автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Технологические процессы и реакторы плазмохимического травления микроструктур элементов СБИС

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ

ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ.И

1.1. Анизотропное травление.

1.2. Удаление и травление фоторезиста.

1.3. Влияние плазменных обработок на зарядовые характеристики структур.

1.4. Безэлектродный разряд низкого давления.

ГЛАВА 2. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА

ВНЕ ЗОНЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ РАЗРЯДА.

2.1. Особенности ПХУ фоторезиста в системах с индивидуальной обработкой пластин.

2.2. Исследование характера локализации плазмы при высоком давлении.

2.3. Разработка реактора высокого давления для ПХУ фоторезиста с пластин большого диаметра.

ГЛАВА 3. РЕАКТОР ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ И

ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ РЕАЛИЗУЕМЫЕ В НЕМ.

3.1. Исследование ВЧ-разряда низкого давления в системе с индукторным возбуждением.

3.2. Оптимизация технологического процесса ПХУ фоторезиста в реакторе высокоплотной плазмы.

3.3. Удаление органо - неорганических остатков после реактивно — ионного травления технологических слоев.

3.4. Изотропное травление диэлектрика.

ГЛАВА 4. РЕАКТОР И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ

ИОННО -СТИМУЛИРОВАННОГО ТРАВЛЕНИЯ.

4.1. Реактор с активизацией газа при низком давлении и независимым смещением на подложке.

4.2. Разработка технологического процесса анизотропного травления кремния.

4.3. Теоретический расчет профиля травления канавок в кремнии.

4.4. Сухое проявление фоторезистивных пленок.

Актуальность темы. Плазменная технология или технология сухого травления — один из новейших методов обработки полупроводниковых пластин, получивший широкое практическое применение в производстве СБИС. В настоящее время наступил новый этап в развитии плазменных методов обработки. Производство СБИС высокой степени интеграции (1М и выше), с размерами микроструктур менее 1мкм, ставит перед разработчиками новые задачи, которые невозможно решить в традиционных системах плазменной обработки. К таким задачам в первую очередь относятся:

1. Удаление фоторезиста без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности.

Проблема заключается не столько в снятии фоторезиста, сколько в том, чтобы не повредить находящуюся под ним структуру, так как обработка полупроводниковых пластин в традиционных плазменных системах приводит к ухудшению свойств границы раздела Si-SiC>2 и пробою тонкого (<20 нм) подзатворного диэлектрика.

2. Сухое проявление фоторезиста.

Использование традиционного однослойного резиста даёт низкое качество субмикронной литографии. Одной из основных задач субмикронной литографии является достижение необходимой разрешающей способности на подложках с развитым поверхностным рельефом, когда слой резиста имеет значительные изменения по толщине. Проблема, сдерживающая широкое применение для этих целей плазменных технологий, заключается в недостаточной проработке технологических процессов и реакторных систем для их реализации.

3. Травление глубоких канавок в кремнии.

Производство СБИС с уровнем интеграции 4М и выше требует создания микроструктур сложной архитектоники, что приводит к необходимости решения такой сложной технологической проблемы, как формирование в монокристаллическом кремнии канавок с глубиной порядка 5 -г 10 мкм и вертикальными стенками.

При повышении степени интеграции ИС и переходе к технологии формирования элементов СБИС субмикронных размеров на первое место выходят требования по снижению дефектности в обрабатываемых структурах ИС. При этом одновременно возрастают требования по повышению анизотропии и селективности при сохранении высокой скорости обработки на пластинах большого диаметра. Эти требования являются противоречивыми. Высокая анизотропия достигается направленной ионной бомбардировкой, а в существующих процессах ионы, как правило, обладают высокой энергией и вследствие распыления слоев снижают селективность травления. Кроме того, высокоэнергетическая ионная бомбардировка приводит к дефектам в обрабатываемых структурах.

Вследствие этого данная работа, направленная на поиск технических решений по созданию технологических процессов и реакторных систем плазменной обработки низкоэнергетическими химически активными частицами при расположении пластины вне зоны локализации плазмы или частицами с регулируемой энергией, является весьма актуальной для производства СБИС.

Диссертация является частью комплексных исследований, проводимых в ОАО «НИИПМ» в рамках научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ: «Кальций» «Исследование применяемости контроля ряда технологических параметров в установках плазмохимического травления» (Гос. per. № 46911), «Континент 212-1» «Создание экспериментальных образцов реакторных модулей для индивидуального плазмохимического, реактивно-ионного, ионного травления плёнок и удаления фоторезиста»(Гос. per. №У01062), «Корпус» «Исследование и разработка технологического процесса для анизотропного глубинного травления монокремния» (Гос. per. №46911), «Комплекс 212» «Разработка средств контроля и систем управления основными технологическими параметрами в реакторах ПХТ» (Гос. per. №

У33277), «Плазма- 150А» «Разработка и изготовление установки удаления фоторезиста для технологии СБИС субмикронного уровня», проводимой в рамках совместной российско-белорусской научно-технической программы «Создание и серийное производство автоматизированных систем управления бортовой радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой радио- и электротехники», подпрограмма «Разработка и освоение серий цифровых, цифро-аналоговых и аналоговых интегральных микросхем для аппаратуры специального назначения и двойного применения», раздел «Технология для создания интегральной элементной базы», а также в рамках договоров с НПО «Интеграл» (г. Минск) и ОАО «НИИМЭ и Микрон» (р, Москва, г. Зеленоград).

