автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Исследование миграции атомов кристаллической решетки при ионно-лучевой обработке полупроводников

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ

Таганрог скип государственный радиотехнический университет

исследование: миграции атомов

КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ и Г И ИОННО-ЛУЧЕВОЙ

обракотке полупроводников

Специальность 05.2*7,01 "Твердотельная электроника, микроэлектроника и наноэлектроника"

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических паук

ФЕДЕРАЦИИ

01

2 7 ДЕИ т

На правах рукописи

СЕРБА Павел Викторович

Таганрог 2000 г

Работа выполнена в Таганрогском государственном радиотехн ическом университете

г

Научный консультант:

доктор технических наук, профессор Сеченов Д А. Официальные оппоненты:

доктор технических наук, профессор Захаров Л.Г. (Таганрогский радиотехнический университет, г. Таганрог)

доктор физико-математических наук, профессор Тетельбаум Д. И. (Нижегородский государственный университет, г. Нижний Новгород)

доктор физико-математических наук, профессор Хоконой .Х.Б. (Кабардино-Балкарский государственный университет, г. Нальчик)

Ведущая организация

НИИ Электронной техники, г. Воронеж

Защита состоится "_"_____2000 г. в___часов на заседании диссертационного совета Д 063,13.04 при Таганрогском радиотехническом университете по адресу: 347928, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, ауд. Е-306.

С диссертацией можно ознакомиться в научно-технической библиотеке '['РТУ по адресу 347928, г. Таганрог, ул. Чехова, 22.

Автореферат разослан " 23-" /У/' 2000 г.

Ученый секретарь кандидат технических наук, доцент

В^У22с<)03 Х/Ъ

Старченко И. Б.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. В результате развития технологии изготовления интегральных схем (ТИС) в ближайшее время планируется разработка ИС с количеством транзисторных структур до 40 млн., а в перспективе - до 1.4 млрд. штук, что соответствует минимальному размеру элементов порядка 0.15 мкм и 0.05 мкм соответственно. Для формирования элементов с размерами такого порядка перспективной является ионно-лучег.ая обработка полупроводниковых материалов в технологии ИС. Использование ионных пучков позволяет осуществлять легирование полупроводников методом ионной имплантации и имплантации атомов отдачи, стимулировать процессы взаимопроникновения атомов при обработке многослойных структур и процессы диффузии атомов, ионное травление и очистку поверхности полупроводников;, ионно-ассистированное нанесение тонких пленок и иошю-лучевуто литографию. По мере уменьшения размеров активных элементов ИС процессы ионно-лучевой обработки полупроводниковых кристаллов становятся все более чувствительными к изменению технологических параметров. Достигнут тот уровень, хтри котором чисто экспериментальный подход к оптимизации технологии ИС стал совершенно неприемлем. Ужесточение требований к технологическим допускам требует лучшее понимание физики процессов ионно-лучевой обработки и также количественного описания влияния технологических параметров на результаты процессов, чтобы минимизировать роль статистических флуктуации.

Одним из основных радиационных эффектов при облучении материалов является процесс торможения ускоренных частиц в веществе, обуславливающий в свою очередь, процессы дефекгообра-зования и миграции выбитых атомов мишени. Радиационное воздействие оказывает влияние на протекание диффузионных процессов в твердом теле. С характером протекания вышеизложенных процессов связано целенаправленное изменение свойств материалов. Деградация материалов в условиях облучения также связана с протеканием диффузионных процессов.

Степень освоения радиационных методов обработки материалов в мтфоэлектронной технологии и металлургии определяется пониманием физической сущности процессов, имеющих место при

взаимодействии ускоренных частиц с кристаллами с одной стороны и наличием достаточно адекватного математическою описания к методов моделирования процессов миграции с другой стороны.

Теоретическому исследованию миграции атомов в твердом геле при радиационных воздействиях, уделяется достаточно много внимания. Однако, используемые при этом методы и приближения не позволяют описать взаимосвязь диффузионных процессов в зависимости от энергии и типа ускоренных частиц. Поэтому одной из основных задач является не только количественное описание процессов миграции, но и формулировка теоретических методов, позволяющих описать эти процессы с единой позиции.

В настоящей диссертационной работе рассматривается теория .миграции атомов в условиях облучения. Процедура вывода кинетических уравнений, списывающих миграции, позволяет определить границы применимости разработанных математических моделей. Полученные расчетные соотношения позволяют оценить эффективность стимулирования миграции в условиях облучения как легкими так и тяжелыми частицами в широком диапазоне энергий. Рассмотрено также влияние вторичных процессов (каскады соударений, ионизация, возникновение упругих волн) на миграцию атомов.

Цель работы. Разработка модели, описывающей миграцию атомов примеси, обусловленную процессами упругой передачи энергии от ускоренных частиц при ионно-лучевой обработке полупроводниковых материалов. Разработка единого подхода к описанию диффузионных процессов в твердых телах при радиационном воздействии.

Основные задачи работы

1. Разработка теоретических методов, позволяющих описывать миграцию атомов примеси, обусловленную процессами упругого рассеяния на них налетающих чао ни с учетом действия первичного и каскадных потоков.

2. Изучение физических, процессов, механизмов и кинетики миграции атомов при ионно-лучевой обработке полупроводниковых материалов.

3. Разработка методов расчета распределения концентрации атомов по глубине при имплантации методом атомов отдачи и при ионно-лучевом перемешивании..

Научная новизна.

- с использованием метода функции Грина и теории линейного отклика разработана модель, основанная на выведеных кинетических уравнениях, описывающих процесс миграции атомов вследствие процессов упругого взаимодействия с налетающими частицами. Полученные уравнения описывают процесс миграции в случае облучения частицами разных сортов в широком диапазоне энергий. Рассмотрены методы решеши кинетических уравнений;

- с использованием многогруппового приближения получены аналитические решения уравнений переноса, описывающие функцию распределения потоков налетающих частиц и каскадных атомов по энергиям, глубине и углам вылета;

- получены соотношения для расчета коэффициентов сноса и диффузии с учетом действия первичного, каскадного и вторичных процессов (ионизация, возникновение упругих волн) имеющих место при облучении твердых тел. Рассмотрена кинетика процессов миграции в зависимости от режимов облучения;

- получены соотношения для расчета распределения атомов отдачи при элементарном акте взаимодействия с иизкоэнергетиче-скими ионами и при их миграции в многокомпонентных материалах с неоднородным составом;

- получены выражения для расчета распределения концентрации атомов по глубине при имплантации методом атомов отдачи и при ишшо-лучевом перемешивании;

- разработана модель, описывающая процесс иошю-лучевого перемешивания в двухслойной системе с шперметалл ндом;-предложен механизм, ограничивающий предельную растворимость атомов при ионно-лучевом перемешивании и при ионной имплантации с высокими дозами облучения;

- показано влияние зависимости коэффициента диффузии от пространственных координат на форму концентрационного профиля распределения атомов.

