автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование процессов травления диоксида кремния, кремния, полимерных пленок в химически активной плотной плазме ВЧ индукционного разряда низкого давления

Введение

ОГЛАВЛЕНИЕ

Глава 1. Процессы травления Si, SiC>2, полимерных пленок в реакторах химически активной плотной плазмы низкого давления (литературный обзор).

1.1. Характеристика и параметры плотной плазмы ВЧ разрядов низкого давления.

1.1.1. Конструкции реакторов плотной плазмы.

1.1.2. Характеристика плазмы ВЧ индукционного разряда.

1.1.3. Влияние магнитного поля на параметры плотной плазмы ВЧ разрядов.

1.1.4. Плотность ионного потока, падающего на поверхность ВЧ электрода и его распределение по энергии.

1.1.5. Влияние стенок реактора на параметры плотной плазмы ВЧ разрядов.

1.2. Основные характеристики процессов травления Si, Si02, полимерных пленок в химически активной плазме низкого давления.

1.2.1. Селективное травление Si02, по отношению к Si (операция вскрытия контактных окон).

1.2.2. Травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме ВЧ и СВЧ разрядов низкого давления.

1.2.3. Радикальное травление полимерных пленок.

С начала 90-х годов, с переходом к 0,8 мкм технологии СБИС в мире началась замена существовавшего парка установок плазменного травления на установки нового поколения. Такая замена была обусловлена двумя требованиями, ставшими одними из основных при разработке плазменных процессов травления с субмикронными размерами элементов. Это уменьшение различного рода повреждений, вызываемых плазменными процессами, а также улучшения равномерности травления пластин большого диаметра (>200 мм) [1-3]. Кроме того, фундаментальное требование, предъявляемое к плазменным процессам травления - точный перенос рисунка маски (в перспективе с размерами элементов до 0,1 мкм) в нижележащие слои не могло быть выполнено в плазме ВЧ емкостных разрядов при обычно используемых рабочих давлениях ~13 Па. В такой плазме минимальная ширина линий ограничена величиной ~ 0,3 мкм.

Требование увеличения степени анизотропности травления привело к необходимости проведения процессов при более низком давлении (< 1 Па). Для уменьшения повреждений и загрязнения поверхности кремниевых подложек, вызываемых ионной бомбардировкой, необходимо было уменьшить энергию ионов от сотен до десятков электрон-вольт, но при этом резко увеличить плотность их потока. Таким образом, в реакторах нового поколения создается чистая, высокоплотная плазма (п= 10п-ь 10 см") низкого давления (р=0.1-г1 Па). Необходимо отметить, что одна из основных проблем, вызываемая плазменными процессами: подавление деградации и пробоя подзатворного диэлектрика (тонкого слоя диоксида кремния) - также решается в установках нового поколения.

К настоящему времени разработано несколько конструкций реакторов, в которых создается объемная высокоплотная плазма низкого давления. Наиболее распространенными среди них являются реакторы, в которых генерация плазмы осуществляется в сверхвысокочастотном электронно-циклотронном разряде (СВЧ ЭЦР) [4-6], в высокочастотном геликоновом (ВЧГ) [7-11], в высокочастотном индукционном разряде (ВЧИ) [12-14] или, как его еще называют, геликальном ВЧ разряде [12], а также в плоском ВЧИ [15-16] разряде. Кроме этого предложено еще несколько конструкций реакторов, в которых высокоплотная плазма генерируется другими типами разрядов. Это разряд на поверхностных волнах [17], ультравысокочастотный разряд (500 МГц) со спицеобразной антенной [18], а также ВЧ разряды в различного вида магнитном поле [19-20]. Разработка новых типов реакторов продолжается с целью создания "мягкой" или "холодной" плазмы, с более низкой электронной, а, следовательно, и ионной температурой. Как будет показано далее это необходимо для повышения степени анизотропности травления.

Одним из основных достоинств реакторов нового поколения является возможность независимого изменять в них энергию и плотность ионного потока. Это позволяет управлять скоростью, селективностью и анизотропностью процессов травления различных материалов. Однако характеристики этих процессов от энергии и плотности потока ионов изучены слабо. Поэтому целью диссертационной работы было:

Исследование процессов травления материалов микроэлектроники -кремния, диоксида кремния, полимерных пленок в плотной плазме химически активных газов при контролируемой энергии и плотности ионного потока на поверхность.

