-
2001
Райская, Елизавета Константиновна
Задача сохранения достаточной для практических целей яркости при снижении рабочих напряжений ЭЛИС актуальна с точки зрения использования низковольтных схем управления в микроэлектронном исполнении, особенно в случае применения ЭЛИС в сочетании с жидкокристаллическими индикаторами и дисплеями в качестве элементов подсветки, табло отображения
-
2001
Изюмов, Михаил Олегович
Исследование процессов травления материалов микроэлектроники -кремния, диоксида кремния, полимерных пленок в плотной плазме химически активных газов при контролируемой энергии и плотности ионного потока на поверхность
-
2001
Барабаненков, Михаил Юрьевич
Справедливости ради, необходимо отметить не менее продуктивную в приложениях пару соединений - ОаАв и А1Ав. В отличие от кремниевой пары 5г-5"г(92, производство арсенидов более дорого, но зато их сплав Оа\^хА1хАз обладает ря-~ дом замечательных свойств. В частности, слои трехкомпонентного Са\-хА1хАз со значительно различающимся содержанием А1
-
2001
Коваленко, Павел Юрьевич
Конструкции гибридных силовых модулей делятся на два типа: паяные и прижимные. Оба типа интенсивно развиваются, улучшаются их электрические характеристики и параметры, повышаются надежность и термоциклоустойчивость при снижении цены. Все это достигается применением новых материалов и технологий сборки модулей, применением конструкций с
-
2001
Барышников, Федор Федорович
С увеличением длины волны традиционный резонатор для оптимизации взаимодействия электронного и светового пучков в области ондулятора необходимо дополнять волноводной вставкой, как это показано на рис. 2 на следующей странице
-
2001
Сегал, Юрий Ефимович
Методы исследований. Исследования качества пайки кристаллов к основаниям корпусов осуществлялись методами рентгеновской дефектоскопии на установке типа РУП-150/300 с использованием пленки Р5, растровой электронной микроскопии, электронного микроанализа и металлографии
-
2001
Журихина, Валентина Владимировна
Один из способов создания градиентных и дифракционных оптических элементов в стекле - это метод ионного обмена [6]. Принцип ионообменной методики состоит в замене иона стеклянной матрицы ионом из внешнего источника, изменяющим показатель преломления стекла. Если процесс диффузии через некоторое время остановить, то в стекле установится
-
2001
Лысенко, Александр Павлович
К моменту начала данной работы практически все свойства БИСПИН-прибора выглядели крайне загадочно и, в первую очередь, была совершенно не ясна природа пульсаций тока. В отсутствии представлений о принципе действия прибора весьма сложно было продолжать работы по совершенствованию конструкции и делать прогнозы относительно достижимых параметров
-
2001
Козырев, Александр Борисович
Помимо познавательного интереса возможность создания относительно простых генераторов коротких радиоимпульсов с одночастотным или многочастотным заполнением, обладающих широкой электронной перестройкой частоты представляется важной для локационных систем и при создании испытательных комплексов воздействия излучения на работоспособность различных
-
2001
Дремов, Вячеслав Всеволодович
В последние годы сканирующий зондовый микроскоп стал не только исследовательским, но и технологическим инструментом. Его успешно используют для создания новых уникальных физических приборов, таких как одноэлектронный транзистор, спиновый транзистор, а так же для изготовления носителей памяти с гигантскими плотностями записи (до Ю10 бит/см2). К
-
2001
Капралов, Геннадий Николаевич
Для построения мультиплексеров со смежными полосами пропускания при параллельном или. последовательном соединении полосно-пропускающих фильтров необходимо использовать дополнительную цепь, компенсирующую реактивную проводимость [1], Расчет полосковых конструкций таких мультиплексеров обычно ведется в одномодовом приближении [5]. Однако известно
-
2001
Ковалев, Андрей Владимирович
Сложность полностью заказных СБИС диктует необходимость в программных системах, позволяющих реализовывать схемы с десятками миллионов транзисторов на одном кристалле. Такие высокие характеристики достигаются лишь дорогостоящими программами, использующими сложные алгоритмы
-
2001
Бердников, Аркадий Евгеньевич
Такой подход имеет общую тенденцию в различных направлениях современной твердотельной электроники и наиболее отчетливо проявляется в области технологии некристаллических материалов и приборов на их основе. Фундаментальная природа некристаллических материалов сама по себе позволила скачком снизить температуры технологических процессов от 800-1200°С
-
2001
Горячкин, Юрий Викторович
Согласно техническим условиям на БУ ЭПХХ, погрешность задания и определения частот включения и отключения экономайзеров должна быть не более 5 % во всем диапазоне рабочих условий. Для выполнения этого требования применяются дорогостоящие прецизионные резисторы и термостабильный конденсатор, а также индивидуально настраивается каждый блок на
-
2001
Кольцов, Борис Борисович
Важно отметить, что основным недостатком используемой сегодня технологии является изоляция элементов схемы р-п переходами. Наличие изолирующих р-п переходов приводит к возникновению тиристорных структур и, как следствие, к эффектам смыкания и защелки, ограничивает плотность упаковки, 6 быстродействие, надежность, стойкость к внешним воздействиям и
-
2001
Проказников, Александр Владимирович
В последнее время значительно возрос интерес к исследованиям структур с пониженной размерностью, проявляющих ряд необычных свойств, которыми не обладал исходный полупроводниковый кристалл. Простейшими возможностями создания такого материала с пониженной размерностью являются анодирование полупроводника в режиме порообразования или его химическая
-
2001
Корнеев, Николай Владимирович
В настоящее время ведется большое количество разработок в направлении развития литографических инстрзшентов для производства структур меньше чем ЮОнм. Альтернативным подходом к созданию функциональных элементов ванометровьщ размеров явдяетеж ппйвлечеЕие методов лттруктт туннельной и атомно-силовой микроскопии, в основе которой лежит использование
-
2001
Старостина, Елена Алексеевна
Благодаря развитой и химически активной поверхности ПК его можно использовать в качестве абсорбционной матрицы для микросенсоров [12], кроме того, он является идеальным геттером для подвижных металлических примесей в пластинах кремния в процессе высокотемпературного отжига [13]. Увеличение эффективного коэффициента диффузии легирующей примеси в ПК
-
2001
Жиляев, Иван Николаевич
В качестве объектов исследования были использованы высококачественные монокристаллы висмута и сверхпроводящие структуры на основе алюминия. Поскольку эффекты токовые, в нормальных проводниках их нужно искать в условиях, где выше проводимость, т.е. в металлах при низких температурах в чистых совершенных образцах, где невелико рассеяние носителей
-
2001
Попов, Владимир Геннадьевич
