-
2000
Быков, Виктор Александрович
Методами мультимодовой СЗМ исследованы ЛБ пленки ряда соединений. Показано, что наиболее информативными для данного объекта являются методы полуконтактной и бесконтактной СЗМ. Применение контактных методов требует последующей проверки сохранности структуры с использованием полуконтактного режима
-
2000
Мордвинцев, Виктор Матвеевич
Мощным фактором, стимулирующим усилия в развитии нанотехнологии, послужило появление таких прецизионных инструментов как сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) [5] и его технологические модификации, которые открыли новые возможности для реализации нанолитографии [6] и контроля наноструктур. Из-за ограниченной производительности вряд ли можно
-
2000
Горнев, Евгений Сергеевич
Стоимость и сложность современных полупроводниковых предприятий достаточно высока и развитие современных субмикронных технологий требуют огромных инвестиций. Эти затраты требуют объединения средств и консолидации усилий для решения сложнейших задач по созданию производств высокого технического и организационного уровня. Социальные и финансовые
-
2000
Кирюхин, Игорь Сергеевич
В течение десятилетий кремниевые прецизионные стабилитроны на основе электрического пробоя обратно смещенного р-п перехода были единственными высокостабильными источниками опорного напряжения
-
2000
Боженарь, Дмитрий Александрович
Широкое применение во всех сферах деятельности человека холодильной техники с фреоносодержащими смесями явилось одной из причин серьезного нарушения экологического баланса земной атмосферы, связанного с нарушением озонового слоя. В связи с этим, под эгидой ООН, принят ряд решений по запрещению дальнейшего производства фреона и применения
-
2000
Добровольский, Юрий Георгиевич
Актуальність теми. Надійність фотодіодів визначається збереженням їх експлуатаційних характеристик на протязі заданого часу, в тому числі фотоелекричими параметрами
-
2000
Щербакова, Елена Николаевна
В микроэлектронике широкое применение находят тонкие пленки тугоплавких металлов и их соединений. Особый интерес представляют карбиды и нитриды, которые перспективны для создания диодов Шотгки с малой высотой потенциального барьера в быстродействующих интегральных схемах. Нитриды тугоплавких металлов используются в затворах МОП-транзисторов, что
-
2000
Молдавская, Мария Давидовна
При обеспечении упругой деформации слоев Si в гетероструктурах Si/SiGe электроны будут локализованы в слоях чистого Si. Ямы же для дырок всегда реализуются в слоях с большим содержанием германия, т.е. в слоях SiGe, где их подвижность ограничена рассеянием на флуктуациях состава сплава SiGe. В этой связи для создания "дырочных" приборов весьма
-
2000
Короткевич, Александр Васильевич
В настоящее время наблюдается устойчивый рост интереса к приборам и устройствам для криогенных температур. Это обусловлено тем, что с понижением температуры свойства твердых тел существенно изменяются, а при достаточно низких температурах (менее 90 К) возникает целый ряд явлений и эффектов, на основе которых возможно создание качественно новых
-
2000
Кисин, Владимир Владимирович
Перспективными материалами для изготовления чувствительных лементов устройств анализа запахов являются полупроводники. А рези-.: тивные сенсоры на их основе - один из наиболее привлекательных типов азочувствительных приборов. Они обладают такими важными достоинст-ами, как сочетание низкой стоимости изготовления с простотой эксплуа-, ации, широтой
-
2000
Беневоленский, Сергей Борисович
Анализ литературных данных о скорости и качестве травления GaAs в ГП показывает, что они существенно отличны, есть неясности и противоре-ия в интерпретации результатов. Это можно объяснить многообразием меха-измов травления в НГП, протеканием параллельных конкурирующих про-ессов, использованием разнообразных плазмообразующих газовых смесей
-
2000
Кондаков, Аркадий Станиславович
Результаты исследования дифракционных свойств нового типа рентгенооптических элементов - дискретных Френелевских линз скользящего падения - доказывают возможность их широкого применения в различных рентгенооптических схемах
-
2000
Воротилов, Константин Анатольевич
Увеличение объемов обрабатываемой информации стимулирует также поиск новых физических сред, участвующих в процессе обработки информации. До недавнего времени диэлектрики играли исключительно пассивную роль изоляторов и пассивирующих слоев. Интеграция в микроэлектронные технологии активных диэлектрических материалов, таких как сегнето-, пиро- и
-
2000
Гук, Александр Витальевич
Существенный прогресс в части повышения быстродействия обеспечило изобретение так называемых транзисторов с высокой электронной подвижностью (НЕМТ - High Electron Mobility Transistor) [7-10], активная область которых состоит из легированного широкозонного и нелегированного узкозонного полупроводниковых слоев. Пространственное разделение области
-
2000
Лешок, Андрей Александрович
С 1990 г. во всем мире наблюдается бурный рост исследований по кремниевой тематике. Это связано с обнаружением необычных свойств у кремниевых наноструктур. При уменьшении размеров до нанометрового диапазона изменяется зонная структура кремния вследствие эффекта квантового ограничения и в нем возникает интенсивная люминесценция. Данное явление
-
2000
Богданов, Александр Александрович
Установлено, что оптическое поглощение a-Si:H превышает в 20 раз оптическое поглощение в кристаллическом кремнии. Характер оптического поглощения в a-Si:H напоминает характеристику кристалла с прямозонной структурой при ширине запрещенной зоны 1,6 - 1,7 эВ [3]. В пленках a-Si:H имеет место эффект ударной ионизации, что обусловливает их высокую
-
2000
Бирюков, Андрей Валерьевич
Второй важны параметр, который отличает гетеропереходы от гомопереходов - наличие на границе раздела разрывов в зоне проводимости и валентной зоны, которые приводят к увеличению потенциального барьера при переносе носителей заряда. Сообщения об их величине в гетероструктурах аморфный/кристаллический полупроводник на основе а-8Ш и его сплавов
-
2000
Бирюков, Андрей Валерьевич
В настоящее время неупорядоченные полупроводники, в частности, аморфный гидрогенизированный кремний и сплавы на его основе, находят широкое применение в технологии твердотельной электроники. Связано это с уникальной совокупностью свойств аморфных сплавов, изменяемых в широких пределах, за счет варьирования технологических режимов осаждения
-
1999
Макаров, Владимир Викторович
В последнее время, в основном в связи с развитием микроэлектроники, появляется все больше задач анализа, для решения которых наряду с требованием высокой чувствительности необходимо выполнить требование высокого разрешения, в первую очередь, послойного. Зачастую характерные размеры анализируемых распределений оказываются сравнимыми либо даже
-
1999
Ильичев, Эдуард Анатольевич
Таким образом, характер изменения поведения усилителя при превышении температурой некоторого критического значения, подтверждает, что факторы определяющие верхнюю температурную границу стабильной работы ИС, имеют генерационно
