автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазме низкочастотного разряда

Введение

Глава 1. Физические свойства и особенности технологии некристаллических полупроводников

1.1. Структурные особенности и физические свойства аморфных полупроводников

1.1.1. Оптические и электрофизические свойства аморфных полупроводников

1.1.2. Влияние микроструктуры на электрофизические свойства и стабильность аморфных полупроводников

1.1.3. Влияние условий осаждения на микроструктуру и морфологию поверхности аморфных полупроводников

1.2. Современное состояние технологии некристаллических полупроводников на основе а-БгН

1.2.1. Плазмохимический метод осаждения пленок а-8гН.

1.2.2. Основные этапы процесса роста пленок а-81:Н при плазмохимическом осаждении

1.2.3. Особенности процессов роста пленок а-БтН при высокоскоростном плазмохимическом осаждении

1.3. Методы диагностики плазмохимических процессов осаждения а-8гН 32 Выводы по главе I

Глава 2. Технологическое оборудование и экспериментальные методы исследования

2.1. Конструкционно-технологические особенности установки НЧ ПХО для получения аморфных пленок

2.2. Экспериментально-измерительное оборудование для диагностики

ПХ процессов

2.2.1. Аппаратура и методика измерения состава плазмы методом масс-спектрометр ии

2.2.2. Аппаратура и методика измерения характеристик НЧ-разряда методом оптической эмиссионной спектроскопии

2.2.3. Методика измерения электрических параметров НЧ-разряда

2.2.4. Методика исследования процессов порошкообразования в плазме НЧ-разряда

2.3. Экспериментальные методы исследования физических свойств аморфных пленок и характеристик приборов на их основе

2.3.1. ИК-спектроскопия

2.3.2. Оже-эяектронная спектроскопия

2.3.3. Атомная силовая микроскопия

2.3.4. Электронный парамагнитный резонанс

2.3.5. Исследование термической стабильности пленок а-БгН методом дифференциальной сканирующей калориметрии (ДСК)

2.3.6. Измерение оптоэлектронных характеристик аморфных полупроводников

2.3.7. Спектры оптического пропускания

2.3.8. Измерение внутренних механических напряжений

2.3.9. Измерение скорости роста пленок аморфного кремния

2.3.10. Технологический маршрут проведения экспериментов

Выводы по главе

Глава 3„ Плазмохимические процессы в НЧ-разряде и основные режимы осаждения аморфных пленок

3.1. Анализ рабочей области технологического пространства

3.1.1. Определение зон технологических параметров, обеспечивающих стабильность горения разряда

3.1.2. Однородность нанесения и воспроизводимость свойств пленок, полученных в НЧ-разряде

3.2. Структура НЧ-разряда и плазмохимические процессы получения собственных и легированных пленок аморфного кремния.

3.2.1 Электрические параметры разряда

3.2.2. Исследование наличия частиц порошка в области разряда

3.2.3. Оптические эмиссионные спектры

3.2.4. Масс-спектроскопия газообразных продуктов реакции

3.3. Основные особенности плазмохимических процессов осаждения сплавов на основе аморфного кремния

3.3.1. Осаждение сплава а-81С:Н

3.3.2. Осаждение сплава а-810е:Н

3.4. Особенности процессов роста пленок аморфного гидрогенизированного кремния и сплавов на его основе в плазме низкочастотного разряда

3.4.1 .Описание классического разряда постоянного тока

3.4.2. Оценка длины свободного пробега молекул при осаждении а-81:Н в плазме НЧ-разряда

3.4.3. Расчет амплитуды колебаний заряженных частиц в низкочастотном разряде

3.4.4. Расчет перемещения частиц за половину периода с учетом столкновений

3.4.5. Особенности горения НЧ-разряда 55 кГц

3.4.6. Определение толщины катодного слоя

3.4.7. Слоевая структура низкочастотного разряда

3.4.8. Оценка потоков частиц на поверхность роста

3.4.9. Поток радикалов

3.4.10. Поток ионов

3.4.11. Слой порошкообразных частиц

3.4.12. Анализ неустойчивости горения разряда

3.4.13. Отличительные особенности осаждения аморфных пленок в плазме НЧ-разряда 124 Выводы по главе

Глава 4. Физические свойства и механизмы роста пленок аморфного кремния в НЧ ПХО 128 4.1. Структурные особенности и морфология пленок аморфного гидрогенизированного кремния

4.1.1. Исследование морфологии поверхности а-81:Н методом атомно-силовой микроскопии

4.1.2. Исследование микроструктуры и состава пленок а-8гН методом ИК-спектроскопии

4.1.3. Исследование дефектов в a-Si:H методом электронного парамагнитного резонанса

4.1.4. Исследование внутренних механических напряжений в пленках a-Si: H

4.2. Оптические и электрофизические свойства аморфного кремния, полученного методом НЧ ПХО

4.2.1. Микроструктура и оптические свойства собственного a-Si:H

4.2.2. Электрофизические свойства н плотность состояний в a-Si:H

4.3. Термическая стабильность и метастабильные процессы в пленках аморфного кремния, полученного методом НЧ ПХО

4.3.1. Светоиндуцированная метастабильность в пленках a-Si:H, полученных методом НЧ ПХО

4.3.2. Термическая стабильность и релаксационные процессы в пленках a-Si:H, полученных методом НЧ ПХО 181 Выводы по главе

Глава 5. Физические свойства и механизмы роста пленок легированного аморфного кремния, полученных методом НЧ ПХО

5.1. Особенности механизмов роста и микроструктуры пленок a-Si:H, легированных фосфором

5.1.1. Химический состав и особенности роста пленок a-Si:H п-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.1.2. Морфология поверхности пленок a-Si:H n-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.1.3. Особенности микроструктуры пленок a-Si:H n-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.2. Оптические и электрофизические свойства пленок a-Si:H n-типа, полученных методом НЧ ПХО.

5.2.1. Уровень Ферми и эффективность легирования пленок a-Si :Н n-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.2.2. Оптические свойства и водородная микроструктура

5.2.3. Влияние микроструктуры на оптические и электрофизические свойства a-Si:H n-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.3. Особенности механизмов роста и микроструктуры пленок a-Si.H, легированных бором

5.3.1. Химический состав н особенности роста слоев a-Si:H р-типа

5.3.2. Морфология поверхности пленок a-Si:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.3.3. Особенности микроструктуры пленок a-Si:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.4. Оптические и электрофизические свойства пленок a-Si:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.4.1. Влияние легирования на положение уровня Ферми в пленках a-Si:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО.

5.4.2. Оптические свойства пленок a-Si:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО

5.4.3. Влияние исходных газов на эффективность легирования пленок a-Si:H р-типа 214 Выводы по главе

Глава 6. Физические свойства и механизмы роста пленок аморфных сплавов на основе элементов 4 группы

6.1. Микроструктура и физические свойства пленок аморфных сплавов a-SiC:H

6.1.1. Химический состав и особенности роста сплавов на основе a-SiC:H

6.1.2. Морфология поверхности пленок a-SiC:H, полученных методом НЧ ПХО

6.1.3. Особенности микроструктуры пленок a-SiC:H, полученных методом НЧ ПХО

6.2. Оптические и электрофизические свойства сплавов a-SiC:H, полученных в плазме НЧ разряда

6.2.1. Оптические свойства сплавов a-SiC:H, полученных методом НЧ ПХО

6.2.2. Электрофизические свойства сплавов a-SiC:H, полученных методом НЧ ПХО

6.3. Оптические и электрофизические свойства сплавов a-SiC:H р-типа, полученных методом НЧ ПХО

6.4. Микроструктура и физические свойства пленок аморфных сплавов a-SiGe:H

6.4.1. Химический состав и особенности роста пленок аморфных сплавов a-SiGe:H

6.4.2. Исследование морфологии поверхности пленок a-SiGe:H, полученных методом НЧ ПХО

