автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов

ВВЕДЕНИЕ.

1. АНАЛИЗ ВОЗМОЖНОСТИ СОЗДАНИЯ СБИС НА ПЗС СО ВСТРОЕННОЙ ОБРАБОТКОЙ АНАЛОГОВЫХ И ЦИФРОВЫХ СИГНАЛОВ

1.1. ИС на ПЗС для приема и обработки оптической информации.

1.2. Применение ПЗС для задержки аналогового сигнала.

1.3. Тестовые структуры на основе приборов с зарядовой связью.

1.4. Выводы к главе 1.

2. ФИЗИЧЕСКИЕ ОГРАНИЧЕНИЯ И ОСНОВЫ РАСЧЕТА АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ ПЗС СБИС.

2.1. Анализ преобразования сигналов в ФПЗС с внутренней обработкой информации.

2.2. Расчет частотно-контрастной характеристики ФПЗС с адаптацией к сигналу изображения.

2.3. Расчет параметров линии задержки на ПЗС для декодера цветного телевизора.

2.4. Физические ограничения и оптимизация ПЗС для контроля технологии.

2.5. Однокристальное фотоприемное устройство с зарядовой связью.

2.6. Выводы к главе 2.

3. СХЕМЫ ФОРМИРОВАНИЯ И ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ ПЗС.

3.1. Схемы ввода и детектирования заряда.

3.2. Формирователи тактовых импульсов.

3.3. Генератор смещения подложки.

3.4. Аналого-цифровой преобразователь на основе ПЗС.

3.5. Выводы к главе 3.

4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СБИС НА ПЗС.

4.1. ФПЗС с внутренней обработкой информации.

4.2. ФПЗС с адаптацией к сигналу изображения.

4.3. ИС линии задержки на ПЗС для цветного телевизора.

4.4. Линейные ФПЗС для считывателя штриховых кодов.

4.5. Контроль качества кремниевых подложек с помощью ПЗС

4.6. Измерение захваченного заряда в диэлектрике с помощью ПЗС.

4.7. Выводы к главе 4.

5. ПРИМЕНЕНИЕ СБИС ПРИЕМА И ОБРАБОТКИ СИГНАЛА НА ОСНОВЕ

5.1. Фотоприемное устройство для измерителя линейных размеров.

5.2. Устройство считывания отпечатков пальцев.

5.3. ПЗС - сканер для считывания штриховых кодов.

5.4. Выводы к главе 5.'.

Специфические особенности приборов с зарядовой связью (ПЗС), такие как большой динамический диапазон принимаемого и обрабатываемого аналогового сигнала (>60дБ), большое количество элементов переноса заряда, хорошая однородность характеристик от элемента к элементу, позволили разработать различные интегральные схемы (ИС) на основе ПЗС: линейные фоточувствительные ИС с числом элементов более 7000, матричные фоточувствительные ИС с числом элементов до 8 000x8 000, ИС запоминающих устройств, ИС задержки и фильтрации аналогового сигнала, ИС обработки аналоговых и цифровых сигналов. Поток информации, принимаемый фоточувствительным ПЗС (ФПЗС), составляет 107 — 109 бит/с и требует для обработки применения специализированных быстродействующих ЭВМ, что существенно увеличивает габариты и стоимость аппаратуры на основе ПЗС. В то же время аналоговое представление информации в ПЗС в виде зарядовых пакетов накладывает определенные ограничения на схемотехнику элементов ПЗС. Известные решения этих проблем за счет существенного усложнения конструкции ПЗС организации произвольного доступа к каждой ячейке ПЗС, осуществлении взаимодействия двух ПЗС друг с другом либо делают нереальным разработку таких приборов, либо сильно увеличивают стоимость самого ПЗС. Решить эти проблемы можно как за счет параллельной обработки информации на уровне зарядов в самом ПЗС, так и с помощью расположения на кристалле ПЗС схем обработки информации. Осуществление такой возможности является актуальной задачей микроэлектроники и позволяет существенно сократить время обработки больших массивов оптической информации.

Значительное количество управляющих сигналов ПЗС, амплитуда которых обычно составляет >10В, необходимость преобразования напряжения в заряд при вводе сигнала в ПЗС и обратного преобразования при выводе приводят к существенному усложнению схем обрамления ПЗС, повышению потребляемой ими мощности, изменению амплитуды и постоянной составляющей информационного сигнала при его передаче по ПЗС. Обычные способы решения этих проблем, заключающиеся в использовании стандартных схем повышения уровня импульсного сигнала и операционных усилителей для корректировки коэффициента передачи информационного сигнала не обеспечивают высоких рабочих частот обрабатываемого сигнала и приводят к значительным величинам потребляемой мощности. Поэтому создание схем обрамления, располагаемых на одном : кристалле с ПЗС, обеспечивающих минимальное потребление ( 1 мощности и работу ИС на ПЗС без внешних подстроек, также | I является актуальной задачей современной микроэлектроники и ! I позволяет существенно сократить габариты устройств с применением СБИС на ПЗС.