5.3. Выводы

1. В реакторе с ВЧ индуктивным источником плазмы без изменения конструкции реактора, исследованы два принципиально разных процесса травления полимерных пленок (ПП) в кислородсодержащей плазме - это ионно-инициированное при низком давлении и радикальное травление при высоком давлении.

2. Установлено, что режим травления является ионно-инициированным на основании того, что:

- скорость травления ПП не зависит от температуры образца,

- скорости травления всех исследованных образцов практически совпадают при одинаковой энергии падающих ионов,

- слабо проявляется эффект загрузки.

3. Впервые обнаружено, что при ионно-инициированном процессе травления ПП поток продуктов реакции с поверхности мог превышать поток молекулярного кислорода, подаваемого в плазму.

4. Показано, что при радикальном травления в послесвечении кислородной плазмы высокая скорость травления пленок фоторезиста и полиимида обусловлена их взаимодействием с атомами кислорода.

Заключение

В заключении сформулированы основные выводы и результаты диссертационной работы.

1. Создан реактор плотной плазмы ВЧ индукционного разряда низкого давления в неоднородном постоянном магнитном поле, в котором; а) экспериментально определены характеристики плазмы - Те, п; и плотность ионного потока в зависимости от внешних параметров разряда, б) установлены соотношения между внутренними и внешними параметрами плазмы ВЧИ разряда в магнитном поле, в) экспериментально определены условия формирования равномерного и интенсивного ионного потока на подложку в неоднородном магнитном поле.

2. Предложена методика определения плотности ионного потока на подложку по зависимости образующегося потенциала самосмещения при подаче на нее ВЧ мощности. Установлены условия ее применимости.

3. В созданном реакторе с холодными и горячими стенками исследованы процессы травления Si и SiC>2 во фторуглеродной плазме (C3Fg, CHF3, CF4, CHF3+H2) при контролируемом потоке и энергии ионов. Установлено, что: а) Основные закономерности травления этих материалов в реакторе с горячими и холодными стенками подобны. Скорость образования полимерной пленки на подложке в реакторе с горячими стенками гораздо выше. б) Добавка водорода во фторуглеродную плазму приводит к увеличению скорости роста полимерной пленки на подложке. В такой плазме достигается высокая селективность травления Si02/Si при средних энергиях ионов. в) Коэффициенты выхода атомов кремния на один ион при травлении диоксида кремния зависят от рода плазмы и линейно увеличиваются в диапазоне от 0,3 до 0,9 при изменении энергии бомбардирующих ионов от 100 до 500 эВ.

4. Обнаружено и продемонстрировано, что при травлении Si02 через фоторезистивную маску в плазме CHF3+ 40%Н2 до аспектного отношения равного 5 (минимальный размер рисунка 0,28 мкм) апертурный эффект отсутствует.

5. Показано, что в реакторе с ВЧ индуктивным источником плазмы можно, не изменяя конструкции реактора, реализовать два принципиально разных процесса травления полимерных пленок- это ионно-инициированное при низком давлении и радикальное травление при высоком давлении.

6. Впервые показано, что при ионно-инициированном процессе травления различных полимерных пленок в кислородсодержащей плазме ВЧИ разряда низкого давления поток продуктов реакции с поверхности мог превышать поток молекулярного кислорода, подаваемого в плазму.

По материалам диссертации получено решение о выдаче патента [131], опубликовано 11 печатных работ, в том числе 3 работы в центральной печати [132-134], и 8 работ в трудах конференций [135-142].

Автор выражает искреннюю благодарность и признательность научному руководителю к.ф-м.н. с.н.с. Амирову И. И. за полезные обсуждения результатов, постоянный интерес, помощь и поддержку при выполнении работы.

1. Suzuki К., Itabashi N. Future prospects for dry etching. // Pure and Appl. Chem. 1996. V.68. N.5. P.1011-1015.

2. Joubert O. New trends in plasma etching for Ultra Scale Integration Technology.//Microelectronic Engineering. 1998. V.41/42. P. 17-24.

3. Орликовский А.А. Плазменные процессы в микро- и наноэлектронике. Часть 2. Плазмохимические реакторы нового поколения и их применение в технологии микроэлектроники. // Микроэлектроника. 1999. Т.28. N.6. С.415-426.

4. Pelletier J., Cook M.J. Microwave plasma etching of Si and SiC>2 in halogen mixtures: Interpretation of etching mechanisms. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. V.B7. N.l. P.59-67.

