автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Современное состояние с разработкой и серийным выпуском изделий силовой полупроводниковой ' электроники.

1.1. Классификация приборов силовой электроники.

1.2. Конструкция и технология изготовления гибридных силовых модулей.

1.3. Гибридные силовые модули на базе диодов Шоттки.

1.4. Гибридные силовые модули на базе полевых транзисторов с изолированным затвором.

Выводы к главе 1.

ГЛАВА 2. Особенности конструкции гибридных силовых модулей.

2.1. Силовой модуль на диодах Шоттки типа М2ДШ-100-1.5.

2.1.1. Кристаллы диодов Шоттки для силового модуля.

2.1.2. Выбор керамики и топологии токоведущих шин.

2.1.3. Электрическое соединение анода кристаллов.

2.1.4. Выбор способа механического соединения компонентов модуля.

2.1.5. Выбор корпуса силового модуля.

2.2. Силовой модуль на полевых транзисторах с изолированным затвором типа МПТКП-50-5.

2.2.1. Кристаллы полевых транзисторов для модуля.

2.2.2. Внутренняя конструкция модуля.

Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. Технологические особенности сборки гибридных силовых модулей.

3.1. Технологический маршрут сборки модуля типа М2ДШ-100-1.5.

3.1.1. Операции, контролирующие качество сборки.

3.1.2. Отбраковочные операции.

3.2. Испытание модуля М2ДШ-100-1.5 в режиме энергоциклирования.

3.3. Технологический маршрут сборки модуля типа

МПТКП-50-5.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. Расчет тепловых режимов силовых модулей.

4.1. Расчет стационарного теплового сопротивления модуля методом эквивалентов.

4.2. Расчет температуры кристаллов модуля в режиме периодических импульсных нагрузок.

4.3. Расчет стационарной температуры элементов модуля с применением модели двухслойной пластины при поверхностном нагреве.

Выводы к главе 4.

ГЛАВА 5. Экспериментальное определение электрических и тепловых параметров силовых модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5.

5.1. Измерение основных электрических параметров модулей.

5.2. Измерение стационарного и импульсного тепловых сопротивлений модулей.

Выводы к главе 5.

i

Актуальность темы.

В последнее время технологические достижения микроэлектроники в решении проблем коммутации больших мощностей позволили создать новые классы полупроводниковых приборов силовой электроники, обладающих свойствами полностью управляемых ключей с высокими уровнями коммутируемых напряжений и токов при малых потерях, незначительных мощностях управления и временах переключения [1].

Силовые полупроводниковые приборы (СПП) широко применяются в энергетике, электротехнике, радиотехнике и автоматике. Выпуск СПП непрерывно растет, увеличивается номенклатура приборов силовой электроники, применяются новейшие технологии для изготовления этих приборов (например, технология "утС)Пленного канала"), что улучшает их параметры и расширяет область применения СПП [2].

Все СПП можно условно разделить на три группы: приборы в дискретных корпусах, силовые интегральные схемы и гибридные силовые модули. Следует отметить, что более половины всех СПП выпускаются и будут выпускаться в модульном исполнении. Одно-, двух-, четырех- и шестиключевые модули с изолированным основанием позволяют создавать компактные, надежные преобразовательные электротехнические устройства. Значительные вариации степени интеграции от объединения только ключевых элементов до размещения в одном корпусе силовых, защитных и логических компонентов, а также разнообразные схемные исполнения гибридных силовых модулей обеспечили им интенсивно развивающийся рынок. Ежегодный прирост продаж силовых модулей за рубежом составляет около 30 % [1,2].

Конструкции гибридных силовых модулей делятся на два типа: паяные и прижимные. Оба типа интенсивно развиваются, улучшаются их электрические характеристики и параметры, повышаются надежность и термоциклоустойчивость при снижении цены. Все это достигается применением новых материалов и технологий сборки модулей, применением конструкций с использованием композиционных материалов, согласованных с кремниевыми кристаллами и изоляторами по коэффициенту теплового расширения [3].