Одна из особенностей ПЗС - высокая чувствительность к различного рода дефектам исходной подложки и возникающим в процессе прохождения технологического маршрута. Это свойство долгое время сдерживало массовый выпуск ПЗС, а в настоящее время ограничивает число фирм, имеющих достаточный уровень технологии для их производства. Приведенные в ряде работ результаты исследования ПЗС позволяли авторам делать выводы о качестве используемых материалов и технологических процессов. Однако эти работы содержат частные, не претендующие на общность результаты. Принципы использования ПЗС в качестве тестовых структур в них не развиты, что не позволяет правильно выбирать как геометрические характеристики самих тестовых структур, так и производить оценку процента выхода годных СБИС по результатам измерения параметров тестовых структур. Создание научных основ разработки и разработка новых видов элементной базы СБИС на ПЗС со встроенной обработкой сигнала, обеспечивающей улучшение параметров аппаратуры на их основе и расширение областей применения ПЗС за счет более полного использования функциональных особенностей ПЗС.

Цель достигается путем решения следующих задач:

1.Разработка научных основ встроенной обработки сигнала в поле ПЗС с классической матричной организацией электродной структуры.

2.Разработка моделей и методов расчета ПЗС со встроенной обработкой сигнала различного функционального назначения.

3.Разработка и развитие физических принципов использования ПЗС в качестве тестовых структур для контроля технологии и параметров технологических слоев СБИС со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МДП).

4.Разработка новых схемотехнических решений элементов переноса заряда и создание на их основе СБИС на ПЗС.

5.Создание новых конструкций схем обрамления ПЗС, располагаемых на одном кристалле с ПЗС, и обеспечивающих передачу аналогового сигнала через ПЗС без искажений и работу СБИС ПЗС без внешних подстроек.

6.Топологическое проектирование и экспериментальные исследования СБИС ПЗС на основе разработанных схемотехнических решений и использование их в перспективных электронных устройствах.

Работы, вошедшие в диссертацию, выполнялись в обеспечение следующих руководящих документов: Постановление ЦК КПСС и СМ СССР № 560-183 от 30.Об.80г.; Постановление ЦК КПСС и СМ СССР № 487-167 от 01. Об. 83г.; Приказ организации п/я 1501 от 24.06.83г. № 197; Постановление ЦК КПСС и СМ СССР № 554-164 от 13.05.86г.; Постановление Правительства Москвы № 406 от 07.05.1996г. "Об утверждении и введении в действие Положения о внедрении штрихового кодирования продукции (товаров), реализуемой на потребительском рынке г. Москвы."; Постановление Правительства Москвы № 479 от 01.07.1997г. "Об утверждении Московской региональной программы штрихового кодирования и технологий их использования в управлении ресурсами жизнедеятельности города".

Диссертация состоит из 5-ти глав, заключения и приложений.

Первая глава посвящена анализу специфических особенностей ПЗС, обусловивших их использование для приема и обработки аналогового сигнала.

Во второй главе приведены теория и основы расчета ПЗС ИС приема и обработки аналогового сигнала.

В третьей главе описаны новые конструкции схем формирования и обработки аналогового сигнала ПЗС, располагаемые на одном кристалле с ПЗС и не требующие внешних подстроек.

В четвертой главе приведены результаты экспериментального исследования нескольких типов ИС на ПЗС как с оптическим так и с электрическим вводом информации.

В пятой главе приведены результаты применения разработанных ИС на ПЗС в конкретных устройствах.

В заключении сформулированы основные выводы по диссертации.

В приложении приведены акты внедрения результатов работы.

На защиту выносятся:

1. Научные основы встроенной обработки сигнала в поле ПЗС с классической организацией матричной структуры, заключающейся в делении и суммировании заряда при его переносе по ПЗС, алгоритмы обработки сигнала и конструкции, их реализующие. При этом обеспечиваются:

• сокращение до двух порядков величины времени определения параметров простых изображений;

• адаптация траектории движения заряда в поле матрицы к вектору скорости движения изображения;

• аналого-цифровое преобразование сигнала на кристалле ПЗС.

2. Метод расчета частотно-контрастной характеристики матричных ФПЗС, работающих в режиме временной задержки и накопления, учитывающий, в отличие от известных, рассогласование углов между направлением движения заряда и вектором скорости движения изображения.

3. Новые схемотехнические решения устройств электронного обрамления, располагаемых на одном кристалле с ПЗС, обеспечивающие:

• работу ПЗС без внешних подстроек управляющих сигналов,

• минимизацию рассеиваемой мощности при подаче тактового питания на электроды ПЗС,

• работоспособность ПЗС при пониженном постоянном напряжении питания (до +5В) ,

• передачу аналогового сигнала через ПЗС без искажений (с сохранением постоянной и переменной составляющих сигнала),

• преобразование аналогового сигнала в цифровой на частоте работы ПЗС.

4. Метод контроля технологических процессов при изготовлении ИС со структурой металл-диэлектрик-полупроводник с помощью разработанных тестовых структур ПЗС, обеспечивающий определение процента выхода годных ИС, обусловленных локальной генерацией носителей заряда, величиной плотности поверхностных состояний, разбросом времени терморелаксации. (Конфигурация и количество тестовых ПЗС определяются типом измерений и могут встраиваться в тестовые кристаллы, изготавливаемые одновременно с исследуемыми ИС.).

5. Линейные и матричные ПЗС со схемами электронного обрамления на одном кристалле, реализующие встроенную обработку сигнала и обеспечивающие минимизацию аппаратурных затрат и ускорение настройки аппаратуры на их основе.