5. Tachi S., Tsujimoto K., Okudaria S. Low-temperature reactive ion etching and microwave plasma etching of silicon. // Appl. Phys. Lett. 1988. V.52. N8. P.59-61.

6. Wan Z., Lin J., Lamb H.H. Electron cyclotron resonance plasma reactor for Si02 etching: Process diagnostics, end point detection, surface characterization. //J. Vac. Sci. Tecnol. 1995. V.A13. N4. P.2035-2043.

7. Oehrlein G.S., Zhang Y., Vender D., Joubert O. Fluorocarbon high-density plasmas.II. Silicon dioxide and silicon etching using CF4 and CHF3. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V.A12. N2. P.333 -341.

8. Perry A.J., Vender D., Boswell R.W. The application of the helicon source to plasma processing. // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V.B9. N2. P.310-315.

9. Charles С., Boswell R.W. Breakdown, steady-state, and decay regimes in pulsed oxygen helicon diffusion plasmas.// J. Appl. Phys.1995. V.78. N.2. P.766-773.

10. Tsukada Т., Nogami H., Nakagawa Y., Wani E. Etching characteristics by M=0 helicon wave plasma. // Jap. J. Appl. Phys. 1994. V.33. Pt.l. N7B. P.4433-4437.

11. Lee J.T.C. A comparison of HDP sources for polysilicon etching // Solid State Technol. 1996. Aug.P.63-67.

12. Vinogradov G.K., Yoneyama S. Balanced inductive plasma sources. Jpn.J. Appl. Phys. 1996. V.35. N.9A. P.l 130-1133.

13. Savas S., Dutton D., Wood В., Guerra R., Hammond M.L. Advanced photoresist strip wiht a high pressure ICP source. // Solid State Technol. 1996. N10. P.123-128.

14. Shich A.H., Demos A., Beer R.D. Transformer coupled plasma etching for FPD manufacturing. // Solid St.Technol. 1996. P.71-80.

15. Lee H-J., Kim J.K., Kim J.H, Whang K-W. Selective Si02/Si3N4 etching in magnetized inductively coupled C4F8 plasma. // J.Vac.Sci.Techn.1998. V.B16. N2. P.500-506.

16. Kaneko E., Okamoto Т., Watanabe S., Okamoto Y. Characteristics of a large-diameter surface-wave mode microwave-induced plasma. // Jap. J. Appl. Phys. 1998. V.37. Pt.2. N2A. P. L170-L173.

17. Samukawa S., Mukai T. High-performance silicon dioxide ething for less then 0,l-/m-high-aspect contact holes. // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V.B18. N.l. P.166-171.

18. Sekine M., Nirata M., Horioka K., Yoshida Y. A new high-density plasma etching system using a dipole-ring magnet. // Jap. J. Appl. Phys. 1995. V.34. Pt. 1. N11. P.6274-6278.

19. Сауров А.Н. Специальные методы плазменного травления в технологии самоформирования. // Изв. вузов. Электроника. 1998. №6. С.60-68.

20. Denneman J.W. Determination of electromagnetic properties of low pressure elecrodness inductive dicharges. // J. Phys. D. Appl. Phys. 1990. V.23. P.293-298.

21. Piejak R.B., Godyak V.A. , Alexandrovich.M. A simple analysis of an inductive rf discharge. //Plasma Sources Sci.Technol. 1992. V.l. P. 179-186.

22. Александров А.Ф., Рухадзе А.А. Принципы деления ВЧ разрядов на емкостные и индуктивные. // Прикладная физика. 1995. №.2. С.56-64.

23. Ventek P.L.G., Hoekstra R.J., Kushner M.J. Two-dimensional modeling of high plasma density inductively coupled sources for materials processing. // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V.B12. N.l. P.461-480.

24. Wise R.S., Lymberopoulos D.P., Economou D.J. A two-rigion model of a radiofrequency low-pressure, high density plasma.// Plasma Sourses Sci. Technol. 1995. V.5.P.317-331.

25. Kushner M.J. Advances in plasma equipment modeling. // Solid St.Technol. 1996. June. P. 136-144.

26. Godyak V.A., Piejak R.B., Alexandrovich B.M., Kolobov V.M. Experimental evidence of collisioness power absorption in inductively coupled plasmas.// Phys. Rev. Lett. 1998. V.80. N.15. P.3264-3267.

27. Godyak V.A. , Piejak R.B., Alexandrovich.M. Electrical characteristics and electron heating mechanism of an inductively coupled argon discharge. // Plasma Sources Sci.Technol. 1994. N3. P. 169-176.