Цель работы - разработка и оптимизация новых технологических процессов и реакторов с использованием плазмы для удаления фоторезиста, сухого проявления фоторезиста и травления глубоких канавок в кремнии, пригодных для технологии формирования элементов СБИС и обеспечивающих минимальные радиационные повреждения при высокой скорости, анизотропности и селективности травления, оснащение ими технологических установок для массового производства ИС.

В соответствии с целью в работе были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать кинетику плазменного удаления фоторезиста вне зоны локализации разряда и разработать реактор для обработки пластин в послесвечении плазмы высокочастотного разряда;

2. Исследовать влияние технологических и конструктивных параметров системы с разделением зон активации газа и реакции на устойчивость пространственной локализации плазмы и потенциал в зоне обработки;

3. Определить возможные причины пробоев тонкого (< 13 нм) оксида кремния при удалении фоторезиста вне зоны локализации разряда;

4. Разработать и оптимизировать технологические процессы: удаления фоторезистивных плёнок без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности, удаления полимерных плёнок после плазмохимического травления и изотропного травления диэлектрика;

5. Исследовать особенности высокочастотного возбуждения и поддержания высокоплотной низкотемпературной плазмы при пониженном давлении, разработать реактор для ионно-стимулированного травления;

6. Исследовать технологические особенности анизотропного травления кремния и фоторезиста, разработать технологические процессы травления глубоких канавок в кремнии и сухого проявления фоторезиста;

7. Разработать математическую модель формирования профиля травления канавок в кремнии при ионно-стимулированном травлении;

Научная новизна.

1. Предложен способ, изучена кинетика процесса и оптимизирована технология высокоэффективного удаления фоторезиста вне зоны локализации разряда.

2. Предложена методика оценки уровня радиационных повреждений обрабатываемой поверхности при плазмохимическом удалении (ПХУ) фоторезиста вне зоны локализации разряда и установлена корреляция частоты пробоев тонкого (< 13 нм) оксида кремния с потенциалом плазмы в зоне обработки.

3. Разработана методика измерения контактным методом потенциалов, возникающих на образцах в процессе удаления фоторезиста с их поверхности.

4. Разработана модель формирования профиля травления канавок в кремнии при ионно-стимулированном травлении.

5. Разработан технологический процесс высокоскоростного высокоанизотропного травления глубоких канавок в кремнии без использования полимеробразующих газов, удовлетворяющий требованиям производства ИС высокой степени интеграции (4М и выше).

6. Показано, что при формировании структур с размерами порядка 0,5 мкм при использовании метода локального силилирования экспонированных пленок фоторезиста сухое проявление фоторезиста необходимо проводить в реакторе с высокоэффективным возбуждением плазмы при давлении 3-10'2 Па и смещении на подложкодержателе -60 -г -100 В.

7. Установлено, что тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в диапазоне давления 5-10"2 ч- 130 Па, может существовать в форме безэлектродного кольцевого разряда («Н»- разряда) при выполнении условия: где: U — напряжение на индукторе, В; п - количество витков индуктора; D — внутренний диаметр индуктора, см.

Практическая значимость работы.

В результате проведённых исследований разработаны следующие технологические процессы и реакторы для индивидуального плазмохимического травления:

1. Технологический процесс и реактор для скоростного удаления фоторезиста в потоке активированного в плазме кислорода, установленный на установках «Плазма НД 125Ф», «Плазма НД 125ПМ»;

2. Технологический процесс и реактор для удаления фоторезиста в потоке активированной смеси кислорода с аргоном без пробоя тонкого (<13 нм) оксида кремния, установленный на установки «Плазма 150М» и «Плазма НД 150 МФ»;

3. Реактор высоко плотной плазмы, установленный на автоматической установке «Плазма 150А», позволяющий реализовать следующие технологические процессы: скоростного равномерного удаления фоторезиста с пластин диаметром 150 мм без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности, удаления полимерных остатков после плазмохимического травления, изотропного травления контактных окон в диэлектрике;

4. Реактор и технологические процессы травления канавок в кремнии и сухого проявления фоторезиста.

5. Представленные в работе программы для расчета профиля травления канавок в кремнии могут быть использованы при разработке технологических процессов ионно-стимулированного травления материалов. Внедрение результатов работы.

Результаты работы использованы при разработке и изготовлении установок ОАО «НИИПМ» г. Воронеж: «Плазма НД 125Ф», «Плазма 150М», «Плазма НД 125ПМ», «Плазма НД 150МФ», «Плазма 150А», внедрённых на предприятиях, осуществляющих серийное производство ИС: НИИИЭТ (г. Воронеж), ЗАО «ВЗПП - Микрон» (г. Воронеж), НПО «Интеграл» (г. Минск), ОАО «НИИМЭ и «Микрон» (г. Москва, Зеленоград).

Основные результаты и положения, выносимые на защиту.

1. Тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в диапазоне давления 5-10' -г- 130 Па, может существовать в форме безэлектродного кольцевого разряда при выполнении условия: U/nTtD > 7,5 , где: U - напряжение на индукторе, В; п — количество витков индуктора; D — внутренний диаметр индуктора, см.

