автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Разработка схемотехнических методов построения ИМС с улучшенными технико-экономическими показателями для систем радиотелекоммуникации

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

1 .ТЕНДЕНЦИИ И ПРОБЛЕМЫ РАЗВИТИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ДЛЯ УСТРОЙСТВ РАДИОТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ

1.1. Пути улучшения технико-экономических показателей микросхем для радиотелекоммуникационного оборудования

1.2. Структурные схемы радиотелекоммуникационых устройств

1.3. Цифровые методы в построении элементов структурных схем

1.4. Проблемы использования сверхнизкого напряжения питания

1.5. Снижение стоимости радиотелекоммуникационных ИС за счет снижения стоимости изготовления

1.6. Задачи улучшения технико-экономических показателей за счет совершенствования отдельных узлов

1.7. Выводы и постановка задачи

2. РАДИОЧАСТОТНЫЕ КРЕМНИЕВЫЕ КМОП СХЕМЫ СО СВЕРХНИЗКИМ НАПРЯЖЕНИЕМ ПИТАНИЯ

2.1. Принцип построения радиочастотных КМОП схем со сверхнизким напряжением питания

2.2. Базовое звено

2.3. Звенья на основе комплементарных транзисторов

2.4. Прочие элементарные радиочастотные схемы со сверхнизким напряжением питания

2.5. Способы построения широкополосных усилительных каскадов на основе базовых звеньев

2.6. Численное моделирование широкополосного усилительного каскада со сверхнизким напряжением питания

2.7. Численное моделирование дифференциального широкополосного усилительного каскада

2.8. Способы построения усилительных каскадов на комплементарных звеньях

2.9. Численное моделирование широкополосного усилительного каскада на основе комплементарных звеньев

2.10. Численное моделирование узкополосного каскоднош усилительного каскада

2.11. Смесители со сверхнизким напряжением питания

2.12. Активные ЯС- полосовые фильтры со сверхнизким напряжением питания

2.13. Численное моделирование активных Я С - фильтров

2.14. Выводы

3. ВЫСОКО ЛИНЕЙНЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ШИРОКОПОЛОСНЫЕ УСИЛИТЕЛИ НА ОСНОВЕ СаАз ПТШ

3.1. Принцип потенциального зеркала

3.2. Построение высоколинейных усилительных каскадов на основе принципа потенциального зеркала

3.3. Сравнительный анализ способов построения усилительных каскадов с точки зрения линейности

3.4.Численное моделирование усилительных каскадов

3.5. Выводы

4. АНАЛОГОВЫЕ ПЕРЕМНОЖИТЕЛИ НАПРЯЖЕНИЯ С

РАСШИРЕННЫМ ДИНАМИЧЕСКИМ ДИАПАЗОНОМ НА ОСНОВЕ GaAs ПТШ

4 Л. Подходы к построению перемножителей напряжения

4.2. Сравнение архитектур перемножителей с точки зрения точности выполнения операции

4.3. Элемент с квазиквадратичной проходной характеристикой

4.4. Численный расчет эффективности применения элемента

4.5. Практическая схема элемента

4.6. Анализ влияния других неидеальностей на точность перемножителя

4.7. Численное моделирование различных типов перемножителей

4.8. Выводы

5. ПРОЕКТИРОВАНИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ

ИССЛЕДОВАНИЕ КРЕМНИЕВОЙ КМОП ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ КОНВЕРТОРА РАДИОЧАСТОТЫ

5.1 Описание микросхемы

5.2 Особенности построения отдельных блоков конвертора

5.3 Макет цифрового приемника

5.4 Однокристальный цифровой КМОП приемник

5.5 Выводы

ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Актуальность темы. Переход к информационному обществу характеризуется стремительным развитием средств телекоммуникаций, что является одной из отличительных черт последнего десятилетия. Однако такой переход не будет полностью осуществлен, если не будет обеспечена широкая доступность и массовость в использовании средств телекоммуникаций и их важнейшего класса - средств радиотелекоммуникаций, которые обеспечивают пространственное освобождение трудящегося. Решение задачи массового распространения средств телекоммуникаций тесно связано с созданием высококачественного и одновременно дешевого высокотехнологичного радиотелекоммуникационного оборудования.