28. Godyak V.A. , Piejak R.B. Paradoxial spatial distribution of the electron temperature in a low pressure rf discharge. // J. Appl. Phys. Lett. 1993. V.63. N.23. P.3137-3139.

29. Godyak V.A. , Piejak R.B., Alexandrovich.M. Measurements of electron energy distribution in low-pressure rf discharges. // Plasma Sources Sci.Technol. 1992. N1. P.36-58.

30. Александров А.Ф., Богданкевич JI.С., Рухадзе А.А. Колебания и волны в плазменных средах.М.: Изд-во МГУ. 1990. С.272.

31. Бондаренко В.Г., Денисов В.П., Еремин Б.Г., Исаев В.А., Круглов В.И. Индукционный разряд низкого давления. // Физика плазмы. 1991. Т. 17. N6. С.756-758.

32. Hayashi D., Kabota К. Measurements of negative ion density in high-density oxygen plasmas by probe-assisted laser photodetachment. // J. Appl. Phys. 1998. V.83. N.2. P.697-702.

33. Hebner G.A. , Miller P.A. Electron and negative ion densities in C2F6 and CHF3 containing inductively coupled discharges. // J. Appl. Phys. 2000. V.87. N11. P.7660-7666.

34. Mantei T.D., Ryle Т.Е. Plasma parameter and etch measurements in a multipolar confined electron cyclotron resonsnce discharge. // J.Vac.Sci.Technol. 1991.V.B9. N.l. P.29-33.

35. Jiwari N., Fukasawa Т., Nakamura A'., Kubota K., Horiike Y. Effect of magnetic field to etching characteristics of inductively coupled plasma. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V.33. Pt.l. N.7B. P.4454-4457.

36. Tuda M., Nishikawa К., Ono K. Numerical study of the etch anisotropy in low-pressure, high-density plasma etching. // J. Appl. Phys. 1997. V.81. N.2. P.960-967.

37. Дудин C.B., Зыков A.B., Положий К.И, Фареник В.И. Энергетическая цена иона в комбинированном индукционно-емкостном разряде.// Письма в ЖТФ. 1998. Т.24. N22. С.33-38.

38. Райзер Ю.П., Шнейдер М.Н., Яценко Н.А. Высокочастотный емкостной разряд: Физика. Техника эксперимента. -М.; МФТИ, 1995., 320с.

39. Kawamura E., Vahed V., Liberman M.A., Birdsall. Ion energy distributions in rf sheaths; review, analysis and simulation.// Plasma Sour. Sci.Technol. 1999. V.8. P.545-564.

40. Woodworth J.R., Riley M.E., Miller P.A., Hebner G.A., Hamilton T.W. Ion energy and angular distributions in inductively coupled radio frequency discharges in argon. //J. Appl. Phys. 1996. V.80. N. 3. P. 1304-1311.

41. Hoekstra R.J., Kushner M.J. Predictions of ion energy distribution and radical fluxes in radio frequency biased inductively coupled plasma etching reactors. // J. Appl. Phys. 1996. V.79. N.5. P.2275-2286.

42. Woodworth J.R., Riley M.E., Meister D.C., Aragon B.P., Sawin H.H. Ion energy and angular distributions in inductively coupled radio frequency discharges in chlorine. // J. Appl. Phys. 1997. V.81. N. 9. P.5950-5959.

43. Mumken G., Kortshagen U. On the role distribution and nonambipolaraty of charged particle fluxes in a nonmagnetized planar inductively coupled plasma. // J. Appl. Phys. 1996. V.80. N. 12. P.6639-6645.

44. Braithwaite N.S.J. Internal and external electrical diagnostics of RF plasmas. // Plasma Sources Sci.Technol. 1997. V.6. P. 133-139.

45. Booth J-P. Optical and electrical diagnostics of fluorocarbon plasma etching processes. // Plasma Sour. Sci. Technol. 1999. V.8. P.249-257.

46. Schaepkence M., Oehrlein G.S., Cook J.M. Effect of radio frequency bias power on Si02 feature etching in inductively coupled flurocarbon plasmas. // J.Vac.Sci.Technol. 2000. V.B18. N2. P.848-855.

47. Chinzei Y., Ichiki Т., Ikegsmi N., Shindo H., Horiike Y. Residence time effects on Si02/Si selective etching employing high density flurocarbon plasma. //J. Vac. Sci.Technol. 1998. V.B16. N.3. P.1043-1050.