Результаты диссертационной работы опубликованы в 54 статьях, в том числе 7 без соавторов, 14 авторских свидетельствах на изобретения и патентах, представлены и обсуждены на следующих конференциях и совещаниях: Первая всесоюзная конференция "Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью", Ташкент, 1977г.; VI Всесоюзное совещание по физике поверхностных явлений в полупроводниках, Киев, 1977г./ III Всесоюзная конференция по вычислительной оптоэлектронике "Проблемы оптической памяти", Ереван, 1987г.; Шестая всесоюзная школа-семинар по оптической обработке информации, Фрунзе, 1986г.; V отраслевая научно-техническая конференция "Аналитические методы исследования материалов и изделий микроэлектроники", Черновцы, 198 9г; VI республиканская конференция "Физические проблемы МДП-интегральной электроники", Севастополь, 1990г.; XI всесоюзная научно-техническая конференция по фотоэлектронным приборам "Новые принципы формирования ТВ изображений", Ленинград, 1990г.; Научно-технический семинар "Пути развития элементной базы и совершенствования технологии изготовления РЭА", Севастополь, 1990г.; Всесоюзная научно-техническая конференция "Метрологические проблемы микроэлектроники", Москва (пос. Менделеево), 1991г.; IV научно-техническая конференция с международным участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе", Геленджик, 19 92г; Научно-технический семинар "Проблемы развития оптоэлектроники", ЦНИИ "Циклон", Москва, 1994г.; Международная конференция "100-летие использования электромагнитных волн для передачи сообщений и зарождения радиотехники", Москва, 1995г.; Вторая всероссийская научно-техническая конференция с международным участием "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Таганрог, 1995г; Международная конференция "Фотонные системы экологического мониторинга", Прага, дек.1996г., Третья международная конференция "Распознавание-97", Курск, 1997г., Международная конференция "Ecology of Cities", Родос, Греция, 8-12 июня 1998г.; Международная конференция DCCN'97, Тель-Авив, Израиль, ноябрь, 1997г.

Основные результаты, полученные при выполнении диссертационной работы, могут быть сформулированы следующим образом:

Разработаны научные основы встроенной обработки сигнала в поле ПЗС с классической матричной организацией электродной структуры.

Предложены, разработаны и исследованы новые конструкции матричных ФПЗС, обеспечивающие обработку видеосигнала в поле матрицы, что позволяет на один - два порядка сократить время определения параметров простых изображений и повысить отношение сигнал/шум для обрабатываемого сигнала, а также электронным образом согласовывать вектор скорости движения изображения и направление переноса заряда в ПЗС, работающем в режиме временной задержки и накопления. Последнее обеспечивает сохранение высокой контрастности принимаемого изображения и малое время адаптации фотоприемника к внешнему сигналу и не требует применения механических узлов для ориентации ПЗС.

Предложена модель ПЗС ВЗН с адаптацией к сигналу изображения и метод расчета его частотно-контрастной характеристики, учитывающие рассогласование между направлением движения заряда в поле матрицы и вектором скорости движения изображения. Выполнен расчет ЧКХ для двух основных вариантов конструкций таких ПЗС ВЗН, разработаны, изготовлены и экспериментально исследованы оба варианта, проведено сравнение теоретических и экспериментальных результатов и выработаны рекомендации для их практического использования.

Обосновано использование ПЗС в качестве тестовых структур в технологии микроэлектроники. Показано, что на основе измерения тестовых ПЗС можно оценить влияние на процент выхода годных исследуемых СБИС плотности поверхностных состояний, разброса времени терморелаксации, наличия областей аномальной генерации носителей. Предложена конструкция ПЗС, обеспечивающая прямое измерение заряда, захватываемого либо освобождаемого при перезарядке ловушек в диэлектрике в динамическом режиме со временами перезарядки много меньше 1 с. Проведены экспериментальные исследования перезарядки ловушек в МНОП структуре с использованием ПЗС такой конструкции.

Предложены, разработаны и экспериментально исследованы устройства электронного обрамления ПЗС, позволяющие проектировать аналоговые СБИС ПЗС с минимальным количеством внешних управляющих сигналов, не требующие подстроек постоянных и переменных напряжений, работающие при понижении напряжения питания до +5В, обеспечивающие передачу электрического сигнала через СБИС ПЗС без изменения его параметров (с задержкой во времени), со встроенным аналого-цифровым преобразователем, работающим на тактовой частоте выходного регистра ПЗС.

Разработана СБИС линии задержки на ПЗС для блока цветности телевизоров систем ПАЛ и СЕКАМ. Экспериментальная проверка использования данной линии задержки (ЛЗ) в цветном телевизоре показала улучшение параметров изображения по сравнению с ультразвуковой ЛЗ. Обеспечивается работоспособность ЛЗ при напряжении питания +5В и рассеиваемой мощности не более 50 мВт.