Разработкой и применением гибридных силовых модулей занимаются и отечественные коллективы специалистов. Отечественная промышленность до недавнего времени выпускала только СПП в дискретных корпусах— диоды, тиристоры и биполярные транзисторы. В последние годы освоено производство силовых полевых транзисторов с изолированным затвором, биполярных транзисторов с изолированным затвором, а также модулей на их основе, но номенклатура выпускаемых силовых модулей пока незначительна, поэтому разработка новых силовых модулей является актуальной для отечественной электронной промышленности, что и определяет актуальность данной темы диссертации.

Работа выполнялась по теме ГБ 96-34 "Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах".

Цель работы.

Целью диссертации является разработка конструкции и отработка технологии сборки гибридных силовых модулей на базе высоковольтных (до 200 В) диодов Шоттки (ДШ) и высоковольтных (до 500 В) полевых транзисторов с изолированным затвором (МОП ПТ). Поставленная цель определяет следующие задачи: разработка конструкции гибридных силовых модулей на базе ДШ и МОП ПТ; разработка технологических маршрутов сборки силовых модулей, отработка технологии сборки, выбор отбраковочных испытаний, выявляющих дефектные приборы в процессе их сборки; экспериментальное определение стойкости модулей на ДШ к термоциклам в режиме энергоциклирования ("включено-выключено"); проведение расчетов по определению стационарных и импульсных тепловых сопротивлений переход-корпус модулей и сравнение их с экспериментальными данными; разработка контрольно-испытательной установки для контроля электрических и тепловых параметров силовых модулей.

Научная новизна.

Основные результаты работы, имеющие научно-техническую новизну, следующие: разработана паяная конструкция силового модуля на ДШ, отличающаяся от аналогичных зарубежных конструкций модулей в пластмассовых корпусах применением отдельных керамических таблеток вместо сплошной керамики; разработаны технологические маршруты сборки модулей на ДШ и МОП ПТ; разработана и написана на языке Turbo Pascal программа для расчета стационарных температур элементов модулей с традиционной конструкцией (регистрационный номер 50990000133 от 3.08.99 в Государственном фонде алгоритмов и программ); рассчитан и экспериментально определен температурный коэффициент прямого падения напряжения ДШ, необходимый для экспериментального определения тепловых сопротивлений; с целью увеличения точности и достоверности измерения тепловых сопротивлений модулей предложено применять в процессе измерения экстраполяцию температуры полупроводниковой структуры по измеренным значениям термочувствительного параметра.

Практическая значимость.

Полученные в работе результаты внедрены при выпуске опытных партий отечественных силовых модулей на ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов": на базе ДШ— М2ДШ-100-1.5 (максимально допустимое обратное напряжение-150 В, средний прямой ток- 100 А); на базе МОП ПТ— МПТКП-50-5 (максимально допустимое напряжение сток-исток- 500 В, постоянный ток стока- 50 А, сопротивление в открытом состоянии- 0.1 Ом).

Основные результаты и положения, выносимые на защиту: конструкция силовых модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5; технологические маршруты сборки силовых модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5, в том числе технологические отбраковочные испытания; результаты испытаний модуля М2ДШ-100-1.5 в режиме энергоциклирования ("включено-выключено"); расчет стационарного теплового сопротивления переход-корпус модуля на ДШ методом эквивалентов и импульсного теплового сопротивления по упрощенной модели нестационарных тепловых процессов; основные электрические и тепловые параметры и характеристики силовых модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на научно-техническом семинаре "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах" (Москва, 1997, 1998, 1999), всероссийских межвузовских научно-технических конференциях "Микроэлектроника и информатика" (Зеленоград, 1998) и "Микро- и наноэлектроника" (Звенигород, 1998), а также на ХХУН-ХХХ научно-технических конференциях научно-преподавательского состава, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1997-2000).

Публикации.

Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 11 печатных работах в виде статей, тезисов докладов и зарегистрированного программного средства. В совместных работах автору принадлежат проведение экспериментов, обработка их результатов, проведение расчетов и написание программного средства.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и одного приложения. Работа содержит 147 страниц печатного текста, включая 75 рисунков, 16 таблиц и список литературы из 93 наименований.