2. При формировании структур с размерами порядка 0,5 мкм с использованием метода локального силилирования экспонированных на длине волны 336 нм пленок фоторезиста сухое проявление необходимо проводить в реакторе с У высокоэффективным возбуждением плазмы при давлении порядка

3 -10 " Па и напряжении низкочастотного смещения на подложкодержателе -60 -г -100 В.

3. Модель формирования профиля травления канавок в кремнии, учитывающая влияние ионной бомбардировки поверхности, результаты расчетов.

4. Способы удаления фоторезиста с тонкого оксида кремния (толщиной 13 нм) без электрических пробоев и внесения встроенного заряда в полупроводниковые структуры, при реализации которых технологический процесс осуществляется вне зоны локализации разряда с контролем потенциала пространства в зоне обработки.

5. Новая конструкция реактора высокоплотной плазмы, работающего на частоте 13,56 МГц, позволяющий реализовать следующие технологические процессы обработки пластин диаметром 150 мм:

-удаление фоторезиста без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности со скоростью до 4 мкм/мин и неравномерностью менее ± 5%; -удаление полимерных остатков после плазмохимического травления с селективностью более 1000:1 по отношению к нижележащим слоям поликремния, Si3N4, Si02;

-изотропного травления контактных окон в БФСС со скоростью более 0,3 мкм/мин.

Апробация работы.

Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на: VI конференции молодых учёных и специалистов «Разработка и изготовление твердотельных изделий электронной техники» (Москва, 1985 г.); второй Всероссийской конференции с международным участием «Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники» (Таганрог, 1995г.); Юбилейной 2-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Москва, Зеленоград. 1999г.); Осенней сессии Межотраслевой 5-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Гурзуф, 2002 г.); Межотраслевой 6-ой научно-технической конференции АООТ «НИИМЭ и «Микрон» «Разработка, технология и производство полупроводниковых микросхем» (г. Москва, Зеленоград, 2003 г.); Региональной научно-технической конференции «Системы и элементы роботизированных комплексов» (г. Воронеж, 2003 г).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 26 работ.

Личный вклад автора. Автором самостоятельно получены, обработаны и проанализированы все основные результаты, выносимые на защиту.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырёх глав и приложения. Общий объём работы 208 страниц, в том числе 85 рисунков, 8 таблиц и список литературы из 135 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Впервые проведены комплексные исследования плазмохимического удаления фоторезиста вне зоны локализации разряда. Предложена методика оценки уровня радиационных повреждений обрабатываемой поверхности (пробоев тонкого оксида кремния) с помощью измерения потенциала вне зоны локализации разряда. Установлена корреляция частоты пробоев тонкого оксида кремния с величиной потенциала плазмы в зоне обработки. Показано, что при потенциале в зоне обработки менее 5В реализуется технологический процесс удаления фоторезиста с тонкого оксида кремния (толщиной 13 нм) без электрических пробоев и внесения встроенного заряда в полупроводниковые структуры.

2. Разработана методика измерения контактным методом потенциалов, возникающих на структурах в процессе удаления фоторезиста с их поверхности. Показано, что кроме токовых повреждений возможен и другой механизм повреждений тонкого оксида кремния, связанный, например, с воздействием УФ излучения на границу раздела Si - Si02.

3. Установлено, что тлеющий разряд, возбуждаемый в индукторе на частоте 13,56 МГц в диапазоне давлений от 5-10"2 Па до 130 Па, может существовать в форме высокоэффективного безэлектродного кольцевого разряда («Н» - разряда) при выполнении условия: где: U — напряжение на индукторе, В; п - количество витков индуктора; D - внутренний диаметр индуктора, см. Показано, что при переходе в режим «Н»- разряда, происходит резкое возрастание плотностей заряженных частиц (более чем в 10 раз) даже при небольшой мощности, вкладываемой в разряд.

4. Разработан технологический процесс и реактор для скоростного удаления фоторезиста в потоке активированного кислорода с аргоном без пробоев тонкого (12нм) оксида кремния. Реактор установлен на автоматические установки «Плазма 150 М» и «Плазма НД 150 МФ».

5. Разработан первый отечественный реактор высокоплотной плазмы, работающий на частоте 13,56 МГц в диапазоне давлений 40 -т- 100 Па, позволяющий реализовать следующие технологические процессы обработки пластин диаметром 150 мм:

-удаление фоторезиста без радиационных повреждений обрабатываемой поверхности со скоростью до 4 мкм/мин и неравномерностью менее ± 5%; -удаление полимерных остатков после плазмохимического травления с селективностью более 1000:1 по отношению к нижележащим слоям поликремния, Si3N4, SiC>2;

-изотропного травления контактных окон в БФСС со скоростью более 0,3 мкм/мин.

Таким реактором оснащена установка «Плазма 150А», разработанная в ОАО «НИИПМ» в 2002 г.

6. Предложена модель формирования профиля травления канавок в кремнии при ионно-стимулированном травлении. Теоретически и экспериментально показано, что анизотропия травления канавок в кремнии без использования полимеробразующих газов, определяется соотношением скоростей ионно-стимулированного и радикального травления.

7. Разработан реактор ионно-стимулированного травления с высокоэффективным возбуждением плазмы при пониженном давлении и независимым регулированием смещения на подложкодержателе. Разработан технологический процесс травления канавок в кремнии на глубину более 10 мкм без использования полимеробразующих газов со скоростью более 1,5 мкм/мин и анизотропией более 60.