6.4.3. Исследование микроструктуры и состава пленок a-SiGe:H, полученных методом НЧ ПХО

6.5. Оптические и электрофизические свойства сплавов a-SiGe:H, полученных методом НЧ ПХО. 251 Выводы по главе

Глава 7. Технология получения и основные характеристики солнечных батарей на основе аморфного кремния и его сплавов

7.1. Конструкционно - технологические особенности элементов солнечных батарей на основе аморфного кремния

7.2. Исследование возможности использования пленок собственного a-Si:H, полученного в плазме НЧ-разряда в структуре элементов солнечных батарей

7.3. Технологический маршрут изготовления элементов солнечных батарей на основе аморфного кремния

7.4.Электрофизические характеристики элементов солнечных батарей на основе аморфного кремния и его сплавов с углеродом

Выводы по главе

В настоящее время одним из важнейших направлений развития электронных технологий является разработка высокоскоростных и низкотемпературных методов формирования материалов и устройств для создания элементной базы современной твердотельной электроники. Увеличение скорости роста пленок при формировании структур и устройств твердотельной электроники вызвано необходимостью их производства в промышленном масштабе и, таким образом, является важным фактором экономической обоснованности того или иного технологического процесса. Более того, увеличение скорости роста пленок и, соответственно, уменьшение времени технологического процесса формирования полупроводниковых структур, решает важную задачу увеличения выхода годных, поскольку снижается вероятность деградации предварительно сформированных слоев. Тенденция к снижению температуры подложки практически обеспечивает возможность создания многоуровневых функциональных устройств, в том числе интегрированных в схемы обработки информации, что является основой современной функциональной электроники и микроэлектроники.

Такой подход имеет общую тенденцию в различных направлениях современной твердотельной электроники и наиболее отчетливо проявляется в области технологии некристаллических материалов и приборов на их основе. Фундаментальная природа некристаллических материалов сама по себе позволила скачком снизить температуры технологических процессов от 800-1200°С в случае эпитаксиальных слоев до 200-25 0°С при создании материалов на основе аморфного гидрогенизированного кремния a-Si:H, обладающих заданным набором полупроводниковых свойств [1-5].

Актуальность направления твердотельной электроники, связанного с разработкой технологии формирования материалов и устройств на основе аморфных полупроводников обусловлена рядом особенностей этих материалов, среди которых наиболее значимыми являются [1-5]:

1. Возможность нанесения аморфных полупроводников практически на любые подложки (металлы, кристаллические полупроводники и диэлектрики) и поверхности (пластины, барабаны и т.д.) большой площади снимает ограничение, неизбежное при использовании кристаллических полупроводников.

2. Плотность макродефектов в пленках аморфного гидрогенизированного кремния (a-Si:H) и сплавов на его основе на три порядка меньше, чем в монокремнии, а сплошность слоев сохраняется при толщине до 50 Á. Поэтому аморфные полупроводники позволяют использовать литографию более высокого разрешения, чем кристаллические.

3. Выход годных структур на основе аморфных полупроводников с различной шириной щели при промышленном производстве достигает 98 %, что наряду с низкой температурой осаждения позволяет получать многомерные структуры путем поэтапного нанесения любого количества слоев.

4. Широкий набор термо- и фотоструктурных модификаций, свойственных аморфным полупроводникам, высокая фоточувствительность делает возможным создание большого спектра приборов на их основе: переключателей, элементов памяти, полевых транзисторов, фоточувствительных элементов копировальных машин, датчиков изображения, термоэлементов, элементов солнечных батарей и других изделий электронной техники.

Конкретная реализация сформулированных выше задач твердотельной электроники в случае некристаллических полупроводников связана с сохранением высоких оптических и электрофизических свойств получаемых материалов при достижении их высокой скорости роста и снижении температуры подложки. Противоречивость этих требований заключается в том, что увеличение скорости роста требует повышения температуры подложки для сохранения у материалов электронных свойств приборного качества [6]. С другой стороны при понижении температуры подложки сохранить приборные качества пленок можно за счет снижения скорости роста, например, путем высокого разбавления водородом в случае формирования пленок a-Si:H и сплавов на его основе [7]. В результате данная проблема в настоящее время комплексно не решена, а разработанное в мире семейство новых технологических методов практически решает лишь одну из сторон этой проблемы.

Целью данной диссертационной работы является разработка и исследование новой технологии, по совокупности свойств которой решается комплексная проблема создания некристаллических материалов электроники с заданными свойствами при высоких скоростях роста и низких температурах процессов.

Основные результаты и выводы

1. Исследованы и разработаны технологии высокоскоростного осаждения в плазме низкочастотного разряда следующих аморфных полупроводников:

1.1. Собственного аморфного гидрогенизированного кремния со скоростью осаждения до 15 А/с, обладающего оптическими и электрофизическими свойствами, необходимыми для приборного применения в твердотельной электронике.

1.2. Аморфного гидрогенизированного кремния п- и р-типа проводимости с максимальным сдвигом уровня Ферми в сторону зоны проводимости на 0,34 эВ для а-БгН п-типа и в сторону валентной зоны на 0,42 эВ для а-БгН р-типа, что удовлетворяет требованиям приборов на основе р-п-переходов и р-ьп-структур.

1.3. Сплава аморфного гидрогенизированного кремния с углеродом (а-81С:Н) приборного качества с оптической шириной запрещенной зоны Её= 1.9-2.0 эВ, высокой фоточувствительностью (~103) при низких температурах осаждения.

1.4. Сплава аморфного гидрогенизированного кремния с германием (а-8Юе:Н) приборного качества с низкой концентрацией дефектов и высокой фоточувствительностью при оптической ширине запрещенной зоны в диапазоне 1,47-1,52 эВ.

1.5. Сплава аморфного гидрогенизированного кремния с углеродом (а-81С:Н) р-типа проводимости удовлетворяющего основным требованиям, предъявляемым к слоям р-типа, используемым в качестве окон в элементах солнечных батарей на основе а-8Ш (а^Ю"5 Ом"1-см"1, Еа<0,5 эВ и Её>2,0 эВ).

2. Механизмы роста пленок а-8гН, получаемых высокоскоростным методом НЧ ПХО, определяются высоким потоком радикалов, генерируемых вблизи поверхности подложки, ионной обработкой поверхности роста и процессом порошкообразования в газовой фазе. Указанные процессы обуславливают высокую скорость роста пленок, низкую концентрацию дефектов и микрорельеф поверхности островкового типа. При этом островки малого диаметра образуются за счет высокого потока радикалов, обладающих малой подвижностью, а их статистика подчиняется логарифмическому нормальному закону распределения. Островки больших размеров обусловлены частицами, попадающими из газовой фазы на поверхность пленки, и подчиняются статистике, описываемой гауссовой формой распределения.

3. Установлен механизм процесса порош кообразования, при котором частицы порошка размещаются в центре межэлектродного промежутка в зоне слабого электрического поля положительного столба. Зародыши порошкообразных частиц образуются при взаимодействии нейтральных радикалов моносилана в газовой фазе. Попадая в середину межэлектродного промежутка, порошкообразные частицы вырастают до размеров в сотни нанометров за счет приобретения заряда и последующего захвата как нейтральных радикалов, так и ионов. Увеличение мощности и давления увеличивает интенсивность процессов образования частиц порошка, которые за счет высокой инерции, остаются неподвижными в центре межэлектродного промежутка и не участвуют в росте пленки.