Задача повышения технологичности производства и удешевления радиотелекоммуникационного оборудования может быть решена путем использования высокоинтегрированных микросхем в качестве законченных функциональных блоков или даже устройств в целом.

Особые требования выдвигаются к портативным средствам радиотелекоммуникации. С одной стороны, как наиболее массовые, они должны обладать минимальной себестоимостью. С другой, они должны удовлетворять высоким потребительским стандартам. То есть иметь минимальные размеры и массу одновременно с высокой чувствительностью, функциональной насыщенностью и низкой потребляемой мощностью. Удовлетворение всех этих требований возможно на пути полной интеграции радиочастотной и цифровой частей устройств на одном кристалле.

Относительно дешевая кремниевая КМОП технология, является перспективной для создания высокоинтегрированных устройств радиотелекоммуникации. Однако, если реализация маломощных низковольтных цифровых частей устройств (со сравнительно низкой скоростью обработки информации) не вызывает затруднений в кремниевом КМОП базисе, то задача реализации маломощных низковольтных (~1 В) аналоговых радиочастотных КМОП схем в настоящий момент не решена.

Развитие средств радиотелекоммуникации, использующих радиоканал, ведет к проблемам, связанным с насыщением эфира, что ужесточает требования к динамическому диапазону устройств приема информации. Этот факт обусловливает актуальность проблемы разработки интегральных функциональных блоков с повышенным динамическим диапазоном.

Задачи исследования. Для достижения поставленной цели в работе решаются следующие задачи:

- разработка схемотехнического метода построения аналоговых радиочастотных блоков ИМС с низким (~1 В) напряжением питания в кремниевом КМОП базисе;

- разработка схемотехнических решений для реализации основных блоков радиочастотного тракта с низким напряжением питания в кремниевом КМОП базисе;

- разработка схемотехнических решений для построения широкополосных усилителей с повышенной линейностью;

- разработка аналоговых перемножителей напряжения повышенной точности в базисе арсенид галлиевых полевых транзисторов с затвором Шотки ((ЗаАв ПТШ);

- экспериментальная проверка разработанных методов и решений на примере проектирования, изготовления и исследования характеристик кремниевой КМОП ИС конвертора радиочастоты.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложено использовать метод разделения цепей прохождения сигнала и статического смещения транзисторов для построения радиочастотных КМОП схем со сверхнизким напряжением питания. В результате становится возможным интегрировать на одном кристалле в рамках единого технологического процесса как радиочастотную, так и цифровую части устройств приема и обработки информации, обеспечивая минимизацию потребляемой мощности и высокую устойчивость характеристик к разбросу технологических параметров.

2. Разработаны и теоретически обоснованы новые схемотехнические решения для реализации основных радиочастотных блоков со сверхнизким напряжением питания в КМОП базисе.

3. Разработаны новые схемотехнические решения для построения высоколинейных широкополосных усилителей, основанные на принципе потенциального зеркала. Показано, что по сравнению с известными предложенные решения обладают более широким (10.20 дБ) динамическим диапазоном.

4. Предложен новый метод повышения точности аналоговых перемножителей на основе ОаАв ПТШ, основанный на формировании элементов с квазиквадратичной проходной характеристикой.

Практическая ценность работы.

1. Метод разделения цепей прохождения радиосигнала и статического смещения транзисторов в сочетании с разработанными схемотехническими решениями позволяет реализовать в однокристальном исполнении радиочастотную и цифровую части устройств приема и обработки информации на основе стандартного технологического процесса, применяемого для изготовления цифровых кремниевых КМОП ИМС, при одновременном снижении напряжения питания (до 1 В). В результате обеспечивается существенное снижение потребляемой мощности и стоимости.