Основные положения, выносимые на защиту.

- на основе системы уравнений Больцмана с использованием метода функции Грина выведено кинетическое уравнение, онисы-

вагощес процесс миграции атомов отдачи. Для решения уравнения предложены приближение однократного взаимодействия, диффузионное и итерированное диффузионное приближение;

- в случае, когда энергия, переданная от налетающих частиц атомам примеси, выше барьера миграции, значение коэффициента диффузии рассчитывается с учетом распределения пробегов атомов при элементарном акте взаимодействия, энергетического спектра налетающих частиц и вероятности передачи энергии. Вклад в стимулирование миграции обуславливается как первичным пот-оком ионов, так и вторичным потоком атомов мишени, образовавшегося в результате каскадных процессов. Эффективность стимулирования миграции возрастает с увеличением массы и энергии налетающих частиц. При облучении частицами массой меньшей чем атомы мишени обусловлена каскадными процессами;

- в случае, когда энергия, переданная атомам примеси, шске порога миграции, имеет место увеличение частоты диффузионных перескоков вследствие отклонения функции распределения атомов от равновесной. Примесному атому энергия передается как непосредственно от налетающих частиц, так и посредством возбуждения окружающих атомов;

- процесс имплантации атомов отдачи описывается кинетическим уравнением, которое может быть решено с использованием приближения однократного взаимодействия и итерированного приближения Фоккера-Планка, При небольших дозах облучения двухслойных систем процесс описывается в приближении однократного взаимодействия налегающих ионов с атомами отдачи. С увеличением дозы облучения при описании процесса необходимо учитывать миграцию внедренных атомов отдачи вследствие последующих столкновений с налетающими частицами;

- процесс ионно-лучевого перемешивания описывается системой нелинейных дифференциальных уравнений диффузионного типа. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии связана с миграцией атомов в неоднородных мишенях при элементарном акте их взаимодействия с налетающими ионами. Пределы растворимости и истощения атомов при перемешивании связаны с концентрационной зависимостью коэффициентов диффузии, возникновением упругих напряжений;

- в процессе ионного перемешивания в системе,, имеющей фазу интерметаллида, рост интерметаллического слоя обусловлен протеканием диффузионным механизмом взаимопроникновения атомов. Процессы баллистического перемешивания приводят к размытию границы раздела фаз;

- при радиационно-стимулированной диффузии в диффузионной зоне можно выделить две области: эффективная область ускорения диффузии и область термодиффузии. Глубина области ускорения диффузии зависит от коэффициентов ускоренной диффузии и диффузионной длины радиационных дефектов.

Рассмотренные в диссертации приоритетные научные результаты, которые составили основу положений, выносимых на защиту, привели к созданию нового научного направления - теории миграции атомов в твердом теле под действием облучения. Представленный автором единый подход к описанию миграции атомов в твердом теле заключается в том, что элементарный перескок атома независимо от механизма миграции осуществляется в результате флуктуации его энергии вследствие взаимодействия с внешними воздействиями. Методика вывода кинетического уравнения, описывающего процесс позволяет получеть уравнения, пределы их применимости и соотношения для расчета кинетических коэффициентов и может быть использована для описания процессов миграции атомов в условиях различного типа внешних воздействий.

Практическая ценность работы заключается в том, что полученные результаты можно использовать при моделировании процессов ионной имплантации, имплантации атомов отдачи и ионно-лучевого перемешивания и при разработке систем автоматизированного проектирования процессов легирования полупроводников с использованием ионных пучков.

Результаты теоретического анализа процессов, имеющих место при облучении твердых тел позволяют глубже понять механизмы миграции атомов и представляют собой дальнейшее развитие радиационной физики твердого тела. Результаты и методы решения задач о миграция атомов под действием облучения позволяют решать широкий крут научных и практических вопросов в области физики твердого тела и материаловедения.

Полученные в работе кинетические уравнения и предложенные методы его решения позволяют решать широкий круг вопросов, связанных с описанием кинетики миграции атомов под действием облучения, распределения концентрации атомов при имплантации методом ато.мов отдачи, ионно-яучевого перемешивания и радиационной деградации материалов.

Результаты решения уравнений переноса с использованием метода групп позволяют рассчитывать распределение потоков ускоренных частиц по энергиям, глубине и углам вылета.

Разработан простой метод определения функции распределения пробегов ионов при их имплантации в многокомпонентные мишени с неоднородным составом.

Разработанные методы расчета и математические модели внедрены на предприятиях: ОКБ КП Азербайджанского национального аэрокосмического агенства, г. Баку, ФГУП ТНИИС. г. Таганрог, НИИ МВС. г. Таганрог. Результаты работы нашли отражение в лекционных курса?; "Физика твердого тела", "Физико-химические процессы в технологии электронных средств".

Личный вклад автора.

Диссертация является итогом самостоятельной работы автора, результаты получены лично им и также в соавторстве с сотрудниками. Автору принадлежат определение направления исследований, постановка задач, выбор методов их решения. Вывод и обоснования принадлежат лично автору. Соавторы участвовали в совместной постановке ряда задач и обсуждении полученных результатов.

Апробация работы.

Результаты, представленные в диссертационной работе, докладывались и обсуждались на научных конференциях профессорско-преподавательского состава ТРТИ (г. Таганрог, 1980 - 2000 гг.), на 10 Всесоюзной конференции по микроэлектронике, на VII Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом" (г. Минск 1984 г.), на Всесоюзных совещаниях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (г. Москва 1987, 1993, 1995, 1999, 2000 гг.), на Международных научно-технических конференциях "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", (г. Геленджик 1995, 1999, 2000 гг.) на научных семинарах кафедры МЭ'ГБИС ТРТУ, отдела ядер-

ной физики НИИ Физики РГУ, Горьковского института физико-технических исследований при Горьковском госуниверситете (г. Нижний Новгород 1984).

