автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Моделирование и исследование полупроводниковых структур с вольт-амперными характеристиками N-типа и приборов на их основе

На правах рукописи

ргё 01

2 2 ДЕК №

Новоселов Алексей Юрьевич

МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР € ВОЛЬТ-АМПЕРНЫМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ К-ТИПА И ПРИБОРОВ НА ИХ ОСНОВЕ

Специальность: 05.27.01-Твердотельная электроника.

^^А А¿1 1 ру!ШДй

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Ульяновск - 2000

Работа выполнена в Ульяновском государственном университете

Научный руководитель - доктор физико-математических наук, профессор

Гурин Н.Т.

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Кравченко Л.К.

Кандидат физико-математических: наук АкброзсшиАС.

Ведущая организация: ОАО "Завод Искра", г. Ульяновск

Защита состоится 22 декабря 2000 г, в 12 часов на заседании диссертационного Совета К 053.37.04 ири Ульяновском государственном университете по адресу: г. Ульяновск, Набережная р. Свияги, ауд. №701

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке университета.

Отзывы на автореферат просим присылать по адресу: 432700, г. Ульяновск ул. Л.Толстого, д. 42, научная часть УлГУ

Автореферат разослан 20 ноября 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного Совета, к. т. н., доцент

Бакланов С.Б.

о Ü/fcM К Ii - HAU - К 2 tu п -?РАУ- -?-fil'i - /л а / ¿t. о г

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

В настоящее время полупроводниковые приборы, имеющие вольт-амперную характеристику (ВАХ) с отрицательным дифференциальным сопротивлением (ОДС) нашли широкое применение в средствах телекоммуникаций, устройствах преобразования и отображения информации, автоматики из-за значительного упрощения многих схемных решений, снижения массогабаритных параметров, повышения качества и надежности аппаратуры. Вместе с тем, за исключением приборов СВЧ диапазона, полупроводниковые как биполярные, так и биполярно-полевые приборы с N-образной ВАХ остаются малоизученными. Современное состояние этой области характеризуется практически полным отсутствием силовых N-приборов, выполненных в одном кристалле. Также недостаточно изучены принципы схемотехнического построения приборов данного типа. В то же время такие приборы имеют значительный потенциал в области силовой электроники с самозащитными функциями.

Развитие электроники и, прежде всего, силовой электроники привело к появлению приборов, комбинирующих разнотипные элементы в одном полупроводниковом кристалле. Использование двух различных технологий - биполярной и униполярной позволило создать биполярно-полевые приборы (БСИТ - , IGBT - транзисторы, SIT - тиристоры и т. д.), которые обладают преимуществами каждого из видов технологии. Применение биполярно-полевой технологии для создания N-приборов открывает перспективы создания приборов этого класса с улучшенными электрическими и динамическими параметрами.

Поэтому задача разработки, моделирования и исследования приборов с N-образной ВАХ на основе биполярно-полевой и биполярной технологий для повышения эффективности работы, улучшения

электрических характеристик (повышение значения тока максимума 14-образной ВАХ, увеличение пробивных напряжений, улучшение управляемости параметрами ВАХ) и расширения их функциональных возможностей является в настоящее время весьма актуальной.

Цель работы.

Улучшение параметров и расширение функциональных возможностей полупроводниковых структур и приборов с Ы-образной ВАХ. Для достижения цели в работе решались следующие задачи:

1. Анализ известных принципов построения полупроводниковых структур и приборов с >}-образной ВАХ

2. Разработка и исследование новых интегральных биполярно-полевых полупроводниковых структур с №образной ВАХ.

3. Физико-топологическое моделирование полупроводниковых структур с И-образной ВАХ.

4. Разработка и исследование новых биполярных приборов с >1-образной вольт-амперной характеристикой.

5. Определение аналитических соотношений, пригодных для инженерных расчетов, и проведение схемотехнического моделирования биполярных И-нриборов.