2. Новые схемотехнические решения, основанные на принципе потенциального зеркала, позволяют расширить динамический диапазон широкополосных усилителей, что дает возможность строить радиоприемные части устройств телекоммуникации с улучшенными техническими характеристиками и в ряде случаев снизить требования к селективным цепям.

3. Предложенный метод формирования элементов с квазиквадратичной проходной характеристикой позволяет повысить точность аналоговых перемножителей на основе ОаАэ ПТШ, что дает возможность строить радиоприемные части устройств телекоммуникации с улучшенными техническими характеристиками.

4. Внедрение разработанной и экспериментально исследованной кремниевой КМОП микросхемы конвертора радиочастоты (при соответствующем дополнении ее электрической схемы разработанной ранее схемой декодера с последующим их производством на одном кристалле) позволяет резко снизить стоимость приемников индивидуального вызова и телеуправляемых систем.

Внедрение. Результаты работы внедрены и легли в основу серийно выпускаемой микросхемы конвертора радиочастоты К1446ХА1 и сетевого приемо-передатчика К1446ХК1, что подтверждено актом о внедрении, а также использованы при составлении лабораторного практикума по курсу «Элементная база систем связи».

Достоверность результатов. Достоверность разработанных методов и схемотехнических решений подтверждена результатами экспериментальных исследований тестовых образцов микросхем конвертора радиочастоты, а также результатами компьютерного моделирования с использованием верифицированных моделей элементов.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Создание аналоговых радиочастотных КМОП схем со сверхнизким напряжением питания позволяет интегрировать на одном кристалле в рамках единого технологического процесса радиочастотную и цифровую части устройств приема и обработки информации, обеспечивая при этом минимизацию потребляемой мощности и стоимости.

2. Реализация аналоговых радиочастотных КМОП схем со сверхнизким напряжением питания может быть осуществлена путем разделения цепей прохождения радиосигнала и цепей статического смещения транзисторов. При этом обеспечивается расширение динамического диапазона и высокая устойчивость характеристик к разбросу технологических параметров в условиях сверхнизкого напряжения питания.

3. Существенное повышение линейности широкополосных усилителей может быть достигнуто за счет предложенных новых схемотехнических решений, основанных на использовании принципа потенциального зеркала.

4. Точность перемножения в аналоговых перемножителях на основе GaAs ПТШ может быть повышена в несколько раз за счет использования разработанного элемента с квазиквадратичной проходной характеристикой.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Московской конференции «Студенческая научная осень - 94» (г. Москва, ноябрь 1994 г.) и на Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика - 95» (г. Москва, ноябрь 1995 г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы отражены в 5-и статьях, тезисах 2-х докладов на научно-технических конференциях, патента РФ на изобретение и научно-техническом отчете НИР.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка используемой литературы. Диссертация изложена на 122 листах основного текста, содержит 65 рисунков и 8 таблиц к основному тексту, списка литературы из 108 наименований.

Результаты работы внедрены и легли в основу серийно выпускаемых микросхем конвертора радиочастоты К1446ХА1 и сетевого приемопередатчика К1446ХК1. Полученные результаты также могут найти широкое применение при проектировании массовых портативных систем радиотелекоммуникации. В частности, изготовление и экспериментальное исследование микросхемы конвертора радиочастоты вместе с разработанной ранее кремниевой КМОП интегральной схемой декодера закладывает основу построения однокристальных кремниевых КМОП цифровых приемников. Результаты работы использованы при постановке лабораторного практикума по курсу “Элементная база систем связи” на кафедре ФТИМС МИЭТ [108].

ВЫВОДЫ И ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

В процессе выполнения работы предложены схемотехнические методы и решения, которые позволяют повысить степень интеграции и существенно улучшить технико-экономические показатели портативных средств радиотелекоммуникации.

1. Kurtal Joardan. А Simple Approach to Modeling Cross Talk in Integrated Circuits// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N3. P. 1212 -1219.

2. Б.М.Богданович, Н.И.Окулич. Радиоприемные устройства. Минск: Вышэйшая школа, 1990. -428 с.