Разработаны линейные ФПЗС с полным набором схем обрамления на одном кристалле с ПЗС, которые использованы в считывателе штриховых кодов. Выполненные разработки показали возможность создания однокристальных систем на ПЗС с высокими характеристиками.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе изложены научные основы создания ИС на ПЗС со встроенной обработкой сигнала, включая модели и методы расчета, разработку новых элементов ПЗС, способы управления переносом заряда, развитие схемотехники схем обрамления, обеспечивающих работу СБИС ПЗС без внешних подстроек, общий подход к использованию ПЗС в качестве тестовых структур для контроля технологических процессов изготовления МДП-схем. Внедрение результатов работы вносит значительный вклад в ускорение научно-технического прогресса в одном из приоритетных направлений электроники - разработке систем, в том числе оптико-электронных, на приборах с переносом заряда (ППЗ).

1. Секен К. , Томпсет M. Приборы с переносом заряда. М: Мир, 1978.

2. Носов Ю.Р., Шилин В. А. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. -М.: Сов. радио, 1976.-141с.

3. Носов Ю.Р., Шилин В. А. Основы физики приборов с зарядовой связью. М.: Наука, 1986.-319с.

4. Стенин В.Я. Применение микросхем с зарядовой связью. -М: Радио и связь, 1989.

5. Полупроводниковые формирователи сигналов изображения/Пер. с англ. Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Вилле и М. Уайта. -М.: Мир, 1979.

6. Кузнецов Ю.А. Приборы с зарядовой связью и матричные фотоприемные устройства//Электронная промышленность. 1993.-№ 6-7.-С.8-10.

7. Ракитин В.В., Сафонов А.Г., Седунов Б. И., Тишин Ю.И. Функциональные фотоприемники на приборах с зарядовой связью//Сб. Микроэл-ка и полупр. приборы. -1989, вып.10.-М.:"Радио и связь".-С.41-51.

8. Ракитин В.В., Сафонов А.Т., Седунов Б.И., Тишин Ю.И. Фотоприемники на ПЗС для датчиков координат.//Шестая всесоюзная школа-семинар по оптической обработке информации. Тезисы докладов, часть 2, сент.1986г.-Фрунзе.-С.204-205.

9. Тишин Ю.И. , Зимогляд В. А. Опыт по созданию приборов с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1994.-№ 6-7.-С.75-77.

10. A.C. 1187658, МКИ HOI L 31/16. Способ управления фотоприемником на приборах с зарядовой связью/В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Б.И.Седунов, Ю.И. Тишин -Заявл. 06.04.84; Опубл.1992 г., Бюл. №1.

11. A.C. 1176812, МКИ Н01 L 37/18. Устройство для определения координат изображения/А.А.Васенков, В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Ю.И.Тишин Заявл. 16.03.84; Опубл. 1992 г., Бюл. №1.

12. A.C. 1189300, МКИ Н01 L 27/10. Координатно-чувствительное устройство/С.Я.Беляев, В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Б.И.Седунов, Ю.И.Тишин Заявл. 16.03.84; Опубл. 1992 г., Бюл. №1.

13. A.C. 1263151, МКИ Н01 L 31/10. Координатно-чувствительное устройство/В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Б.И. Седунов, Ю.И.Тишин. -Заявл. 08.10.84; Опубл. 1992 г.; Бюл. №1.

14. Сафонов А.Г., Ракитин В.В., Тишин Ю.И. Матричный ФПЗС со встроенной обработкой информации//Тез. Докл. конф. "Новые принципы формирования телевизионных изображений". -Ленинград, сент.1990.-С.8-10.

15. Raterstraw D.J., Lucht R.P. and Dreir Т. Use of a charge-coupled device camera for broadband coherent anti-Stokes Raman scattering measurements.//Appl. Optics.-1989.-Vol.28, № 19.-P.4116-4120.

16. Epperson P.M. and Denton M. Binning Spectral Imagers in a Charge-Coupled Device.//Anal. Chem.-1989.-Vol.61.-P. 1513-1519.

17. A. С. 1090194, МКИ H01 L 27/10. Прибор с зарядовой связью с изменением направления переноса заряда/В.В.Ракитин, Б.И.Седуновг Ю.И.Тишин -Заявл. 05.07.82; Опубл.1997 г.; Бюл. №6.

18. Тишин Ю.И. , Сафонов А.Г. Формирователь видеосигнала на ПЗС с адаптацией к изображению для автоматизированных измерительных систем//Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.4(138). -С.3-6.

19. Кузьмин C.B., Пугачев A.A., Тишин Ю.И. Расчет пробивных напряжений ПЗС структур//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с заряд. связью и системы на их основе". -Геленджик, сент.-окт., 1992.-С.14-15.

20. Тишин Ю.И. , Лепендин A.B., Глухов Ю.Ф. Строчно-кадровый ФПЗС формата 512x512 элементов//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с заряд. связью и системы на их основе". -Геленджик, сент. -окт., 1992.-С.29.

21. A.C. 670021. МКИ H01L 27/10. Способ управления прибором с зарядовой связью./Лавренов A.A., Ракитин В.В., Тишин Ю.И. , Хайновский В.И.-Заявл.13.Об.1979; Опубл. 1997г.; Бюл. №6.

22. A.C. 701423. МКИ H01L 27/10.Фотоприемник с зарядовой связью./ Ракитин В.В., Тишин Ю.И. -Заявл.03.04.1978 ; Опубл. 1997г.; Бюл. №6.