Основные результаты диссертации опубликованы в 41 научных работах, список которых приведен в конце автореферата.

Структура н объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, основных выводов и списка литературы, включающего 161 наименование и изложена на 206 страницах.

В первой главе рассматривается вывод кинетического уравнения, описывающего миграцию атомов отдачи, и методы его решения. Процесс миграции примесных атомов в условиях внеиших воздействий харастеризуется гамильтонианом

* Л

Ъ+ЪЩ} <0

где 7) - оператор кинетической энергии налегающих частиц, Тд -оператор кинетической энергии атомов примеси, Тг -оператор кинетической энергии собственных атомов твердого тела, ит -оператор взаимодействия налетающих частиц с атомами примеси, иК{ - оператор взаимодействия атомов примеси с атомами твердого тела и и у - оператор попарного взаимодействия атомов кристалла. Используя метод Боголюбова (ББГКИ), можно перейти от гамильтониана (1) к системе уравнений Больцмана для смеси в предположении парного взаимодействия частиц. В качестве компонентов смеси представлены: налетающие ноны {/ = 1), собственные атомы кристалла (; = 2), атомы отдачи (/' = 3). Система уравнений имеет вид

- + ^ =!./(./;,/;) (2)

а 3- }

где

л/„1) ) = —11(v1)/, ) (">')// (v» )]р"сг(у, v* ¡v*, v* )<л"» г?i-'1 а' (3) от,

- интеграл столкновений, /{г,\\г) - функция распределения пробегов частиц сорта г по глубине г. скорости т в .момент времени г, т - масса атомов, V - относительная скорость, сг(у,у*}у',у'*) - сечение взаимодействия, у', V* соответственно скорости атомов / и ] до соударения и у, у* - после соударения. Стационарные уравнения (2) для потоков налетающих частиц и каскадных атомов имеют вид

^ = ±J«pbN2) (4)

dr vt

dr v2 y2

Применяя метод функции Грина к третьему из уравнений (2) (г = 3) получим искомое кинетическое уравнение, которое в энергетических переменных имеет вид

Ш-iix.t) ,,

—— = - Л'з(х, т) j J <pi(E. x)(j(K, T)dEdT+ at ET

IS J Ar3 (£ 'M (I, E)cr(EJ)G(x - £ T)dTdEdV (6)

VET

где Щ{х,г) - концентрация атомов отдачи, С(х,т) - функция Грина, описывающая распределение пробегов атомов отдачи, получивших от налетающих частиц энергию?1, г -время облучения. Вывод уравнения (6) был произведен также и с использованием феноменологического подхода на основе анализа перераспределения атомов отдачи при элементарном акте их взаимодействия с налегающими частицами. Таким образом, уравнения (4), (5), (6) опи-

сывагот процессы миграции атомов отдачи при высоких энергиях налетающих частиц.

В случае, когда энергия переданная атомам отдачи от налетающих частиц не превышает пороговую, кинетическое уравнение выводится с использованием теории линейного отклика. В предположении, что изменение; состояния в подсистеме атомы примеси - собственные атомы кристалла не оказывают влияния на состояние системы налетающих частиц, допустимо использование адиабатического приближения. В этом случае движение атомов отдачи характеризуется гамильтонианом

Н = Н

(7)

где к и к' - волновой вектор налетающих частиц до после столкновения соответственно. Кинетическое уравнение, описывающее миграцию атомов, имеет вид

где Рг - концентрация атомов в г -ой позиции, с?,у -вероятность перехода атома из узла / в узел у , определяемая выражением

щ = + (9)

где первое слагаемое соответствует диффузионным перескокам атомов, второе - перескокам вследствие баллистических процессов.

Для решения кинетического уравнения используются разл!тч-ные методы. Одним из методов является итерированное приближение Фоккера-Планка. Распределение концентрации атомов примеси представляется в виде суммы

N - \г0 + А'"! +.. .-к\г£ + N

(Ю)

где к - число итерационных процедур, Л' - функция, определяемая из решения диффузионного уравнения Фоккера-Планка

+ + (11)

где

8(^0 = (12)

V

ач-с-гл) = (13)

V

к(х,& = ¡¡<р{Е,£)сг(Е => т)а{х-г,тутж (14)

V = (х) - коэффициент сноса, В - ~ ¡л2 (х) - коэффициент диффузии, //„ - момент' я -ого порядка, определяемый из соотношения

= (15)

V

В случае g = 0 когда итерационные процедуры не производятся, получаем диффузионное приближение Фоккера-Планка. Распределение концентрации атомов отдачи определяется из решения диффузионного уравнения (12) В случае использования одного шага итерационной процедуры {к - 1) и когда значения коэффициентов диффузии и сноса невелики, получаем приближение однократного взаимодействия налетающих частиц с атомами отдачи. Функция распределения концентрации атомов определяется из соотношения

Щх,г) = Ых) (16)

Для описания процессов имплантации методом атомов отдачи используются приближение однократного взаимодействия и итерированное диффузионное приближение. При описании процессов ион-но-лучевого перемешивания используются диффузионное приближение Фоккера-Планка.

Наряду с аналитическими методами расчета распределения концентрации атомов по глубине в диссертации рассматривается моделирование процесса миграции атомов методом Монте-Карло. В зтом случае используется дискретный аналог уравнения переноса (6)

Чк = -ЪК1-с1,к-\ с1,к-\ О7)

V г

где с£ • концентрация атомов на глу бине !Ах в момент времени кЫ, Ах и А/ шаг дискретизации по глубине и времени соответственно, Кц* - вероятность перехода атома из позиции / в позицию /'. Моделирование процесса сводится к моделированию цепи Маркова. Моделируя случайную величину с плотностью распределения пропорциональной концентрации атомов и функции распределения потока налетающих частиц по глубине, находим точку хр. Полученная случайная величина х/> рассматривается как начальная координата атома отдачи. Далее с вероятностью ШКи, моделируется случайная величина , соответствующая координате смещенного атома отдачи. Затем вышеуказанная процедура повторяется. Получив таким образом необходимый для статистической обработки набор случайных величин , рассчитывается концентрация атомов

в момент времени км. Это распределение принимается в качестве исходного и цепь Маркова моделируется снова для получения функции распределения атомов в следующий момент времени.