8. Показано, что при формировании структур с субмикронными размерами при использовании метода локального силилирования экспонированных пленок фоторезиста, сухое проявление фоторезиста необходимо проводить в реакторе ионно-стимулированного травления при давлении порядка 3-Ю'2 Па и низкочастотном смещении на подложкодержателе -60 -100 В.

Результаты проведенных исследований могут быть использованы при разработке новых конструкций реакторов и технологических процессов формирования микроструктур в производстве СБИС. Новизна конструкторских и технологических решений, использованных при разработке технологических процессов ПХТ и реакторов для их реализации, подтверждена 8 авторскими свидетельствами на способы и устройства плазмохимической обработки.

1. Плазменная технология в производстве СБИС / Пер. с англ.; Под ред. Н. Айнспрука, Д. Брауна. - М.: Мир, 1987. - 69 с.

2. Ивановский Г.Ф. Ионно-плазменная обработка материалов / Г.Ф. Ивановский, В. И. Петров. М.: Радио и связь, 1986. - 232 с.

3. Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б. С. Данилин, В.Ю Киреев. М.: Энергоатомиздат, 1987.- 264 с.

4. Моро У. Микролитография / У. Моро: В 2-х ч. 4.2: Пер. с англ. М.: Мир, 1990.-632 с.

5. Дикарев Ю. И. Плазмохимическое травление в технологии ИС / Ю. И. Дикарев, В. Ф. Сыноров, Б. JI. Толстых // Зарубежная электронная техника. -1978.-Вып. 2.-49 с.

6. Рябов С. Н. Физико-химические особенности процессов плазмохимического травления / С. Н. Рябов, С. А. Кутолин, Н. И. Бойкин // Обзоры по электронной технике, сер. 7. М.: ЦНИИ «Электроника». 1981. - Вып. 20 (244). - 66 с.

7. Словецкий Д. И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д. И. Словецкий // «Химия плазмы», вып. 10. М.: Энергоатомиздат, 1983.

8. Беляева Н. К. Травление в плазме СВЧ и ВЧ газовых разрядов / Н. К. Беляева, А. И. Маштакова // Обзоры по электронной технике, Сер. 1. М.: ЦНИИ «Электроника», 1981. Вып. 12 (830). - 50 с.

9. Ивановский Г. Ф. Использование сухих процессов в микроэлектронике / Г. Ф. Ивановский // Электронная промышленность. 1980. - №3.- С. 26.

10. Чистяков Ю. Д. Физико-химические основы технологии микроэлектроники / Ю.Д. Чистяков, Ю. П. Райнова М.: Металлургия, 1979. - 408 с.

11. Bersin R. L. A survey of plasma-etching processes / R. L.Bersin // Solid State Technology. 1976.- Vol. 19, № 5. - P. 31-36.

12. Bondur J. A. CF4 etching in a diode System / J. A. Bondur // J. Electrochem. Soc. 1979. - Vol. 126, № 2. - P. 226-231.

13. D'Agostino R. Plasma etching of Si and Si02 in SF6 02 mixtures / R. D'Agostino, L. D. Flamm //J. Appl. Phys. - 1981.- Vol. 52, № 1. - P. 162-167.

14. Eisele К. M. SF6 a preferable etchant for plasma etching silicon / К. M. Eisele // J. Electrochem. Soc. 1981.-Vol. 128, № l.-P. 123-125.

15. Vande Ven E. P. A cristal comparison of SiF4/02 and CF4/02 as plasma etching gases / E. P. Vande Ven, P. A Zijlstra // J. Electrochem. Soc. 1981. - Vol. 128, № 1. -P. 112-119.

16. Boud H. Applications for Silicon tetrafluoride in plasma etching / H. Boud, M. S. Tang // Solid State Technology. 1979. - Vol. 22, № 4. - P. 133-138.

17. Eisele К. M. Plasma etching of Silicon nitrogen trifluoride / К. M. Eisele // J. Electrochem. Soc. 1980. - Vol. 127, № 1. - P. 174.

18. Janno N. J. Comparison of the etching and plasma characteristics of discharges in CF4 and NF3 / N .J. Janno, К. E. Greeberg, J. Vendeyen // J. Electrochem. Soc. -1981.-Vol. 128, № 10.-P. 2174-2179.

19. Chen M. Etching silicon witch fluoride gas / M. Chen, V. J. Minkiewicz, K. See //J. Electrochem. Soc. 1979. - Vol. 126, № 11. - P. 1946-1947.

20. Mogab C. J. Anisotropic plasma etching of poly-Si / C. J. Mogab, H .J. Levenstein//J. Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol. 17, № 3. - P. 721-730.

21. Flamm D. L. XeF2 and F-atom reactions with Si their significance for plasma etching / D. L. Flamm // Solid State Technology. 1983. - Vol. 26, № 4. - P. 117121.

22. Flamm D. L. Basic chemistry and mechanisms of plasma etching / D. L. Flamm // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - Vol. 1, № 1. - P. 23-30.