6. Разработка и исследование полупроводниковых структур и схемотехнических решений, на основе которых возможно создание приборов с симметричной Ы-образной ВАХ и Ы-приборов с несколькими участками ОД С на ВАХ.

7. Разработка и исследование силовых полупроводниковых приборов с И-образной вольт-амперной характеристкой.

Научная новизна.

1. Предложен метод реализации биполярно-полевых И-приборов, заключающийся во введении МДП-элемента с вертикальным каналом в активную область кристалла (область базы биполярного транзистора), что позволяет значительно сократить площадь исток-стоковых областей.

2. Предложен метод создания МДП-биполярных приборов с И-образной ВАХ, заключающийся в шунтировании базо-эмиггерного участка биполярного транзистора каналом интегрально встроенного в базовую область МДП-транзистора, управляемого по цепи обратной связи напряжением коллектора биполярного транзистора.

3. Разработаны и экспериментально исследованы схемотехнические методы создания биполярно-полевых приборов с симметричной Ы-образгой ВАХ на основе симметричных биполярных транзисторов и элементов разделения управляющего тока в зависимости от полярности напряжения коллектор-эмиггер биполярного транзистора.

4. Предложены МДП-биголярные полупроводниковые структуры с Ы-образной ВАХ с несколькими участками ОДС, полученными за счет изменения толщины слоя подзатворного диэлектрика МДП-элемента.

5. Разработаны и экспериментально исследованы схемотехнические методы создания ^приборов на основе биполярных транзисторов с одинаковыми и различными типами проводимости и предложены интегральные варианты таких приборов.

6. Разработана математическая модель прибора с Ы-образной ВАХ на основе биполярных транзисторов одинакового типа проводимости.

7. Предложена биполярно-полевая структура с Ы-образной ВАХ повышенной мощности, отличающаяся наличием низколегированных слоев в базовой области для уменьшения значения отрицательного

дифференциального сопротивления и улучшения управляемости параметрами ВАХ.

Практическая значимость работы.

1. Предложенные МДП-биполярные структуры М-приборов позволяют сократить площадь кристалла приборов такого типа за счет введения МДП-элемента в область базы биполярного транзистора.

2. Предложенный вариант МДП-биполярного прибора с И-образной ВАХ с шунтированием базо-эмигтерного участка позволяет повысить максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер.

3. Предложен схемотехнический метод создания приборов с симметричной Ы-образной ВАХ, способных работать на переменном токе с защитой от перегрузок.

4. Предложенные полупроводниковые структуры с И-образной ВАХ с несколькими участками ОДС могут использоваться при создании новых типов элементов многоуровневой логики.

5. Разработанная математическая модель биполярного прибора с Ы-образной ВАХ с шунтированием базо-эмштервдго перехода позволяет проводить инженерный расчет характеристик такого прибора.

6. Результаты моделирования и исследования биполярного И-триода на основе комплементарного включения транзисторов использованы при создании серийно выпускаемого транзистора с выходным током 25 А с защитой от перенапряжений.

7. Результаты физико-топологического моделирования полупроводниковой биполярно-полевой структуры повышенной мощности могут использоваться при создании интегральных "разумных" транзисторов для силовой электроники.

Положения выносимые на защиту:

1. Введение МДП-элемента с вертикальным каналом или каналом, шунтирующим эмитер-базовый участок, в область базы биполярного транзистора с одновременным созданием управляющей цепи обратной связи по напряжению, как показывают результаты физико-топологического моделирования, позволяет создать МДП-биполярный N-прибор с наименьшими затратами площади кристалла.

2. Использование МДП-элемекга с вертикальным каналом с различными толщинами подзатворного диэлектрика, введением в базовую область кристалла, как показывают результаты экспериментального исследования схем замещения, позволяет реализовать биполярно-полевую структуру с N-образной ВАХ с несколькими участками ОДС.