Во второй главе рассматриваются функции распределения потоков налетающих частиц и атомов отдачи.

В результате анализа движения атомов в фазовом пространстве. показано, что при энергиях выше пороговой, элементарный акт миграции является зргодическим процессом, что подтверждает правомерность использования кинетического уравнения (7). При значениях энергии порядка энергии миграции примеси движение атомов является перемешивающимся. Это связано с влиянием тепловых колебаний кристаллической решетки. Процесс миграции в зтом случае следует описывать с использованием кинетического уравнения (8).

Функция распределения потока налетающих ионов по энергиям, глубине и углам вылета определяется из решения уравнения переноса. С использованием методов сферических гармоник и мно-гогрупиового приближения искомое распределение имеет вид

/ Лт-1

(18)

к=11=0

где у - номер энергетической гртапы (■£,_! <Е <Е^, Аг - количество членов разложения по полиномам Лежандра, транспортное сечение взаимодействия, у, - корни уравнения

}(>,.) --- 0, - функция, определяемая из решения сис-

темы алгебраических уравнений

(/ +1)2* ц8{+1 (и, ) + «£^/-1 (V,, )

/-1 (19)

р=п

/ = ОД,,..,Л'. Постоянные ^ определяются из граничных условий

и°=/0 / = о,1,...,л' -1 (7

[ <р( = 0 у =1,2,..,.

где 5 - число энергетических групп. Условия (20) соответствуют значению потока частиц на поверхности кристалла

П,0) = /(¡¿(Е - Е0 )6(со&0- 1), (21)

0 - направление движения пучка ионов относительно нормали к поверхности твердого тела.

В результате столкновения налетающих ионов с атомами кристаллической решетки возникает каскадный поток, который также вносит вклад в стимулирование миграции примесных атомов. Распре-

деление потока каскадных атомов по энергиям и глубине определяется из решения уравнения

ПШ,С (Е: х,П) + хУ0Щ (Е, г,а)] а(Е, Т)сИ =

Г

г (Е /V''2

[гШ1 $И7к(Е7х,П)сг{Е1,-Е^СО^Ч )+ (22)

Е 4;Т

\'г (Е /)%

¡¿Е! ¡¿П11Ук(Еих,П1)сг(Е1,Е)а{П1£2-[ /Е\ ) + Ъ(х,Е)

"" Е 4,т

где <1 - направление движения каскадных атомов. Второе слагаемое левой пасти (22) описывает рассеяние атомов, первое слагаемое правой части этого уравнения описывает изменение энергии каскадных атомов, второе - возникновение новых каскадных атомов за счет взаимодействия с каскадным потоком и третье слагаемое возникновение каскадных атомов за счет взаимодействия с первичным потоком налетающих ионов. Для решения уравнения используется диффузионно-возрастное приближение и метод групп. Система групповых уравнений имеет вид

А(р3+Х -<р

^п(Ео -ЕЛ

- + 1

3„(Е0~ЕЫ)

] ¡=>;

-I Р<р!+в1 (23) 1=1

где В3 - коэффициент диффузии, 5'п - тормозная способность вещества, р - вероятность перехода каскадных атомов из энергетической группы / в группу /, Со - гене рационный член, связанный с взаимодействием кристалла с первичным потоком ионов. Система уравнений (23) имеет треугольную форму. Подставляя <р1, определенное из решения первого уравнения во второе определяется (р2 Зная (р1 и (р1, определяется решение третьего уравнения. Эта процедура повторяется пока не будут найдены все <р3.

В диссертации были рассмотрены приближенные решения уравнений переноса для первичного и каскадных потоков, и также моделирование энергетических спектров налетающих частиц мето-

дом Монте-Карло, которые можно использовать при расчете коэффициентов сноса и диффузии. В результате расчетов было показано, что с увеличением глубины проникновения ионов их средняя энергия уменьшается, возрастает разброс по энергиям п направление движения в большей степени отклоняется от первоначального. Тем не менее преимущественное направление движения ионов вдоль первоначального сохраняется на достаточно больших глубинах. Энергетический спектр и угловое распределение потока атомов мишени, образовавшегося в результате каскадных процессов от глубины практически не зависит. Основная часть атомов имеет энергию в диапазоне 0 ... 1 кэВ. Угзювое распределение каскадных атомов близко к изотропному.

При исследовании процессов перемешивания имеет место имплантация ионов в неоднородные многокомпонентные мишени. Применение преобразования координат в уравнении переноса позволяет привести его к уравнению с постоянными коэффициентами. Функция распределения пробегов определяется из выражения

где Ф - доза облучения, Яр и АНр -соответственно средний проецированный пробег и среднеквадратичный разброс проецированных пробегов в мишени, состоящей из атомов £-сорта с концентрацией (0),

- функция преобразования координат, ^'¡(х) - пространственное распределение / -ой компоненты мишени. Л, =о-,-/ег^ , сгг -сечение взаимодействия с г -ой компонентной, А -константа, определяемая из условия сохранения числа внедренных ионов.

Глава завершается рассмотрением моделирования элементарного акта миграции примесного атома при его взаимодействии с

(24)

(х) г %(х) + Х>ДхН \йх

ЛИч)(Л I 1

)

(25)

налетающим ионом методами молекулярной динамики и Монте-Карло. С этой целью рассматривалась миграция низкоэнергепие-ского атома в кластере по междоузельному механизму. Местоположения атомов и скорости определялись из численного решения системы уравнений движения. В качестве потенциалов межатомного взаимодействия использовался потенциал Морза. Использование метода молекулярной динамики позволяет описать миграцию низ-коэнергетическнх атомов отдачи. Метод Монте-Карло позволяет получить функцию атомного смещения Кц<, которая описывает вероятность смещения атома из позиции Г в позицию / .

В третьей главе представлены результаты исследования кинетики миграции атомов отдачи. Основной величиной, характеризующей кинетику процесса является коэффициент диффузии. Выражения для расчета коэффициента диффузии имеют вид

в направлении, совпадающим с направлением пучка ионов и

(26)

(27)

в направлении, перпендикулярном пучку ионов, здесь

Ед(Е) = \я1(Т)о(Е,Т)Л'

(27)

Е

Щ{Е) = |к2(Г)-К1{1)\~а(Е,Т)йТ

£ лт

(30)

(Р„{х;Е) - сферические гармоники, полученные путем разложения

среднеквадратичный продольный и поперечный пробеги атомов

- ионов, / = 2 - каскадных атомов), т3 - масса, атомов отдачи. Подставляя в (26) и (27) выражения для спектра первичного потока ионов и выражение для спектра каскадного потока, можно рассчитать соответствующие значения коэффициентов диффузии.