Основные результаты диссертации состоят в следующем: разработана конструкция модуля М2ДШ-100-1.5, имеющая несколько керамических таблеток площадью меньшей, чем керамические платы у модулей с аналогичной конструкцией, что улучшило качество паяных швов из-за их меньшей площади. Разработанные конструкции модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5 позволили исключить одно из слабых мест модуля, выполненного по паяной технологии, — соединение внешний вывод-металлизация керамической платы; разработаны технологические маршруты сборки силовых модулей М2ДШ-100-1.5 и МПТКП-50-5; установлены критерии диагностики теплового сопротивления по термочувствительному параметру, необходимой для контроля качества паяных швов модулей; для отбраковки потенциально ненадежных модулей предложены отбраковочные операции (испытание на ударном токе и индуктивную нагрузку) и их критерии; рассчитано стационарное тепловое сопротивления переход-корпус модуля М2ДШ-100-1.5 по методу эквивалентов. По упрощенной модели нестационарных тепловых процессов рассчитаны импульсные тепловые сопротивления до длительностей, равных 20 мс; разработана программа расчета стационарной температуры элементов модуля, позволяющая провести тепловой расчет силового модуля с большим количеством тепловыделяющих и нетепловыделяющих элементов (регистрационный номер 50990000133 от 3.08.99 в Государственном фонде алгоритмов и программ); разработана контрольно-испытательная установка для контроля электрических и тепловых параметров силовых модулей; измеренные стационарное и импульсное тепловые сопротивления переход-корпус модуля на ДШ хорошо согласуются с расчетными данными (расхождение не превышает 20 %, что соответствует требованиям, предъявляемым к тепловым расчетам). Рассчитан и экспериментально определен температурный коэффициент прямого

-138падения напряжения (ТКН), необходимый для определения тепловых сопротивлений.

С учетом полученных в настоящей работе результатов на ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов" были выпущены опытные партии отечественных силовых модулей: М2ДШ-100-1.5 (максимально допустимое обратное напряжение- 150 В, средний прямой ток- 100 А) и МПТКП-50-5 (максимально допустимое напряжение сток-исток- 500 В, постоянный ток стока- 50 А, сопротивление в открытом состоянии- 0.1 Ом).

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Флоренцев С. Н., Ковалев Ф. И. Современная элементная база силовой электроники// Электротехника. 1996. № 4. С. 2-8.

2. Флоренцев С. Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий// Электротехника. 1999. № 4. С. 2-8.

3. Флоренцев С. Н. Состояние и тенденции развития силовых IGBT-модулей// Электротехника. 2000. № 4. С. 2-9.

4. Ковалев Ф. И. Тенденции развития силовой электроники// Электротехника. 1991. № 6. С. 2-5.

5. Флоренцев С. Н., СавкинА. И. Гибридные силовые интегральные схемы и модули//Электротехника. 1991. № 6. С. 5-9.

6. Костычев Г. И. Мощные интегральные схемы// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1987. № 28. С. 2-7.

7. Высоконадежная интегрированная электроника большой мощности// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1990. №47. С. 10-12.

8. Гудинаф Ф. Симпозиумы по мощным ИС// Электроника (рус. пер.). 1990. № 9. С. 96-97.

9. ГОСТ 20859.1-89. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования.

10. Силовые полупроводниковые приборы: Справочник/ О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин.— М.: Энергоатомиздат. 1985. 400 с.

11. Флоренцев С. Н. Силовые гибридные интеллектуальные модули// Электротехника. 1994. № 3. С. 5-9.

12. Андриенко П. Д., Масленникова Н. С., Остренко В. С., Павлынив Я. И. Гибридно-интегральные модули на основе запираемых тиристоров// Электротехника. 1991. № 6. С. 9-11.

13. Dewar S., Zehringer R., Francis R., binder S., Stockmeier Т., Kaminski N. Стандартные модули XXI века// Электротехника. 2000. № 4. С. 9-15.

