автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Функциональная электроника

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. НАЧАЛА ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.

ГЛАВА 2. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ АКУСТОЭЛЕКТРОНИКА.

2.1 Физические основы.

2.1.1 Динамические неоднородности.

2.1.2. Континуальные среды.

2.1.3. Генераторы динамических неоднородностей.

2.1.4. Устройство управления динамическими неоднородностями.

2.1.5 Детектирование динамических неоднородностей.

2.2. Приборы функциональной акустоэлектроники.32 л

2.2.1 Линии задержки.

2.2.2 Устройства частотной селекции.

2.2.3 Генераторы на ПАВ.

2.2.4 Усилители.

2.3 Нелинейные устройства.

2.3.1 Физические основы.

2.3.2 Конвольверы.

2.3.3 Устройства памяти.

2.2.3.1. Акустические запоминающие устройства.

2.2.3.2. Экзотические устройства акустической памяти.

2.3.4 Фурье процессоры.

ГЛАВА 3. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ

ДИЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА.

3.1 Физические основы.

3.1.1 Динамические неоднородности.

3.1.2 Континуальные среды.

3.1.3 Генераторы динамических неоднородностей.

3.1.4 Другие элементы приборов.

3.2 Приборы и устройства функциональной диэлектрической электроники.

3.2.1 Общие положения.

3.2.2 Устройства памяти.

3.2.3 Процессоры

ГЛАВ 4. ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ

ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА.

4.1. Физические основы.

4.1.1 Динамические неоднородности в полупроводниках.

4.1.2. Континуальные среды.

4.1.3. Генераторы динамических неоднородностей

4.1.4. Устройства управления

4.1.5. Детекторы динамических неоднородностей 105 4.2 Приборы и устройства полупроводниковой электроники

4.2.1 .Аналоговые ПЗС-структур 107 4.2.2. Цифровые ПЗС-структуры.

4.2.3 Запоминающие устройствана на ПЗС-структурах

4.2.4 БИСПИН приборы.

4.2.5 Приборы на волнах пространственного заряда.

4.2.6 Ганновские приборы.

4.2.7 Квантовые приборы.

ГЛАВА 5. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ МАГНИТОЭЛЕКТРОНИКА.

5.1 Физические основы.

5.1.1 Динамические неоднородности в магнитоэлектронике.

5.1.2. Континуальные среды.

5.1.3. Генерация, детектирование и управление динамическими неоднородностями.

5.2 Приборы и устройства функциональной магнитоэлектроники.

5.2.1 Процессоры сигналов на ЦМД.

5.2.2 Процессоры сигналов на МСВ.

5.2.3 Запоминающие устройства на ЦМД.

5.2.4 Запоминающие устройства на магнитных вихрях.

ГЛАВА 6. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ ОПТОЭЛЕКТРОНИКА

6.1 Физические основы

6.1.1 Динамические неоднородности оптической природы.

6.1.2 Континуальные среды.

6.1.3 Генераторы и детекторы.

6.1.4 Устройства управления.

6.2 Процессоры функциональной оптоэлектроники.

6.3 ЗУ функциональной оптоэлектроники.

ГЛАВА 7. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ

МОЛЕКУЛЯРНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА.

7.1 Физические основы.

7.1.1 Динамические неоднородности.

7.1.2 Континуальные среды.

7.1.3 Другие элементы приборов.

7.2 Молекулярные устройства.

7.3 Устройства автоволновой электроники.

ГЛАВА 8. ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ

ТЕПЛОЭЛЕКТРОНИКА.

8.1 Физические основы.

8.2 Устройства функциональной теплоэлектроники.

8.2.1 Процессоры сигналов.

8.2.2 Устройства памяти.

ГЛАВА 9. ПРИБОРЫ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ

ЭЛЕКТРОНИКИ ВТОРОГО ПОКОЛЕНИЯ.

9.1 Приборы с акустическим переносом заряда.

9.2 Приборы акустооптики.

ГЛАВА 10. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРИБОРОВ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

10.1 Основные положения

10.2 Особенности поиска новых решений

Физические пределы в развитии приборов и устройств схемотехнической микроэлектроники достигнут своих критических значений в первом десятилетии двадцать первого века.

