения, шаблона, рентгенорезиста). Однако, определяющую роль в рентгенолитографических системах играют источники МРИ, т.к. именно от них зависят, в основном, такие основополагающие характеристики, как; разрешение и производительность. Используемые в рентгенолитографии источники МРИ можно разделить на три основные категории:

- источники характеристического рентгеновского излучения с электронно-лучевым возбуждением на базе установок с вращающимся и стационарным анодами;

- источники СИ на базе синхротронов или накопительных колец;

- плазменные источники мягкого рентгеновского излучения на базе либо лазерной плазмы, либо плазмы электрического разряда.

На основе всех этих трех типов источников в настоящее время во всем мире проводятся интенсивные исследования по разработке высокопроизводительных рентгенолитографических систем. При этом наиболее далеко продвинулись работы по созданию рентгенолитографических систем на базе источников характеристического излучения, которые уже близки к передаче в промышленное производство. Системы на базе источников СИ сейчас находятся в стадии разработки, а системы на базе плазменных источников - в стадии лабораторных исследований.

Вторая_глава посвящена разработке

рентгенолитографической системы на базе источника характеристического рентгеновского излучения [2, б, 8,10, 13, 1516, 19-21].

Выполнены расчеты для оценки возможности использования флуоресцентного рентгеновского излучения в рентгенолитографии. Предлагалось использовать для экспонирования рентгенорезиста вторичное мягкое флуоресцентное рентгеновское излучение возбуждаемое жестким первичным излучением в слое вещества "вторичного излучателя" (М§, А1, Бь Б, С1, К, Са), нанесенном на мембрану рентгеношаблона в пробельных участках рисунка поглотителя или на ее обратную сторону: Для оценки интенсивности мягкого флуоресцентного излучения различных материалов произведен расчет интенсивности вторичного спектра с учетом поглощения во вторичном излучателе, геометрических условий эксперимента и некоторых атомных констант вещества излучателя. Показано, что интенсивность флуоресцентного излучения в 10 - 10 раз меньше интенсивности первичного возбуждающего излучения. Установлено что вследствие несколлимированности вторичного флуоресцентного излучения имеет место существенная засветка резиста под золотыми элементами рентгеношаблона и контрастность изображения резко ухудшается, что в целом приводит к заключению о нецелесообразности использования флуоресцентного МРИ.

Проведен анализ возможностей различных типов электронно-лучевых точечных источников МРИ для обеспечения требуемых параметров рентгенолитографической системы. При оценке различных источников проведено сравнение их возможностей для обеспечения необходимых для промышленного производства времени экспонирования (менее 1 мин для резиста чувствительностью 5 Дж/см3), контраста шаблонов (более 10) и разрешения (длины эффективного пробега вторичных электронов). Была проведена также оценка мощностных ограничений для анодов различных типов. Показано, что оптимальным источником для рентгенолитографической системы с требуемыми параметрами является установка с вращающимся алюминиевым анодом, обеспечивающая заданные время экспонирования и разрешение при приемлемых толщинах вакуумных окон, мембран шаблонов и поглотителей.

На основе результатов теоретических исследований разработана и изготовлена рентгенолитографическая система 09ФСР-1-001 "Рентгенотрон" на базе источника рентгеновского излучения со сменными вращающимися анодами из меди и алюминия (0,834 нм - А1к и 1,33 нм - Си^, оснащенная автоматичеекой системой совмещения (точность 0,2 мкм) и обеспечивающая формирование топологических структур интегральных схем с размером элементов 0,5 - 1,0 мкм (разрешение 0,1 мкм).

Разработана технология изготовления рентгеношаблонов с мембранами из полиимида, легированного бором кремния, а также с комбинированными мембранами из полиимида и легированного бором кремния. Из трех вышеперечисленных типов шаблонов наилучшие характеристики (прочность, геометрическую стабильность и т.д.) продемонстрировал рентгеношаблон с комбинированной мембраной из 1 мкм кремния и 1-2 мкм полиимида, который может использоваться как в случае точечных источников характеристического излучения, так и для СИ.