23. Trench's technology // Electronics. 1987. - № 14. - P. 12-16.

24. Zarowin С. B. Plasma etch anisotropy-theoiy and some verifying experiments relating ion transport, ion energy and etch profiles / С. B. Zarowin // J. Electrochem. Soc. 1983.-Vol. 130, №5.-P. 1144-1152.

25. Данилин Б. С. Реактивное ионное травление / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев, Д. А. Назаров // Обзоры по Э.Т. Сер.З, Микроэлектроника. 1984. - Вып.1 (1010).-С. 71.

26. Nagg A. G. Sidewall tapering in reactive ion etching / A. G. Nagg // J. Electrochem. Soc. 1985. - Vol. 132, № 3. - P. 689-693.

27. Suzuki К. Microwave plasma etching / К. Suzuki // Proc. Int'l Engineering Congress ISIAT'83 and IPAT'83. Kyoto, 1983. - P. 1645-1656.

28. Vinogradov G. K. Kinetics and mechanisms of chemical reaction in none quilibiumplasma etching of Silicon and Silicon compounds G. K. Vinogradov, P. I. Nevzorov, L. S. Polak, D. I. Slovetsky // Vacuum. 1982. - № 9. - P. 529-533.

29. Бернотас Г. И. Влияние ионного облучения на кинетику ПХТ Si и Si02 / Г.И. Бернотас, С. Б. Бружас, А. И. Григонис // Литовский физический сборник. -1982.-№5.-С. 107-113.

30. Wicker Т. Е. Plasma etching in a multipolar discharge / Т. E. Wicker, Т. D. Monttei // J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 57, № 5. . p. 1638- 1647.

31. Patent 4529475 USA, MKI H 01 L 21/306. Dry etching apparatus and method using reactive gases / H. Okano / РЖ ИСМ. 1990. - Вып. 129, № 22.

32. Patent 4450042 USA, MKI H 01 L 21/306. Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon/A. J. Purdes//РЖ ИСМ. 1990. - Вып. 129, № 13.

33. Patent 4417947 USA, MKI H 01 L 21/308. Edge profile control during patterning of silicon by dry etching with CC14 02 mixtures / A. I. Pan / РЖ ИСМ. - 1990. -Вып. 129, №3.

34. Заявка 0101828 ЕПВ, MKI H 01 L 21/306. Plasma etch chemistry for anisotropic etching of silicon / Texas Instruments Inc. // РЖ ИСМ. 1995. - Вып. 104, № 10.

35. РИТ/ПТ, серия 1500е. Проспект фирмы Tegal. 1986.

36. Plasma RIE Systems // Solid State Technology. 1986. - Vol. 29, № 5. - P. 83-84.

37. RIE System Tegal 1500 // D. D. 1986, № 3 - P. 110-113.

38. Flamm D. L. Etching and film formation in CF3Br plasmas: Some qualitative obcervations and their general implications / D. L. Flamm, P. L.Cowan, J. A. Golovchenko // J. Vac. Sci. Technol. 1980. - Vol. 17, № 6. - P. 23-30.

39. Matsuo S.J. Selective etching of Si relative to SiC>2 without undercutting by CBrF3 plasma / S.J Matsuo // Appl. Phys. Lett. 1980. - Vol. 36, № 9. - P. 768-770.

40. Абачев M. К. Травление кремния в плазме CF3Br / М. К. Абачев, С. А. Антонов, В. С. Асович // Тр. 1-й Всесоюзной конф. по физическим и физико-химическим основам микроэлектроники. — М.: Изд. НЦТН. 1987. - С. 352.

41. Орликовский А. А. Проблемы плазмохимического травления в технологии микроэлектроники / А. А. Орликовский, Д. И. Словецкий // Микроэлектроника. 1987.-Т. 16, Вып. 6.-С. 507.

42. Kangelow I. W. Secondary effects of single cristallill Silicon deep trench etching in chlorine containting plasma for 3- dimensional capasitor cells /I. W. Kangelow, R. Throren, K. Mabeliung // Microelectronic Engineering. 1986, № 5. - P. 387-394.

43. Patent 4139442 USA, MKI C23 С15/00. Reactive ion etching method for producing deep dielectric isolation in silicon / J. A. Bondur, H. B. Pogge // NKI 177/1.- 1985.-№3.

44. Tricon, http: // www.tricon.com.

45. McTaggart B. Plasma Chemistry and Electrical Discharges / B. McTaggart , R. Benson. Elsevier, Amsterdam. - 1967.-67 c.

46. Cook J. Application of EPR spectroscopy to oxidative removal of organic materials // J Cook, В Benson // J. Electrochem. Soc. 1983. - Vol. 130. № 10. - P. 2459-2464.

47. Sala R. J. Dry etching of tapered contact holes using multiplayer resist / R. J. Sala, B. Gorowitz // J.Electrochem. Soc. 1985. Vol. 132, № 8. - P. 1954-1958.

48. Bell A. Plasma etching of photoresist and polyimide in air and oxygen /А. Bell, K. Kwong //AICHE J. 1972. - Vol. 18. - P. 990.

49. Mollahan J. Techniques and Applications of plasma Chemistry / J. Mollahan, A. Bell // Willey. New York. 1974. - P. 73-74.

50. Lawton E. Spectroscopic study of radiofrequency oxygen plasma stripping of negative photoresist / E. Lawton // J. Appl. Polym. Sci. 1972. - Vol. 16. - P. 1857.