23. Зубков В.И. , Ракитин В.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Линия задержки на ПЗС для СЕКАМ-декодера//Тез. докл. научно-техн. конф. Сер.З, Микроэлектроника. -1988.-Вып.4(287). -С.38-39.

24. Кузьмин C.B., Тишин Ю.И. Линия задержки на ПЗС для цветного телевизора с напряжением питания +5В//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с заряд. связью и системы на их основе".-Геленджик, сент.-окт. 1992.-С.91-92.

25. Кузьмин C.B., Тишин Ю.И. Линия задержки на ПЗС для цветного телевизора//Электронная промышленность.-1993.-№6-7.-С.27-28.

26. A.C. 1648206. МКИ G11 С 27/04. Линия задержки./А.Г,Сафонов, Ю.И. Тишин Заявл. 06.03.8 9; Опубл. 1997 г.; Бюл. №6.

27. Научно-технический отчет по НИР "Разработка линии задержки на ПЗС для цветного телевизора", шифр "Линия", 1991г.

28. Миропольский М.С., Чернов В.В., Ямщиков П. А. Линия задержки для телевизионных приемников пятого поколения//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе".-Геленджик, сент.окт., 1992г.-С.49.

29. Березин В.Ю., Котов Б.А., Татаурщиков С. С. 102 4-элементная аналоговая линия задержки на ПЗС//Электронная промышленность.-1982.-№7.-С.2 6-27.

30. Костюков Е.В., Марков А.Н., Работенко О. Г. и др. Применение ПЗС в качестве дискретно-аналоговых линий задержки//Техника средств связи, сер. Техника телевидения.-1983.-Вып.5.-С.4 6-4 9.

31. Sawer D.J. Desing and Performance of CCD Comb. Filter 1С//RCA Review.-1980.-Vol.41.-№1.-P.29-5б.

32. T.Mi ida, Y.Hasegava, T.Hagivara, H.Ohshiba. A CCD Video Delay Line with Charge-Integrating Amplifier//IEEE Journ. of Sol.-St. Circ.-1991.-Vol.26.-№12.-P.1915-1919.

33. Рябов H.И., Шилин В.А. Анализ тепловых режимов работы ФПЗС//Электронная промышленность.-1993.-№6-7.-С.93-97.

34. Отчет по НИР "Разработка элементной базы и выбор конструктивно-технологических вариантов СБИС ДОЗУ 16М", шифр "Элемент Т88", 1989, стр. 31-41.

35. Ильичев Э.А., Колясников В.А., Крючков С.М., Лавренов A.A., Ракитин В.В., Хайновский В.И. Исследование пространственно неоднородной генерации темнового заряда в ПЗС//Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника.-1978.-Вып.5.-С.3.

36. Диковская JI.JI. , Пресс Ф.П., Шилин В.А. Исследование дефектов в ПЗС//Тезисы докладов II Всесоюзной конференции "Теоретические основы, технология и перспективы применения ПЗС в изделиях электронной техники".-Ереван, 1979.-С.14.

37. Перфилов A.B., Хатунцев А.И. Генерация темнового сигнала в схемах с зарядовой связью//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-1984.-Вып.2.-С.6-9.

38. L. Jastrzebski, R.Soydan and others. The Effect of Heavy Metal Contamination on Defect in CCD Imagers// J. Electrochem. Soc.-1990.-Vol.137, No.1.-P.242-248.

39. G.A.Hawkins, E.A.Trabka and others. Characterization of Generation Currents in Solid-State Imagers//IEEE Trans, on Electron Dev.-1985.-Vol. ED-32, № 9.-P.1806-1816.

40. H. J.F.Peuscher and D.J.L.Beem. Yield Analysis and Improvement of CCD Devices//Solid State Techn.-1986.-Vol.29, №. 2.-P.111-115.

41. Нагин А.П., Тюлькин B.M. Деградационные явления в туннельных слоях термического Si02//Поверхность. Физика, химия, механика.-1983.-№ 8.-С.102-109.

42. Перевертайло В.Л. Процессы генерации и захвата носителей заряда в приборах с зарядовой связью и пути улучшения характеристик этих приборов: Диссертация на соискание ученой степени к.ф.-м.н.:05.27.01.-Защищена 1987г.-М., МИЭТ.-1987г.

43. Старикова Т.И., Тишин Ю.И. Время релаксации ОПЗ в неоднородно легированных МДП структурах//Тезисы первой всесоюзной конф."Теоретические основы и перспективы применения приборов с зарядовой связью".-Ташкент. 1977-С.72-74.50.

44. Старикова Т.И., Тишин Ю.И. Лавинный пробой полупроводника в неоднородно легированных МДП структурах//Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника.-1977.-Вып.3(69).-С.65-71.

45. Гергель В. А., Старикова Т.И.Г Тишин Ю.И. Релаксационные процессы в МДП структурах при больших напряжениях//Микроэлектроника.-1979.-Т.8, вып.4.-С.351-356.

46. Гергель В.А.Г Тишин Ю.И. Лавинный пробой в многоэлектродных МДП структурах//Микроэлектроника.-1982.-T.il, вып.2.-С.179-181.

47. Тишин Ю.И., Лепендин A.B., Романов С.Н., Прокофьева

48. B.К., Макеев М.Х. Оценка качества полупроводниковых подложек по параметрам ПЗС.//Тез. докл. научно-техн. конф. Сер.З, Микроэлектроника. -1989.-Вып.1(297).1. C.136.

