каталог авторефератов диссертаций по электронике, диссертация на тему Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах Специальность 05.27.01 ВАК РФ

• Схемотехнические реализации нейронных сетей
  1999 Назарян, Карен Манукович
  Актуальпость темы. В последние годы с развитием технологии реализации интегральных схем, заметно возрос интерес к нейронным сетям (НС). Это объесняется тем, что компьютеры нового поколения, базирующиеся на НС-ах (нейрокомпьютеры), проявляют некоторые интеллектуальные способности, т.е. эта компьютеры могут с легкостью решать такие сложные задачи
• Тепловой удар в системах металлизации на кремнии при импульсных токовых воздействиях
  1999 Пирогов, Александр Васильевич
• Термически- и радиационно-стойкие контакты "металл-карбид кремния" для приборов экстремальной электроники
  1999 Афанасьев, Алексей Валентинович
  Несмотря на значительное количество работ в этой области (в материалах последних международных конференций по экстремальной и высокотемпературной электронике данному вопросу посвящалось около трети работ), проблему создания контактных систем, в особенности, барьеров Шоттки, удовлетворяющих вышеперечисленным требованиям, нельзя считать решенной. В
• Термостимулированные процессы на глубоких уровнях в полупроводниках и гетероструктурах на их основе
  1999 Коровин, Александр Павлович
• Универсальный нейросетевой ускоритель для решения задач искусственного интеллекта
  1999 Борисов, Виктор Леонидович
  Резко возросло число военных разработок, в основном направленных на создание сверхбыстрых вычислителей. Если говорить о главном перспективном направлении - интеллектуализации вычислительных систем, придании им свойств человеческого мышления и восприятия, то здесь нейрокомпьютеры - практически единственный путь развития вычислительной техники
• Фасетирование при локальной твердофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на кремнии
  1999 Изюмская, Наталия Федоровна
• Физические свойства полупроводниковых пленок диоксида олова для датчиков газов
  1999 Свистова, Тамара Витальевна
  Ведущее место в разработке АПУ принадлежит японским фирмам Rilken Keiki Fine Instr., Nippon Monitors, Figaro и др. Заметную активность в этом направлении проявляют фирмы Siemens, Auergesellschaft GmBH, Robert Rosch, Drager (ФРГ). В России газовые датчики серийно не производятся /5/. Газовые сенсоры и анализаторы с чувствительными элементами (ЧЭ
• Функциональная электроника
  1999 Щука, Александр Александрович
  К этому же времени предельные показатели достижений микроэлектроники уже не смогут соответствовать набирающему силу научно-техническому прогрессу. Уже сейчас существует целый ряд задач, ждущих своего решения. Среди них создание систем оперативного распознавания образов, искусственного интеллекта, синтезирования конструкций и систем, разработка
• Функционально-интегрированные структуры СБИС субмикронного топологического диапазона с повышенной стойкостью к внешним воздействиям
  1999 Мурашев, Виктор Николаевич
  Развитие литографической техники последних лет позволило ведущим странам Запада, Японии и США перейти к освоению в промышленной технологии СБИС с минимальными топологическими размерами до 0,3 мкм, при этом планируется в 2000-ом году начать переход на еще более малый размер -0,17 мкм
• Электрооптические свойства жидкокристаллических ячеек с повышенной крутизной вольт-контрастной характеристики
  1999 Калашников, Алексей Юрьевич
• Взаимодействие точечных и протяженных дефектов в кремнии при низкотемпературных обработках
  1998 Феклисова, Ольга Владимировна
  Стремительное развитие микроэлектроники диктует непрерывное повышение требований к ее элементной базе, в частности, к параметрам исходных материалов и совершенствованию используемых технологических операций. Это, в свою очередь, стимулирует исследования в области физики и материаловедения полупроводников, физики дефектов, характеризации
• Влияние стехиометрии оптически прозрачных проводящих пленок оксидов индия и олова на их электрофизические и оптические свойства
  1998 Гончар, Лариса Исхаковна
• Высокочастотная индукционная и плазменная обработка кремния и гетероструктур
  1998 Суровцев, Игорь Степанович
  В качестве основного объекта исследования использовался монокристаллический кремний, как основной материал современной электронной техники, наиболее изученный по составу, структуре и свойствам поверхностных слоев. Это позволяло достаточно определенно и достоверно утверждать о результатах влияния ВЧ индукционного поля и низкотемпературной плазмы на
• Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем
  1998 Бордюжа, Олег Леонидович
• Изготовление и свойства эпитаксиальных пленочных гетероструктур на основе высокотемпературного сверхпроводника YBa2 Cu3 O x
  1998 Можаев, Петр Борисович
• Исследование закономерностей структурного роста и люминесцентных свойств слоев пористого кремния
  1998 Бучин, Эдуард Юрьевич
  Перспективными в техническом плане являются люминесцентные свойства ПК. Монокристаллический кремний, как известно, непрямозонный полупроводник и характеризуется излучательной рекомбинацией с весьма низкой эффективностью в ИК- диапазоне, что препятствует созданию на его основе светоизлучающих структур. Одним из путей повышения вероятности
• Исследование свойств наноструктурированного пористого кремния и применение его в технологии микроэлектроники
  1998 Парбуков, Александр Николаевич
  Основной материал современной электроники кремний не может использоваться в излучающих в видимой области спектра интегральных оптоэлектронных приборах в качестве излучающего элемента из-за того, что кремний представляет собой непрямозонный полупроводник с низким квантовым выходом, а его излучение наблюдается в инфракрасной области спектра (X » 1,3
• Исследование хемосорбционного взаимодействия при формировании приповерхностных легированных слоев в полупроводниках и пленок на их поверхности в технологических процессах диффузии и осаждения
  1998 Королев, Алексей Николаевич
• Кольцевые вихри в ограниченных сверхпроводниках
  1998 Самохвалов, Алексей Владимирович
• Конструктивно-технологические методы и средства микромонтажа кристаллов конкурентноспособных изделий микроэлектроники
  1998 Емельянов, Виктор Андреевич
  Выполнение полного технологического цикла создания современных изделий микроэлектроники требует проведения более 600 операций и технологических обработок при использовании более 900 единиц основн )го и вспомогательного оборудования, применения Л0О-25О различных материалов и составов, обеспечения прецизионности метр (окской обработки до значения

• Назад
• 1
• ...
• 29
• 30
• 31
• 32
• 33
• ...
• 40
• Вперед