48. Sobolevsky M.A. Measuring the ion current in electrical discharges using radio-frequency current and voltage measurements. // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. P.l 146-1148.

49. Booth J., Sadeghi N. Oxygen and fluorine atom kinetics in electron cyclotron resonance plasmas by time-resolved actinometry. // J. Appl. Phys. 1991. V.70.N2. P.611-620.

50. Крылов O.B., Шуб Б.Р. Неравновесные процессы в катализе. М.: Химия. 1990. С.288.

51. Charles С., Bosswell R.W. Effect of wall charging on an oxygen plasma created in a helicon diffusion reactor used for silica deposition. // J. Vac. Sci. Technol. 1995. V.A13. N.4. P.2067-2073.

52. Collart E.J.H., Baggerman J.A.G., Visser R.J. On the role of atomic oxygen in the etching of organic polymers in a radio-frequency oxygen discharge. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. N1. P.47-54.

53. Chinzie Y., Ichiki Т., Kurosaki R., Kiuchi J. Si02 etching employing indictively coupled plasma with hot inner wall. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V.35. Pt.l. N.4B. P.2472-2476.

54. Schaepkense M., Bosch R.C.M., Standaert Т.Е., Oehrlein G.S. Influence of reactor wall conditions on etch processes in inductively coupled fluorocarborn plasmas. // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V.A16. N4. P.2099-2107.

55. Oehrlein G.S. Surface processes in low pressure plasmas. // Surfasce Sci/ 1997. V.386. P.222-230.

56. Hershkovich N. Ding J., Breun R.A., Chen R.T.S., Meyer J., Quick A.K. Does high density-low pressure etching depend on the type of plasma source? // Phys. Plasmas. 1996. V.3. N5. P.2197-2202.

57. Hikosaka Y., Hayashi H., Sekine M., Tsuboi H., Endo M., Mizutani N. Realistic etch of fluorocarbon ions in Si02 etch process. .// Jpn. J. Appl. Phys. 1999. V.38. Pt.l. N.7B. P.4465-4472.

58. Choi С.J., Kwon O.S., Seol Y.S., Kim Y., Choi H. Ar addition affect on mechanism of fluorocarbon ion formation in CF4/Ar inductively coupled plasma. //J. Vac. Sci.Technol. 2000. V.B18. N.2. P.811-819.

59. Abachev M.K., Baryshev Yu.P., Lukichev V.F., Orlikovsky A.A., and Valiev K.A. Aperture effect in plasma etching of deep silicon trenches. Vacuum, 1991, 42 (1/2), 129-131.

60. Hayashi H., Kurichara K., Sekine M. Characteriation of highly selective Si02/Si3N4 etching of high-aspect-ratio holes.// Jap. J. Appl. Phys. 1996. Vol.35. Pt.l. N4B. P.2488-2493.

61. Schaepkence M., Oehrlein G.S. Asymmetric microtrenching during inductively coupled plasma oxide etching in the presence of a weak magnetic field. // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. N.l 1. P. 1293-1295.

62. Bogart K.H., Klemens F.P., Malyshev M.V., Colonell J.I., Donnelly V.M., Lee J.T. Mask charging and profile evolution during chlorine plasma etching of silicon. // J.Vac. Sci. Technol. 2000. V.A18. N.l. P.197-206.

63. Лукичев В.Ф. Теоретическое исследование глубокого анизотропного травления кремниевых структур в низкотемпературной плазме. -Диссертация доктора физ.-мат. наук., Москва, 1997.

64. Jurgensen C.W., Rammelberg A. Oxygen reactive ion etching mechanisms of organic and organicsilicon polymers. // J. Vac. Sci. Techn. 1989. V.A7. N6. P.3317-3324.

65. Baggerman J.A.C., Visser R.J., Collart E.J.H. Ion-induced etching of organic polymers in argon and oxygen radio-frequency plasmas. // J. Appl. Phys. 1994. V.75. P.758- 768.

66. Tserepi A. D., Miller T. A. Spatialy and temporaly resolved absolute O-atom concentrations in etching plasmas.//J. Appl. Phys. 1995. У.11. N2. P.505-511.

67. Carl D.A., Hess D.W., Lieberman M.A. Rinetics of photoresist etching in an electron cyclotron resonance plasmas. // J. Appl. Phys. 1990. V.68. N4. P.1859-1865.

68. Pons M Joubert O., Paneiz P., Pelletier J. Plasma etching of polymers: A reinvestigation of temperature effects. // J. Appl. Phys.1991. V.70. N4. P.2376-2379.