4. В результате исследования электрофизических свойств и моделирования фотопроводимости пленок а-81:Н, полученных методом НЧ ПХО, установлено, что плотность состояний в щели подвижности определяется микроструктурой пленок, обусловленной процессами десорбции водорода и его перераспределением между конфигурациями БШ и 8Ш2 связей. В результате оптические и электрофизические параметры а-8кН, сформированного методом НЧ ПХО, определяются механизмами роста пленок, связанными с высоким потоком радикалов и ионной обработкой поверхности роста. Высокий поток радикалов обуславливает высокую скорость роста, а ионная обработка - оптимальную микроструктуру и, соответственно, оптимальные электрофизические параметры материала.

5. В пленках а-8гН п-типа, полученных методом НЧ ПХО, выполняются основные закономерности, характерные для аморфных полупроводников (правило Мейера-Нельделя, независимость Её от уровня легирования), но в то же время проявляются ряд специфических особенностей, связанных с развитой островковой микроструктурой и заключающихся в пассивации электрической активности примесей за счет ж локализации на поверхности островков и вне зависимости Её от концентрации водорода. При концентрации фосфина в газовой фазе до 1,11% размеры островков уменьшаются, а эффективность легирования возрастает. При концентрациях [РН3]>1,11% фосфор выделяется на поверхность островков в окружение 8ьН2 связей, что приводит к его пассивации водородом и возникновению высокочастотной составляющей полосы поглощения Р-Н. При этом высокая скорость роста пленок определяется, как и в случае a-Si:H, близким расположением области генерации радикалов к поверхности растущей пленки и процессами порошкообразования в газовой фазе.

6. Пленки a-Si:H р-типа, полученные методом НЧ ПХО, обладают островковой микроструктурой колончатого типа. Поверхность островков насыщена полигидридными конфигурациями кремния при концентрации диборана до 0,44% и связями В-Н при более высоких концентрациях. Зависимости оптической ширины запрещенной зоны и положения уровня Ферми от концентрации диборана в газовой смеси определяются концентрацией водорода и типом формируемых водородных конфигураций. Уменьшение концентрации водорода приводит к увеличению эффективности легирования и уменьшению оптической ширины запрещенной зоны. Лимитирующей стадией процесса роста a-Si:H р-типа является диссоциация диборана, которая при [В2Нб]< 0,44% протекает косвенными путем, что приводит к уменьшению скорости роста пленок, но при этом эффективность легирования возрастает с увеличением концентрации диборана в газовой фазе. При [В2Н6]> 0,44% за счет прямой диссоциации диборана происходит локализация атомов бора на поверхности островков, что приводит к пассивации их электрической активности, но скорость роста пленки при этом увеличивается.

7. Установлено, что осаждение пленок a-SiC:H методом НЧ ПХО из смеси моносилана с метаном осуществляется за счет взаимодействия молекул метана с радикалами SiHn в режиме «низкой мощности». Углерод встраивается в пленки a-SiC:H преимущественно в форме метальных групп (-СН3), отвечающих за увеличение оптической ширины запрещенной зоны. Кластерирование атомов углерода в виде связей С-Нп на поверхности островков сопровождается уменьшением среднего размера островков и приводит к формированию графитоподобной микроструктуры обуславливающей возникновение дополнительного канала проводимости в a-SiC:H. При этом формирование Si-C связей в объеме островков определяет оптическую ширину запрещенной зоны. Использование импульсного режима горения НЧ-разряда позволяет регулировать содержание графитоподобной составляющей микроструктуры в формируемых слоях, чго обеспечивает получение широкозоннпго сплава a-SiC:H (Е2=1.9-2.0 эВ) с высокой фоточувствительностью (~103) при низких температурах подложки.

8. Механизмы роста пленок a-SiGe:H в плазме НЧ-разряда обусловлены процессами прямой диссоциации молекул моногермана в газовой фазе. Это обеспечивает эффективное внедрение атомов германия в растущую пленку, а первичные реакции разложения GeH4 определяют скорость роста сплава a-SiGe:H. Распределение плотности состояний в середине запрещенной зоны и положение уровня Ферми в пленках a-SiGe:H определяются микроструктурой, обусловленной Si-Hn конфигурациями. Кластеризация Si-Hn и Ge-Hn связей приводит к независимости оптической ширины запрещенной зоны от концентрации водорода в пленке. При этом микроструктура, обусловленная связями Si-Hn, определяет положение уровня Ферми в середине запрещенной зоны, тогда как дефекты, обусловленные германием, определяют плотность состояний и центры рекомбинации в пленках a-SiGe:H, сформированных методом НЧ ПХО.

9. В результате совместного анализа кривых ДСК и эффекта Стэблера-Вронского установлено, что природа метастабильных процессов связана с островковой микроструктурой пленок, образуемой в НЧ-разряде за счет высокого потока радикалов и ионной обработки поверхности роста, а не частицами порошка из газовой фазы. Состояния на поверхности внутренних границ являются ловушками для водорода, что приводит к подавлению его диффузионной подвижности и повышению стабильности пленок. Это обуславливает возможность формирования методом НЧ ПХО пленок a-Si:H с высокой скоростью роста и высокой стабильностью.

10. На основе полученных результатов впервые разработана технология изготовления высокоскоростным методом НЧ ПХО элементов солнечных батарей на основе a-Si:H и его сплавов с углеродом. Достигнутые характеристики солнечных батарей с КПД преобразования около 7 % определяют перспективу использования высокоскоростной низкочастотной технологии и пути дальнейшей ее оптимизации для повышения эффективности преобразования солнечной энергии.

282

1. Меден А., Шо М. «Физика и применение аморфных полупроводников». М. Мир. 1991. 669 с.

2. Айвазов А.А., Будагян Б.Г., Вихров С.П., Попов А.И. «Неупорядоченные полупроводники». М.: Высшая школа, МЭИ. 1995. 352 с.

3. Winer К. Chemical eqilibrium model of optimal a-Si:H growth from SiH4. // Phys.Rev.B 1990. Vol. 41. No 11. P.7952-7954

4. Shima M, Terakawa A, Isomura M, Tanaka M, Kiyama S, Tsuda S. Effects of high hydrogen dilution at low temperature on the film properties of hydrogenated amorphous silicon germanium. // App. Phys. Letters. 1997. Vol. 71. №1. P. 84-86.

5. Иоффе А.Ф., Регель A.P.//Prog. Semicond (1960). Vol. 4. P 237.

6. Knights J.C., Lujan R.A. Microstructure of plasma-deposited a-Si:H films. // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol.35. No 3. P.244-246.

7. Мотт H., Дэвис Э. «Электронные процессы в некристаллических веществах» Вып 2., М., Мир, 1982. 662 с.11 «Физика гидрогенизированного аморфного кремния» // Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. Вып.2. М.: Мир. 1988.

8. Budaguan B.G., Aivazov А.А., Stryakhilev D.A. The valence band tail density of states and bond angle distortion in a-SiNx:H alloys // MRS Simp. Proc. 1996, Vol.426, p.59-64.

9. Street R.A. //Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 1987.Vol.94.P. 13-16.

10. Mahan A.H., Menna P., Tsu R. Influence of microstructure on the Urbach edge of amorphous SiC:H and amorphous SiGe:H alloys // Appl.Phys.Lett. 1987. Vol.51. P. 1167-1169.

11. Sakata A.P. /7 Appl. Phys. A. 1989. Vol.48. P.295-301.

12. Yonezava F. // In: Amorphous Semiconductor Technology and Devices, ed. by Y.Hamakawa. P. 12-20.

13. Kosarev A.I., Kovrov A.G., Gibson R.A.B., LeComber P.G. The effect of structure on the electronic proporties of a-Si:H // J. Non-Cryst. Solids 1991. Vol.137/138. P.371-374.

14. Qin G.G., Kong G.L. Silicon-hydrogen bonds and micro voids in hydrogenated amorphous silicon and Staebler-Wronski effect. // Sol. St. Comm. 1989. Vol.71. P.41-43.