3. Willian В.Kuhn et al. А 200 MHz CMOS Q-Enhanced LC Bandpass Filter// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 8. - P. 1112- 1122.

4. Chimg-Yu Wu et al. The Design of a 3-V 900MHz CMOS Bandpass Amplifier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 2. - P. 159- 168.

5. Qiuting Huang. A MOSFET-Only Continuous-Time Bandpass Filter// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 2. - P. 147 - 158.

6. Rajesh H.Zele et al. Low-Power CMOS Continuous-Time Filters// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 2. - P. 157 - 167.

7. John M.Khoury et al. Design of a 15-MHz CMOS Continuous-Time Filter with On-Chip Tuning// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1991. - Vol. sc-26,N12.-P. 1988- 1997.

8. Francesco Piazza et al. A 170MHz RF Front-End for ERMES Pager Applications// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 324 - 325.

9. Gwilym Luff et al. A Single-Chip VHF and UHF Receiver for Radio PagingП IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1991.- P. 120-121.

10. John F.Wilson et al. A Single-Chip VHF and UHF Receiver for Radio PagingII IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1991. - Vol. sc-26, N 12. - P.1944 . 1950.

11. Cliikou Takashi et al. A 1.9 GHz Si Direct Conversion Receiver IC for QPSK Modulation Systems// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 138 - 139.

12. Christopher Dennis Hull et al. A Direct-Conversion Receiver for 900 MHz (ISM Band) Spread-Spectrum Digital Cordless Telephone// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 12. - P. 1955 - 1963.

13. Wemer Baumberger. A Single-Chip Image Rejecting Receiver for the 2.44 GHz Band Using Commercial GaAs-MESFET Technology// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N 10. - P. 1244 - 1249.

14. Jan Crols et al. A Fully Integrated 900MHz CMOS Double Quadrature Downconverter// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 136 - 137.

15. Mark Gehring et al. A Sequential Gain IC For Miniature Short-Range Battery-Powered Wireless Data Receivers// IEEE International Solid-State Circuits Conference/Digest of Technical Papers. - 1995. - P. 142 - 143.

16. Stefan Heiner et al. A 3.0V 2GHz Transmitter IC for Digital Radio Communication with Integrated VCOs// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 146- 147.

17. Satoshi Tanaka et al. A 3V MMIC Chipset for 1.9GHz Mobile Communication Systems// IEEE International Solid-State Circuits Conference./ Digest of Teclmical Papers. 1995. - P. 144 - 145.

18. Chris Marshall et al. A 2.1 GSM Transceiver IC's with On-Chip Filtering// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Teclmical Papers. 1995. - P. 148 - 149.

19. Kazuya Yamamoto et al. A Single-Chip GaAs RF Transceiver for 1.9-GHz Digital Mobile Communication Systems// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 12. - P. 1964 - 1973.

20. Hisayasu Sato et al. A 1.9-GHz Single Chip IF Transceiver for Digital Cordless Phones// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 12. - P. 1974 - 1980.

21. Trudy Stetzler et al. A 2.7V to 4.5V Single-Chip GSM Transeiver RF Integrated Circuit// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 150 - 151.

22. Asad A.Abidi. Direct-Convertion Radio Transceivers for Digital Communications// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 186 - 187.

23. Kazuya Yamamoto et al. A 1.9-GHz-Band GaAs Direct-Quadrature Modulator IC with a Phase Shifter// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1993.- Vol. sc-28, N 10. P. 994 - 1000.

24. Bennett C.Wong et al. A 200-MHz All-Digital QAM Modulator and Demodulator in 1,2jim CMOS for Digital Radio Applications// IEEE Journal of Solid-State Circuits. -1991. Vol. sc-26, N 12. - P. 1970 - 1980.

25. Charls Chien et al. A Single-Chip 12.7Mchips/s Digital IF BPSK Direct Sequence Spread-Spectrum Trasceiver in 1,2pm CMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N 12. -P. 1614 - 1624.