3. Использование симметричных биполярных транзисторов и элементов разделения управляющего тока в зависимости от полярности напряжения коллекгор-эмитгер биполярного транзистора, как показывают результаты экспериментального исследования схемотехнических моделей, позволяет создать биполярно-полевые приборы с симметричной N-образной ВАХ.

4. Предложенные варианты биполярных N-приборов на основе комплементарного включения транзисторов и шунтирования базо-эмиттерного перехода, как показывают результаты математического моделирования и экспериментального исследования, позволяют создать, N-приборы повышенной мощности с рабочими токами до 25А.

5. Использование дополнительной низколегированной области под пинч-лентой в типовой конструкции силового биполярного транзистора с пикч-резистором, ограничивающим инжекцию носителей заряда боковой поверхностью эмиттера, как показывают результаты физико-топологического моделирования и

экспериментального исследования опытных, образцов позволяют создать

биполярно-полевой Ы-прибор с управляющим р-п- переходом

повышенной мощности.

Апробация работы.

Основные результаты работы докладывались на 3-й Международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения" (Новосибирск, 1996); 3-й Международной конференции "Распознавание-97" (Курск, 1997); Межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика" (Москва, 1998), 5-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1998), б-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 1999), Международном научно-техническом симпозиуме "Надежность и качество" (Пенза, 2000), 7-й всероссийской научно-технической конференции с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 2000), на научных семинарах кафедр микроэлектроники и физики и технологии интегральных микросхем Ульяновского государственного университета.

Достоверность результатов.

Достоверность научных результатов обусловлена применением в экспериментах стандартной измерительной аппаратуры, апробированных методик и шкетов программ физико-топологического моделирования, согласованностью полученных результатов с данными других исследователей, соответствием результатов расчета и эксперимента, результатами промышленных испытаний, проведенных на этапах разработки и внедрения приборов с Ы-образной ВАХ.

Личный вклад автора.

В диссертационной работе изложены результаты, которые были получены автором самостоятельно и в соавторстве, при этом автор разрабатывал методы реализации N-приборов, методики исследований, принимал участие в изготовлении измерительных установок, макетных и опытных образцов, осуществлял подготовку и настройку программного обеспечения, проводил моделирование, расчеты и эксперименты, осуществлял обработку, анализ и обобщение получаемых результатов.

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 12 печатных работ, в том числе 3 статьи и 9 материалов и тезисов докладов на научно-технических конференциях, 1 научно-технических отчета по грантам -РФФИ "Р-Волга 98" н Mira, образования РФ.

Структура работы.

Работа состоит из введения, четырех глав, заключения, приложения, и списка цитируемой литературы из 110 наименований, содержит 152 страницы текста и 107 рисунков, включая оглавление и список литературы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ.

Введение.

Первая глава Основные типы и свойства N-приборов и биполярно-полевых полупроводниковых структур.

Глава посвящена обзору литературы и анализу состояния исследуемого вопроса. Проведен анализ существующих полупроводниковых приборов с N-образной характеристикой на основе р-и переходов и на основе однородных материалов, в частности, туннельных диодов и диодов Ганна. Показан ряд ограничений в применении этих приборов в области силовой электроники, цифровой технике, в частности, отрицательное влияние вторичной положительной ветви на ВАХ, неудовлетворительное соотношение уровня мощности и площади

ю . .