15. Nakamura N., Takahama Т., Ohnishi M., Kuwano Y. The influence of Si-H bond and the light-induced effect in a-Si films and a-Si solar cells. // Jpn.J.Appl. Phys. 1989. Vol.28. P.1762-1768.

16. Ierra F. On the correlation among photodegradation, charged dangling bonds and micro structure in hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys. 1994. Vol.75. No.3. P. 1396-1400.

17. Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Стряхилев Д.А. Микроструктурные неоднородности и релаксационные процессы в a-Si:H. // Сборник Трудов МИЭТ. 1993. С.26-38.

18. Kakalios J., Jackson W.B. The hydrogen glass model. // In: Amorphous silicon and related materials, ed. by Fritzsche H. World Scientific, Singapore. 1988. P.207-245.

19. Jackson W.B., Tsai C.C., Santos P.V. Dependence of hydrogen trapping densities of hydrogen concentration. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. Vol.137/138. P.21-24.

20. Santos P.V., Doland C., Johnson N.M., Street R.A. Light-induced hydrogen diffusion in a-Si:H. // J. Non-Ciyst. Solids. 1991. Vol. 137/138. P.33-36.

21. Jackson W.B. Role of hydrogen complexes in the metastability of hydrogenated amorphous silicon. // Phys. Rev. B. 1990. Vol.41. No 14. P. 10257-10260.

22. Lucovsky G., Jing Z., Lu Z., Lee D.R., Whitten J.L. Properties of Bonded Hydrogen in Hydrogenated Amorphous-Silicon and Other Hydrogenated Amorphous-Silicon Alloys.// J. Non-Cryst.Solids. 1995. Vol.182. No. 1-2. P.90-102.

23. Zhang S.B., Jackson W.B. Formation of extended hydrogen complexes in silicon. //Phys. Rev. B. 1991. Vol.43. No 14. P. 12142-12145.

24. Johnson N.M. Hydrogen in crystalline and amorphous silicon. // J.Non-Cryst. Solids. 1991. Vol. 137/138. P.37-40.

25. Witte H., Barthel U. The influence of micro structure on X-ray-induced degradation of dark conductivity of a-Si:H layers // J. Phys. Condens. Mat. 1995. Vol.7. No 19. P.3675-3682.

26. Witte H., Barthel U., Garke B. Influence of X-ray-exposure on electrical properties of a-Si:H layers // Phys.Stat.Sol. A 1994. V. 146. No.2. P.703-712.

27. Schmidt J.A., Koropecki R.R., Arce R., Buitrago R.H. Annealing-induced effects on the stability of hydrogenated amorphous silicon // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. No 10. P.5959-5964.

28. Knights J.C., Lujan R.A., Rosenbhim M P. Street R.A., Biegelsen D.K. // Appl.Phys.Lett. 1981. Vol.38. P.331.

29. Ross R.C., Messier R. The effects of hydrogen partial pressure on reactively sputtered amorphous silicon // J.Appl.Phys. 1984. Vol.56. No 2. P.347-351.

30. Perrin J. Physico-Chimie d'un Plasma Multipolaire de Silane et Processus de Déposition du Silicium Amorphe Hydrogéné. // PhD thesis. Université Paris VII. 1983. P.291.

31. Perrin J. Plasma and surface reactions during a-Si:H film growth. // J. Non-Cryst. Solids. 1991. Vol.l37&138. P.639-644.

32. Roca i Cabarrocas P. Towards high deposition rates of of a-Si:H the limiting factors //J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol.166. P.131-134.

33. Perrin J. Reactor design for a-Si:H deposition. // In: Plasma Deposition of Amorphous Silicon-Based Materials, ed. by G.Bruno, P.Capezzuto, and A.Madan (Academic Press, San Diego, 1995), pp. 177-241.

34. Dutta J., Kroll U., Chabloz P., Shah A., Howling A., Dorier J.-L., Hollenstem Ch. // J.Appl. Phys. 1992. Vol.72. P.3220.

35. Keppner H., Kroll U.,Meier J., and Shah A. Very high frequency glow discharge: plasma- and deposition aspects. // Solid State Phenomena 1995. Vol.44-46. P.97-126.

36. Schmidt U.I., Schroder B. and Oechsner H. Influence of powder formation in a silane discharge on a-Si:H growth monitored by m situ ellipsometry. // J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol. 164-166. P. 127-130.

37. Ikuta K., Tanaka K., Yamasaki S., Miki K., and Matsuda A. Nucleation and coalescence in hydrogenated amorphous silicon studied by scanning tunneling microscopy// Appl.Phys.Lett. 1994. Vol.65. No 14. P.17601762.

38. Stutzin G.C., Ostrom R.M., Gallagher A., and Tanenbaum D.M. Nanoscale study of the as-grown hydrogenated amorphous silicon surface // J.Appl.Phys. 1993. Vol.74. No 1. P.91-100.

39. Blayo N., Bloin P. and Drevilion B In situ study of the Si-H bond m a-Si:H ultrathin films // PhysicaB 1991. Vol.170. P.566-570.

40. Layadi N., Roea i Cabarrocas P., Yakovlev V., and Drevilion B. Effects of UV light on the deposition kinetics and optoelectronic properties of a-Si:H films deposited by RF glow discharge//Appl.Surf.Sci. 1993. Vol.69. P.262-266.

41. Ossikovski R., Shirai H. and Drevilion B. In situ investigation of amorphous silicon- silicon dioxide interfaces by infrared ellipsometry // Appl.Phys.Lett. 1994. Vol.64. No 14. P. 1815-1817.

42. Shirai H., Drevilion B. and Ossikovski R. In situ investigation of amorphous silicon- silicon nitride interfaces by infrared ellipsometry // Appl.Phys.Lett. 1993. Vol.62. No 22. P.2833-2835.

43. Knobloch J., and Hess P. In situ infrared transmission spectroscopy of nucleation and growth of amorphous hydrogenated silicon // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.69. No 2. P.4041-4043.

44. Tanenbaum D.M., Laracuente A.L. and Gallagher A. Nanoparticle deposition in hydrogenated amorphous silicon films during if plasma deposition // Appl.Phys.Lett. 1996. Vol.68. P. 1705-1707.

45. Roca i Cabarrocas P., Gay P. and Hadjadj A. Experimental evidence for nanoparticle deposition in continuous argon-silane plasmas: Effect of silicon nanoparticles on film properties. // J.Vac.Sci.Technol. A 1996. Vol.14. P.655-659.

46. Garscadden A. PECVD in discharge models review // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P.3-15.

47. Knights J.C., Lucovsky G., Nemanich R.J. Defects in plasma deposited a-Si:H // J.Non-Cryst.Solids. 1979. Vol.32. N.l/3. P.393-403.

48. Drevilion B., Schmitt J.P.M. Ion bombardment effect on the properties of a-Si:H // MRS Symp.Proc. 1984. Vol.38. P.417-423.

49. Hishikawa Y., Sasaki M., Tsuge S., Tsuda S. Effect of heating SiH4 on the plasma chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon // Jpn. Journ. of Appl. Phys. 1994. Vol.33 N 7B. P.4373-4376.

50. Matsuda A., Yokoyama S., Tanaka K. Independent control of spin density and hydrogen bonding configuration in glow - discharge hydrogenated Si - Ge alloys using a cathode - heating method. // Appl.Phys.Lett. 1988. Vol.53. N 16. P.1489 - 1491.

51. Boeuf J.P., Belenguer Ph., Wang J. Radiofrequency discharge modeling. // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P. 17-28.

52. Longeway P.A., Weakliem H.A., Estes R.D. Mechanism of the direct current plasma discharge decomposition of disilane // J.Phys.Chem. 1984. 88. 15. 3282 3287.