К этому времени ожидается появление интегральных схем с топологическими нормами менее 0,1 мкм., выполненных с помощью литографических установок неоптического экспонирования. При этом произойдет переход на пластины большого диаметра с 450 мм. структурами и размерами поля литографирования в пределах 25x52 мм. Проблема межсоединений, характерная для схемотехнической микроэлектроники, ограничит скорость внешнего обмена информацией величиной 3 ГГц, хотя транзисторы будут работать с частотой не менее 10 ГГц. Ожидается рост

I л 2 емкости ДОЗУ до 64 Г при плотности размещения ячеек 10 см , а для микропроцессоров 2x108 см ~2. При этом с ростом диаметра обрабатываемых пластин резко возрастут издержки при производстве сверх больших интегральных схем.

После достижения технологической зрелости отрасли будет достигнут физический предел значений степени интеграции и ожидается инерционное развитие рынков приборов схемотехнической микроэлектроники еще в течение 5—10 лет. Следует ожидать, что быстродействие интегральных схем (ИС) будет уже недостаточным для решения задач обработки больших массивов информации. Причин тому несколько.

К этому же времени предельные показатели достижений микроэлектроники уже не смогут соответствовать набирающему силу научно-техническому прогрессу. Уже сейчас существует целый ряд задач, ждущих своего решения. Среди них создание систем оперативного распознавания образов, искусственного интеллекта, синтезирования конструкций и систем, разработка устройств параллельной обработки информации, устройств управления базой знаний и т.п.

Идут интенсивные поиски методов, разрабатываются устройства, предназначенные для обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени. Анализ схем цифровой обработки изображений показывает, например, что рост их быстродействия выходит на насыщение. При этом ряд упомянутых задач принципиально не может быть решен в рамках современных методов обработки больших информационных массивов, в частности, фон-неймановской схемы построения вычислительных систем.

Даже достигнув предельных значений быстродействия и степени интеграции в изделиях схемотехнической микроэлектроники, нельзя будет на их основе создать устройства, способные решить перспективные задачи обработки больших информационных массивов.

В этом случае возникает альтернатива: или искать пути сохранения тенденции экспоненциального роста степени интеграции интегральных схем и тем самым расширить возможности схемотехнической микроэлектроники, или искать принципиально новый подход при создании систем обработки больших информационных массивов.

Можно ли удержать тенденцию экспоненциального роста степени интеграции и соответственно экспоненциальное снижение стоимости обработки информации. Вот в чем заключается принципиальная позицияв этапах развития схемотехнической микроэлектроники.

Разработчики ИС активно ищут способы преодоления "тирании межсоединений", пути обхода технологических и физических барьеров. С этой целью разрабатываются вертикальные структуры, в которых стараются разместить максимум элементов в минимальном пространстве. Активные и пассивные элементы схемы размещаются в объеме и интегральная схема становится трехмерной. Технология "кремний на диэлектрике" открывает определенные перспективы вертикальной интеграции, позволяет получать многоярусные транзисторные структуры. Предполагается, что трехмерные ИС будут иметь высокое быстродействие, высокую плотность упаковки элементов, обладать возможностью параллельной обработки информации, станут многофункциональными. Придется преодолеть много препятствий, прежде чем в трехмерных ИС удастся решить проблему взаимных помех элементов, разработать методы проектирования схем с комплексными параметрами и сложной топологией, сделать их конкурентоспособными по цене. Переход в трехмерную электронику отнюдь не решит проблемы межсоединений, напротив, резко усложнит конструкции межуровневых соединений. Надежность таких схем вызывает сомнение, доказательств обратного пока нет. Переход в трехмерную электронику сулит только удвоение степени интеграции, а не ее экспоненциальный рост в соответствии с законом Мура.

Могут ли "спасти" схемотехническую электронику метод интеграции на пластине или создание "суперкристаллов"? Проблема межсоединений в этих случаях принципиально тоже не решается, а значит и достижение успеха сомнительно. По этой же причине сомнительны перспективы использования в схемотехнической электронике различных эффективных и сверхминиатюрных транзисторных структур.

Значительный интерес представляют круглые полупроводниковые интегральные схемы. В них используется 95% объема кремния против 5% в обычных интегральных схемах. Выводы располагаются по всей сфере, что позволяет обеспечить простоту компоновки сферических интегральных схем. В производстве таких «маковых» схем осуществлен принципиальный переход от групповой технологии обработки пластин к гибкой штучной производственной системе с предполагаемой производительностью до 2500 сферических интегральных схем в секунду. В этом технологическом процессе среди слабых мест следует отметить трудоемкую сферическую литографию, высокую индуктивность получаемых схем, ненадежность процесса наматывания линий межсоединений на поверхность сферы и последующая их коммутация и т.п.

