-
1999
Акулинин, Станислав Алексеевич
В последние годы эта проблема еще более обострилась в связи с расширением выпуска специализированных интегральных схем. Специализированные ИС характеризуются высокой степенью интеграции и функциональной сложностью, необходимостью быстрого цикла внедрения и относительно малыми объемами заказов, что не позволяет собрать большую статистическую
-
1999
Аврутин, Виталий Семенович
-
1999
Емельяненко, Юрий Савельевич
При помощи уравнения Аррениуса была рассчитана энергия активации СЕа) акцепторной примеси цинка для различных температур отжига Еа1 - 450-С, Еа2 * 460* С, Еаз - 480* С. Результаты расчета показали, что каждой температуре отжига соответствуют различные величины Еа: Еа1 = 1.6 эВ, Еа2 =0.6 эВ, ЕаЗ = 1.0 эВ. Различия в величине энергии активации цинка
-
1999
Лепшин, Павел Анатольевич
-
1999
Бахмач, Ольга Федоровна
Если моделирование проводится в исследовательских целях, то при отсутствии жестких временных ограничений традиционные методы в большинстве случаев можно успешно применять. Однако в реальных производственных условиях, когда время ограничено и возникает множество случайных факторов, влияющих на процесс, существующие методы моделирования или не
-
1999
Наумов, Виктор Васильевич
-
1999
Мещеряков, Сергей Александрович
Аналитический расчет становится возможным при ряде упрощающих предположений, г лавными из которых являются квазинейтральность базы и конечная скорость рекомбинации на омическом контакте. Численные модели требуют значительно меньших упрощений. Однако опубликованные численные модели рассматривали базу без подложки с омическим контактом с бесконечной
-
1999
Белоус, Анатолий Иванович
Одним из наиболее нижних и отметеленных процессов п создании и производстнс интегральных микросхем является проектирование Ы1С, включающее два взаимосвязанных этана: логическое проектирование, в ходе которого определяется логическая организация (архитектура), система команд, структура управления и обработки данных, ьрсменнал днацммма рибонл и
-
1999
Голубок, Александр Олегович
-
1999
Хренов, Григорий Юрьевич
На наш взгляд на сегодняшний день наиболее интересными с практической точки зрения являются полевые транзисторы с затвором Шоттки (ПТШ), гетероструктурные полевые транзисторы с изолированным затвором (НЮБЕТ), транзисторы с проницаемой базой (ТПБ) и биполярные гетероструктурные транзисторы (БГТ
-
1999
Сауров, Александр Николаевич
С начала 70-х годов в стране и за рубежом наметилась четкая тенденция по созданию и применению различных принципов, приемов, способов и методов точной локализации элементов, в том числе и элементов с субмикронными размерами. Особое развитие в последние годы получили методы самосовмещения (МСС) и методы самоформирования (МСФ). Большое разнообразие
-
1999
Безбородов, Валерий Никифорович
Согласно новому подходу обеспечение длительной работоспособности ЭРИ различных классов, комплектующих бортовую аппаратуру космических аппаратов (КА), составляющих космический сегмент ССС, осуществляется комплексом работ, изложенным в РД 22.12.186-97 [ 14 ]. Комплекс работ предполагает, в частности
-
1999
Арзуманян, Грайр Вагаршакович
В технологии изготовления полупроводниковых приборов (ПП) и ИС используется большое количество полупроводниковых материалов, таких как кремний, германий, карбид кремния, арсенид галлия и другие, основным из которых является кремний. По данным на 1995 г. мировой объем продажи пластин других полупроводниковых материалов составил всего 5.9 % от
-
1999
Тишин, Юрий Иванович
Значительное количество управляющих сигналов ПЗС, амплитуда которых обычно составляет >10В, необходимость преобразования напряжения в заряд при вводе сигнала в ПЗС и обратного преобразования при выводе приводят к существенному усложнению схем обрамления ПЗС, повышению потребляемой ими мощности, изменению амплитуды и постоянной составляющей
-
1999
Илюшин, Владимир Александрович
Использование эффекта примесного поглощения в кремнии позволяет обеспечить монолитную интеграцию матрицы фотоприемников и схемы обработки, однако, в тех случаях, когда требуются предельные значения обнаружителыюй способности ФПУ, предпочтительнее использовать эффект собственного поглощения в узкозонных полупроводниках. В настоящее время такие ФПУ
-
1999
Шишкарев, Виктор Вячеславович
Одним из важных аспектов является технологическое управление свойствами емкостных структур, которые во многом определяются свойствами используемых для их производства материалов. Анализ существующей литературы по данной теме показывает, что повышение свойств конденсаторов может быть достигнуто, во-первых, применением для создания диэлектрического
-
1999
Данчишин, Игорь Васильевич
Суттєве підвищення вимог до мікроелектрошшх пристроїв, розширення їх функціональних можливостей призводить до ускладнення структури, збільшення кількості елементів, висуває на передній план проблему забезпечення технологічності. В даний час ця проблема набуває особливої гостроти, передусім у зв'язку з ускладненням інтегральних схем (ІС) на
-
1999
Кобзев, Юрий Михайлович
Относительно дешевая кремниевая КМОП технология, является перспективной для создания высокоинтегрированных устройств радиотелекоммуникации. Однако, если реализация маломощных низковольтных цифровых частей устройств (со сравнительно низкой скоростью обработки информации) не вызывает затруднений в кремниевом КМОП базисе, то задача реализации
-
1999
Найда, Сергей Михайлович
Повышение степени интеграции аппаратуры, достигаемое при использовании МШ, стаей* задачу обеспечения эффективного отвода рассеиваемой мощности от активных элементов схемы. Эта задача тесно связана с конструктивно-технологическими решениями по созданию радиоэлектронных устройств, с подбором и использованием материалов, обладающих высокой
-
1999
Ревин, Дмитрий Геннадьевич