Проведено исследование возможностей использования различных материалов в качестве поглощающего слоя на рептгеиошаблоне и показано, что для этих целей удовлетворительно могут использоваться, помимо золота, такие металлы, как вольфрам, тантал или рений. Для оценки контраста

шаблонов с различными материалами поглощающего слоя разработана специальная программа CONTRAST, которая обеспечивает расчет контраста рентгеношаблонов в диапазоне длин волн 0,1-10 нм для любой заданной толщины поглощающего слоя из материала, данные о значениях массового коэффициента поглощения рентгеновского излучения которого имеются в памяти ЭВМ. Программа позволяет рассчитывать контраст для таких материалов, как эрбий, гафний, тантал, вольфрам, рений, осмий, иридий, золото, платина и уран, однако расширение этой группы материалов не представляет особой сложности. С целью повышения геометрической стабильности шаблонов с поглощающим слоем из этих металлов предложен метод снижения уровня остаточных механических напряжений в пленках поглотителя за счет использования подслоя молибдена, обеспечивающего компенсирование этих напряжений. Устойчивое формирование прецизионных слоев с субмикронными размерами элементов и допустимой погрешностью ± 0,1 мкм по всей рабочей пластине, проведенные исследования по совмещаемости непосредственно рентгеновской установки и комплекта рентгеношаблонов, дают основания сделать вывод, что разработанная рентгенолитографическая система "Рентгенотрон" позволяет реализовать лабораторную технологию изготовления многослойных СБИС с размерами элементов 0,5-1,0 мкм

В третьей главе излагаются результаты разработки спецоборудования для рентгенолитографии в пучке СИ [3-5, 7, 9, 11-12, 17,22-24].

Проведен анализ влияния на спектр СИ (на примере синхротрона С-60) фильтров из материалов, наиболее часто используемых в ренгенолитографических процессах, обеспечивший базу данных для расчета характеристик оптимизированного для рентгенолитографии источника СИ. Проведен анализ требуемых характеристик оптимизированного для рентгенолитографии источника СИ и рассчитаны параметры электронного накопительного кольца - оптимального источника СИ для рентгенолитографии. Показано, что в качестве оптимизированного технологического источника СИ для рентгеновской литографии можно принять накопительное кояьуо с полем отклоняющих магнитов II = 12 кЭ, энергией электронов Е =

0,8 ГэВ и током электронов I = 1 А. Проведена оценка спектральных характеристик оптимизированного источника СИ и показано хорошее их соответствие требованиям рентгенолитографического процесса, обеспечивающее при использовании позитивных рентгенорезистов создание СБИС с размерами элементов 0,5-0,05 мкм при приемлемой в промышленности производительности.

Разработано и запущено в эксплуатацию на синхротроне С-60 (ЛЭВЭ ФИАН) спецоборудование для рентгенолитографии в пучке СИ, включающее в себя специализированный технологический канал СИ, рентгенолитографический автомат, обеспечивающий экспонирование кремниевых пластин в кассете емкостью 25 шт. в автоматическом режиме с управлением от ЭВМ и полуавтомат тиражирования рабочих фотошаблонов для ГУФ-литографии.

Разработанный канал СИ представляет собой безлинзовую рентгенооптическую вакууммированную систему длиной около 22 м и предназначен для транспортировки синхротронного излучения из камеры ускорителя к основной рентгенолитографической установке, размещенной в конце канала, и вспомогательным ' исследовательским и технологическим установкам, расположенным на боковых ответвлениях канала СИ. Ось канала совпадает с касательной к орбите электронов в камере синхротрона.

Разработанный РЛА обладает следующими техническими характеристиками:

- диаметр экспонируемых пластин - 76 и 100 мм;

- количество пластин в кассете камеры - 25 шт.;

- цикл экспонирования пластины - полностью автоматический;

-диапазон регулировок шага перемещения комплекса шаблон-пластина в процессе экспонирования - 0,1-10 мм;

- прижим рентгеношаблона - электромагнитный.