Можно ли уйти от проблемы "тирании межсоединений"? Видимо можно, но для этого нужно уйти от традиционного принципа обработки информации, отказаться от схемотехнической ячейки как основного преобразователя и хранителя информации.

Традиционная схемотехническая ячейка, будь это логическая ячейка или ячейка памяти, состоит из большого количества статических неоднородностей. Под статической неоднородностью понимается локальная область на поверхности или в объеме среды с отличными от ее окружения свойствами, которая создается в результате строго определенных технологических процессов. Состояние таких статических неоднородностей позволяет генерировать, управлять или хранить информацию. Это и есть схемотехническая микроэлектроника, или электроника статических неоднородностей. В этом случае устройства обработки и хранения информации реализуются на определенных схемотехнических решениях.

В конце семидесятых годов возникла идея использовать динамические неоднородности в процессах обработки и хранения информации, а также физические принципы интеграции не только числа элементов, но и числа функций, выполняемых микроэлектронным прибором.

Пионерские работы в этой области принадлежат академикам Гуляеву Ю. В, Валиеву К.А., Стафееву В.И., докторам наук Федотову Я. А., Сретенскому В. Н., Пустовойту В. И., Борисову Б. С., Лаврищеву В.П., Носову Ю.Р., Попкову А. Ф., Ракитину В.В., Новикову В.В., Ерофееву A.A., Васенкову А. А и другим отечественным ученым и их школам.

Изучение свойств и характеристик динамических неоднородностей, как носителей информационного сигнала, основных физических процессов и принципов обработки и хранения информационных массивов с помощью динамических неоднородностей, разработка приборов и устройств являются основополагающими в процессе формирования нового направления в микроэлектронике - функциональной электроники.

ЦЕЛЬЮ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ является решение крупной комплексной проблемы по формированию нового научно-технического направления в микроэлектронике, связанного с разработкой принципов построения и создания нового типа высокопроизводительных процессоров сигналов и устройств хранения информации с использованием динамических неоднородностей.

Для достижения этой цели поставлены и решены следующие задачи:

- сформулированы основные идеи и понятия нового научно-технического направления в микроэлектронике - функциональной электроники;

- систематизированы известные классы приборов и устройств функциональной электроники по принципиальна новой системе классификации;

- разработаны принципы и создан высокопроизводительный процессор для обработки больших массивов информации;

- разработаны принципы и созданы устройства нового класса интеллектуальных датчиков физических параметров среды с частотным выходом информационного сигнала;

- разработаны принципы создания устройств хранения больших информационных массивов и процессоров их обработки;

- предложен метод синтеза новых конструктивно-технологических решений приборов и устройств в том числе второго поколения на основе разработанной модели; разработана уникальная установка для для исследования динамических неоднородностей тепловой природы, возбуждаемых лазерным излучением в конденсированных средах;

- разработаны и изданы учебно-методические материалы и учебникпо новому направлению в микроэлектронике - функциональной электронике.

АКТУАЛЬНОСТЬ ТЕМЫ ДИССЕРТАЦИИ вытекает из необходимости выработки принципов обработки информационных массивов, выходящих за границы булевой алгебры, фон-неймановского принципа построения вычислительных систем, разработки новых физико-технологические решений в области конструирования приборов и устройств с использованием динамических неоднородностей в качестве носителей информационного сигнала.

Идеи функциональной электроники, заложенные в реальные приборы и устройства, позволят обойти проблему "тирании межсоединений", преодолеть физические, технологические, экологические и прочие барьеры на пути развития микроэлектроники.

На этапе проектирования нового класса микроэлектронных приборов весьма актуальной задачей также является изыскание методов выбора объективно предпочтительной альтернативы применительно к сложным техническим системам.

Методами функциональной электроники решаются проблемы обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени. Приборы и устройства на принципах функциональной электроники открывают новые перспективы в системах обработки больших информационных массивов, интегральных радиоэлектронных устройствах, интеллектуальных датчиках для систем экологического мониторинга и т.п.

До настоящего времени отсутствовала учебно-методическая литература для подготовки специалистов в области функциональной электроники. Создание учебно-методических материалов, а также учебника по одноименному курсу стало также весьма актуальным моментом в процессе подготовки диссертации.