14. ЛайменД. Функциональные модули— простой способ реализации мощных гибридных ИС // Электроника (рус. пер.). 1988. № 7. С. 53-55.

15. Силовые полупроводниковые приборы. International Rectifier. Application Handbook/ Под ред. В. В. Токарева.— Воронеж: ТОО МП Элист. 1995.662 с.

16. Отблеск А. Е., Челноков В. Е. Физические проблемы в силовой электронике. — JT.: Наука. 1984. 234 с.

17. Розанов Ю. К. Основы силовой электроники.— М.: Энергоатомиздат. 1992. 296 с.

18. Зильберштейн В. Б., Манин С. В., Потанчук В. А. и др. Силовые полупроводниковые модули за рубежом// Электротехническая промышленность. Сер. 05: Силовая преобразовательная техника. 1988. Вып. 18. С. 1-44.

19. Semikron International. Power electronics. 1998.

20. Application Note. IGBT module. Hitachi, Ltd. 1998.

21. International Rectifier. Shottky diode designer's manual. Applications and product data. 1992.

22. International Rectifier. Power solutions. Product digest 48. SFC-96. 1996.

23. International Rectifier. Short form catalog. SFC-98. 1998.

24. Semiconductor technical data. Motorola Ltd. 1998.

25. Джексон Дж. Вэст. Представляем компанию "IR"// Электротехника. 1996. №12. С. 48-50.

26. Чернышов А. А., Максимова Э. А., Рыбакова И. В., Сычев Г. Л., Челноков Е. И. Состояние и перспективы развития производства керамики для подложек и корпусов ИС// Зарубежная электронная техника. 1990. № 9. С. 3-37.

27. Чернышов А. А., Чистяков Ю. Д. Корпуса для сборки интегральных микросхем// Зарубежная электронная техника. 1988. № 9. С. 17-18.

28. Куликов В. И., Прохоров Л. Н., Коньков Н. В., Парилова Г. А., Сытилин С. Н. Нитридная керамика для изделий силовой электроники// Электротехника. 1995. № 2. С. 51-56.

29. Балкевич В. Л. Техническая керамика.— М.: Стройиздат. 1968. 198 с.

30. Красов В. Г., Петраускас Г. Б., Чернозубов Ю. С. Толстопленочная технология в СВЧ микроэлектронике.— М.: Радио и связь. 1985. 168 с.

31. Бойко В.И., Коваленко П. Ю. Многокристальный модуль на диодах Шоттки// Материалы докладов международного научнотехнического семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". Москва. 2000. С. 413-417.

32. ОСТ 11336.905-78. Транзисторы биполярные. Методы установления максимальных статических и импульсных режимов.

33. Карслоу Г. Егер Д. Теплопроводность твердых тел.— М.: Наука. 1964. 487 с.

34. Перельман Б. Л., Придорогин В. М. Многократный нагрев маломощных транзисторов рассеиваемой в них электрической мощностью// Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1979. Вып. 1(127). С. 96-104.

35. Чистяков Ю. Д., Яковлев Г. А. Физико-химические пути повышения надежности соединений, паянных легкоплавкими припоями// Обзоры по электронной технике. Сер. 7: Технология, организация производства и оборудование. 1979. Вып. 2(625). 41 с.

36. Краткий справочник паяльщика/ под общ. ред. И. Е. Петрунина.— М.: Машиностроение. 1991. 224 с.

37. Лашко С. В., Лашко Н. Ф. Пайка металлов.—М.: Машиностроение. 1988. 376 с.

38. Яковлев Г. А. Пайка материалов припоями на основе свинца// Обзоры по электронной технике. Сер. 7: Технология, организация производства и оборудование. 1978. Вып. 9(556). 73 с.

39. Коледов Л. А., Заводян А. В., Королькевич В. А. Поверхностный монтаж компонентов— новое направление в конструировании и производстве микроэлектронной аппаратуры// Зарубежная электронная техника. 1988. № 4(323). С. 14-17.