Результаты расчета коэффициентов диффузии по ,(26) и (27) показали, что миграция атомов отдачи в общем" случае неизотропна. Изотропность миграции имеет место, когда имеет место изотропный поток налетающих частиц, так как <рг (х, Е) = 0 и в этом случае соотношения (26) и (27) совпадают. В случае, когда имеет место миграция легких частиц, среднеквадратичные пробеги в про-

раметры и ■=.( в выражениях (26) и (27) будут равны нулю. В случае действия первичного потока налетающих частиц коэффициент диффузии пропорционален среднеквадратичной флуктуации энергетических потерь. Постоянство коэффициента диффузии при больших энергиях связана с тем, что с увеличением энергии ионов уменьшается сечение столкновения, которое компенсируется увеличением энергии переданной атомам отдачи. В случае действия каскадного потока с увеличением энергии значение коэффициента диффузии увеличивается, так как с увеличением энергии налегающих ионов возрастает число движущихся атомов мишени, С увеличением массы налегающих ионов и уменьшением массы атомов примеси значение коэффициента диффузии возрастает (рис. 1), что можно объяснить тем, что при столкновении более легкая частица получает большую скорость.

спектра налетающих частиц по полиномам Лежандра, Л? и

. щ - масса налетающих частиц ( I --1

дольном и поперечных направлениях будут равны

Рис. 1. Зависимость коэффициента диффузии атомов различного типа (2з) в кремнии от типа налетающих ионов при баллистическом механизме

миграции.

При облучении легкими частицами массой меньшей чем масса атомов мишени, основной вклад в стимулирование миграции вносят каскадные процессы, так как атомы отдачи приобретают большую скорость в результате соударения с более тяжелыми частицами. При облучении тяжелыми ионами процесс миграции на малых глубинах обусловлен первичным потоком, а на больших - каскадными процессами, так как с увеличением глубины убывает поток ионов, а поток каскадных атомов возрастает.

Пространственная зависимость коэффициента диффузии (рис. 2) определяется функциями распределения потоков налетающих ионов и каскадных атомов по глубине. На глубине соответствующей средней глубине залегания радиационных дефектов значение коэффициента диффузии достигает максимального значения.

0/1 IО

4

ст

зо

дао юм „ изо

Гпубииа | Д

5000

2.500

Рис. 2. Зависимость коэффициента диффузии сурьмы в кремнии при oблvчeюIи ионами аргона с энергией 110 юВ.

Вид пространственной зависимости коэффициента сноса определяется функциями распределения потоков налетающих ионов и каскадных атомов по глубине и углам вылета. При высоких энергиях ионов поток каскадных атомов преимущественно направления в направлении пучка ионов и зависимость коэффициента сноса от глубины аналогична пространственной зависимости коэффициента диффузии. При низких энергиях (ниже 10 кэВ) каскадный поток изотропен и значение коэффициента сноса равно нулю.

В случае, когда атомам отдачи передается энергия меньше пороговой энергии смещения Т^. но больше чем энергия, необходимая для осуществления перескока на одно межатомное расстояние Ет, коэффициент диффузии определяется из соотношения

£>=/;? 1 \(р{Еу-гсг(Е.;г)с1таЕ (31)

Е Т ™

где л - длина перескока, соответствующая межатомному расстоянию, <р{Е) - энергетический спектр налетающих частиц. Значения коэффициента диффузии рассчитанные по (31) с учетом только

эффективность стимулирования .миграции очень мала. Основной вклад в стимулирование миграции вносят вторичные процессы, связанные с возбуждением решетки. Такие возбуждения могут распространяться в кристалле в виде солитонов. Величина коэффициента диффузии с учетом этого эффекта составляет значение поряд-

В случае, когда энергия, передаваемая атомам отдачи, достаточна для осуществления только одного перескока, механизм стимулирования миграции атомов отдачи связан с увеличением частоты перескоков по сравнению с термодинамически равновесными условиями. Коэффициент диффузии в зависимости от режимов облучения может увеличиваться в 2 - 10 раз по сравнению с термическим коэффициентом диффузии. Кроме непосредственного взаимодействия с налетающими частицами, вклад в стимулирование вносят и вторичные процессы такие как ионизация, возникновение упругих волн.

В четвертой главе рассматривается распределение концентрации атомов примеси при стимулированной ионным облучением миграции.

Легирование полупроводников методом имплантации атомов отдачи осуществляется путем облучения системы тонкая пленка -подложка пучком ускоренных ионов. В этом случае атомы материала пленки в. результате упругого столкновения с налетающими ионами получают энергию, достаточную чтобы внедриться в подложку. К достоинствам метода относятся низкая температура легирования и возможность использования одних и тех же ионов для имплантации широкого класса элементов ноны которых получить непосредственно из ионных источников затруднительно. Для описания процесса имплантации методом атомов отдачи используются приближения однократного взаимодействия и итерированное диффузионное приближение. В первом случае распределение концентрации атомов отдачи 4 рассчитывается по выражению

= Л'0ФШ1(32)

ЕТОСЮ

где 11 - толщина пленки, Лг0 - концентрация атомов в пленке. При использовании этого подхода предполагается, что столкновение налетающих ионов с атомами отдачи имеет место только в пленке, После их внедрения из пленки из пленки в подложку соударения не происходит. Для учета многократного взаимодействия налетающих ионов с атомами отдачи используется итерированное приближение Фоккера-Шханка. В этом случае процесс описывается уравнением (12). При расчете коэффициента диффузии учитываются вклады первичного и каскадного потоков. Точка перегиба концентрационного профиля соответствует значению среднего пробега атомов отдачи, стартующих с границы раздела пленки с подложкой. Учет многократного взаимодействия ионов с атомами отдачи приводит к поправкам, улучшающих согласие экспериментальных данных с расчетными.