Разработанный на базе экспериментальной камеры

специализированного технологического канала СИ на синхротроне С-60 полуавтомат тиражирования рабочих фотошаблонов для ГУФ-литографии позволяет. изготавливать фотошаблоны размерами 102x102, 127x127 и 153x153 мм (несколько десятков с

одного эталонного рентгеношаблона) с высоким коэффициентом выхода годных и превосходным воспроизведением минимальных размеров элементов схем.

В процессе опытной эксплуатации разработанного оборудования для рентгенолитографии с применением СИ проведен цикл исследования резистивных материалов, разработана методика аттестации рентгенорезистов, разработан пакет программ КШ-ЛАИ, который позволяет рассчитывать как "чистый" спектр СИ, так и спектр излучения после его прохождения через фильтры из различных материалов заданной толщины, теоретическое угловое распределение СИ, а также дозы экспонирования в заданном интервале длин волн для определенной геометрии эксперимента.

Результаты проведенных теоретических и

экспериментальных исследований показали бесспорную перспективность использования СИ для рентгенолитографической технологии производства перспективных СБИС и УБИС с размерами элементов порядка 0,05-0,5 мкм.

В четвертой главе представлены разработка и экспериментальные исследования плазменного электроразрядного источника МРИ с точки зрения оценки возможности ёго использования в составе рентгенолитографической промышленной системы [18].

Сформулированы требования к плазменному источнику мягкого рентгеновского излучения на основе малоиндуктивной вакуумной искры, разработан и изготовлен макет плазменного источника мягкого рентгеновского излучения, включающий в себя источники питания основного и поджигающего разрядных контуров, обеспечивающие работу установки на частотах до 10 Гц. По имеющимся литературным данным работы по исследованию рентгеновских характеристик искрового разряда на таких частотах не проводились, а именно на этом пути возможно создание источника, практически пригодного для промышленной рентгенолитографической системы.

Разработаны средства осциллографической регистрации производной тока разряда (контроль с помощью магнитного зонда), дозиметрические средства регистрации параметров

рентгеновского излучения и оптические средства регистрации наличия и положения излучающей области в канале разряда.

Проведены экспериментальные исследования макета плазменного источника рентгеновского излучения, показавшие высокую эффективность преобразования электрической энергии в рентгеновское излучение (КПД до 4%). Источник позволяет проводить экспонирование негативных резистов за время менее 5 сек, что свидетельствует о весьма благоприятных перспективах его использования при создании промышленных

рентгенолитографических систем и подтверждается такими его свойствами, как высокая интенсивность, малый размер излучающей области, хороший КПД преобразования электрической энергии в энергию рентгеновского излучения и пр. Тем не менее, плазменные источники рентгеновского излучения на сегодняшний день разработаны в гораздо меньшей степени, чем электронно-лучевые или источники СИ, и прежде чем использовать их в качестве основы промышленной рентгенолитографической системы, необходимо

совершенствование плазменного источника с точки зрения обеспечения стабильности и регулируемости процессов разряда, Общие основные результаты и выводы:

1. Впервые теоретически исследована возможность использования в рентгеновской литографии флуоресцентного МРИ и показано, что его применение целесообразно только в случае повышения чувствительности рентгенорсзистов на два-три порядка.

2. Проведен анализ возможностей различных типов электроннолучевых точечных источников МРИ с точки зрения реализации требуемых параметров рентгенолитографической системы, показавший что оптимальным источником для рентгенолитографической системы является установка с вращающимся алюминиевым анодом, обеспечивающая необходимые время экспонирования и разрешение при приемлемых толщинах вакуумных окон, мембран шаблонов и поглотителей.

3. Впервые в мире проведен анализ характеристик оптимизированного для рентгенолитографии источника СИ, позволивший рассчитать параметры электронного накопительного кольца - оптимального источника СИ для рентгенолитографии и показать, что в качестве

оптимизированного технологического источника СИ для рентгеновской литографии можно принять накопительное кольцо с полем отклоняющих магнитов Я = 12 кЭ, энергией электронов £=0,8 ГэВ и током электронов на орбите /= 1 А.