51. Ranby B. Photo-Degradation, Photo-Oxidation and Photostabilisation of Polymers / B. Ranby, J. Rabek // Wiley. New York. 1975. - P. 19.

52. Hansen R. Plasma etching of polymers / R Hansen, J. Pasesle, T. Debenedictis, R. Rentzepis //J. Polym. Sci. 1965. - Part A 13. - P. 2205.

53. Cullis C. The Combusition of Organic Polymers / C. Cullis, M. Hivschler // Oxford University Press (Clarendon). London. 1981. - P. 54.

54. Szekeres A. Plasma photoresist stripping in a planar reactor / A. Szekeres, K. Kirov, S. Alexandrova// Phys. Status Solidi. 1981. - A 63. - P. 371-379.

55. Spenser J. E. High rate photoresist stripping in an oxygen afterglow / J. E. Spenser, R. A. Borel, A. Hoff// J. Electrochem. Soc. 1986. - Vol. 133, № 9. - P. 1922-1925.

56. Hannon J. J. Oxidative removal of photoresist by oxygen / freon 116 discharge products / J. J. Hannon, J. M. Cook // J. Electrochem. Soc. 1984. - Vol. 131, № 5. -P. 1164-1169.

57. Goldstein I.S. Oxygen plasma etching of thick polymer lauers /1. S. Goldstein, F. Kalk//J. Vac. Sci. Technol. 1981. - Vol. 19, № 3. - P. 743-747.

58. Bond R. A. Temperature measurements of glass substrates during plasma etching /R. A. Bond, S. Dzioba, H. M. Naguib // J. Vac. Sci. Technol. 1981. - Vol. 18, № 2. -P. 335-342.

59. Pederson L. Structural composition of polymers relative to their plasma etch characteristics / L. Pederson //J. Electrochem. Soc. 1982. - Vol. 129, № 1. - P. 205209.

60. Flamm D. L. Basic chemistry and mechanisms of plasma etching / D. L. Flamm, V. M. Donelly, D. E. Ibbotson // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. - Vol. 1, № 1. -P. 29-30.

61. Mogab C. J. Plasma photoresist stripping in CF4 02 / C. J. Mogab, A. S. Adams, D .L. Flamm // J. Appl. Phys. - 1981. - Vol. 49. - P. 3803.

62. Kuschner M. A kinetic study of the plasma etching process. 1. A model for the etching of Si and Si02 in CnFm / H2 and CnFm / 02 plasmas / M. Kuschner // J. Apll. Phys. - 1982. - Vol. 53, № 4. - P. 2923-2938.

63. Turban G. Dry etching of polyimide in 02 CF4 and 02 - SF6 plasmas / G. Turban, M. Rapeux // J. Electrochem Soc. - 1983. - Vol. 130, № 11. - P. 2231-2237.

64. Hartney M. A. Oxygen plasma etching for resist stripping and multiplayer / M. A. Hartney, D. W. Hess, D. S. Soane // J. Vac. Sci. Technol. B. 1989. - Vol. 7, № 1. -P. 1-13.

65. Eggito F. D. Plasma etching of organic materials. 1. Polyimide in 02 CF4 / F. D. Eggito, F. Emmi, R. S. Horwath, V. Vucanovic // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1985. -Vol. 3.-P. 893-904.

66. Vucanovic V. G. Summary Abstract: Polyimide etching and passivation downstream of an 02 CF4 - Ar microwale plasma / V. G Vucanovic, A. Tacars, E. A. Matuszak, F. D. Eggito, F. Emmi, R. S. Horwath // J. Vac. Sci. Technol. A. -1986.-Vol. 4.-P. 698-699.

67. Heidenreich J. E. Ion energy and anisotropy in microwave plasma etching of polymers / J. E. Heidenreich, J. R. Paraszczak, M. Moisan, G. Sauve // Microelectron. Eng. 1986. - Vol. 5, Dec. - P. 363-374.

68. Steinbruchel C. Desing criteria for uniform reaction rates in an oxygen plasma / C. Steinbruchel, B. J. Curtis, H. W. Lehman, R. Widner // IEEE Trans. Plasma Sci. -1986.- 14.-P. 137.

69. Gokan H. Dry etch resistance of organic materials / H. Gokan, S. Esho, Y. Ohnischi //J. Electrochem. Soc. 1983. - Vol. 130, № 1. - P. 143-147.

70. Flamm D. L. Dry Plasma Resist Stripping. Part I: Overview of Equipment/ D. L. Flamm // Solid State Technology. 1992. - Vol. 35, № 8. - P 37-39.

71. А.с. 1207339 СССР, МКИ3 4Н 01 L 21/302. Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин / И. В. Гомжин, Н. К. Юдина, Н. Н. Федоров, Э. А. Лебедев, А. Ф. Селиванов (СССР). -№ 3695002/24-25; Заявлено 13.01.84.

72. А.с. 1642901 СССР, МКИ3 5Н 01 L 21/302, Н 05 Н 1/30. Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковых пластин / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, М. С. Черноусов, А. М. Будянский (СССР). № 4746104/25; Заявлено 03.10.89.

73. Мак-Коган Д. В. Деградация окисных пленок за счет облучения плазмой при катодном распылении и ионном травлении / Д.В. Мак-Коган, Р. А. Кушнир // ТИЭР. 1974. - № 9. - С. 63-69.