53. Kushner M.J. Mechanisms for power deposition in Ar/SiH4 capacitively coupled RF discharges// IEEE Trans. Plasma Sci. 1986. Vol.PS-14. N 2. P. 188196.

54. Мездрогина M.M., Голикова OA., Арлаускас К., Юшка Г., Казанин М.М., Хайдаров Р. // Неорг. Матер., т.27, 1991г., стр.666.

55. Drevillon В., Toulemonde М. Hydrogen content of amorphous silicon films deposited in a multipole plasma//J. Appl.Phys. 1985. Vol.58. N.l. P.535-540.

56. Gallagher A., Amorphous silicon deposition rates in diode and triode discharges // J.Appl.Phys. 1986, Vol.60. N.4. P. 1369-1373.

57. Gallagher A. Neutral radical deposition from silane discharges. // Journ. of Appl.Phys. 1988. Vol.63. N7. P.2406 2413.

58. Theil J.A., Powell G. The effects of He plasma interactions with SiH4 in remote plasma-enhanced chemical vapor deposition // Journ.Appl.Phys. 1994. Vol.75. N5. P.2652-2666.

59. Kushr.er M.J. A plasma chemistry and surface model for the deposition of a-Si:H from rf glow discharges: a study of hydrogen content // MRS Symp. Proc. 1986. Vol.68. P.293-307.

60. Godyak V.A., Klianneh A.S. Ion bombardment secondary electron maintenance of steady rf discharge // IEEE Trans. Plasma Sci. 1986. Vol.PS-14. No 2. P. 111-123.

61. Kushner M.J. Mechanisms for power deposition in Ar/SiH4 capacitively coupled RF discharges // IEEE Trans. Plasma Sci. 1986. Vol.PS-14. No 2. P. 188-196.

62. Райзер Ю.П. «Физика газового разряда». М., Мир, 1987. 592 с.

63. Bohm С. and Perrin G. Spatially resolved optical emission and electrical properties of SiH4 RF discharges at 13.56 MHz in a symmetric parallel-plate configuration. //J.Phys.D: Appl.Phys. 1991. Vol.24. P.865-881.

64. Kuznetsov V.I., van Oort R.C., Metselaar J.W. Plasma deposition of hydrogenated amorphous silicon: effect of rf power // J. Appl. Phys. 1989. Vol.65. No 2. P.575-580.

65. Scott B.A., Reimer J.A., Longeway P.A. Growth and defect chemistry of amorphous hydrogenated silicon //J. Appl.Phys. 1983. Vol.54. No 12. P.6853 -6863.

66. Perkins G., Austin E., Lampe F. The 147-nm photolysis of monosilane. // J. Am. Chem. Soc. 1979. V.101. No 5. P. 1109-1115.

67. Robertson R., Hils D, Chatham H., Gallagher A. Radical species in argon-silane discharges /'/Appl.Phys.Lett. 1983. Vol.43. P.544-546.

68. Jasinski J.M. Direct kinetic studies of silicon hydride radicals // In: Characterization of plasma-enhanced CVD processes, ed.by G.Lucovsky, D.E.Ibbotson, and D.W.Hess (Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Pittsburgh, PA) 1990. Vol.165. P.41 48.

69. Tviauan A., Shaw MP. The physics and applications of amorphous semiconductors. Academic Press, Boston, 1988. P.32.

70. Hundhausen M., Ley L. The formation and stability of sub- micron clusters in silane and argon plasmas // J.Non-Cryst.Solids. 1991. Vol.l37&138. P.795-798.

71. Perrin J., Takeda Y., Hirano N., Takeuchi Y., Matsuda A. Sticking and recombination of the SiH3 radical on hydrogenated amorphous silicon: the catalytic effect of diborane // Surf.Sci. 1989. Vol.210. P. 114-128.

72. Verdeyen J.Т., Beberman J., and Overzet L.J. // J.Vac.Sci.Technol. A 1990. Vol.8. P. 1851.

73. Shirai H., Drevillon В., Layadi N., Roca i Cabarrocas P. In situ UV visible and infrared ellipsometry study of the influence of silane dilution on the growth of hydrogenated amorphous silicon. // J. Non - Cryst. Solids. 1993. Vol.166. P. 119-122.

74. Nuriddin A., Doyle J.R., Abelson J.R. Surface reaction probability in hydrogenated amorphous silicon growth // J.Appl.Phys. 1994. Vol.76. N 5. P.3123-3129.

75. Guizot J.L., Nomoto K., Matsuda A. Surface reactions during the a-Si:H growth in the diode and triode glow discharge reactors // Surf.Sci. 1991. Vol.244. N 1-2. P.22- 38.

76. Schmitt J.P.M. Fundamental mechanisms in silane plasma decompositions and amorphous silicon deposition // J.Non-Cryst. Solids. 1983. Vol.59&60. P.649-658.

77. Tachibana K. Diagnostics and control of low pressure plasmas for the chemical vapor deposition (CVD) of amorphous semiconductor and insulator films // Pure and Appl. Chem. 1988. Vol.60. N5. P.769-780.

78. Kokubo T., Tochikubc F. and Makabe T. Diagnostics of low-frequency CH4 and H2 discharge by optical emission spectroscopy. // J.Phys.D: Appl.Phys. 1989. Vol.22. P. 1281-1287.

79. Hata N// Proc. 3rd Symp. Plasma Processing (Kiryu, 1986) p.201.

80. Capezzuto P., Bruno G. Plasma deposition of amoiphous silicon films: an overview on some open questions. // Pure and Appl. Chem. 1988. Vol.60. N5. P.633-644.

81. Tachibana K., Shirafuji T., Matsui Y. Measurement of SiH2 densities in an RF discharge silane plasma used in the chemical vapor deposition of hydrogenated amorphous silicon film // Jpn.Joum.of Appl.Phys. 1992. Vol.31. N7A. P.2588-2591.

82. Kono A., Koike N., Okada K., Goto T. Laser induced fluorescence detection of SiH2 radicals in a radio - frequency silane plasma // Jpn.Joum.of Appl.Phys. 1993. Vol.32. N 4A. P.L543 - L546.

83. Mataras D., Cavadias S., Rapakoulias D. Spatial generation profiles of active radicals in plasma-enhanced CVD of a-Si:H // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P. 103.

84. Howling A.A., Hollenstein Ch., Paris P.-J. Direct visual observation of powder dynamics in rf plasma-assisted deposition // Appl.Phys.Lett. 1991, Vol.59. N 12. P.1409-1411.

85. Jasinski J.M. Direct kinetic studies of silicon hydride radicals // MRS Symp. Proc. 1990. Vol.165. P.41 48.

86. Tachibana K., Makai T., Harima H. Measurement of absolute densities and spatial distribution of Si and SiH in an RF discharge silane plasma for the chemical vapor deposition of a-Si:H films // Jpn.Joum.of Appl.Phys. 1991. Vol.30. N7A. P.L1208 -L1211.

87. Ross R.C., Jaklik Jr.J. //J. Appl. Phis. 55 (1984) p.3785.

88. Godyak V A., Piejak R.B. In situ simultaneous radio frequency discharge power measurements. И J. Vac. Sei. Technol. 1990 V8A P.3833 3837.

89. Canillas A., Campmany J., Andujar J.L., Bertran E. Effect of hydrogen dilution on the growth of hydrogenated amorphous silicon studied by in situ phase - modulated ellipsometiy // Thin Solid Films. 1993. Vol.228. P. 109 -112.

90. Магунов A.H., Лукин О.В., Малынаков В.Г., Попов A.A. «Тепловой баланс кремниевых и кварцевых пластин в плазмохимическом реакторе». // Труды ФТИРАН, т. 12, 1997г. сгр.99-12

91. Синкевич O.A., Стаханов И.П. Физика плазмы. ML, «Мир», 1991

92. Perrin J., Schmitt J.P.M. Emission cross sections from fragments produced by electron impact on silane // Chem.Phys. 1982. Vol.67. P. 167.