НА ЗАЩИТУ ВЫНОСЯТСЯ СЛЕДУЮЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ:

1. Впервые сформированное новое научно-техническое направление в микроэлектронике, в котором для целей обработки и хранения информации используются динамические неоднородности различной физической природы. В рамках этого направления впервые сформулированы основные термины и определения, научные категории, классифицированные по основным элементам приборы и устройства функциональной электроники;

2. Принципиально новую систему классификации приборов и устройств функциональной электроники, в основу которой положена модель , включающая в себя пять элементов: динамическую неоднородность, континуальную среду, генератор динамической неоднородности, устройство управления ею и детектор

3. Физические и технологические основы разработок интеллектуальных датчиков с частотным выходом для измерения физических величин и параметров среды, внедреные в опытную эксплуатацию в системы экологического мониторинга.

4. Разработанный и внедренный в опытную эксплуатацию, защищенный авторским свидетельством голографический процессор для обработки больших информационных массивов.

5. Уникальную установку для исследования динамических неоднородностей тепловой природы, возбуждаемой лазерным излучением в конденсированных средах. Методики для исследования параметров динамических неоднородностей и конденсированных сред.

6. Научные основы моделирования приборов и устройств функциональной электроники и метод системного анализа их прототипов и синтеза новых конструктивно-технологических решений - прогнотипов.

7. Научно-методические разработки и учебник по новому научно-техническому направлению, рекомендованный Министерством общего и профессионального образования РФ для студентов высших учебных заведений.

ВЫВОДЫ:

1. Сформировано новое научно-техническое направление в микроэлектронике - функциональной электронике как альтернативное схемотехническому пути развития. Ожидается, что развитие такого подхода позволит реализовать принцип " обогнать не догоняя " по отдельным направлениям микроэлектроники.

2. Разработано и введено в практическое пользование основные научные категории, термины и определения, основные идеи и понятия в области функциональной электроники.

3. Систематизированы известные классы приборов и устройств обработки и хранения информации и на основе системного анализа предложена модель прибора функциональной электроники.

4. Разработаны и введены в опытную эксплуатацию новый тип приборов функциональной электроники с частотным выходом, которые использованы в датчиках физических величин для систем экологического мониторинга.

5. Разработан и введен в опытную эксплуатацию высокопроизводительный процессор для поиска и обработки информации в запоминающих устройствах большой емкости.

6. Исследован на уникальной установке ранее неизвестный тип динамических неоднородностей, возбуждаемых лазерным излучением в конденсированных средах.

7. Разработаны научные основы моделирования приборов и устройств функциональной электроники и принципиально новый метод анализа их прототипов и синтеза прогнотипов.

8.Разработаны научные основы создания устройств функциональной электроники второго поколения на основе динамических неоднородностей различной физической природы в разных континуальных средах.

9. Разработаны методические основы и издан первый учебник для вузов «Функциональная электроника» по специальности 200200 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы».

10. Завершен законченный цикл научных исследований от идеи до приборной реализации в рамках диссертационной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Устройства функциональной электроники такие как процессоры и память имеют ряд особенностей, выгодно их отличающих от аналогичных устройств, реализованных на схемотехнических принципах.

Использование динамических неоднородностей для записи, обработки и хранения информации позволяет снизить жесткие требования к технологии за счет использования обратимых физических процессов вместо необратимых технологических. В этом случае акцентируется внимание на методах физической интеграции, а не только технологической.

Переход от жесткой схемотехники к методам обработки и хранения информации с использованием физических полей позволит достаточно легко перестраивать режимы работы приборов и устройств в процессе их работы. При этом могут быть выполнены различные функции без решающего влияния схемотехнических решений потому, что искусство схемотехники дополняют аналоговые методы обработки информации. Устройства на основе принципов функциональной электроники позволят создать высокопроизводительные вычислительные системы, информационные банки данных высокой информационной емкости. В то же время методы функциональной электроники позволяют преодолеть ряд принципиальных ограничений схемотехники, например, "тиранию межсоединений".

В устройствах функциональной электроники используются комбинации аналоговых и цифровых методов обработки информации и поэтому эти устройства способны решать задачи обработки больших массивов информации в реальном масштабе времени. Это необходимо для задач робототехники, долговременных космических объектов и др. Идеи и методы функциональной электроники позволяют одномоментно сравнивать информационно массивы, выделять разностную информацию, обрабатывать и хранить ее, осуществлять обработку массивов информации в режиме предельного ее распараллеливания.