кристалла. Отмечена важность и необходимость создания силовых приборов с Ы-образной ВАХ, например, для создания предохранительных устройств, и транзисторов с защитой от перегрузок. В связи с этим рассмотрен класс биполярно-полевых приборов с N-образной ВАХ. Отмечена приоритетная роль отечественных ученых по созданию Ы-триода. Указаны его преимущества и недостатки. Приведен сравнительный анализ известных к настоящему времени типов биполярно-полевых приборов, их видов, конструкций, указаны их преимущества и недостатки. Показано, что наиболее перспективной областью внедрения: биполярно-полевых приборов является силовая электроника. Анализ литературных источников свидетельствует, что по своим электрическим и динамическим показателям биполярно-полевые структуры, такие как, БСИТ-, ЮВТ- транзисторы, БГГ-тиристоры превосходят биполярные транзисторы. Отмечена и обоснована потребность в надежных силовых приборах с комплексной защитой от внешних воздействий -"разумных транзисторах". Оценены современные биполярно-полевые структуры данного типа - САМВГГ-струкгуры и их разновидности на основе различных полупроводниковых технологий. Описаны современные схемотехнические методы создания приборов с Ы-образной характеристикой. Рассмотрены биполярно-полевые усилительные каскады и методы повышения мощности биполярно-полевых приборов, а также неуправляемые двухэлектродные биполярно-полевые И-приборы. Проведен анализ различных методов повышения максимального рабочего напряжения приборов. Оценены различные методы повышения термостабильности биполярно-полевых структур. Обоснована актуальность темы диссертационной работы, сформулированы цель и задачи работы.

Вторая глава.Моделирование и исследование полупроводниковых МДП-биполярных структур с N-образной вольт-амперной характеристикой и приборов на их основе.

Данная глава посвящена исследованию возможности создания приборов с N-образной ВАХ на основе МДП-биполярных структур. Предложены две оригинальные МДП-биполярные структуры с N-образной ВАХ. Представлены их конструктивно-технологические параметры (рис. 1). Первый прибор функционирует на основе положительной обратной связи по напряжению, ограничивающей ток базы основного транзистора при увеличении коллекторного напряжения. Второй прибор основан на шунтирующем принципе отвода базового тока через постепенно открывающийся канал МДП-элемента с индуцированным затвором с ростом коллекторного напряжения. В качестве основного метода исследования использовалось физико-топологическое моделирование с помощью пакета программ двумерного моделирования PISCES - ПВ. Для обоснования адекватности данного метода измерены вольт-фарадные характеристики МДП-структур, аналогичных по технологии изготовления с МДП-элементами предлагаемых приборов. Результаты экспериментального исследования сопоставлены с рассчитанной при моделировании вольт-фарадной характеристикой МДП-элемента описанных МДП-биполярных структур. Проведено экспериментальное выходной ВАХ биполярного компонента предложенных структур на основе трех эмиггерных ячеек силового биполярного транзистора КТ8144, результаты которого совпадают с результатами физико-топологического моделирования этой же структуры. Это свидетельствует о возможности применения данного метода исследования к изучению МДП-биполярных структур с N-образной вольт-амперной характеристикой. Результаты физико-топологического моделирования ВАХ предложенных N-прнборов представлены на рис.2. Предложена оригинальная полупроводниковая структура с выходной N-образной ВАХ с несколькими участками ОДС. Описана схемотехническая методика создания подобных приборов на основе сочетания управляющих МДП-элементов с различными напряжениями отсечки. Предложен ряд

схемотехнических методов создания приборов с М-образной ВАХ симметричного типа. Представлены результаты

?Б

Рис.1. Структуры МДП-биполярных приборов с К-образной ВАХ. (а) -МДП-биполяршлй 1Ч-ирибор с вертикальным каналом, (б) - МДП-бнполярный ]Ч-прибор, управляемый током и работающий на основе шунтирования эмиттерного перехода кналом МДП-элемепта.

Г

б)

-0.1-

1« 0.3-мА/мкм

и*.,В

1ц = 0.05 мА/мкм

Рис.2. Выходные

ВАХМДП-

биполярных

структур, (а) -

структуры с

вертикальным

каналом, (б) -

структуры,

управляемой

током.

схемотехнического моделирования симметричных Ы-приборов и приборов с несколькими участками ОДС. Проведено сопоставление этих данных с результатами исследования макетных образцов, подтверждающее возможность создания таких приборов в интегральном варианте.

Третья глава.

Моделирование и исследование приборов с 1Ч-образной вольт-амперной характеристикой на основе биполярных транзисторов.