74. Федоров Н. Н. Плазмохимическая обработка поверхности пластин в производстве полупроводниковых приборов и ИС / Н. Н. Федоров, В. Р. Овчаров // Зарубежная электронная техника. 1974. - № 14(86). - 47 с.

75. Мурель А. В. Влияние плазменной обработки на заряд в структурах Si- Si02 / А. В. Мурель, И. В. Шишова // Взаимодействие атомных частиц с твердым телом. 4.2. Киев, 1974. - С. 43-45.

76. Берзиня Р.П. Исследование поверхностного слоя кремния после травления в высокочастотной плазме. / Р. П. Берзиня, Э. Э. Киотыньш, В. Р. Несауле и др. // Известия А. Н. Латв.ССР, сер. физ. и техн. наук. 1973. - № 3. - С. 25-28.

77. Бугакова Г. П. Влияние плазмохимической обработки на поверхностные состояния системы / Г. П. Бугакова, Н. Н. Федоров // Электронная техника. -1977. сер. 7. Вып. 6 (84). С. 9-14.

78. Ржанов А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / А. В. Ржанов. М, Наука, 1971. - 351 с.

79. Murphy V. Т. Low energy bombardment effects in Si02 / V. T Murphy. // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1972. - № 12. - P .249-255.

80. Melaughan D. V. Low energy bombardment of Silicon dioxide films on Silicon /

81. D. V. Melaughan, V. Т. Murphy // J. Appl. Phys. 1973. - Vol. 44, № 5. - P. 20082017.

82. Kuschner R. A. Mobilization of sodium in SiC>2 films by ion bombardment / R. A. Kuschner, D. V. Melougan // Phys. Rev (B). 1974. Vol. 10, № 6. - P. 2632.

83. Daniel V. Effect of bombardment by low energy neutral particles on silicon dioxide / V. Daniel, McCaughan, R. A. Kuschner, D. L. Simms, C. W. White // J. Appl. Phys. 1980. - Vol. 51, № 1. - P. 299-304.

84. Rowell R. I. Vacuum ultraviolet radiation effects in SiC>2 / R. I Rowell, R. N. Derbenwick // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1971. - № 10. - P. 153.

85. Hittorf W. Uber die elektristats leitung der gase / W. Hittorf // Ann. Physik. Chem. 1884. - Bd.21, HI. - S. 90-139.

86. Lermann O. Uber das entladungs — potentialgefalle / O.Lermann // Ann. Physik. Chem. 1892. - Bd. 47, HI 1. - S. 426-439.

87. Thomson D. D. Radiation produced by the passage of electricity through gases / D. D. Thomson // Philos. Mag. 1926. - Vol. 2, № 9. - P. 674.

88. Thomson D. D, The electrode less discharge though gases / D. D. Thomson // Philos. Mag. 1927. - Vol. 4, № 25. - P. 1128-1160.

89. Townsend D. S. Electrode less discharges / D. S. Townsend, R. H. Donaldson // Philos. Mag. 1928. - Vol. 5, № 27. - P. 178-191.

90. Mac. Kinnon K. A. On the origin of the elecrode less discharges / K. A. Mac. Kinnon // Philos. Mag. 1929. - Vol. 8, № 52. - P. 605-617.

91. Brasefield C. High frequency discharges in mercury, helium and neon / C. Brasefieldn // Phys. Rev. 1931. - Vol. 31, № 1. - P. 32-86.

92. Mirdel G. Untersuchungen uber den electrodenloson ringstrom / G. Mirdel // Ann. Phys. 1928. - Bd. 85, H5. - S. 612-640.

93. Smith H Electrodeless discharge in mercury vapor / H. Smith, W. A. Lynch, N. Hilbery // Phys. Rev. -1931. Vol. 37, № 5. - P. 1091-1101.

94. Straub H. Untersuchungen uber den existenzbereich der electroden losen ringentladung / H. Straub // Ann. Phys. 1958. - Bd. 1, H 4-5. - S. 281.

95. Cabannes F. Etude de la discharge electrique par induction dans les gar rares / F. Cabannes // Ann. Phys. 1955. - Vol. 10, H 4-5. - P. 1026-1078.

96. Кодолов В. И. Горючесть и огнестойкость полимерных материалов./ В. И. Ко долов. М.: Химия, 1976. - 158 с.

97. Гомжин И. В. Исследование особенностей удаления фоторезиста в потоке активированного кислорода / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев. // Электронная техника. 1985. сер.З. Вып. 1 (121). - С. 28-29.

98. А.с. 1362358 СССР, МКИ3 4 Н 01 L 21/302. Устройство для плазмохимического удаления фоторезиста / И. В. Гомжин, Р. В. Пуховицкий (СССР). № 3983541/24-25; Заявлено 03.12.85.

99. Гомжин И. В. Плазменное удаление фоторезиста в потоке активированного газа / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, Н. Н. Федоров // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново. ИГХТУ. -1999.-С. 176-177.

100. Пат. 1653484 РФ, МКИ3 6 Н 01 L 21/306. Способ плазмохимического удаления пленок фоторезиста / И. В. Гомжин, А. М. Будянский, А. Г. Покроев, А. Н. Ефремов, Э. А. Лебедев (РФ) № 4750949/25; Заявлено 23.10.89; Опубл. 20.08.95, Бюл. №23.