Приборы и устройства характеризуются высокой производительностью, высокой плотностью записанной информации, малым энергопотреблением, высокой надежностью, что делает их весьма перспективными уже в самом ближайшем будущем.

Это ориентиры и для совершенствования подготовки специалистов по микроэлектронике, для их профессионального роста, самообразования после окончания подготовки в институте.

НАУЧНАЯ НОВИЗНА РАБОТЫ заключается в следующем:

Сформулированы впервые основные научные категории функциональной электроники как новой области в микроэлектронике, выявлены основные закономерности, даны определения, введены термины.

Дано научное обоснование разработок перспективной элементной базы информатики на основе интегральных радиоэлектронных устройств.

Введена в практическое пользование новая категория носителей информационных сигналов - динамическая неоднородность в континуальной среде, предложена физическая модель приборов и устройств функциональной электроники.

Описаны новые, ранее неизвестные, характеристики динамических неоднородностей, определяющие функциональные свойства и параметры устройств различных типов: акустоэлектронных, магнитоэлектронных, оптоэлектронных, диэлектрических, полупроводниковых, молекулярных и других типов.

Исследована возможность синтеза нового типа приборов и устройств функциональной электроники - прогнотипа , имеющего заданные технико-экономические параметры.

Изготовлены и исследованы принципиально новые приборы функциональной электроники с использованием динамических неоднородностей.

Разработаны и адаптированы новые программы математического моделирования с учетом реальных характеристик динамических неоднородностей соответствующих континуальных сред.

Изготовлены и исследованы принципиально новые приборы и устройства для обработки информации на основе динамических неоднородностей.

Разработаны методические материалы, написан и издан первый учебник по новому направлению в микроэлектронике - функциональной электронике.

Написана первая диссертационная работа в рамках нового научного направления - функциональной электроники.

Практическая ценность диссертации определяется -сформированными основными положениями функциональной электроники как альтернативного пути развития микроэлектроники. Развитие такого подхода позволит реализовать принцип " обогнать не догоняя " по отдельным направлениям микроэлектроники;

-разработанными конструктивно-технологическими решениями приборов и устройств функциональной электроники, технологическими процессами, алгоритмами и программами, которые могут быть рекомендованы для широкого использования;

-разработанным и внедренным в опытную эксплуатацию голографическим процессором для обработки больших информационных массивов;

-разработанными и внедренными в опытную эксплуатацию серией датчиков параметров среды с частотным выходом; разработанной принципиально новой системой классификации приборов, использованной для поиска новых технических решений в научных исследованиях и организационных мероприятиях;

-разработанными учебно-методическими материалами, включая учебник "Функциональная электроника", рекомендованный Министерством общего и профессионального образования РФ и являющийся первым в нашей стране в рамках специальности 200200 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы". Учебно-методические материалы и учебник используются в ряне университетов страны (МИРЭА, МФТИ, МИФИ и др.) при формировании учебных планов и в практических и лекционных занятиях.

1. Л2. Васенков A.A., Сретенский В.Н., Федотов Я.А. Три проблемы электроники твердого тела. Микроэлектроника и полупроводниковые при боры. -М.: Советское радио, 1977.-Вып. 2. С.3-19.

2. ЛЗ. Федотов Я.А. Функциональная электроника электроника четвертого поколения.-В кн. Будущее науки: Международный сборник.-М.: Знание, 1981.Вып.1. С. 99-111.

3. Л4. Васенков A.A., Федотов Я.А. Интегральная электроника статических и динамических неоднородностей,- М.:ЦНИИ" Электроника" Электронная промышленность,1983.Вып.1.С.21-24.

4. Л5. Васенков A.A., Федотов Я.А. Функциональная электроника. Основные направления работ.-М.: ЦНИИ"Электроника" Электронная промышленность, 1983. Вып.8. С.3-5

5. Л6. Вернер В.Д., Дьяков Ю.Н., Сретенский В.Н. Тенденции, проблемы и управление развитием микроэлектроники (Методологические аспекты) Электронная техника.-М.:ЦНИИ',Электроника,'Д987.-Сер.З. Вып.4. С.3-23.