В данной главе описаны результаты исследований возможности создания К-приборов на основе биполярных транзисторов. Предложено два варианта схемотехнической реализации приборов с И-образной ВАХ на основе биполярных транзисторов (рис.3). В первом приборе используется принцип ограничения базового тока основного прибора при увеличении

Б »

Рис. 3. Схемы биполярных приборов с 1Ч-обра:шой ВАХ. (а)-иа основе комплементарного включения транзисторов, (б)-на основе однотипных транзисторов с шунтированием базо-эмиттерного участка.

К, Л

24-

го- ^ ' \\-t-

16- 1 / / 1 2А 1 \ —\ ^ \

128 - 1 у/ ¡1 1А А ^ * \

А -

0 г 1 1 4 6 8 Ю 12

,В

ч-

\\

1 \\

а)

б)

Рис. 4. Выходные характеристики биполярных приборов с 14-образной ВАХ. (а)-комплементарного прибора; (б)-прибора на основе однотипных траюисторов с шунтированием базо-эмиттерного

участка (_экспериментальные данные,----результат

моделииования)

напряжения коллектор-эмиттер и соответствующем выходе его на участок насыщения ВАХ за счет положительной обратной связи, реализуемой компаратором коллектор-эшптерного и базо-эмштерного напряжений. Ограничение осуществляется управляющим транзистором меньшей мощности и противоположного типа проводимости. В качестве компаратора напряжений коллектор-эмиттер и база-эмиттер использован высоковольтный диод, разделяющий также высоковольтную и низковольтную часть прибора. Выходная характеристика первого прибора представлена на рис.4. Второй прибор функционирует на принципе шунтирования базового управляющего тока основного транзистора вторым однотипным транзистором меньшей мощности. Оба прибора рассчитаны на токи 5-25А. В работе проведен расчет схемы замещения полупроводникового биполярного прибора с Ы-образной характеристикой шунтирующего типа. Для описания работы Ы-прибора использовалась модель Эберса-Молла в гибридном виде :

(1)

(/,! -2/12 +/22 )(/21 -/22 + (Л,-/21Н/21-/22>еЧ>(^^] + 722 " ^

где q - заряд электрона; к - постоянная Больцмана; Т - температура; 1К - ток коллектора; 4 - ток базы, иа - напряжение коллектор-эмиттер; 1ц и -обратные токи эмиггерного и коллекторного переходов при коротком замыкании на коллекторе и эмиттере, соответственно; 1п и 121 - токи короткозамкнутых эмиттерного и коллекторного переходов при обратном смещении на коллекторе и эмиттере, соответственно.

Распределение токов в управляющей цепи и цепи обратной связи имеет вид:

(2) О)

О, приикэ<иап+и'6зиас

и „ - и „ - 1Л

ппиП Ъ ТГ МП

бэ,нас

ст--бэ-'-,приикэ>ист+и1 ' (4)

я

где - входной ток; 1е и Г6 - токи базы транзисторов Т1 и Т2, соответственно. / * - ток коллектора; /? - коэффициент передачи тока транзистора Т2 в схеме с общим эмиттером; ит - напряжение стабилизации стабилитрона Д иа -напряжение коллектор-эмиттер; и'6ьнас - напряжение насьпцения перехода база-эмиттер; Я - величина сопротивления. Величины, относящиеся к транзистору Т2, помечены штрихом.

В результате совместного решения уравнений (1)-(4) получена расчетная зависимость тока коллектора 1К от напряжения коллектор-эмиттер 11„ и от входного тока Ы-прибора в целом (рис.4).

На основе первого варианта биполярного прибора разработана схема, реализующая симметричную Ы-образную характеристику. Предложено два варианта интегральных И-структур с трапецеидальной В АХ (рис.4) на основе биполярных транзисторов. Первый варианта прибора на основе комплементарного включения транзисторов использованы в серийно выпускаемом на АО ОКБ "Искра" транзисторе с защитой от перенапряжений.