26. Robert A.Hawley et al. A 300 MHz Digital Double-Sideband to Single-Sideband Converter in ljam CMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits.- 1995,- Vol. sc-30, N1,- P. 4-10.

27. Jan-Erik Eklund et al. A Multiple Sampling, Single A/D Conversion Technique for I/Q Demodulation in CMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits.- 1996. Vol. sc-31, N 12. - P. 1987 - 1994.

28. Alex G.Dickinson et al. Adiabatic Dynamic Logic// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1995. - Vol. sc-30, N 3. - P. 311 - 315.

29. Thad Gabara et al. Ail integrated System Consisting of an 8x8 Adiabatic PPS Multiplier Powered by a Tank Circuit// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 316 - 317.

30. Feng Chen et al. A 0.25mW Low-Pass Passive Sigma-Delta Modulator with Built-In Mixer for a 10-MHz IF Input// IEEE Journal of Solid-State Circuits.- 1997. Vol. sc-32, N 6. - P. 774 - 782.

31. David H.Shen et al. A 900-MHz RF Front-End with Integrated Discrete-Time Filtering/./ IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc31, N12.-P. 1945 1953.

32. Armond Hairapetian. An 81-MHz IF Receiver in CMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 12. - P. 1981 - 1986.

33. Peter Nilsson et al. A Custom Digital Intermediate Frequency Filter for the American Mobile Telephone System// IEEE Journal of Solid-State Circuits. -1997. Vol. sc-32, N 6. - P. 806 - 815.

34. Benjamin M.Gorden et al. A 1,2mW Video-Rate 2D Color Subband Decoder// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 290 - 291.

35. Ricardo Gonzalez et al. Supply and Threshold Voltage Scaling for Low Power CMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 8. -P. 1210-1216.

36. Chi-Chang Wang et al. Efficiency Improvement in Charge Pump Circuits// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 6 . - P. 852 - 860.

37. F.Silveira et al. A gm/Id Based Methodology for the Design of CMOS Analog Circuits and Its Application to the Synthesis of a Silicon -on -Insulator Micropower OTA// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N9. P. 1314-1319.

38. Akira Mtsuzawa. Low-Voltage and Low-Power Circuit Design for Mixed Analog/Digital Systems in Portable Equipment// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N 4. - P. 470 - 480.

39. Jeroen Fonderie et al. Operational Amplifier with 1-V Rail-to-Rail Multipath-Driven Output Stage// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1991. -Vol. sc-26,N12.-P. 1817 - 1824.

40. Jeroen Fonderie et al. An Operational Amplifier with IV Rail-to-Rail Multi-Path-Driven Output Stage// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Teclmical Papers. 1991. - P. 276 - 277.

41. J.Fonderie el al. 1-Volt Operational Amplifier with Rail-to-Rail Input and Output Ranges// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1989. - P. 64 - 65.

42. Katsuji Kimura. A Bipolar Low Voltage Quarter-Square Multiplier with a Resistive Input Based on the Bias Offset Technique// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, - P. 258 - 266.

43. J.Mulder et al. A Reduced-Area Low-Power Low-Voltage SingleEnded Differential Pair// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc32, N2. -P. 254 -257.

44. M. G. Johnson. An input-free Vt extractor using a two-transistor differential amplifier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1993. - Vol. sc-28, N6.-P. 704- 705.

45. Ruud G.H.Esehausier et al. A programmable 1.5V CMOS Class-AB Operational Amplifier with Hybrid Nested Miller Compensation for 120dB Gain and 6MHz UGF// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N12. P. 1497 - 1504.

46. Rob van Dongen et al. A 1.5V Class AB CMOS Buffer Amplifier for Driving Low-Resistance Loads// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Teclmical Papers. 1995. - P. 48 - 49.

47. Phillip E.Allen et al. A IV CMOS Opamp Using Bulk-Driven MOSFET's// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 192 - 193.