6. Л7. Голубков B.C., Евтихиев H.H., Популовский В.Ф. Интегральная оптика. М.: Энергоатомиздат, 1985

7. Л8. Рычина Т. А., Зеленский A.B. Устройства функциональной электроники и электрорадиоэлементы: Учебник для вузов.-М.: Радио и связь, 1989. 352с.

8. Л9. Валиев К.А. Микроэлектроника: достижения и пути развития.-М. Наука ,1986.- 144с.

9. JI10. Стафеев В.И. Комаровских К.Ф., Фурсин Г.И. Нейристорные и другие функциональные схемы с объемной связью.-М.: Радио и связь. 1981. 186 с.

10. JI11. Брысев А.П. Крутянский Л.М., Преображенский В.Л. Обращение волнового фронта . УФН, т. 168 №8 1998.

11. Л12. Гуляев Ю.В. Акустоэлектронные устройства для систем связи и обработки информации. -В кн. Проблемы современной радиотехники и электроники. -М.: Наука ,1980. С.297-319.

12. Л13. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты. Схемы, топология, конструкции. -М.: Радио и связь, 1987.-192с.

13. Л14. Хорунжий В.А. Процессоры на поверхностных акустических волнах.- Киев: Техника, 1990. -136с.

14. Л15. Морган Д. Устройства обработки сигналов наповерхностных акустических волнах.- М.: Радио и связь, 1990.- 416с.

15. Л16. Барфут Дж.,Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения.М.: Мир, 1981.-526с.

16. Л17. Дудкевич В.П., Фесенко Е.Г. Физика сегнетоэлектрических пленок.-Ростов: Издательство Ростовского университета, 1979. -190с.

17. Л18. Веневцев Ю.Н., Гагулин В.В., Любимов В.Н. Сегнетомагнетики. М.: Наука, 1982. -224с.

18. Л19. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики.-М.:Наука, 1979.-264с.

19. Л20. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. -М.: Наука, 1982.-400с.

20. Л21. Ерофеев A.A. Пьезоэлектрические запоминающие устройства. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. Васенкова A.A. и Федотова Я.А . -М.: Радио и связь, 1989. Вып. 10. С.66-74.

21. JI22. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. М.: Мир, 1984. -456с.

22. Л23. Секен К., Томпсет М. Приборы с переносом заряда. -М.: Мир, 1978.-326с.

23. Л24. Носов Ю.Р., Шилин В.А. Физика приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1986. -320с.

24. Л25. Стенин В.Я. Применение микросхем с зарядовой связью.- М.: Радио и связь, 1989. -256с.

25. Л26. Шур М. Современные приборы на арсениде галлия. -М.: Мир ,1991. 632с.

26. Л27. Кузнецов Ю.А., Шилин В.А. Микросхемотехника БИС на приборах с зарядовой связью. -М.: Радио и связь, 1988. -160с.

27. Л28 Кнаб О.Д., Фролов В.Д. Эффект фотостимулированной генерации колебаний тока в полупроводниковой структуре,- Письма в ЖЭТФД983. Т.38. Вып.5. С.244-246.

28. Л29. Булгаков С.С., Кнаб О.Д., Лысенко А.П., Мома Ю.А. БИСПИН новый прибор микроэлектроники. Обзоры по электронной технике.-М.:ЦНИИ "Электроника", 1989. Сер.2. -Вып.6.(1563).-72с.

29. ЛЗО. Барыбин A.A. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами.- М.: Наука, 1986.

30. Л31. Гуревич Г.Л., Коган А.Л. Полупроводниковое устройство обработки СВЧ сигналов.-1983,А.С.СССР 1093194. Коган А. Л. Запоминающее устройство. 1987 А.С.СССР 1435042.

31. Л32. Сафонов А.Г., Седунов Б.И., Ракитин В.В., Тишин Ю.И. Функциональные фотоприемники на приборах с зарядовой связью.-Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред Васенкова А.А.и Федотова Я.А. -М.:Радио и связь,1989. Вып.Ю.- С.41-50.

32. ЛЗЗ. Лихарев К.К. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе одноэлектронного тунелирования./ Микроэлектроника.- 1987.-Т.16. Вып.З. С. 195-200.

33. Л34. Шур М. Современные приборы на арсениде галлия М.: Мир, 1991

34. Л35. Бузанова Е.В. Микроструктуры интегральной электроники. М.: Радио и связь, 1990.-304с.