Четвертая глава.

Моделирование и исследование силовых приборов с N-образной вольт-амперной характеристикой на основе биполярно-полевых структур.

Данная глава посвящена разработке и исследованию биполярно-полевого прибора с N-образной ВАХ с управляющим р-n переходом на основе технологии силовых транзисторов. Предложена полупроводниковая структура биполярно-полевого N-триода с полевым транзистором с управляющим р-n- переходом, которая создается по планарно-диффузнонной технологии силовых транзисторов и обладает такими преимуществами по сравнению с известными структурами, как: повышенная мощность, реализованная за счет увеличения площади кристалла и применения гребенчатого эмиттера; увеличенное пробивное напряжение, являющееся следствием использования конструкции делительных периферийных колец; улучшенные динамические характеристики. Рассмотрены результаты экспериментальных исследований опытного образца данного прибора и отмечены как преимущества данной технологии, так и недостатки конструкции. К несомненным преимуществам следует отнести высокие рабочие токи прибора - до 18А, высокое значение пробивного напряжения - 400В, незначительное увеличение площади кристалла (на 0.25 мм2), полную совместимость с технологией силовых транзисторов. Однако существенным недостатком данного прибора является неудовлетворительное значение тока минимума N-харакгеристики, составляющего более 70% от тока максимума. Предложена новая структура аналогичного типа (рис.5), изготавливаемая с использованием технологии ионной имплантации подзатворной базовой области. Проведено физико-топологическое моделирование данной структуры с помощью пакета программ PISCES-ИВ (рис.6) и показана возможность ее реализации по стандартной технологии силовых транзисторов. Данная структура лишена

<?Е оЗ

Ряс.5. Структура биполярно-полевого прибора повышенной мощности с IV-образной вольт-амперной характеристикой.

а1к>А

Рис.6. Результат физико-топологического моделирования выходной ВАХ биполярно-полевого прибора на основе кристалла КТ8146.

3-0 ик,,в

недостатков предыдущего варианта и отличается наличием низколегированной области под затвором полевого элемента, что гарантирует полное перекрывание канала и соответствующее понижение остаточного тока до токов утечки биполярного транзистора.

Основные результаты и выводы:

1. Предложены два варианта МДП-биполярных структур с N-образной ВАХ с управлением в первом варианте базовым напряжением, во втором - током базы, позволяющие сократить площадь кристалла за счет интегрирования МДП-элемента в базовую область кристалла, и осуществлено их физико-топологическое моделирование.

2. Предложены МДП-бииолярные структуры с вертикальным каналом с дифференцированной толщиной подзатворного диэлектрика, реализующие N-образную ВАХ с несколькими участками ОДС и экспериментально исследованы эквивалентные схемы замещения данных структур на основе каскадного включения МДП-транзисторов с различным напряжением отсечки, адекватно описывающие работу таких структур.

3. Предложены МДП-биголярные и биполярные приборы с симметричной N-образной ВАХ, выполнено их схемотехническое моделирование и экспериментальное исследование, подтверждающие возможность создания таких приборов в интегральном варианте.

4. Предложены два варианта схемотехнической реализации N-приборов: на основе биполярных транзисторов с комплементарный включением силовых п-р-п- и р-п-р- транзисторов и с шунтированием базо-эмиттерного перехода коллекгор-эмпттерным участком второго однотипного транзистора. Разработана математическая модель биполярного прибора с N-образной ВАХ, работающего на основе метода шунтирования базо-эмиттерного участка и управляемого базовым током. Предложены интегральные варианты данных приборов; вариант с комплементарным включением транзисторов использова в серийно выпускаемой транзисторе с защитой от перенапряжений с выходным током 25 А.

5. Предложен биполярно-полевой N-прибор повышенной мощности с управляющим р-п- переходом, совместимый с технологией силовых

биполярных транзисторов с низколегированной областью в базе, с уменьшенными значениями тока мийимума N-характеристики, отсутствием вторичной положительной ветви, и проведено его физико-топологическое моделирование.