При облучении многослойных структур имеет место взаимопроникновение атомов в окрестности границы раздела вследствие баллистического перемешивания. Ионно-лучевое перемешивание используется в полупроводниковой технологии для повышения адгезии слоев и также для формирования интерметаллических соединений.

Процесс ионно-лучевого перемешивания описывается системой уравнений диффузии

Зс

ША{х, О Зс

ША С*. О а

(33)

дк

Ов(МА{х./),М£(х, О)

&

а

(34)

где NА и Ив - концентрации компонентов А и В соответственно. Концентрационная зависимость коэффициента диффузии обуслов-

лена процессами миграции атомов отдачи в бинарной системе с неоднородным по глу бине составом и описывается соотношением

'АО*

АО

(35)

где А'^о - исходная концентрация атомов сортам в слое. Аналогичное соотношение используется для расчета коэффициента диффузии атомов сорта В . Начальные условия для системы уравнений (33) н (34) соответствуют задаче о взаимопроникновении атомов для системы двух полуограннченных тел. Решение (33) и (34) было получено методом итераций интегральных уравнений

/ ехР

-н

т

\ о

2 Р

7 ! ^

I ехр " .1

к

Гъ

(36)

ехр

/ г \

12Вв

V О

Ев

с ! т

) ехр -\jfr-

(37)

'Таким образом из решения (36) и (37) можно получить распре-делеххие концентрации атомов при баллистическом механизме перемешивания. Из анализа решений следует, что ширина переме-

1/

шангюго слоя пропорциональна г/2 . Такая зависимость имеет место при диффузионном механизме взаимопроникновения. Перемешанный слоя образуется в основном за счет проникновения тяжелых атомов при облучении тяжелыми ионами и легких атомов при облучении легкими ионами.

Процессы релаксации решетки имеют место при ионно-лучевом перемешивании и ионной имплантации с высокими доза-

ми облучения. При отклонении суммарной концентрации атомов от равновесной в кристалле возникают упругие напряжения и диффузионный поток атомов, обусловленный действием этих напряжений, стремящийся установить равновесное значение концентрации. В случае, когда процессы релаксации протекают более интенсивно, чем процессы переноса атомов, суммарная концентрация практически не отличается от равновесной в ходе протекания перемешивания и релаксацию решетки можно считать однородной. В случае, когда интенсивность переноса и релаксации примерно одного порядка, процесс установления равновесной концентрации происходит спустя некоторое время после окончания ионного облучения.

В случае, когда величина возникающих напряжений превышает предел текучести, в кристалле возникает пластическое материала. Механизм пластического течения обусловлен направленной миграцией по объему кристалла вакансий и междоузелышх атомов, которые возникают н аннигилируют на дислокациях и межзерен-ных границах. Пластическое течение приводит к тому, что при ионной имплантации с высокими дозами облучения имеет место вытеснение атомов мишени имплантируемыми ионами.

Рост интерметаллических соединений при ионно-лучевом перемешивании определяется кинетикой массопереноса и термодинамикой системы, определяющей контуры соответствующей диаграммы равновесия (рис. 3). В случае когда перенос атомов обусловлен термической и радиационно-стимулированной диффузией на границах между фазами значение концентрации атомов претерпевает скачок. При баллистическом механизме миграции в отличие от диффузии ограничений на миграцию атомов, связанных с их предельной растворимостью в соответствующей фазе нет. В связи с чем на границах раздела фаз скачков концентрации не будет, однако граница раздела будет размыта. Если фазовая диаграмма состояния .характеризуется двумя твердыми растворами аир и ин-терметаллидом у , то при ионно-лучевом перемешивании образуется слой интерметаллида, толщина которого увеличивается пропор-1/

ционально Ф "2 . В диссертации на основе анализа потоков атомов на границе раздела были получены основные соотношения, описы-- вающие смещение фазовой границы, степень ее размытия и толщину интерметаллида с учетом баллистического и диффузионного ме-

ханизмов миграции. При построении профилей распределения атомов предполагалось, что диффузионный и баллистический механизмы .миграции некоррелированы поэтому сначала строилось распределение концентрации атомов при диффузионном механизме миграции а затем - при баллистическом механизме.

При описании перемешивания при ионно-ассистированиом осаждении пленок на подложку решается уравнение переноса (6) с движущейся границей которая соответствует поверхности растущего слоя. В диссертации рассмотрены аналитические и численные решения уравнения. Полученные распределения концентрации атомов находятся в хорошем согласии с имеющимися в литературе экспериментальными результатами.

Рис.3. Распределение концентрации атомов при росте силицида Сг2Б1 (а) и фазовая диаграмма равновесия системы Сг - 51 (Ь), температура мишени 300К (1) и 543К (2). Сплошная линия - распределение Сг при ионно-лучевом перемешивании штриховая - при взаимной диффузии.

В диссертации рассмотрено влияние баллистического перемешивания при измерении профилей распределения атомов методом

вторичной ионной масс-спектрометрии. Степень искажения профиля распределения характеризуется отношением коэффициента

диффузии к скорости распыления ~ и с увеличением массы и

энергии ионов возрастает.

Глава завершается рассмотрением совместного действии механизмов радиационно-ускоренной и термической диффузии. Выражение, описывающее распределение концентрации атомов из источника с постоянной поверхностной концентрацией, имеег вид

Щх,г) ■

А'Ь

(тгОт()

Т/1ехР '2 (\

-1п-

А>

■ё'Ь -+1-Я

1(1 -Я)

с1Л

У

(38)

где Мс - поверхностная концентрация, 1>0 - значение коэффициента ускоренной диффузии, экстраполированное к х-0. I - диффузионная длина радиационных дефектов, Ит - коэффициент термической диффузии. В области глубин не превышающих значения

У^ = миграция примеси обусловлена механизмами ускорен-

ной диффузии, влияние термической диффузии пренебрежимо мало. За пределами этой области миграция примеси обусловлена термической диффузией.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработана количественная теория, позволяющая описывать процессы миграции атомов примеси под действием ионного облучения. Полученные кинетические уравнения позволяют описывать процессы миграции широком диапазоне энергий ионов, учесть совместное действие механизмов баллистического и диффузионного перескоков примесных атомов и также описать влияние вторичных эффектов (каскадные процессы, возникновение упругих волн, ионизация атомов мишени) на процесс миграции.