93. Perrin J., Aarts J.F.M. Dissociative excitation of SiH4, SiD4, Si2H6 and GeH4 by (0-100) eV electron impact // Chem.Phys. 1983. Vol.80. P.351.

94. Perrin J. Physico-Chimie d'un Plasma Multipolaire de Silane et Processus de Déposition du Silicium Amorphe Hydrogéné. // PhD thesis. Universite Paris VII. 1983. P.291.

95. Doughty D.A., and Gallagher A. Spatial distribution of a-Si:H fïlm-producing radicals in silane rf glow discharges H J. Appl.Phys. 1990. Vol.67. No 1. P.139-145.

96. Howling A.A., Dorier J.-L., Hollenstein Ch., Kroll U., and Finger F. // J.Vac.Sei.Technol.A 1992. Vol. 10. P. 1080.

97. Kniffler N., Schröder В., Geiger J. Vibrational spectroscopy of hydrogenated evaporated amorphous silicon films. // J. Non-Cryst. Solids. 1983. Vol.58. P. 153-163.

98. Brodsky M.H., Cardona M., Cuomo J.J. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering//Phys. Rev. B. 1977. Vol.16. P.3556-3572.

99. Deki H., Fukuda M., Miyazaki S., Hiiose M. Surface morphologies of hydrogenated amorphous silicon at the early stages of plasma-enhanced chemical vapor deposition. // Jpn. J. Appl. Phys. 1995. Vol.34. P.L1027-L1030.

100. BoyceJ.B., Ready S.E.//Physica B. 1991. Vol.170. P.3.605.

101. Laruim J.S. Structural order and dynamics of non crystalline condensed matter. // In: Disordered semiconductors, ed. by Kastner M., Thomas G.A. and Ovshinsky S R. Plenum Press, N.Y.& London. 1987. P.283-295.

102. Daey Owens J., Schropp R.E.I. Solubility of hydrogen in amorphous silicon. // In: Amorphous Silicon Technology 1995, ed.by Hack M., Schiff E.A., Madan A., Powell M. and Matsuda A. (Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Pittsburgh, PA) 1995. Vol.377. P.421-424.

103. Langford A.A., Fleet M.L., Nelson B.P., Lanford W.A., Maley N. Infrared absorption strength and hydrogen content of hydrogenated amorphous silicon // Phys. Rev. B. 1992. Vol.45. P. 13367-13377.

104. Maley N., Szafranek I. // In: Amorphous Silicon Technology 1990, ed.by P.C.Taylor, M.J.Thompson, P.G.LeComber, Y.Hamakawa, A.Madan (Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Pittsburgh, PA) 1990. Vol.192. P.663-666.

105. Davis L.E., McDonald N.C., Palmbreg P.W. et al. Handbook of Auger Electron Spectroscopy. // Physical Electronics Industries Edit. 1976. P.252.118c(9)

106. Magonov S.N., Whangbo M.-H. Surface analysis with STM and AFM. Experimental and theoretical aspects of image analysis. VCH Verlagsgesellschaft, Weinheim, 1996.P.324.

107. Шимизу Т. Электронный парамагнитный (ЭПР) и ядерный магнитный (ЯМР) резонансы. В кн.: «Аморфные полупроводники и приборы на их основе». Гл. 3. / Под ред. Й. Хамакавы. -М.: Мир 1986. с. 81-92

108. Штуцман М., Бигельсен Д. Микроскопическая структура дефектов в а -Si:H и родственных материалах. В кн.: «Аморфный кремний и родственные материалы»./ Под ред. X. Фрицше. М:Мир. 1991. С.257-289.

109. Абрагам А., Блини Б. «Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов». T.l. М.: Мир. 1972. 651 С.

110. Реймер Дж., Петрич Ivi. Структурные неоднородности в аморфных гидрированных полупроводниках приборного качества. В кн.: «Аморфный кремний и родственные материалы» / Под. ред. Фрицше X. М.: Мир. 1991. С. 13-39.

111. Sestak J. Thermophysical properties of solids. Academia, Prague, 1984, p.278.

112. УэндландтУ. «Термические методы анализа» М.: Мир, 1978, стр.204

113. Matsuda et al., "Influence of Power-Source Frequency on the Properties of GD a-Si:H", Jpn.J.Appl.Phys. 23, 1984, pp.L567-L569

114. James C. Sturm. Advanced column IV epitaxial materials for silicon-based optoelectronics. //MRS Bulletin. 1998. Vol.23. No4. P.60-63.

115. Сергеев B.C., Кузнецов О.А. и д.p. «Напряжения и деформации в элементах микросхем». Москва 1987г.

116. Daey Owens J., Schropp R.E.I. Solubility of hydrogen in amorphous silicon. // In: Amorphous Silicon Technology 1995, ed.by M.Hack, E.A.Schiff, A.Madan, M.Powell, and A.Matsuda (Mat.Res.Soc.Symp.Proc., Pittsburgh, PA) 1995. Vol.377. P.421-424.

117. Brodsky M.H., Cardona M., Cuomo J.J. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering//Phys. Rev. B. 1977. Vol.16. P.3556-3572.

118. Sansonnens L., Franz D., Hollenstein Ch. et.all. Diagnostics of an industrial plasma reactor for large area amorphous silicon cells // Proc. 13th european photovoltaic solar energy conference, Nice, France 1995, p.276-279

119. Yamaguchi Т., Sakamoto N., Shimozuma M., Yoshino M., Tagashira H. Particle formation in SiOx film deposition by low frequency plasma enhanced chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. 83 (1), 1 January 1998, p. 554-560

120. Perrin J., Aarts J.F.M. Dissociative excitation of SiH4, SiD4, Si2H6 and GeH4 by (0-100) eV electron impact // Chem.Phys. 1983. Vol.80. P.351.

121. Budaguan B.G., Aivazov A.A., Meytin M.N., Sazonov A.Yu. and Metselaar J.W. Relaxation processes and metastability in amorphous hydrogenated silicon investigated with differential scanning calorimetry. // PhysicaB. 1998. V. 252. P. 198-206.

122. Layadi N., Коса i Cabanocas P., Yakovlev V and Drevillon B. Effects of UV light on the deposition kinetics and optoelectronic properties of a-Si:H films deposited by RF glow discharge // Appl.Surf.Sci. 1993. Vol.69. P.262-266.

123. Solomon I. and Tessler L.R. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 336, p. 505 (1994).

124. Цитович B.H. Плазменно пылевые кристаллы, капли и облака. // УФН, Т. 167, N1, 1997, стр.57-99.

125. Найтс Дж. Структурная и химическая характеризация. В кн.:Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. 1. Структура, приготовление и приборы. / Под ред. Джоунопулоса Дж. и Люковски Дж. Гл. 2. М.: Мир. 1988. С. 12-84.

126. Roca 1 Cabarrocas P., Morin P., Chu V., Conde J.P., Liu J.Z., Park H.R., Wagner S. Optoelectronic properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias // J. Appl. Phys. 1991. Vol.69. No 5. P.2942-2949.

127. Boufendi L. and Bouchoule A. Particulate formation and dusty plasma behaviour in argon-silane RF discharge. // Plasma Sources Sci.Technol. 1993. Vol.2. P.204-213.

128. Boufendi L. and Bouchoule A. Particle nucleation and growth in a low-pressure argon-silane discharge. // Plasma Sources Sci.Technol. 1994. Vol.3. P.262-267.

129. Haaland P.D., Garscadden A., Ganguly В., Ibrani S., and Williams J. On form and flow in dusty plasmas // Plasma Sources Sci.Technol. 1994. Vol.3. P.381-387.