40. Lang G. A., Fehder В. I., Williams W. D. Thermal fatique in silicon transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. Vol. ED-17. №9. P. 787-793.

41. Баюков A.B., Минц В. И., Петухов В. М., Хрулев А. К. Полупроводниковые приборы в пластмассовых корпусах// Зарубежная электронная техника. 1979. № 7(202). 63 с.

42. Попова Г. Е. Использование эпоксидных компаундов для герметизации полупроводниковых приборов и микросхем// Обзоры по электронной технике. Сер. 6: Материалы. 1985. Вып. 11(1156). 48 с.

43. Разработка составов компаундов и оптимальной технологии их применения, обеспечивающих требования по герметизации микросборок (взамен металлических корпусов) в условиях вакуума Ю-2 мм рт. ст. в интервале -60++80°С. Отчет о НИР. ВНТИЦ. 1983. 53 с.

44. Теверовский А. А., Епифанов Г. И., Константинов А. А. Надежность полупроводниковых приборов, герметизированных в пластмассу// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1979. Вып. 10(611). 45 с.

45. Моряков О. С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Сборка.—М.: Высш. шк. 1990. 126 с.

46. Минскер Ф. Е. Справочник сборщика микросхем.—М.: Высш. шк. 1992. 144 с.

47. Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник.— М.: Радио и связь. 1991. 528 с.

48. Тагер А. А. Физико-химия полимеров.—М.: Химия. 1968. 536 с.

49. Роздзял П. Технология герметизации элементов РЭА/ пер. с польского под ред. В. А. Волкова.— М.: Радио и связь. 1981. 304 с.

50. Изучение механизма возникновения отказов при термомеханических испытаниях микросхем и микротранзисторов в пластмассовых корпусах. Отчет о НИР. ВНТИЦ. 1984. 77 с.

51. Балашов Ю. С., Зенин В. В., Сегал Ю. Е. Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике.— Воронеж: Изд-во ВГТУ. 1999. 160 с.

52. Конев Ю. И., Машуков Е. В. Параллельное включение транзисторов// Электронная техника в автоматике: Сб. статей. Вып. 12/ Под ред. Ю. И. Конева.— М.: Радио и связь. 1981. С. 204-222.

53. Григоренко В. П., Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Мнацаканов Т. Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов.— М.: Энергоатомиздат. 1988. 280 с.

54. Конструирование корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов/ Под ред. Н. Н. Горюнова.— М.: Энергия. 1972. 120 с.

55. Regnault J. Les defaillances des transistors de puissance. Les parametres de detection des defectuosites. 3e Congres national fiabilite. Perros-Guirec-Tregastel. 1976. P. 268-282.

56. Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Отбраковочные технологические испытания— средство повышения надежности ИС// Петербургский журнал электроники. 1999. № 3. С. 59-66.

57. Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Технологические тренировки интегральных схем// Микроэлектроника. 2000. Том 29. № 5. С. 395-400.

58. Портной С. Е., Тепман И. А., Сурин А. В. Вопросы эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов и ускоренной оценки ее// Электронная техника. Сер. 8: Управление качеством и стандартизация. 1975. Вып. 9(39). С. 53-60.

59. Кузнецов О. А., Погалов А. И., Сергеев В. С. Конструктивные и технологические способы повышения прочности паяных соединений элементов ИС при теплосменах// Обзоры по электронной технике. Сер. 3: Микроэлектроника. 1984. Вып. 3(1025). 35 с.

60. Мазель Е. 3. Мощные транзисторы.— М.: Энергия. 1969. 280 с.

61. Махлин Б. Ю. Надежность мощных транзисторов при переменных во времени нагрузках// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1973. № 30. С. 16-24.

62. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Ежов В. С., Ремнев А. М. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. Ч. 2. Области применения// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 4. С. 13-15.

63. Машуков Е. В., Конев Ю. И., Леоненко И. М. Процессы переключения силовых МДП-транзисторов в импульсных регуляторах мощности // Электронная техника в автоматике: Сб. статей. Вып. 13/ Под ред. Ю. И. Конева.— М.: Радио и связь. 1982. С. 8-16.