Основные работы, опубликованные по теме диссертации:

1. Гурин Н.Т., Новоселов А.Ю. Моделирование и исследование мощных N-транзисторов У/ Актуальные проблемы электронного приборостроения АПЭП-96 (в 2-х томах): Труды третьей междунар. науч.-техн. хонф., ноябрь 1996, Новосибирск: Т.1. Секция электронно-физическая. -Новосибирск: Изд-во НГТУ, 1996. - С. 62-63.

2. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Планарно-диффузионный N-фототраюистор Н Сборник материалов "Распознавание-97": Матер. 3-й Междунар. конф., ноябрь 1997, Курск, Россия - Курск: Изд-во КГТУ, 1997. - С.132-133.

3. Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Полупроводниковые приборы с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа большой мощности // тез. док. "Микроэлектроника и информатика - 98" в 2ч.: Тез. докл. Всерос. межвуз. науч.-техн. конф. студ. и асп: 4.1. - М.: МИЭТ, 1998. - С.59.

4. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Схемотехническое моделирование N-приборов повышенной мощности // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Труды пятой Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участ., сентябрь 1998г., Дивноморское - Таганрог: Изд-во ТГРУ, 1998. - С. 122-124.

5. Гурин Н.Т., Бакланов С.Б., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю. Схемотехническое моделирование и исследование мощных N-транзисторов. // Изв. вузов. Электроника. - 1999, № 1. - С.86-90.

6. Турин Н.Т., Новоселов А.Ю., Новиков С.Г., Воробьева Т.А. Моделирование и исследование полупроводниковых биполярных приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением типа. // Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. - Ульяновск: Изд-во УлГУ, 1999. - Вып. 1(6). - С.83-87

7. Турин Н.Г., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю., Воробьева Т.А. Полупроводниковый прибор с двумя участками отрицательного дифференциального сопротивления И-типа. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Труды шестой Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. у част., сентябрь 1999г., Дивноиорское .- Таганрог: Изд-во ТГРУ, 1998. - С. 152.

8. Турин Н.Т., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю., Воробьева Т.А. Моделирование и исследование полупроводникового биполярного прибора с отрицательным дифференциальным сопротивлением Ы-типа. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Труды шестой Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участ., сентябрь 1999г., Дивноморское - Таганрог: Изд-во ТГРУ, 1998. - С.146.

9. Турин Н.Т., Новиков С.Г., Новоселов А.Ю., Воробьева Т.А. Биполярный комплементарный прибор с 1^-образной вольт-амперной характеристикой. И Надежность и качество: Труды междунар. симпоз / Под ред. А.Н. Андреева и др. - Пенза: Изд-во ПТУ, 2000. - С. 175-178.

10. Новоселов А.Ю., Турин Н.Т. Моделирование и исследование биполярно-полевых МДП структур с И-образной вольт-амперной характеристикой. И Ученые записки Ульяновского государственного университета. Серия физическая. - Ульяновск: Изд-во УлГУ, 2000. - Вып. 1(8). - С.65-69.

11. Новоселов А.Ю., Турин Н.Т. Физико-топологическое моделирование биполярно-полевых приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением Ы-типа. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и м и кроэлектр о ни ки: Труды седьмой Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участ., сентябрь 2000г., Дивноморское - Таганрог: Изд-во ТГРУ, 2000. -С.43.

12. Воробьева Т.А., Новоселов А.Ю., Новиков С.Г., Турин Н.Т. Биполярный Ы-прибор на основе транзисторов с различным типом проводимости. // Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники: Труды седьмой Всерос. науч.-техн. конф. с междунар. участ., сентябрь 2000г., Дивноморское - Таганрог: Изд-во ТГРУ, 2000. - С.40.

/М- ■ С--,

.--/.'М-'1-