48. Eric A.Vittoz. MOS Transistors Operated in the Lateral Bipolar Mode and Their Application in CMOS Technology// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1983. - Vol. sc-18, N 3. - P. 273 - 279.

49. W.Timothy et al. A Compact Low Noise Operatinal Amplifier for a 1.2 jim Digital CMOS Technology// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1995. -Vol. sc-30, N6. -P. 710-714.

50. Yasuyuki Matsuya et al. IV Power Supply, Low-Power Consumption A/D Convertion Technique with Swing-Suppression Noise Shaping// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N 12. - P. 1524 - 1530.

51. Tsuneo Tsukahara et al. A 2-V 2-GHz Si-Bipolar Direct-Conversion Quadrature Modulator// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc31, N2. P. 263 -267.

52. Mehmet Soyuer et al. A 2.4-GHz Silicon Bipolar Oscillator with Integrated Resonator// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N2. - P. 268 -270.

53. Rainer Kokozinski et al. Microwave Wideband Amplifiers in Bulk-CMOS and CMOS/SIMOX Technologies// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 188 - 189.

54. Jan Cranincky et al. A CMOS 1.8GHz Low-Phase-Noise Voltage-Controlled Oscillator with Prescaler// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 266 - 267.

55. Navid Foroudi et al. CMOS High-Speed Dual-Modulus Frequency Divider for RF Frequency Synthesis// IEEE Journal of Solid-State Circuits.1995. Vol. sc-30, N 2. -P. 93 - 100.

56. Mehmet Soyuer et al. A 3-V 4-GHz nMOS Voltage-Controlled Oscillator With Integrated Resonator// IEEE Journal of Solid-State Circuits.1996. Vol. sc-31, N 12. -P. 2042 - 2045.

57. Katsuyoshi Washio et al. An All-Band TV Tuner IC with 10-GHz/100-V Mixed Analog/Digital Si Bipolar Technology// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1992. - Vol. sc-27, N9. - P. 1264 - 1266.

58. Karanicolas A.N. A 2.7-V 900-MHz CMOS LNA and Mixer// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 12. - P. 1939 - 1944.

59. Renuka P.Jindal et al. Gigaherz-Band High-Gain Low-Noise AGC Amplifiers in Fine-Line NMOS// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1987. -Vol. sc-22,N4.-P. 512 - 520.

60. Kazuhiko Honjo et al. Low-Noise, Low Power Dissipation GaAs Monolithic Broad-Band Amplifiers// IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 1983. - Vol. 31, N 5. - P. 412 - 417.

61. Wendall C.Petersen et al. A Monolithic GaAs DC to 2-GHz Feedback Amplifier// IEEE Transactions on Electron Devices. 1983. - Vol. 30, N 1. - P. 27 - 29.

62. Kazuhiko Honjo et al. Ultra-Broad-Band GaAs Monolithic Amplifier// IEEE Transactions on Electron Devices. 1982. - Vol. 29, N 7. - P. 1123 - 1129.

63. Beom Kyu Ко et al. A Comparative Study on the Various Monolithic Low Noise Amplifier Circuit Topologies for RF and Microwave Applications// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 8. - P. 1220 - 1225.

64. Kevin W.Kobayashi et al. GaAs HBT Multifunctional Microwave Analog Variable Gain Amplifier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. -Vol.sc-29, N 10. - P. 1257- 1261.

65. J.Fichel et al. Design and Applications of Tunable Analog BiCMOS Circuits// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1992. - Vol. sc-27, N 7. - P. 1101 -1104.

66. Lothar Schmidt et al. Continuously Variable Gigahertz Phase-Shifter IC Covering more than One Frequency Decade// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1992. - Vol. sc-27, N 6. - P. 854 - 862.

67. Kevin W.Kabagashi et al. InAlAs/InGaAs HBT X-band DoubleBalanced Up Converter// IEEE journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc29, N10.- P. 1238 1243.

68. Hans-Martin Rein et al. A Symmetrical Analog Wide-Band Multiplier IC Operating up to 8GB/s.// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1991. - P. 118 - 119 .