4. Разработана и экспериментально исследована первая отечественная рентгенолитографическая система 09ФСР-1-001 "Рентгенотрон" на базе источника рентгеновского излучения со сменными вращающимися анодами из меди и алюминия, оснащенная автоматической системой совмещения (точность 0,2 мкм) и обеспечивающая формирование топологических структур интегральных схем с размером элементов 0,5-1,0 мкм (разрешение 0,1 мкм).

5. Впервые в стране разработано и запущено в эксплуатацию на синхротроне С-60 (ЛЭВЭ ФИАН) спецоборудование для рентгенолитографии в пучке СИ, включающее в себя специализированный технологический канал СИ, рентгенолитографический автомат, обеспечивающий экспонирование кремниевых пластин в кассете емкостью 25 шт. в автоматическом режиме с управлением от ЭВМ и полуавтомат тиражирования рабочих фотошаблонов для ГУФ-литографии, позволяющий изготавливать фотошаблоны размерами 102x102, 127x127 и 153x153 мм (несколько десятков с одного эталонного рентгеношаблона) с высоким, коэффициентом выхЬда годных и превосходным воспроизведением минимальных размеров элементов схем.

6. Впервые в мире разработан и экспериментально исследован плазменный источник мягкого рентгеновского излучения, включающий в себя источники питания основного и поджигающего разрядных контуров, обеспечивающие работу установки на частотах до 10 Гц. По имеющимся литературным данным работы по исследованию рентгеновских характеристик искрового разряда на таких частотах не проводились, а именно на этом пути возможно создание источника, пригодного для промышленной рентгенолитографической системы.

7. Разработаны алгоритмы и создан комплекс компьютерных программ (CONTRAST, RIN-RAN-DOZA), имеющих самостоятельное научное и практическое значение, которые позволяют рассчитывать контраст рентгеношаблонов, спектры излучения и другие характеристики для разнообразных материалов и источников, применяемых в рентгеновской литографии.

Основное содержание диссертации опубликовано в

следующих работах:

1. Кириленко А.Г., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Рентгенолитография в микроэлектронике. - Зарубежная радиоэлектроника, 1980, № 1, с. 36-57.

2. Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Источники мягкого рентгеновского излучения в промышленном производстве СБИС. - Электронная промышленность, 1980, вып 5(89), с. 36-41.

3. Александров Ю.М., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф., Якименко М.Н. Использование синхротронного излучения в рентгеновской литографии. - Электронная промышленность, 1980, вып 5(89), с. 41-46.

4. Александров 10.М., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Лаврищев В.П., Семин Ю.Ф., Шанов A.M., Щукин Ю.И., Якименко М.Н. Рентгеновская литография с использованием синхротронного излучения ускорителя С-60. - Тезисы 111 Всесоюзной научно-технической конференции "Прецизионная литография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем". Москва, 1980, стр. 21.

5. Александров Ю.М., Валиев К.А., Беликов JI.B., Гревцев Н.В., Душенков С.Д., Кривоспицкий А.Д., Мозжухин Д.Д., Плешивцев

A.C., Семин Ю.Ф., Якименко М.Н., Селиванов Г.К. Резисты в рентгенолитографии. - Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции "Прецизионная литография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем". Москва, 1980, стр. 23.

6. Бартенева С.Я., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Шаблоны для рентгеновской литографии. - Тезисы III Всесоюзной научно-технической конференции "Прецизионная литография в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем". Москва, 1980, стр. 101.

7. A.c. 884430 (СССР). Позитивный электроно- и рентгенорезист. Новожилов A.B., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Корсаков

B.C., Боков Ю.С., Лаврищев В.П. - заявл. 1981.

8. Бартенева С.Я., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. 11скогорые особенности конструкции и технологии изготовления ренпемошаблопои - I межведомственное совещание

"Рентгеновские методы в современной микроэлектронике", Черноголовка, 1982.

9. Александров Ю.М., Гревцев Н.В., Денискин В.В., Кривоспицкий А.Д., Мозжухин Д.Д., Селиванов Г.К., Семин Ю.Ф., Якименко М.Н. Резисты в рентгенолитографии с использованием СИ. - I межведомственное совещание "Рентгеновские методы в современной микроэлектронике", Черноголовка, 1982.