101. Tzunokuni К. The Effect of Charge Build-up on Gate Oxide Breakdown During Dry Etching / K. Tzunokuni, K. NoJiri, S. Kuboschima, K. Hirobe // Extendet Abstracts of the 19 th Conference on Solid State Devices and Materials. Tokyo. -1987. P. 195-198.

102. Hook Т. B. Plasma and Process Damage: Results From P2ID 2002 / Т. B. Hook // Semiconductor International. 2002. - Vol. 25, № 8. - P. 34-38.

103. А. с 1820787, МКИ3 5 H 01 L 21/306. Способ плазмохимического удаления фоторезиста с полупроводниковой подложки / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, М. С. Черноусов (СССР). №4820884/25; Заявлено 03.05.90.

104. Гомжин И. В. Процессы плазменного удаления фоторезиста / И. В. Гомжин // Электронная промышленность. 2004 , № 1. - С. 43-48.

105. Методы исследования плазмы / Под ред. В. Лохте Хольтгревена. — М,: Мир, 1971.-352 с.

106. Заявка на изобретение № 2003122591. Устройство для плазмохимической обработки полупроводниковых пластин / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, Д. А. Ефремов. Приоритет 30.07. 2003 г.

107. Гомжин И. В. Плазменное удаление фоторезиста в ICP реакторе / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, Н. Н. Федоров // Электронная промышленность. 2004 .-№ 1.-С. 38-41.

108. Гомжин И. В. Автоматическая установка удаления фоторезиста «Плазма 150А» / И. В. Гомжин, Б. Я. Гликсон, О. П. Гущин, Д. А. Ефремов, Э. А.

109. Лебедев, Н, Н. Федоров // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2003. №6. -С. 40-41.

110. Weigang J.F. Cleaning silicon wafers with an argon / nitrogen cryogenic aerosol process /J. F. Weigang, N. Narayancwami, D. J. Syverson // Micro. 1997. - Vol. 15, № 4. - P. 47-54.

111. Friesacher W. Polymer removal for the BEOL market / W. Friesacher, J. R. Kraaijevel, S. A. Henry, L. Archer// European Semiconductor. 2003. - Vol. 25, № 3.-P. 19-21.

112. Burggraaf P. Favorable results without wet chemicals in dry FEOL resist strip-clean / P. Burggraaf// Solid State Technology. 2003. - Vol. 46, №1. - P. 28.

113. Singer P. The Many Challenges of Oxide Etching / P. Singer // Semiconductor International. 1997. - Vol. 20, № 6. - P. 109-114.

114. Hall. Moscow. Russia. September 30 October 1, 2003. Abstracts of technical symposium papers P. 61.

115. Microwave plasma etch system. Solid State Technology. 1988. - Vol. 31, № 2. - P. 47-48.

116. A. c. 1760946 СССР, МКИ3 5 H 05 H 1/00, H 01 L 21/302. Способ плазмохимического травления полупроводниковые пластин / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, М. С. Черноусое (СССР). № 4722991/25; Заявлено 24.07.89.

117. Гомжин И. В. Анизотропное плазмохимическое травление монокремния / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, Н. Н. Федоров, О. П. Гущин // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново. ИГХТУ. - 1999. - С. 178-179.

118. Амиров И. И. Травление в галогенсодержащей плазме глубоких канавок в кремнии при повышенном давлении / И. И. Амиров, В. В. Абрамов, А. В. Вихорев, А. А. Орликовский, А. А. Селуков, В. К. Смирнов // Микроэлектроника. 1993. - Т. 22, Вып. 4. - С. 29-39.

119. Гомжин И. В. Анизотропное травление монокремния в реакторе высокоплотной плазмы / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, В. А. Логачева, И. С. Суровцев, Н. Н. Федоров // Конденсированные среды и межфазные границы. -2003. Т. 5, № 3. С. 293-296.

120. А. с. 1507131 СССР, МКИ3 4 Н 01 L 21/306.Способ индивидуального вакуумно-плазменного травления кремниевых пластин /И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, М. С. Черноусов (СССР). № 4363271; Заявлено 01.12.87.

121. Физика и химия обработки материалов. М. Наука. - 1977. - №4. - С. 8.

122. Бачманов В. А. Расчет профиля плазмохимического травления / В. А. Бачманов, Ю. С. Боков, М. Б. Гущин // Электронная техника, сер. Микроэлектроника. 1979. - Вып. 1 (79). - С. 58-63.

123. Coopmans F. DESIRE A New Route to Submicron Optical Lithography / F. Coopmans, B. Roland // Solid State Technology. - 1987. - Vol. 30, №6. - P. 93-99.

124. Garza C. Preliminary performance characterization of the DESIRE process / C. Garza // SPIE. 1988. - Vol. 920. - P. 233-240.

125. Гомжин И. В. Плазмохимическое травление фоторезистивных пленок / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, Н. Н. Федоров, О. П. Гущин // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново. ИГХТУ.- 1999. - С. 175.

126. Гомжин И. В. Сухое проявление фоторезистивных пленок / И. В. Гомжин, Э. А. Лебедев, В. А. Логачева, И. С. Суровцев, Н. Н. Федоров // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т. 6, № 1. - С. 50-53.