49. Тишин Ю.И. г Лепендин A.B., Романов С.Н., Прокофьева

50. B. К., Макеев М.Х. Прибор с зарядовой связью для контроля качества полупроводниковых подложек//Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.3(137).-С.32-34.

51. Тишин Ю.И. Тестовые структуры на основе приборов с зарядовой связью//Микроэлектроника.-1991.-Т.20, вып.5.1. C. 440-445.

52. Алексеев Ю.А., Евтух A.A. Разделение влияния двуокиси и нитрида кремния на накопление заряда в МНОП-структурах//Электронная техника, сер.2, Полупроводниковые приборы.-1989.-Вып.2.-С.23-26.

53. Тишин Ю.И. Запоминающие устройства на ПЗС//Сер.Радиоэл-ка и связь. Сб. Приборы с зарядовой связью.-1983.-№ 9.-М.:"Знание".-С. 28-41.

54. Лепендин A.B., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Исследование устойчивости ДОЗУ к сбоям от а частиц//Тез. докл. координационного совещания "Развитие методовпроектирования и изготовл. интегральных запоминающих устр-в".-Москва, февр. 1988.-С. 178.

55. Беляев C.H., Колясников В.А., Ракитин B.B.r Старикова Т.И., Тишин Ю.И. , Энкович В.А. Характеристики электрически репрограммируемых МДП-элементов памяти с плавающими электродами//Микроэл-ка.-198 2.-Т.11, вып.2.-С. 152-157.

56. Ракитин В.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Характеристики накопителя на ПЗС с МНОП элементамипамяти//Микроэлектроника.-1982.-T.il, вып.2.-С.213-218.

57. Ракитин В.В. Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Матричный фотоприемник с памятью на ПЗС//Электронная промышленность.-198 3.-№ 8.-С. 81-83.

58. Гамолин Е.И., Лавренов A.A., Ракитин В. В., Тишин Ю.И. Исследование захвата заряда в МНОП структурах из ограниченного источника//Тезисы докл-ов VI Всесоюзн.совещ. по физике поверхи. явлений в полупр.-Киев: Наукова думка.-1977.-Ч. 1.-С.69-71.

59. Ракитин В.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Характеристики накопителя на ПЗС с МНОП элементами памяти//Микроэлектроника.-1982.-Т.11, вып. 2.-С. 213218

60. Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Захват заряда в МНОП структуре из ограниченного источника заряда//Микроэл-ка.-1981.-Т.10, вып.6.-С. 555-557.

61. Ракитин В.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Прямое измерение захваченного заряда в нитриде кремния//Электронная техника. Сер.З, Микроэлектроника. -1990.-Вып.3(137).-С.3-6.

62. A.C. 795347, МКИ Н 01 L 29/78. Полупроводниковое устройство./В.В.Поспелов, В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Ю.И.Тишин. Заявл. 21.09.79. Опубл. 1997г. Бюл. №6.

63. Лебедев Н.В. Телевизионная камера на ПЗС с регулируемыми параметрами//Техника средств связи, сер. "Техника телевидения".-1980.-Вып.3.-С.13-20.

64. V.Т.Abren and W.R.Srinner. Inversion of Fabry-Perot CCD images: use in Doppler Shift Measurements//Appl. Optics.-1989.-Vol.28, № 15.-P.3382-3386.

65. D.H.Lumb. Application of charge coupled devices to x-ray astrophysics missions//Nuclear Instruments and Methods in Physics Research.-1990.-A288.-P.219-226.

66. Патент ЕПВ 0509661A2, МКИ H04N3/15. Method of driving interline transfer type CCD imager. Приоритет 29.03.91.

67. Логунов JI.A. , Шилин В.А. Анализ частотно-контрастной характеристики фотодатчиков видеосигналов на ПЗС//Микроэлектроника.-1977.-Т.6, № 1.-С.40-48.

68. Вето А.В., Левин С.А., Пресс Ф.П., Шилин В.А. Машинный расчет ЧКХ формирователей видеосигналов на ПЗС//Тез. докл. республиканского семинара "Проблемы МДП-интегральной электроники".-Киев, 1976.-С.17.

69. J.C.Feltz and M.A.Karim. Modulation transfer function of charge-coupled devices//Applied Optics.-1990.-Vol.29, № 5.-P.717-722.

70. H.-S. Wong, Y.L.Yao, E.S.Schlig. TDI charge-coupled devices: Design and applications//IBM J. of Res. and Develop.-1992.-Vol.36, № 1.-P.83-106.

71. Худсон Д. Статистика для физиков.-М.:Мир, 1970.-255с.

72. Поспелов В.В., Сурис Р.А., Фетисов Е.А., Фукс Б. И., Хафизов Р.З. Новый способ определения плотностисостояний на поверхности полупроводника//Письма в ЖЭТФ.-1975.-Т.21, № 7.-С.448-451.

73. Гергель В.А., Миронов В.П., Ракитин В.В., Тишин Ю.И. , Чистилин А. А. Перспективы развития и предельные характеристики накопителей сверхбольших динамических ЗУ//Микроэлектроника.-1988.-Т.17, Вып.З.-С. 237.