69. Keng Leong Fong et al. A Class AB Monolithic Mixer for 900-MHz Applications// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 8. -P. 1166- 1172.

70. Barrie Gilbert. The MICROMIXER: A Highly Linear Variant of the Gilbert Mixer Using a Bisymmetric Class-AB Input Stage// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N. - P. 1412 - 1423.

71. Farbod Behbarhani et al. A Low Distortion Bipolar Mixer for Low Voltage Direct Up-Conversion and High IF Systems// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 9. - P. 1446 - 1450.

72. John R.Long et al. A Low-Voltage Silicon Bipolar RF Front-End for PCN Receiver Applications// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 140 - 141.

73. Shuichj Fujita et al. DC-10GHz Mixer and Amplifier GaAs ICs for Coherent Optical Heterodyne Receiver// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1991. - P. 122 - 123.

74. Shuichi Fujita et al. DC to 10GHz Mixer and Amplifier GaAs IC's for Coherent Optical Heterodyne Receiver// IEEE Journal of Solid-State Circuits.1991. Vol. sc-26, N 12. - P. 1847 - 1852.

75. Shi-Cai Qin et al. A +5-V CMOS Analog Multiplier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1987. - Vol. sc-22, N 6. - P. 1143 - 1146.

76. Francis J. Kub et al. Programmable Analog Vector-Matrix Multipliers// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1990. - Vol. sc-25, N 1. - P. 207 - 214.

77. Ho-Jun Song et al. An MOS Four-Quadrant Analog Multiplier Using Simple Two-Input Squaring Circuits with Source Followers// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1990. - Vol. sc-25, N 3. - P. 841 - 848.

78. Jesus S. Pena-Finol et al. A MOS Four-Quadrant Analog Multiplier Using the Quarter-Square Technique// IEEE Journal of Solid-State Circuits. -1987,- Vol. sc-22, N 6. P. 1064 - 1073.

79. David C.Soo et al. A Four-Quadrant NMOS Analog Multiplier// IEEE J. Solid-State Circuits. 1982. - Vol. sc-17, N 6. - P. 1174 - 1177.

80. C.W.Kim et al. New Four-Quadrant CMOS Analog Multiplier// Electronic Letters. 1987. - Vol. 23, N 24. - P. 1268 - 1270.

81. Klaass Bult el al. A Class of Analog CMOS Circuits Based on the Square-Law Characteristic of an MOS Transistor in Saturation/./ IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1987. - Vol. sc-22, N 3. - P. 357 - 365.

82. Zhenhua Wang. A CMOS Four-Quadrant Analog Multiplier with Single-Ended Voltage Output and Improved Temperature Performance// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1991. - Vol. sc-26, N 9. - P. 1293 - 1301.

83. Hamid Reza Mehrvarz et al. A Novel Multi-Input Floating-Gate MOS Four-Quadrant Analog Multiplier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. -Vol. sc-31,N8.-P. 1123-1131.

84. Hamid Reza Mehrwarz et al. A Large-Input-Dynamic-Range MultiInput Floating-Gate MOS Four-Quadrant Analog Multiplier// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Technical Papers. 1995. - P. 60 - 61.

85. D.M.W.Leenaerts et al. A 3.3V 625kHz Switched-Current Multiplier// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1996. - Vol. sc-31, N 9. - P. 1340 - 1343.

86. D.G.Haigh et al. Synthesis of transconductor/multiplier circuits for gallium arsenide technology// IEEE Transactions on Circuits and Systems.1992. Vol. 39, N2. - P. 81-92.

87. N. Haralabidis el al. A Transimpedance CMOS Multichannel Amplifier with a 50-Q Wide Output Range Buffer for High Counting Rate Applications// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1997. - Vol. sc-32, N 1. - P. 135 - 138.

88. Mark Irgels et al. A CMOS 18THzQ 240 Mb/s Transimpedance Aplifier and 155Mb/s LED-Driver for Low Cost Optical Fiber Links// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1994. - Vol. sc-29, N 12. - P. 1552 - 1559.