Ю.Бартенева С.Я., Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. Некоторые особенности конструкции и технологии изготовления рентгеношаблонов - Электронная техника, сер. 3, Микроэлектроника, 1982, вып. 4(100), с. 97 - 100.

11.Гревцев Н.В., Кривоспицкий А. Д., Семин Ю.Ф. Рентгенолитография с применением синхротронного излучения.

Тезисы всесоюзного семинара "Микролитография", Черноголовка, 1985

12.Гревцев Н.В., Козловский В.П., Петухов Л.П., Семин Ю.Ф., Щукин Ю.И., Александров Ю.М., Благов М.Н., Якименко М.Н. Новый технологический канал СИ на синхротроне С-60. -Тезисы всесоюзного семинара "Микролитография", Черноголовка, 1985.

П.Барышев Ю.П., Кривоспицкий А.Д.) Орликовский A.A., Семин Ю.Ф. Перфорированные кремниевые шаблоны с субмикронными размерами для рентгеновской литографии. -Тезисы второго всесоюзного семинара "Микролитография", Черноголовка, 1988, с. 60.

14.Краева Д.А., Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф., Смирнова О.В. Рентгеновская литография. - Деп. рук. № Р-4937, Электронная техника, сер. 2, вып. 2(199), 1989.

15.Гревцев Н.В., Кривоспицкий А.Д., Окшин A.A., Семин Ю.Ф. Способы создания шаблонов с размерами и 0,1 мкм. - Тезисы II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Электроника и информатика - 97". Москва, МИЭТ, 25-26 ноября 1997, часть 1, стр. 92.

16.Гревцев Н.В., Семин Ю.Ф. и др. Разработка экспериментальной рснтгенолитографической установки совмещения и экспонирования на базе источника мягкого рентгеновского излучения с анодом в виде вращающегося диска или тепловой трубки. - Отчет по НИР "Орбита-1/2", 11ИИТМ, 1981.

17.Петухов Л.П., Семин Ю.Ф. и др. Разработка и изготовление вакуумного канала для специализированного участка рентгенолитографии в пучках СИ. - Отчет по НИР "Эдем 4СИ-0-1", НИИТМ, 1982.

18.Кашурников Ю.П., Махорин Б.И., Семин Ю.Ф. и др. Разработка электроразрядного источника мягкого рентгеновского излучения и исследование его характеристик. - Отчет по НИР " Орбита 12/1", НИИТМ, 1985, Г. р. № Ф 23140/4003653.

19.Маркиянов В.П., Семин Ю.Ф. и др. Опытная эксплуатация установки экспонирования 09ФСР-1-001 "Рентгенотрон". -Отчет по НИР "Орбита-1Э/2", НИИТМ, 1987.

20.Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка лабораторной технологии рентгенолитографии на базе установки "Рентгенотрон". - Отчет по НИР "Метель-1", НИИМВ, 1987, Г. р. № Ф 29381 (инв. № 4173).

21.Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка заготовок рентгеношаблонов. - Отчет по НИР "Монитор", НИИМВ, 1987, инв. № 44161.

22.Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка и внедрение технологического процесса изготовления фотошаблонов для изделий "Ц". - Отчет по ОКР "Мозаика 2Ш'\ НИИМВ, 1988, инв. № 4284.

23.Петухов Л.П., Семин Ю.Ф. и др. Разработка и изготовление поста экспонирования фотошаблонов изделий "Ц" методом рентгенолитографии в пучках синхротронного излучения. -Отчет по НИР "Мозаика 2Ш-0", НИИТМ, 1988.

24.Кривоспицкий А.Д., Семин Ю.Ф. и др. Разработка лабораторной технологии формирования рисунка с размером <0,5мкм. - Отчет по НИР "Метель 2", НИИМВ, 1991, инв. № 4451

Усл. нем. л. 1,0. шраж 100 чкч.. зак. 210 Онючагано нники рафии МИЭТ