2. Получены решения уравнений переноса, описывающие распределение потоков налетающих ионов и каскадных атомов по

энергиям, глу бине и углам вылета. При решении уравнений использовались метод сферических гармоник и метод групп. Разработаны программы для расчета потоков налетающих ионов и каскадных атомов. Получены основные закономерности распределения потоков ускоренных ионов и каскадных атомов по глубине.

3. Получено соотношение для расчета коэффициента диффузии при баллистическом механизме миграции учитывающее влияние первичного и каскадного потоков. Показано, что с увеличением массы и энергии налетающих ионов подвижность примесных атомов возрастает. При облучении легкими ионами массой меньшей чем атомы мишени основной вклад в стимулирование миграции обусловлен действием каскадного потока. При облучении тяжелыми ионами на малых глубинах миграция обусловлена действием первичного потока, а на больших - каскадными. В общем случае процесс миграции неизотрошшй. Подвижность атомов в направлении пучка ионов превышает подвижность в направлении перпендикулярном пучку. Степень неизотропности уменьшается в случае, когда масса атомов примеси меньше массы атомов мишени.

4. Разработана модель, описывающая процесс миграции атомов при низкоэнергетических воздействиях. Возрастание коэффициента диффузии по сравнению с термическим обусловлено увеличением частоты перескоков примесных атомов вследствие отклонения их функции распределения от равновесной. Энергия передается примесным атомам как непосредственно от налетающих частиц, так и посредством возбуждения окружающих атомов. Вклад в стимулирование миграции вносят также процессы ионизации, возбуждение упругих волн.

5. Разработана модель, описывающая внедрение примеси методом имплантации атомов отдачи. Уравнение, описывающее процесс, позволяет учитывать однократное и многократное взаимодействие налетающих частиц с атомами отдачи. Получены выражения для расчета профилей распределения атомов отдачи.

6. Выведена система нелинейных диффузионных уравнений, описывающая процесс ионно-лучевого перемешивания. Концентрационная зависимость коэффициентов диффузии связана с зависимостью параметров пробегов атомов от компонентного состава перемешанного слоя. В результате решення уравнений были получены зависимости концентрации перемешанных атомов от глуби-

ны. Показано, что при перемешивании в системе с интерметалли-дом, рост слоя интерметаллида обусловлен действием диффузионных механизмов перескока атомов. Процессы баллистического перемешивания приводят к размытию фазовой границы.

7. Рассмотрены концентрационные эффекты, имеющие место при баллистическом механизме перемешивания. Выведены соотношения, описывающие полевой фактор, связанный с возникновением поля упругих напряжений. Показано, что зависимость параметров пробега от компонентного состава перемешанного слоя, возникновение поля упругих напряжений приводят к уменьшению отклонения концентрации атомов в твердом теле от равновесного значения.

8. Рассмотрены распределения концентрации примесных атомов при диффузии, стимулированной ионным облучением с }~четом совместного действия механизмов радиационно-ускоренной и термической диффузии. Показано, что в диффузионной зоне можно выделить две области: эффективная область ускоренной диффузии и область термической диффузии.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ ДИССЕРТАЦИИ ОПУБЛИКОВАНЫ В СЛЕДУЮЩИХ РАБОТАХ

1. Блинов Ю.Ф., СербаЛ.В. Некоторые особенности локальной радиационно-стимулированной диффузии. Тезисы докладов X Всесоюзной конференции по микроэлектронике. Таганрог, ТРТИ,

1982, с. 193 - 194.

2. Блинов Ю.Ф., Серба Л.В Расчет распределения атомов примеси при радиационно-стимулированной диффузии. //Физика и техника полупроводников, 1983, т. 17, в. 9, с. 1706 - 1708.

3. Блинов Ю.Ф., Серба Л.В,, Сеченов ДА. Распределение концентрации атомов примеси при диффузии в кристалл, содержащий локальную неоднородность. Таганрог, ТРТИ, рукопись деп. в ВИНИТИ N 4258 - 83.

4. Заставной A.B., Король В.М., Криштоп И.В., Серба Л.В. Профили носителей тока в кремнии, легированном ионами натрия. Тезисы докладов VII международной конференции "Ионная имплантация в полупроводниках и других материалах". Вильнюс,

1983, с. 195.

5. Блинов Ю.Ф.. Серба IIB., Сеченов ДА. Особенности локальной диффузии в облученном полупроводнике. Ред. журнала Известия СКНЦ BEJ, рукопись депонирована в ВИНИТИ N 1205 ~

84.

6. Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Распределение примеси в полупроводниковом кристалле при посгамнлантационном отжиге. \\Актгозируемые процессы технологии микроэлектроники. Вып. VII.

1984, с. 60-63

7. Блинов Ю.Ф., Серба П.В., Сеченов ДА. Расчет распределения атомов примеси при имплантации отдачей из тонких пленок. Электронная техника, серия 2, Полупроводниковые приборы, 1934. с.82 - 84.

8. Блинов Ю.Ф., Серба TLB., Сеченов ДА. Диффузионная модель имплантации отдачей. Тезисы докладов VII Всесоюзной конференции "Взаимодействие атомных частиц с твердым телом''., Минск, 1984, часть 2, с.83 -84.

9. Заставной A.B., Король В.М., Криштоп КВ., Серба IIB. Профили носителей тока в кремнии, легированном ионами натрия. //Физика и техника полупроводников, 1985, т. 19, в. 3, с. 562. (Рукопись дел. в ЦНИИ "Электроника", Р - 3908/84)

10.Блинов Ю.Ф., Серба П. В. Диффузионная модель имплантации отдачей. Физика и техника полупроводников, 1985, т. 19, в. 10, с. 1848.

11..Блинов 10. Ф., Серба П.В Сеченов Д.А. Профили распределения атомов примеси при диффузии, стимулированной ионной бомбардировкой. В кн. Надежность микроэлектронных схем и элементов. Материалы Всесоюзного семинара. Киев., Наукова думка,

1985, с. 98.

12Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Процессы миграции примеси, обусловленные упругим взаимодействием с ускоренными ионами. Тезисы докладов I Всесоюзного совещания по низкотемпературным методам обработки материалов. Устинов., Удмуртский госуниверситет, 1987, 71

13.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Миграция примесных атомов под действием облучения. Тезисы докладов XVII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М„ МГУ, 1987 с. 130.