69. Hartney M.A., Hess D.W., Sloane D.S. Oxygen plasma etching for resist stripping and multilayer lithography. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. V.7. N1. P.l-13.

70. Rybkin V. V., Bessarab А. В., Kuvaldina E. V., Maximov A. I., Titov V. A. Self-consistent analisis of low temperature oxygen plasma and processes of its interaction with some polymer materials.// Pure & Appl. Chem., 1996, V.52. N5, 1041-1045.

71. Joubert O., Pelletier J., Fiory C., Tan T.A. Surface mechanisms in 02 and SF6 microwave plasma etching of polymers. J. Appl. Phys. 1990. V.67. N.9. P.4291-4299.

72. Vanderlinde W. E., Ruoff A. L. Reactive ion beam etching of polyimide thin films.// J. Vac. Sci. Technol. V.B6. 1988. N6. P.1621-1625.

73. Tead S. F., Vanderlinde W. E., Ruoff A. L., Kramer E. J. Diffusion of reactive ion beam etched polymers.// Appl. Phys. Lett., 1988. V.52. N2. P. 101102.

74. Etrillard J., Francou J-M., Inard A., Henry D. Anisotropic etching of submicronic resist structures by resonant inductive plasma etching. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. V.33. Pt.l. N.10. P.6005-6012.

75. Hsiao R., Miller D., Kellock A. Response surface study of resist etching in high density oxygen plasma and interactions of 02 plasma with NiFe, Си, Та, and A1203. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V.A14. N3. 1028-1032.

76. Forgotson N., Khemka V., Hopwood J. Inductively coupled plasma for polymer etching of 200 mm wafers. // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V.B14. N2. P.732-737.

77. Vucanovic V., Tacacs G. A., Matuszak E. A., Egitto F. D. Emmi F., Horwath R. S. Plasma etching of organic materials. II. Polyimide etching and passivation downstream of an Cb-CF^Ar microwave plasma. // J. Vac. Sci. Technol. V.B.6. 1988. N.l. 66-71.

78. Яворский Б.М., Детлаф А.А., Справочник по физике.-M.; Наука, 1990., 624c.

79. Райзер Ю.П. Физика газового разряда. -М.; Наука, 1986., 592 с.

80. Физические величины: Справочник по физике./ под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова.-М.; Энергоатомиздат, 1991., 1232с.

81. Cherrington В. Е. The use of elektrostatic probes for plasma diagnostics.// Plasma Chemistry and Plasma Processing, 1982. V.2. N.2. P. 113-140.

82. Isaac D. Sudit and Claude Woods. A stady of the accurasy of various Langmuir probe theories.//J. Appl. Phys. 1994. V.76. N8. P.4488-4498.

83. Русанов В.Д. Современные методы исследования плазмы. -М.: Госатомиздат, 1962, 184 с.

84. Иванов Ю. А., Лебедев Ю. А., Полак Л. С. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии. М.; Наука, 1981.

85. Ершов А.П., Исаев К.Ш., Калинин А.В., Соколов А.Б., Орликовский А.А. Особенности применения метода зондов для диагностики низкочастотного разряда в смеси CF3Br/Ar в диодном плазмохимическом реакторе. Труды ФТИАН, 1993, Т.6, С.17-34.

86. Чан П., Тэлбот Л.,Турян К. Электрические зонды в неподвижной и движущейся плазме. М.:Мир, 1978.

87. Godyak V. A. Ion current based probe diagnostics. // Proceedings of 48th Annual gaseous Electronics Conference. Berkeley, California, 9-13 October, 1995. Bulletin of the American Physical Society. 1995. V.40. N.9. P. 15 77-15 85.

88. Ершов А. П., Кузовников А.А., Савинов В.П. Физика граничных слоев плазмы. М.: МГУ, 1990, 90 с.

89. Godyak V. A., Pijak R. В., Alxandrovich В. М. Probe diagnostics of non-Maxwellian plasmas. //J. Appl. Phys. 1993. V.73. N8. P.3657-3663.

90. Манаев E. И., Основы радиоэлектроники. M.: Радио и связь, 1985., 488с.

91. Абдулин И.Ш., Брагин В.Е.,Быканов А.Н., Новиков А.А. Применение Лэнгмюровского зонда для измерения параметров плазмы ВЧ разряда. -Материалы конференции "Физика и техника плазмы", Минск, Беларусь 1994, С.398-401.

