-
2000
Фролов, Владимир Анатольевич
Следовательно, для повышения надежности полупроводниковых приборов необходимо исследовать изменение температуры проводников при протекании через них импульсов тока. Это позволит выбрать наиболее оптимальные режимы работы приборов и оценить характеристики механических напряжений, возникающих при этом. Кроме того, необходимо
-
2000
Николаенков, Юрий Кимович
Сложность нестационарных процессов в таких структурах обусловлена также трехмерным диффузионно-дрейфовым переносом дырок и электронов в п-базе БТИЗ, толщина которой йп превышает в 3-4 раза диффузионную длину дырок Ьр, кроме того, диффузионные эмиттерные р-ячейки имеют размеры в 3-5 раз меньше ¿4, а также сложным характером поведения от времени
-
2000
Нарейко, Андрей Игоревич
Однако с уменьшением размеров элементов интегральных схем электрофизические процессы в них претерпевают качественные изменения. Происходит усиление влияния на их электрические характеристики границ раздела и скоплений дефектов. Возникает ряд специфических явлений, связанных с токовыми неустойчивостями, например, самопроизвольная генерация
-
2000
Гейфман, Евгений Моисеевич
Предполагалось, что в этом частотном диапазоне можно использовать низкочастотные СПП. Однако, например, в низкочастотных высоковольтных тиристорах из-за низких значений скорости распространения включенного состояния и слабого разветвления управляющего электрода (УЭ) велика длительность процесса включения всей площади прибора (Ъ). Типичные значения
-
2000
Маликов, Илья Валентинович
Кроме этого, при длинах свободного пробега превышающих размеры наноструктур, возможно проявление баллистических эффектов, которые наблюдались в системах с пониженной размерностью на двумерном электронном газе полупроводниковых гетер о структур с высокой подвижностью носителей заряда [8
-
2000
Поляков, Михаил Юрьевич
Отмеченные явления рассматриваются иногда и с несколько иной точки зрения, а именно как существенное и не вполне объяснимое возрастание емкости и сопротивления СВЧ-варакторов при значительном понижении рабочей частоты
-
2000
Шубин, Сергей Викторович
Магнитный интроскоп для визуализации структурных дефектов ферромагнитных материалов, состоит из передвижного намагничивающего устройства, сканера распределенного магнитного поля, системы обработки и отображения информации на экране монитора или жидкокристаллическом индикаторе. Ядром сканера магнитного поля, является матричный преобразователь (МП
-
2000
Серба, Павел Викторович
Одним из основных радиационных эффектов при облучении материалов является процесс торможения ускоренных частиц в веществе, обуславливающий в свою очередь, процессы дефекгообра-зования и миграции выбитых атомов мишени. Радиационное воздействие оказывает влияние на протекание диффузионных процессов в твердом теле. С характером протекания
-
2000
Ивин, Владимир Владимирович
Как можно заметить из вышеприведенной таблицы, степень интеграции микросхем памяти увеличивается в четыре раза, а логических - примерно в два раза каждые три года, и для сохранения подобной тенденции в ближайшем будущем необходимо дальнейшее уменьшение проектных норм вплоть до размеров менее 0.1 мкм. При этом оптическая литография по-прежнему
-
2000
Новоселов, Константин Петрович
Очевидно, что без знания детального механизма процессов в газовой фазе и на поверхности растущей пленки, практически невозможно эффективно управлять и оптимизировать данный технологический процесс. С другой стороны, постоянное уменьшение толщины осаждаемых пленок требует детальной информации о структуре и составе на атомарном уровне
-
2000
Зайцев, Сергей Иванович
-
2000
Гулевич, Павел Владимирович
Поскольку все большую роль в процессе проектирования электронных устройств играют средства автоматизированного проектирования (САПР), представляется актуальным оценить точность моделирования электронных узлов современными САПР на примере разработки ИОН
-
2000
Гребенников, Евгений Петрович
Многослойные структуры, включающие слои на основе БР, перспективны для создания компонентов информационных систем, используемых в качестве пространственно-временных модуляторов света, в устройствах для записи динамических голограмм, хранения и отображения информации. Одной из задач развития информационных систем является создание устройств
-
2000
Новоселов, Алексей Юрьевич
Развитие электроники и, прежде всего силовой электроники привело к появлению приборов, комбинирующих разнотипные элементы в одном полупроводниковом кристалле. Использование двух различных технологий -биполярной и униполярной позволило создать биполярно-полевые приборы (БСИТ, IGBT, SIT-тиристоры и т. д.), которые обладают преимуществами каждого из
-
2000
Новоселов, Алексей Юрьевич
В настоящее время полупроводниковые приборы, имеющие вольт-амперную характеристику (ВАХ) с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) нашли широкое применение в средствах телекоммуникаций, устройствах преобразования и отображения информации, автоматики из-за значительного упрощения многих схемных решений, снижения массогабаритных
-
2000
Червяков, Георгий Георгиевич
Аналогичная ситуация прослеживается и в теоретическом плане, где большая часть публикаций посвящена разработкам волоконно-оптических линий связи (ВОЛС), различным излучающим, модулирующим элементам, устройствам уплотнения и формирования сигналов для передатчиков самого различного назначения и в этой области имеется определенный успех, особенно для
-
2000
Уткина, Елена Апполинарьевна
МДП- и МДМ-элементы могут выполнять функции усиления, генерации и преобразования сигналов, могут быть использованы в качестве конденсатора и резистора, регулируемых в определенных пределах подачей потенциала на управляющий электрод, а также как элементы переключения и памяти. Широкий диапазон функциональных возможностей этих структур особенно
-
2000
Сапожников, Максим Викторович
Дальнейший шаг в области изучения магнитных нанообъектов был сделан в самые последние годы и связан с исследованием еще более экзотических искусственных систем - магнитных сверхтонких нитей, магнитных наночастиц и их решеток [3]. На сегодняшний день известно два основных метода создания систем магнитных наночастиц: путем самоорганизации и путем
-
2000
Рындык, Дмитрий Александрович
Эффект Джозефсона - один из самых ярких макроскопических квантовых эффектов, был теоретически предсказан Брайаном Джозефсоном (B.D. Josephson) в 1962 году [1] и вскоре экспериментально обнаружен [2]. Предсказание и экспериментальное открытие этого эффекта оказали существенное влияние на развитие фундаментальных представлений о макроскопических
-
2000
Северцев, Владимир Николаевич
В нашей стране научно-исследовательские работы по инфракрасной полупроводниковой фотоэлектронике были развиты под руководством член-корреспондента РАН лауреата Государственных премий СССР J1.H. Курбатова и его заместителя по секции узкозонных полупроводников профессора лауреата Государственных премий СССР В.И. Стафеева