Ы.Блииоб Ю.Ф., Серба П.В., Сеченое ДА. Теория имплантации атомов отдачи и ионного перемешивания. Ргос. International Conference on Ion Implantation in Semiconductors and Other Matherials. Lublin, 1988, C.84,

15.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Процессы миграции примеси при ионном облучении. Тезисы докладов Всесоюзной конференции "Конструкгорско-технологичеекое обеспечение качества микро- и радиоэлектронной аппаратуры", Ижевск, 1988. с. 62.

16.Blinov Yu.F., Serba P.V. Theory- of Recoil Implantation., Phys. Stat. Sol., 1989, v, Al 16, N2. p.555 - 560.

П.Блинов Ю.Ф., Серба JT.B. Нелинейное дифференциальное уравнение процесса иошю-лучевого перемешивания. Тезисы докладов II Всесоюзного семинара по низкотемпературным методам обработки материалов. Ижевск, 1990, с. 52.

lS.Blinov Yu.F., Serba P.V. Kinetics of Irradiation Induced Recoil Migration in Solids. Proc 5 International Simposium on Radiation Physics., Zagreb, 1991. p. 92.

19.Ce/6a 77.ZI, Блинов 10.Ф. Применение кинетического уравнения Больцмана к описанию имплантации атомов отдачи. Поверхность. Физ. хим. механика. 1992, N3 с. 7 - 11.

20. Серба II. В. Кинетическое уравнение процесса ионного перемешивания. Тезисы докладов XXIII Межнационального совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами М, МГУ, 1993. с. 121,

21 .Блинов Ю. Ф., Серба П.В, Сеченов ДА. Ионное перемешивание на границе раздела двухслойной мишени. Физика и химия обработки материалов, 1994, N2, с. 14 - 18.

22.Блинов Ю.Ф., Серба П.В Козловский В.В., Ломасов В.Н. Имплантация атомов отдачи и процессы ионного перемешивания в кремнии. В кн. Актуальные проблемы микроэлектроники. Вып. 2, Таганрог, 1994, с. 53-65.

21.Блинов 10. Ф., Серба П.В. Распределение атомов отдачи при имплантации из тонких пленок. Тезисы докладов XXII конференции по эмиссионной электронике. Москва 1994, с. 61,

24Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Распределение пробегов имплантированных ионов в многокомпонентных мишенях с неоднород-' ным составом. Поверхность. Физ. хим. механика. 1994, N3, с. 73 -77.

25,Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Распределение концентрации ато- . мов отдачи по глу бине //Поверхность. Физ. хим. механика. 1994. N

8 -9, с. 116. - 120

26,Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Миграция атомов в условиях радиационных воздействий. //Тезисы докладов XXV ме;кдународной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ., 1995. с. 83.

П.БлиновЮ. Ф., Серба П.В. Моделирование элементарного акта .миграции при взаимодействии с ускоренными частицами методом молекулярной динамики. //Тезисы докладов XXV международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ.. 1995. с. 84.

28.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Ионно-лучевое перемешивание в двухслойной системе с интерметаллидом. //Труды второй всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1995., с. 28.

29.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Зависимость параметра перемешивания от режимов облучения. Поверхность. Физ. хим. механика. 1995, N6, с. 64-66.

30.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Миграция атомов отдачи в условиях адиабатических воздействий. //Известия ТРТУ. Материалы XI, научно-технической конференции, Таганрог, 1995 г., с. 141 -143.

3 LБлинов Ю.Ф., Серба П.В. Ионное перемешивание в процессе роста и распыления слоев //Известия ВУЗов. Электроника, 1997, N 3, с. 44 - 47.

32.Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Баллистический перенос атомов при ионно--асснстироваяном осаждении пленок. //Известия ВУЗов Электроника, 1998, N 5, с. 86 - 90.

33.Блинов 10.Ф., Серба П.В. Ионно-лучевое перемешивание е двухслойной системе с интерметаллидом //Азербайджанский химический журнал, 1998. N 4, с. 39 - 43.

34 .Serba P.V., Blinov Ун. F. Mechanism of lattice relaxation in the theory of ion beam mixing. //Proc. 11 International Conference on Ion Beam Modification of Materials/ (IBMM-98), Amsterdam, 1998. p. 62.

35.Блинов Ю. Ф,, Серба П.В. Динамическое Монте-Карло моделирование процесса ионно-лучевого перемешивания //Тезисы док-

ладов XXÍX международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М.: МГУ., 1999. с. 149.

36.Блинов Ю.Ф., Серба П. В. Математическое моделирование процессов ионно—лучевого перемешивания //Микроэлектроника, 2000, N 2, с. 59 - 63 "

37Serba Р.К, Blinov Yu.F. Mechanism of lattice relaxation in the theory- of ion beam mixing. //Nuclear Instruments arid Methods. 2000, v B160,p.23i-234.

Блинов Ю.Ф., Серба ПВ. Искажение профилей распределения примесей при измерении методом ВИМС. //Поверхность Рентг. и синхр. исслед. 2000. N 3. с. 71 - 74.

39.Блинов Ю.Ф., Серба IJ.B. Процессы переноса атомов в условиях ионно-лучевой обработки твердых тел. //Тезисы докладов XXX международной конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами. М: МГУ. 2000: с. 98.

40Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Моделирование процессов миграции атомов под действием ионного облучения //Известия ТРТУ., 2000, NJ, С. 98.

4].Блинов Ю.Ф., Серба П.В. Миграция атомов примеси под действием акустических волн. //Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники. Труды седьмой международной научно-технической конференции. Часть Г, Таганрог., 2000, С. 310—131

В работах [3],[5]Д7],[3],[11],[14],[21] Сеченовым Д.А. были поставлены задачи, с Блиновым Ю.Ф. обсуждались результаты исследований, в работах [1],[2],[6]Д10],[12],[13] - [19],[23] - [41] задачи исследований были поставлены автором, с Блиновым Ю.Ф. обсуждались результаты, в работах [4],[9] экспериментальная часть выполнена Королем В.М., Заставным А.В., Криштоп И.В.. автором были интерпретированы результаты, в [22] Козловским В.В., Лома-совым В.Н. проазден поиск и анализ литературных источников, с Блиновым Ю.Ф. обсуждались результаты, выводы и рекомендации выполнены автором. ^лт? у/ ^

Тап.ТРТ^ 35Е - Uf> ЮО