74. T.Yamada, A.Fukumoto. Trench CCD Image Sensor//IEEE Trans. on Consumer Electronics.-1989.-Vol.35, No.3.-P.360-367.

75. Eric F. Fossum. A Novel Trench-Defined MISIM CCD Stucture for X-ray Imaging and Other Applications//IEEE Electron Device Letters.-1989.-V.10, № 5.-P.177-179.

76. Васильева JI. А., Костюков E.B.r Турилина JI. С., Шитова М.А. Серия линейных и матричных ПЗС с объемным переносом заряда//Тезисы докладов международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.57-60.

77. Гольдшер А. И. г Кучерский В. Р., Машков B.C. Быстродействующие многоканальные перестраиваемые микросхемы электроники обрамления приборов с зарядовой связью//Тезисы докладов международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.30-34.

78. A CCD Line Sensor with 512 Picture Elements from Sharp//JEE.-October, 1988.-P.26.

79. Европейский патент 90104812.4, МКИ G11C 19/28. Semiconductor device having charge transfer and itsperipherial circuit formed on semiconductor substrate.-Приоритет 14.03.89.

80. Single 5-V Power Supply, 256-Pixel Black-and-White Linear Sensor in a Clear Molded Package CCD Linear Sensor//SONY Semiconductor News.-1997, № 8.-P.18-19.

81. Yamagishi M. , Negishi M. and others. A 2 Million 69 Pixel FIT-CCD Image Sensor for HDTV Camera Systems//IEEE Trans, on El. Dev.-1991.-Vol.38, № 5.-P.976-980.

82. Приборы с зарядовой связью/Под редакцией Д.Ф.Варба. Перевод с английского под редакцией Р.А.Суриса. -М: Мир.-1982

83. Приборы с зарядовой связью/Под редакцией М.Хоувза, Д.Моргана. Перевод с английского.-М: Энергоиздат.-1981.

84. А.С. 1582891. МКИ HOI L 27/04. Устройство для преобразования напряжение-заряд. / А.Г.Сафонов, Ю.И.Тишин. -Заявл. 02.01.89; Опубл. 1997 г.; Бюл. №6.

85. Кляус Х.И., Крымский А.И. Влияние изгиба зон в инверсионном слое на линейность преобразования напряжения в заряд во входном устройстве приборов с зарядовой связью//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-198 9.-Вып.2.-С.31-3 6.

86. Зубец D.A. Быстродействующие аналоговые согласующие преобразователи для устройств на микросхемах с зарядовой связью: Диссертация на соискание ученой степени к.т.н.:05.27.01—Защищена 1988.-М., МИФИ.

87. Краснюк A.A. Телевизионные усилители считывания для микросхем с зарядовой связью//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе". -Геленджик, сент.-окт. 19 92.-С. 87-88.

88. Шилин В.А., Канунников А.И. Анализ элементов ввода и вывода ПЗС с учетом длительности фронтов управляющих импульсов//Электронная техника. Сер.2, Полупроводниковые приборы.-198 4.-№ 1.-С.26.

89. Шилин В.А., Фрост Н.И., Харитонов И.А. Оптимальное проектирование выходных устройств БИС на ПЗС//Электронная промышленность.-19 93.-№ 6-7.-С.90-93.

90. Hynecek J. High-resolution 8-шш CCD image sensor with correlated clamp sample and hold charge detection circuit//IEEE Trans, on El. Dev.-1986.-Vol.33.-№ 6.-P. 850-862.

91. Гольдшер А.И. , Краснюк A.A., Стенин В.Я. Разработка микросхем двойной выборки для фотодетекторов и фоточувствительных ПЗС//Тез. докл. международной конференции PhEM'96.-Прага, дек.1996.-С.41-43.

92. Гольдшер А. И. г Дик П. А., Кучерский В. Р., Машкова B.C. Быстродействующие двухуровневые преобразователи для управления приборами с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1993.-№ 6-7.-С.35-37.

93. Гольдшер А.И. Быстродействующие микросхемы управления приборами с зарядовой связью//Электронная промышленность.-1993.-№ 6-7.-С.57-67.

94. Патент РФ №1833099 AI. МКИ НОЗ К 5/02. Формирователь импульсного напряжения/Ю.И. Тишин. Заявл.05.06.89; Опубл. 1997 г.; Бюл. №5.

95. Зубков В. И., Ракитин В.В., Седунов Б. И., Тишин Ю.И. Интегральный генератор тактовых импульсов для ПЗС//Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника.-198 8.-Вып.1(125).-С.2 9-33.

96. Лепендин A.B., Тишин Ю.И. N-канальный генератор тактовых импульсов для ФПЗС//Тез. докл. IV конференции с международным участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе". Геленджик.-Сент.-окт., 1992.-С.14-15.

97. Пат. 1519001 Нидерландов, МКИ H01L 27/04. Improvments in arrangements for digitising an analog electric input signal/Philips Electronic and Associated Industries Limited (GB) .-№20844/75; Заявл. 16.05.1975; Опубл. 26.07.1978.

98. А.С. 845282. МКИ Н 03 К 13/18. Аналого-дискретный преобразователь /В.В.Ракитин, А.Г.Сафонов, Ю.И.Тишин -Заявл. 06.04.79; Опубл. 07.07.81; Бюл. №25.