89. Robert Bayruns et al. A 5k 2GHz GaAs Transimedance Amplifier Using a Low-Noise Active Load// IEEE International Solid-State Circuits Conference/ Digest of Teclmical Papers. 1991. - P.272 - 273.

90. D.G.Haigh et al. High Frequency GaAs Transcondactors and Other Building Blocks For Communications// IEEE. -1990. — Vol. , N. P.1731-1735.

91. C.J.M.Verhoeven. A High-Frequency Electronically Tunable Quadrature Oscillator// IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1992. - Vol. sc-27, N 7. - P. 1047-1100.

92. В.И. Старосельский, Ю.М.Кобзев. Высоколинейныеширокополосные усилительные каскады для GaAs ПТШ интегральной технологии// Известия ВУЗов. Электроника. 1997. - N 1. - С. 63 - 67.

93. Кобзев Ю.М. Высоколинейные сверхширокополосные усилительные каскады для GaAs ПТШ интегральной технологии// Материалы Московской конференции «Студенческая научная осень-94», часть 3. М.: МИФИ, 1995. С. 72 - 74.

94. Исследование и развитие методов проектирования микросхем повышенной степени интеграции на основе арсенида-галлия для систем связи, телевидения и радиоизмерительной аппаратуры// Отчет НИР. УДК 621.3.049.77. Г.р. N У78478/4000015. - 1995. 60 с.

95. Кобзев Ю.М., Старосельский В.И., Суэтииов В.И. Усилительный каскад// патент на изобретение №2099856, приоритет от 9.12.94, Роспатент.

96. Кобзев Ю.М. КМОП ШПУ со сверхнизким напряжением питания// Тез. докл. Всероссийской научно-технической конференции «Электроника и информатика» (1995 г.). Москва, 1995. - С. 35.

97. Ю.Кобзев, В.Эннс. К1446УДХ серия операционных усилителей фирмы «Ангстрем»// Chip News. - 1997. - N 4. - C. 33 - 36.

98. Ю.М.Кобзев. Элемент с квазиквадратич ной проходной характеристикой на юазе GaAs ПТШ// Сборник научных трудов МИЭТ под реакцией И.Н.Сорокина. Москва: МИЭТ, 1996. - С. 194 - 200.

99. Ю.М.Кобзев, В.И.Эннс. Принцип проектирования радиочастотных интегральных КМОП схем со сверхнизким напряжением питания// Сборник научных трудов МИЭТ под реакцией И.Н.Сорокина. -Москва: МИЭТ, 1996. - С. 201-206.

100. В.Н.Данилин, А.И.Кушниренко, Г.В.Петров. Аналоговые полупроводниковые интегральные схемы СВЧ. М.: Радио и связь, 1985. -194 с.

101. Lihsin Liu et al. Computer-Aded Design for Quality (CADQ)// AT&T Technical Journal. 1990. - May/June. - P.

102. В.И. Капустян. Активные RC фильтры высокого порядка. М.: Радио и связь, 1985 г. - 248 с.

103. В.Д. Разевиг. Система схемотехнического моделирования и проектирования печатных плат Design Center PSpice. М.:СК Пресс, 1996 г.- 268 с.

104. Кравченко Л.Н., Старосельский В.И. , Суэтинов В.И., Тимошенков В.П. Широкополосной усилитель. A.C. N 1239837 СССР, НКИ НОЗ F 3/42. Бюл. № 23, 23.06.86.

105. Артеменков A.B. Старосельский В.И. Формализованная модель полевого транзистора и комплекс программ автоматического расчета параметров// Изв. ВУЗов СССР Радиоэлектроника. - 1987. - Т. 30. N 6. -С. 57 -63.

106. Миндеева A.A., Кобзев Ю.М., Тимошенков В.П. Лабораторный практикум по курсу «Элементная база систем связи:». Под. ред. В.П. Тимошенкова. М.: МИЭТ, 1998. 40 с.