35. Л36. Долманов H.H., Толстихин В.И., Еленский В.Г. Полупроводниковые приборы с резонансным туннелированием электронов./ Зарубежная электроника.-М.: Радио и связь, 1990. -С.66-89.

36. Л37. Никиптчн В.И., Лускинович П.Н. Нанотехнология и наноэлектроника. Электронная промышленность. -М.: ЦНИИ" Электроника", 1991. Вып.3.-С.4-13

37. Л38. Вернер В.Д., Дьяков Ю.Н., Неволин В.К. Формирование функциональных структур с помощию туннельного микроскопа. Электронная промышленность.- М.: ЦНИИ" Электроника", 1991. Вып.З.- С.33-36.

38. Л39. Сретенский В.Н. Природные константы и их значение для развития техники высокоточных измерений. Электронная промышленность. -М.: ЦНИИ "Электроника", 1985. Вып. 3.- С.9-12.

39. Л40. Звездин А.К., Медников A.M., Попков А.Ф. Функциональные устройства на магнитостатических и магнитоакустических волнах./ Электронная промышленность.-М.: ЦНИИ "Электроника", 1983. Вып.8.-С.14-19

40. Л41. Левин Ю.К., Малинин Ю.И., Ропштейн Л.И. Устройства функциональной электроники на основе эффекта спинового эха. Там же С. 25-28.

41. Л42. Элементы устройства на цилиндрических магнитных доменах: Справочник. Под ред. Евтихиева H.H., Наумова Б.Н. -М.: Радио и связь, 1987. -488с.

42. JI43. Микаэлян A.JI. Оптические методы в информатике: запись, обработка и передача информации. -М.: Наука, 1990.-296с.

43. JI44. Акаев A.A., Майоров С.А. Оптические методы обработки информации. -М.: Высшая школа, 1988. -237с.

44. Л45. Блинов Л.Б. Лэгмюровские пленки. УФН,1988.-Вып.З.-С.443-480.

45. Л46. Балкарей Ю.И., Елинсон М.И. Перспективы развития автоволновой электроники. Электронная промышленность. -М.: ЦНИИ "Электроника", 1983. Вып.З.-С. 11-13.

46. Л47. Кальнин A.A. Программируемый неравновесный фазовый переход в технике информационных систем. Микроэлектроника и полупроводниковые приборы. Под ред. А. А. Васенкова и Я. А. Федотова.-М.: Радио и связь, 1989. Вып.10.С.95-110.

47. Л48. Кирова H.H. Солитонные эффекты в физике органических полимеров. Там же С. 12-133.

48. Л49. Кернер Б.С., Осипов В.В. Автосолитоны.-М.:Наука, 1991.-200с.

49. Л50. Носов Ю.Р., Сидоров A.C. Оптроны и их применение М.: Радио и связь, 1981

50. Л51. Чернышев H.A. Запоминающие устройства на эффекте фотонного эха./3арубежная электронная техника.№2- М.: ЦНИИ «Электроника» 1987.

51. Л52. Балакший В.И., Парыгин В.Н., Чирков Л.Е. Физические основы акустооптики. -М.: Радио и связь, 1985.-280с.

52. Л53. Рандошкин В.В., Червоненскис А.Я. Прикладная магнитооптика.М.: Энегоатомиздат, 1990.-320с.

53. Л54. Бугаев A.C., Гуляев Ю.В., Сахацкий И.И., Яценко В.А. Приборы с акустическим переносом зарядов Зарубежная радиоэлектроника. М.: Радио и связь, 1991. Вып.З. -С.23-33.

54. Л55. Капустян В.М., Махотенко Ю.А. Конструктору о конструировании атомной техники. М.: Атомиздат, 1981. 190с.

55. Л56. Кочемасов В.Н., Долбня Е.В.,Соболь Н.В. Акустоэлектронные фурье-процессоры. -М.: Радио и связь, 1987

56. Л57. Гуревич В.Л. Кинетика фононных систем М.:Наука 1980

57. Л58. Ракитин В.В. Функциональные устройства на основе ПЗС. Электронная промышленность , №8, М.: ЦНИИ»Электроника»,1983

58. Л59. Бараненков И.В. Перспективы использования тонких органических пленок для создания изделий электронной техники. Электронная промышленность №5, -М.: ЦНИИ»Электроника» ,1990

59. Л60 Егоров Ю.В., Наумов К.П., Ушаков В.Н. Акустооптические процессоры. -М.: Радио и связь, 1991