92. V. A. Godyak, R. В. Pijak, В. М. Alxandrovich. The electron-energy distribution function in a shielded argon radiofrequency inductive discharge. //Plasma Sources Sci. Technol. 1995. V.3. P.332-336.

93. Godyak V. A., Pijak R. В., Alxandrovich В. M. An experimental sistem for symmetric capacitive rf discharge studies.// Rev. Sci. Instrum. 1990. V.61. N9. P.2401-2406.

94. Godyak V. A., Pijak R. B. In situ simultaneous radio frequency discharge power measurements.// J. Vac. Sci. Technol. A. 1990. V.8. N5. P.3833-3837.

95. Booth J. P., Joubert O., and Pelletier J. Oxygen atom actinometry reinvestigated: Comparision with absolute measurements by resonance absorption at 130nm. // J. Appl. Phys. 1991. V.69. N2. P.618-626.

96. Granier A., Chereau D., Henda K., Safari S., and Leprince P. Validity of actinometry to monitor oxygen atomconcentration in microwave discharges created by surface wave in 02-N2 mixtures.// J. Appl. Phys. 1994. V.75. N1. P. 104-114.

97. Гасилов А.Ю., Магунов A.H., Мудров E.B. Измерение температуры кремниевой пластины в газовом разряде методом лазерной интерферометрии.// Препринт ИМ АН СССР , № 10, Ярославль 1989, 29с.

98. Борн М. Вольф Э. Основы оптики. М.: Наука, 1970, 655с.

99. Таблицы физических величин. Справочник. Под ред. И. К. Кикоина. М.: Атомиздат. 1976. С. 97-99.

100. Крол Н., Трайвелпис А. Основы физики плазмы. М.: Мир, 1975, 526с.

101. Физический энциклопедический словарь. Гл. ред. Прохоров А. М. М.: Сов. энциклопедия. 1983, 928 с.

102. Godyak V. A., Pijak R. В. Probe measurements of the space potential in a radio frequency discharge. // J. Appl. Phys. 1990. V.68. N.7. P.3157-3162.

103. Paranjpe A. P., McVittie J. P., Self S. A. A tune Langmuir probe for measurements in rf glow discharges. // J. Appl. Phys. 1990. V.67. N.ll. P.6718-6727.

104. Wertheir M. R., Moisan M., Klemberg-Sapieha J. E., Claude R. Effect of frequency to microwave on the plasma deposition of thin films. // Pure and Appl. Chem. 1988. V.60. N.5. P.815-820.

105. Singh H., Graves D. B. Measurements of the electron energy distribution function in molecular gases in an inductively coupled plasma. // J. Appl. Phys. 2000. V.87. N.9. P.4098-4106.

106. Стриганов A. P., Свентицкий H. С. Таблицы спектральных линий нейтральных и ионизованных газов. М.:'Атомиздат. 1966, 900с.

107. Fuller N. С. М, Malyshev М. V, Donnelly V. М, Herman I. Р. Characterization of transformer coupled oxygen plasmas by trace rare gases-optical emission spectroscopy and Langmuir probe analysis. //Plasma Sources Sci. Technol. 2000. V.9. P.l 16-127.

108. Soller B. R., Shuman R. F. Application of emission spectroscopy for profile control during oxygen RIE of thick photoresist.// Proc. of the 8th Intern. Ion Ingineering Congress. 1985. P.410-425.

109. Гапонов В. И. Электроника Ч. 1. М.: Физматгиз, 1960. 516с.

110. Мак-Даниэль И. Процессы столкновений в ионизованных газах. М.: Мир, 1984.214с.

111. Кустов В.В.,Марахтанов М.К. Влияние подложки на температуру электронов в плазме несбалансированного магнетрона. Тезисы докладов VII конференции по физике газового разряда. Самара 1994, С.205-206.

112. Neumann G., Kretschmer К.-Н. Characterization of a new electron cyclotron resonance source working with permanent magnets.// J. Vac. Sci. Technol. B. 1991 V.9N2. P.334-338.

113. Deenamma Vargheese K., Mohan Rao G. Electron cyclotron resonance plasma source for ion assisted deposition of thin films.// Rev. Sci. Instrum. V.71. N.2. P.467-472.

114. Barnes M. S., Forster J. C., Keller J. H. Electron energy distribution measurements in a planar inductive oxygen radio frequency glow discherge.//Appl. Phys. Lett. V.62. N.21. P. 2622-2624.

