каталог авторефератов диссертаций по электронике, диссертация на тему Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах Специальность 05.27.01 ВАК РФ

• Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
  1998 Шевяков, Василий Иванович
• Физико-технологическое моделирование ионно-легированных МОП-транзисторных структур
  1998 Леженин, Владимир Петрович
  Все модели в большей или меньшей степени идеализируют моделируемый объект, в частности, в моделях МОП-приборов, как правило, не рассматриваются такие параметры, как зарядовые свойства границы раздела окисел-полупроводник и планарная неоднородность параметров изготовления, а их влияние учитывается полуэмпирически. В первую очередь это такие
• Физико-технологическое моделирования ионно-легированных моп-транзисторных структур
  1998 Леженин, Владимир Петрович
  Все модели в большей или меньшей степени идеализируют моделируемый Зъект, в частности, в моделях МОП-приборов, как правило, не рассматриваются зкие параметры, как зарядовые свойства границы раздела окисел-полупроводник планарная неоднородность параметров изготовления, а их влияние учитывается элуэмпирически. В первую очередь это такие параметры
• Формирование мелкозалегающих легированных слоев в кремнии диффузией из поверхностного источника в условиях быстрой термической обработки
  1998 Варзарев, Юрий Николаевич
• Формирование мелкозалегающих легированных слоёв в кремнии диффузией из поверхностного источника в условиях быстрой термической обработки
  1998 Вазарёв, Юрий Николаевич
  При переходе к субмикронным размерам происходит вытеснение ктивных областей элементов интегральных схем в приповерхностный слой. I связи с этим обостряется проблема стабилизации геометрических араметров этих областей при термических обработках. Последнее требует овершенствования технологии микроэлектроники, которое ведется по пути нижения
• Формирование сигнала модуляционной катодолюминесценции в пространственно неоднородных полупроводниках
  1998 Киреев, Василий Анатольевич
  Одними из наиболее перспективных и распространенных в настоящее время остаются электронно-зондовые методы. Возможность фокусировки электронного пучка до размеров порядка единиц нанометров удовлетворяет всем необходимым требованиям локальности, выдвигаемым современной технологией микроэлектроники, и в настоящее время эти методы широко используются
• Формирование тонких пленок диоксида циркония методом анодирования, его свойства и применение в элементах микросхем
  1998 Петров, Николай Петрович
  Изучение свойств оксидных пленок циркония, получаемых электрохимическим и термическим окисление^ тонких пленок 7л и легированных различными веществами пленок циркония, а также исследование влияния высокотемпературных (800-1000°С) импульсных термических обработок слоев анодного ЪхОг, металлического 2г и 2г, легированного иттрием, показали
• Экологически безопасное плазменное травление кремния и кремнийсодержащих материалов для формирования элементов БИС
  1998 Рыбачек, Елена Николаевна
• Экспериментальное исследование физических свойств объектов твердотельной микроэлектроники на основе многофункционального комплекса сканирующей зондовой микроскопии
  1998 Волков, Юрий Петрович
  Исследование с помощью сканирующей туннельной микроскопии диэлектрических объектов требует обязательного покрытия исследуемой поверхности проводящей пленкой. Это ставит ряд задач по подбору материала пленки, обладающей наименьшим размером кластеров, высокой стойкостью к окислению и адгезией. До сих пор систематическое исследование указанных
• Электронные и оптические свойства наноразмерных кремниевых кластеров и пленок
  1998 Холод, Александр Николаевич
  На сегодняшний день самым распространенным полупроводниковым материалом, для интегральной микроэлектроники остается кремний. Очевидно, что именно этот материал предпочтительно применять и для приборов и устройств каноэлекпроники. Практическое использование наноразмерных кремниевых структур обеспечило бы существенное продвижение вперед на пути
• Электронный транспорт в субмикронных и нано-метровых диодных и транзисторных структурах
  1998 Пашковский, Андрей Борисович
  В разделе (.2 приводится вывод системы упрошенных аналогично И ) гидродинамических уравнений в пространственно неоднородное случае, позволяющих описывать динамику электронов с учетом как нелокальных, так и диффузионных эффектов. Показано, что хотя пл
• Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах
  1998 Пашковский, Андрей Борисович
• Электрофизическое диагностирование МДП-структур с неоднородно распределенными параметрами
  1998 Лукин, Сергей Владимирович
• Элементы Холла с высоким разрешением по магнитному полю на основе МОП структур
  1998 Амеличев, Владимир Викторович
  В докладе, подготовленном одной из фирм США в начале 90-х годов , указывается, что "если предыдущее десятилетие было десятилетием микропроцессоров, то следующее может стать десятилетием датчиков". Это вызвано в первую очередь экономической эффективностью датчиков (отношение прироста национального продукта, связанного с их использованием, к
• Анализ импульсных тепловых характеристик пленочных приемников лазерного излучения
  1997 Матвеева, Людмила Иосифовна
  В связи с распространенностью лазеров инфракрасного диапазона вызывают интерес контрольно-измерительные термочувствительные датчики, позволяющие регистрировать с требуемым разрешением лучистые воздействия и преобразовывать ях в оптические изображения или электрические сигналы
• Аналитические модели субмикронных МОП-приборов для использования в САПР и экстракция параметров их электро-физических характеристик
  1997 Конкин, Сергей Александрович
  В настоящее время в зависимости от рассматриваемых задач используются либо одномерные аналитические и полуэмпирические модели, либо двух-,- трехмерные численные модели
• Аналоговые биполярные интегральные схемы для кусочно-апроксимационного синтеза характеристик преобразования сенсорных устройств
  1997 Забарило, Анатолий Юрьевич
  Актуальність і ступінь дослідженості тематики дисертації. Розвиток сучасних вимірювальних і сенсорних іристроїв, зокрема для автоматизації виробничих процесів, •іедичної електроніки, засобів екологічного моніторингу, безпосередньо пов’язаний з розробкою нової елементної бази. Поряд з елементною базою загального призначення, в тому числ
• Аналоговые вторичные преобразователи интегральныхсенсорных устройств
  1997 Морозов, Юрий Васильевич
  Лктиалілпсть і ступінь досліджепоспй тематики дисертації. Значне підвищення параметрів системи гехніко-єкономічшіх показників елементної бази електронної апаратури, що має місце на протязі останніх десятиліть, практично забезпечило насичення ринку традиційної електроніки. На фоні наявних досягнень традиційної елементної бази, параметри та
• Динамика экситонных состояний в GaAs/AIGaAs квантовых ямах и сверхрешетках
  1997 Литвиненко, Константин Леонидович
  Оптика полупроводников стремительно развивается на протяжении последних лет. Обширные возможности для всех направлений оптической спектроскопии открыло создание сверхбыстрых перестраиваемых лазеров, когерентное излучение которых сейчас может быть получено практически в любой области оптического спектра. При этом особый интерес представляет
• Динамика экситонных состояний в GaAs/AlGaAs квантовых ямах и сверхрешетках
  1997 Литвиненко, Константин Леонидович
  Оптика полупроводников стремительно развивается на протяжении последних лет. Обширные возможности для всех направлений оптической спектроскопии открыло создание сверхбыстрых перестраиваемых лазеров, когерентное излучение которых сейчас может быть получено практически в любой области оптического спектра. При этом особый интерес представляет

• Назад
• 1
• ...
• 31
• 32
• 33
• 34
• 35
• ...
• 40
• Вперед