64. Окснер Эдвин С. Мощные полевые транзисторы и их применение/ Пер. с англ. — М.: Радио и связь. 1985. 288 с.

65. Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Отбор мощных МОП-транзисторов для параллельной работы в силовых модулях// Тезисы докладов всероссийской межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика-98". 4.2. Москва. 1998. Подсекция 4.4.

66. Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Измерение теплового сопротивления силового модуля на полевых транзисторах// Тезисы докладов всероссийской научно-технической конференции "Микро- и наноэлектроника-98". Том. 2. Звенигород. 1998. Доклад № Р2-64.

67. Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Исследование работы мощных МДП-транзисторов на индуктивную нагрузку// Материалы докладов научно-технического семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". Москва. 1999. С. 396-399.

68. Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Испытание мощных полевых транзисторов на устойчивость к индуктивной нагрузке// Машиностроитель. 2000. № 6. С. 17.

69. ОСТ 11.336.938-83. Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.

70. Захаров A. JL, Асвадурова Е. И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов.—М.: Радио и связь. 1983. 184 с.

71. ОСТ 11 0944-96. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.

72. Могилевский В. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. —М.: Наука. 1972. 536 с.

73. Никишин В. И., Петров Б. К., Сыноров В. Ф. и др. Проектирование и технология производста мощных СВЧ- транзисторов. —М.: Радио и связь. 1989. 144 с.

74. Горохов В. А., Щедрин М. Б. Физические основы применения тиристоров в импульсных схемах. —М.: Сов. радио. 1972. С. 111-114.

75. ОСТ 11073.026-74. Микросхемы интегральные гибридные. Конструирование. Обеспечение тепловых режимов.

76. Жилейкин Я. М., Боскис И. А., Федосеева Ю. И. Программа для расчета температурного поля двухслойной пластины при поверхностном нагреве. Программы решения прикладных математических задач. Выпуск 17. 1971.

77. Боскис И. А., Жилейкин Я. М. Программа для расчета температурного поля изотропной пластины при поверхностном нагреве. Программы решения прикладных математических задач. Выпуск 16. 1971.

78. Коваленко П. Ю. Расчет температуры элементов гибридных интегральных схем// Государственный фонд алгоритмов и программ Российской Федерации (регистрационный номер 50990000133 от 3.08.99).

79. Чебовский О. Г., Моисеев JI. Г. Испытания силовых полупроводниковых приборов.— М.: Энергоатомиздат. 1985. 400 с.

80. Аксенов А. И., Глушкова Д. Н., Иванов В. И. Отвод тепла в полупроводниковых приборах.— М.: Энергия. 1971. 176 с.

81. Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов.— J1.: Энергоатомиздат. 1986. 247 с.

82. Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Ежов В. С. и др. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. 4.1. Проблемы конструирования// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1983. Вып. 10(996). 68 с.

83. Тугов Н. Г., Глебов Б. А., Чарыков Н, А. Полупроводниковые приборы.— М.: Энергоатомиздат. 1990. 576 с.

84. Черноусов Н. П., Петров В. С., Бессонов Ю. J1. Материалы электронной техники.— М.: Радио и связь. 1992. 208 с.

85. ОСТ 11073.073-82. Методы контроля температуры биполярных транзисторов и интегральных микросхем.

86. Закс Д. И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем,— М.: Радио и связь. 1983. 128 с.

87. Баранов И. А., Савватин Н. Н. Диагностирование полевых транзисторов с затвором Шоттки по тепловому сопротивлению// Электронная промышленность. 1990. № 6. С. 52-53.

88. Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Конструктивно-технологические особенности силового модуля// Межвузовский сборник научных трудов "Твердотельная электроника и микроэлектроника". Воронеж.1997. С. 10-12.

89. Бойко В. И., Коваленко П. Ю., Григорьева Н. С. Многокристальный силовой модуль на основе полевых транзисторов// Материалы докладов научно-технического семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". Москва.1998. С. 338-341.