115. Mantei T. D., Dhole S. Characterization of a permanent magnet electron cyclotron resonance plasma source.// J. Vac. Sci. Technol. B. 1991 V.9 N1. P.26-28.

116. Nishimura K., Yoshino Y., Sawara A., Ohta Т., Sunagawa M., Ohzone T. The influence of magnetic plugging on RF plasma density.// Jpn. J. Appl. Phys. 1996. V. 35. Pt. 1. N4A.P.2316-2317. "

117. Beresford R. Downstream ion drift in an electron cyclotron resonance plasma process.// J. Appl. Phys. 1996. V.79. N3. P. 1292-1297.

118. Yao X. Z., Jiang D.Y. Effect of secondary electron emission on sheath potential in an electron cyclotron resonance plasma.// J. Appl. Phys. 1997. V.81. N5. P.2119-2123.

119. Рот И. Химическое распыление// Распыление твердых тел ионной бомбардировкой. Под ред. Бериша. Вып. 2. М.: Мир, 1986. С. 134-204.

120. Dreifus F. N., Rossi М. N. Investigation plasmas by spectroscopy method.// Pure. Appl. Chem. 1987. V.16. P.346-356.

121. Saes I. H. A study reaction mechanisms in plasmas related to glass-fibber production. Proefsohrit. Eindhoven. 1987. P. 173-181.

122. Takahashi К., Hori M., Goto Т. Fluorocarbon radicals and surface reactions in fluorocarbonhigh density etching plasma.I. O2 addition to electron cyclotron resonance plasma employing CHF3. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1996. V.14. N4. P.2004-2010.

123. Kirmse К. H., Wendt A. E., Disch S. В., Wu J. Z., Abraham I. C., Meyer J. A., Breun R. A., Woods R. C. Si02 to Si selectivity mechanisms in high density fluorocarbon plasma etching. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. V.14. N2. P.710-715.

124. Cook J. M., Benson B. W. Application of EPR spectroscopy to oxidative removal of organic materials.// J.Electrochem.Soc. 1983. V.130. N12. P.2459-2467.

125. Egitto F.D. Plasma etching and modification of organiic polymers.// Pure and Appl.Chem. 1990. V.62. N9. P.1699-1708.

126. Магунов А. Г. Термохимическая неустойчивость травления полимерных пленок в плазме ВЧ- разряда./ЛПисьма в ЖТФ. 1992. Т. 18. N23. С. 1-4.

127. Gousset G., Panafieu P., Touzeau M. Vialle M. Experimental study of d.c.oxygen glow discharge absorption spectroscopy.// Plasma Chem.and Plasma process. 1987. V.7. N.4. P.409-427.

128. Lin Т.Н., Belser M., Tzeng Y., Pulsed microwave plasma etching of polymers in oxygen and nitrogen for microelectronic applications.// IEEE Transactions on Plasma Science. 1988. V.16. N6. P.631-637.

129. Амиров И.И., Изюмов M.O. Способ плазмохимического травления материалов микроэлектроники. // Решение о выдаче патента на изобретение HOIL 21/3065 от 05.01.96.

130. Амиров И.И., Изюмов М.О. Характеристики травления Si02 и Si во фторуглеродной плазме ВЧ-индукционного разряда пониженного давления.//Микроэлектроника. 1996.Т.25. №3. С.233-236.

131. Амиров И.И., Изюмов М.О., Бердников А.Е. Процессы травления резистов в реакторе с ВЧ индукционным источником плазмы. // Микроэлектроника. 1998.Т.27. №1. С.22-27.

132. Амиров И.И., Изюмов М.О. Ионно-инициированное травление полимерных пленок в кислородсодержащей плазме ВЧ индукционного разряда. // Химия высоких энергий, 1999. Т.ЗЗ. №2. С. 147-151.

133. Amirov I.I., Iziomov М.О. Etching of microelectronic materials in a reactor with rf inductive plasma source at low pressure. // II Russian-Chinese Symposium. Kaluga 1995. P.82.

134. Amirov I.I., Iziomov М.О. The investigation of oxygen ICP torch at low pressure and in a heterogeneous magnetic fild. //Proceedings of Fifth European Conference on Thermal Plasma Processes. // S.Petersburg. 1998. P.236.

135. Amirov I.I., Iziomov M.O. The influence of ion stocked on erosionpolimer films in oxygen ICP torch. // Proceedings of Fifth European Conference on Thermal Plasma Processes. // S.Petersburg. 1998. P.315.