130. Kausche H., Plattner R.D. Effect of a-Si:H powder formation in silane plasmas on solar cell processing // Proc. of 11th European Photovoltaic Solar Energy Conf. (Montreux, 1992). P. 195-198.

131. Budaguan B.G., Aivazov A.A. Stability improvement of a-Si:H films deposited in SQWM-55 kHz glow discharge plasma. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. Vol.507. P. 493-498.

132. Budaguan B.G., Aivazov A.A. Hydrogen in a-Si:H deposited by 55 kHz PECVD. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. Vol.513. P. 387-392.

133. Bergman R.B., Krmke J, Strunk H.P. and Werner J.H. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 467, 325 (1997).

134. Daewon Kwon, and J. David Cohen, Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 467, 561 (1997).

135. Heintze M. "Diagnostics of High-Rate a-Si:H Deposition in a Variable Frequency Plasma", Solid State Phenomena 44-46, 1995, pp. 181-194

136. Raizer Yu.P. Gas Discharge Physics, Springer, Heidelberg, 1991.

137. Будагян Б.Г., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Увеличение скорости роста при осаждении аморфного гидрогенизированного кремния в низкочастотном тлеющем разряде. // Известия ВУЗов, серия Электроника, 1997. № 3-4. С. 19-24.

138. Bertran Е., Costa J., Sardin G., Campinany J., Andujar J.L., and Canillas A. Effects of plasma processing on the microstructural properties of silicon powders. // Plasma Sources Sci.Technol. 1994. Vol.3. P.348-354.

139. Bertrán E., Costa J., Viera G. and Zhang R.O. Production of nanometric particles in radio frequency glow discharges in mixtures of silane and methane // J.Vac.Sci.Technol.A 1996. Vol.14. P.567-571.

140. Tsu D.V., Lucovsky G. Properties of SiH bond stretching absorption in a-Si.H grown by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. // J. Non-CrystSohds. 1987. Vol.97/98. P.839-842.

141. Roca i Cabbarocas P. et al., "Optical properties of hydrogenated amorphous silicon films deposited under negative substrate bias", J.Appl.Phys., 69, 1991, pp.2942-2950.

142. Matsuda A. et al., Surface Science 227, 50 (1990).

143. Van de Sanden M.C.M. et al., Mat.Res.Soc.Symp.Proc. 467, 621 (1997).

144. Roca i Cabarrocas P. Towards high deposition rates of of a-Si:H the limiting factors //J. Non-Cryst. Solids. 1993. Vol.166. P. 131-134.

145. Beeman D., Alben R. Vibrational properties of elemental amorphous semiconductors. // Adv. Phys. 1977. Vol.26. P.339-361.

146. Morimoto A., Tsujimura Y., Kumeda M., Shimizu T. Properties of hydrogenated amorphous Si-N prepared by various methods. // Jpn. J. Appl. Phys. 1985.Vol.24. No 11. P.1394-1398.

147. Stutzmann M. On the structure of dangling bond defects in silicon. // Z. Phys. Chem. 1987. Vol.151. P. 211-222.

148. Стрит P., Бигельсен Д. Спектроскопия локализованных состояний. В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып.2. / Под ред. Джоунопулоса Дж. иЛюковски Дж. М.: Мир. 1988. С.247-328.

149. Spear W.E., LeComber P.G. in: The physics of hydrogenated amorphous silicon, ed. by Joannopoulos J. and Lucovsky G. vol.1 (Springer, Heidelberg, 1984) pp.63-118.

150. Будагян Б.F., Айвазов A.A. Физико-химические основы базовой технологии получения аморфного гидрогенизированного кремния. Учебное пособие. М.:МЕИЭТ (ТУ). 1996. 60 с.

151. Dutta J„ Kroll U„ Chabloz P., Shah A., Howling A., Dorier J.-L., Hollenstein Ch. //J.Appl. Phys. 1992. Vol.72. P.3220.

152. Будагян Ь.Г. Особенности структуры и физические свойства неупорядоченных полупроводников. Учебное пособие. М.:МГИЭТ (ТУ). 1994. 96 с.

153. Budaguan B.G., Aivazov A.A., Meytin M.N., Radosel'sky A.G. The perspectives of high-rate low frequency a-Si:H films deposition: solar cell application and stability control. Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 1998. Vol.485. P.297-302.

154. Мотт H., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. Москва.: Мир. 1982. 664 с.

155. Shen D.S. and Wagner S. J. Appl. Phys. 78, 278 (1995).

156. Taylor G.W. and Simmons J.G. J.of Non-Crys.Solids. 8-10, 940 (1972).

157. Budaguan B.G., Aivazov A.A and Meytin M.N in Amorphous Silicon Technology, edited by M.Hack, E.A.Schiff, S.Wagner, R.E.I. Schropp, and A.Matsuda (Mater. Res. Soc. Proc. 420, Pittsburgh, PA 1996), p. 635-640.

158. Paul W., Jones S.J., and Turner W.A. Studies on the structure of a-Ge:H using differential scanning calorimetry, gas evolution on heating and transmission electron microscopy. //Phil.Mag.В 1991. Vol.63. P.247-268.

159. Deinichelis F., Pirri C.F., Tresso E., Rigato V. And DellaMea G. Hydrogen diffusion and related defects in hydrogenated amorphous silicon carbide. // J. Non-Cryst.Solids 1991. Vol.128. P. 133-138.

160. Battezzati L., Demichelis F., Pini C.F. and Tresso E. Differential scanning calorimetry (DSC) studies of hydrogenated semiconductor alloys. // Physica В 1992. Vol.176. P.73-77.

161. Sridhar N., Chung D.D.L., Anderson W.A. and Coleman J. in Amorphous Silicon Technology 1995, edited by E.A.Schiff, M.Hack, A.Madan, A.Matsuda, and M.Powell (MRS Symp.Proc., Pittsburgh) 377, 319 (1995).

162. Aivazov A.A., Budaguan B.G. and Sazonov A.Yu. The influence of the microstructure on the thermal stability of a-SiixNx:H films. Physica B. 1994. V. 193. P. 195-200.

163. Battezzati L., Demichelis F., Pirri C.F., Tagliaferro A. and Tresso E. Investigation of structural changes in amorphous tetrahedral alloys by means of differential scanning calorimetry. // J. Non-Cryst.Solids 1991. Vol.l37&138. P.87-90.

164. Battezzati L., Demichelis F., Pirri C.F. and Tresso E. Effects of temperature on structural properties of hydrogenated amorphous silicon-germanium and carbon-silicon-germanium alloys. // J.Appl.Phys. 1991. Vol.69. P.2029-2032.

165. Budaguan B.G., Aivazov A.A., Sazonov A.Yu. Calorimetric investigation of structural processes in porous silicon // J. Non-Cryst. Solids. 1996. V.204. P.169-171.

166. Budaguan B.G., Aivazov A.A. and Sazonov A.Yu. Calorimetric investigation of structural processes in disordered semiconductors. Mat.Res.Soc.Symp.Pros. 1996. Vol.420. P.635-641.

167. Jones S.J., Lee S.M., Turner W.A., and Paul W. MRS Symp. Proc. 1989. V. 149. P.45.

168. Budaguan B.G., Aivazov A.A., Meytin M.N. The stability improvement of a-Si:H films for photovoltaic applications. Mat.Res.Soc.Symp.Pros. 1996. Vol.426. P.31-36.

169. Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Мейтин М.Н., Сазонов А.Ю., Бердников А.Е., Попов А.А. Метастабильность и релаксационные процессы в аморфном гидрогенизированном кремнии. // ФТП 1997. Т.31. №12. С. 1449-1454.

170. Люковски Дж., Поллард У. Колебательные свойства аморфных пленок. В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. ч.2. М. Изд. Мир. 1988. С.377-442.

171. Будагян Б.Г., Айвазов А.А., Стряхилев Д.А., Кудоярова В.Х. Анализ ИК-спектров сплавов a-SiNr:H с использованием индукционной модели. // ФТП. 1994. Т. 28. Вып.9. С.781-794.

172. Feenstra K.F. et al., 12nd World Conference and Exibition on Photovoltaics Solar Energy Conversion, 6-10 July, 1998, paper No VD1.19.

173. Лей Л. Фотоэмиссия и оптические свойства. В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. ч.2. М. Изд. Мир. 1988. С.86-216.

174. Dusane R.O., Dusane R.A., Bhide V.G., Kshirsagar S.T. J. Non-Cryst. Solids, 137/138, 115 (1991).

175. Найтс Дж. Структурная и химическая характеризация. В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния, ч. 1. М. Изд. Мир. 1987. С. 1284.

176. Ruud E.I. Schropp, Miro Zemati. Amoiphous and microcrystalline silicon solar cells. Kluwer Academic Publishers. Boston/Dordrecht/London. 1998 P.201.

177. Rava P., Crovini G., Demichelis F., Georgis F., Pirri C.F. Characterization of the effect of growth conditions on a-SiC:H films. J. Appl. Phys., 1996, Vol. 80, No 7, p.4116-4123.

178. Solomon I., Tessler L.R. Very high-gap tetrahedrally coordinated amorphous silicon-carbon alloys. MRS Proc., 1994, Vol. 336, p.505-510.

179. Hoyt J.L., Mitchell Т.О., Rim K., Singh D.V., Gibbons J.F. Comparison of Si/Sii-x.yGxCy and Si/SiiyCy heterojunctions grown by rapid thermal chemical vapor deposition. Thin Solid Films, 1998, Vol.321, p. 41- 46.

180. Duschl R., Seeberger H., Eberl K. Hole mobilities in pseudomorphic Sij.x. yGexCy alloy layers. Thm Solid Films, 1998, Vol.336, p.336-339.

181. Solomon I., Tessler L.R. Veiy high-gap tetrahedrally coordinated amorphous silicon-carbon alloys. MRS Proc., 1994, Vol. 336, p.505-510.

182. Tsu D.V., Lucovsky G. Properties of SiH bond stretching absorption in a-Si:H grown by remote plasma enhanced chemical vapor deposition. // J. Non-Cryst.Solids. 1987. V.97/98. P.839-842.

183. Schropp R.E.I., Zeman M. Amorphous and microcrystalline silicon solar cells: modeling, materials and device technology. Kluwer Academic publishers, Boston/Dordrecht/London, 1998, p.207.

184. Schropp R.E.I., Zeman M. Amorphous and microcrystalline silicon solar cells: modeling, materials and device technology. Kluwer Academic publishers, Boston/Dordrecht/London, 1998, p.207.

185. Kleider J.P., Longeaud C., Roca i Cabarrocas P., St'ahel P., Sladek P. Low defect density a-SiGe:H alloys for Solar cells. Proc. 2,ld WCPSEC, Vienna, 1998, Vol.1, p. 838-841.

186. Budaguan B.G., Aivazov A.A., Stryahilev D.A. and Metselaar J.W. Optical absorption edge m structure-inhomogeneous a-Si:H-based alloys. // J. of Non-Cryst. Solids. 1998. V.226. P.217-224.

187. Chou Y.P., Lee S.C. Structural, optical, and electrical properties of hydrogenated amorphous silicon germanium alloys. J. Appl. Phys., 1998, Vol. 83, No 8, p.4111-4123.

188. Wickboldt P., Pang D., Paul W, Chen J.H., Zhong F„ Chen C. C., Cohen J.D., Williamson D.L. High performance glow discharge a-Sii„xGex:H of large x. J. Appl. Phys., 1997, Vol. 81, No 9, p.6252-6267.

189. Bullot J., Schmidt M. P. Phys. Status Solidi B 143 (1987) 345.

190. Wieder H., Cardona M., Guarnieri C. R. Phys. Status Solidi B 92 (1979),1. АЛр. УУ.

191. Folsch J., Fmger F., Kulessa Т., Siebke F., Beyer W., Wagner H. Improved ambipolar diffusion length in a-SijxGex:H alloys for multi-junction solar cells. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1995, Vol. 377, p.517-522.

192. Меден А., Шо M. «Физика и применение аморфных полупроводников». М. Мир. 1991. 291 с.

193. Materials for solar cells with improved stability. Project NWO № 047-00509-96. Final report, 1999.

194. Роуз А. Основы теории фотопроводимости: Пер. с англ./ Под ред. А.А. Рогачева и Р.Ю. Хансеварова. М.: Мир, 1966, 190 с.

195. Balberg I. The two carriers' mobility-lifetime products and their light intensity dependencies in hydrogenated amorphous silicon. J. Appl. Phys., 1994, v. 75 (2), p. 914-923.

196. Shen D.S. and Wagner S. Numerical modeling of the dependence of the steady-state photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon on the rate of earner generation. J. Appl. Phys., 1995, v. 78 (1), p. 278-282.

197. Fuhs W. and Klenk R. Thin-film solar cells overview. 2nd World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria, 6-10 July 1998, p. 381-386.

198. Wronski C.R. Amorphous silicon technology: coming of age. 1st World Conference on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Hawaii, 5-9 December 1994, p. 373-379.302

199. Tao vj . Optics! Modeling and Characterization of Hydrogenated Amorphous Silicon Solar Cells, Ph. D. thesis, Delft University of Technology, the Netherlands, 1994.

200. Trijssenaar M. Hydrogenated amorphous silicon and p/i-heterojunctions, Ph.D. thesis, Delft University of Technology, the Netherlands, 1995.

201. Lim K.S., Konagai M. and Takahashi K. A novel structure, high conversion efficiency p-SiC/graded p-SiC/i-Si/n-Si/metal substrate-type amorphous silicon solar cell. J. Appl. Phys., 1984, v. 56, p. 538-542.

202. Madan A. and Shaw M P. The physics and applications of amorphous semiconductors, Academic Press, Boston, 1988.

203. Аморфный кремний и родственные материалы: Пер. с англ./ Под ред. Фрицше X. М.: Мир, 1991. - 544 с.

204. Carlson D.E. Factors influencing the efficiency of amorphous silicon solar cells, J. Non-Cryst. Solids, 1980, v. 35-36, p. 707-717.

205. Tawada Y., Kondo M., Okamoto H. and Hamakawa Y. Hydrogenated amorphous silicon carbide as a window material for high efficiency a-Si solar cells. Solar Energy Mater., 1982, v. 6, p. 299-315.

206. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики: Пер. с англ./ Под ред. Коутса Т и Микина Дж. М.: Мир, 1988. -307 с.

207. Экспериментальные структуры солнечных элементов и данные их измерений используются в лабораторном практикуме при обучении студентов по специальности 20.01.00.

208. И.о. зав. каф. Материаловедения ифизической химии, доц., к.т.н. ^JÜSc-^^ Шерченков A.A.1. Доц., к.ф.-м.н.1. Мейтин М.Н.

209. РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ИНСТИТУТ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ИНФОРМАТИКИ150007 г. Ярославль,ул. Университетская, 21 тел/факс (0852) 24-65-520852) 24-09-73

210. E-mail: gia@postoff.ics.ac.ruот № <f1. PS "2001 г.1. АКТоб использовании результатов диссертационной работы Бердникова А.Е.

211. Разработка и исследование технологии высокоскоростного осаждения аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов в плазменизкочастотного разряда».

212. TAS 94 - 4352, NWO 047 - 005 - 09 - 96, НАТО PST. CLG 975481 - 2000.

213. Заведующий кафедрой общей и экспериментальной физики /)к.ф.-м.н., доцент1. В.П. Алексеев