99. А.С. 1340505. МКИ Н01 L 27/04 . Аналого-дискретный преобразователь/Ю.И. Тишин.

100. Заявл.17.12.85;Опубл.1997г.;Бюл. №6.

101. Зубков В. И., Ракитин В.В., Седунов Б.И., Тишин Ю.И. Интегральный генератор тактовых импульсов для ПЗС//Электронная техника. Сер. 3, Микроэлектроника.-1988.-Вып.1(125).-С.2 9-33.

102. J .V.Hatfield, S .A. Burke, J.Comer, and oth. A novel position-sensitive detector using an image-sensing integrated circuit//Rev. Sci. Instrum.-1992.-Vol.63, No.1.-P.235-240.

103. Пат. РФ 1254931. МКИ G11C 19/28. Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью/ Ю.И. Тишин. -Заявл. 07.09.83; Опубл. 1997г.; Бюл. №6.

104. Пат. РФ 1253352. МКИ G11C 19/28. Регистр сдвига на приборах с зарядовой связью/ Ю.И. Тишин. -Заявл. 07.09.83; Опубл. 1997г.; Бюл. №6.

105. James R. Janesick, J. Hynecek, M.M.Blouke. Virtual phase imager for Galileo//SPIE, Vol. 290, Solid State Imagers for Astronomy.-June 10-11, 1981.-P.165-173.

106. Тишин Ю.И. , Монтиков А.В. Блок цветности с линией задержки на ПЗС//Тез. докл. IV конф. с международнымучастием "Приборы с заряд. связью и системы на их основе". Геленджик.-Сент.-окт. , 1992.-С.92.

107. Миропольский М.С., Чернов В.В., Ямщиков П. А. Линия задержки для телевизионных приемников пятого поколения //Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с заряд. связью и системы на их основе". Геленджик.-Сент.-окт., 1992.-С.49.

108. Т.Mi idar Y.Ha sega va, T.Hagivara, H.Ohshiba. A CCD Video Delay Line with Charge-Integrating Ampiifier//IEEE Journal of Sol.-St. Circuits.-1991.-Vol.26, №.12.-P.1915-1919.

109. A.J.G.Spiekerman and G.L.Ouwerling. Improvement of the Transfer-Efficiency of a Junction CCD by modifying the

110. Diffusion-Mask Configuration//SPIE, Optical/Laser Microlithography II.-198 9.-Vol.108 8.-P.3 64-371.

111. Лепендин А.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Набор линейных фотоприемников на ПЗС со встроенными схемами обрамления//Тезисы докладов международной конф. "Фотонные системы экологического мониторинга".-Прага, 8-12 дек.1996.-С.39-40.

112. Лепендин А.В., Сафонов А.Г., Тишин Ю.И. Линейные фотоприемники на ПЗС на 2048 и 2716 элементов разложения//Тез. докл. второй всерос. конф. с междунар. участ. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники".-Таганрог, 1995г.-С. 71.

113. Сафонов А.Т., Тишин Ю.И. Выбор конструкции линейного ФПЗС для считывателя штриховых кодов//Сб. Материалов 3 международной конференции "Распознавание-97".-Курск, 1997.-С. 147-148.

114. Тишин Ю.ИСафонов А.Г., Лепендин А.В., Глухов Ю.Ф. Линейные фотоприемники на ПЗС с большим числомэлементов разложения//Электронная промышленность.-1994.-№ 7-8.-С.75-77.

115. Лепендин A.B., Тишин Ю.И. Интегральный N-канальный генератор тактовых импульсов для ФПЗС//Электронная промышленность.-1993.-№ 6-7.-С.54-55.

116. Арутюнов В.А. Новые функционально-ориентированные линейные ФПЗС для систем технического зрения//Тез. докл. IV конф. с международным участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе".-Геленджик, сент.-окт., 1992.-С.36-37.

117. Патент Японии 4-36461, МКИ H01L21/339, 29/796. Прибор с переносом заряда. -Приоритет 16.06.1992.

118. Прокофьева В.К., Суанов М.Е. Влияние переходных металлов IV группы на растворимость кислорода в жидком кремнии//Тез. докл. III Всесоюзной конференции "Термодинамика и материаловедение полупроводников".-М.:МИЭТ.-1986.-Т.26.-С.184.

119. Colas E.G., Weber E.R., Hahn S. Intrinsic gettering of iron in silicon//Mater. Issues Silicon Integr. Circuit Process: Symp., Palo Alto, Calif.-Apr.15-18 . , 1986.-P.13-20.

120. Timothy R. Corle. Submicron metrology in the semiconductor industry//Solid State Electronics.-1992.-Vol. 35, № 3.-P. 391-402.

121. Komert E. Melen, Stephen Williams. A high-precision, wide dynamic range CCD based image acquisitionsystem//SPIE. Integrated Circuit Metrology, Inspection and Process Control.-1987.-Vol. 775. -P. 134-137.

122. Leitz MPV CD Aphotometric line-width measuring system//ripocneKT фирмы Leitz, ФРГ.

123. Кокин С.А., Тишин Ю.И. Установка оперативного контроля микронных и субмикронных размеров//Электронная промышленность.-1994.-№7-8.-С.18 6-187.

124. Кокин С.А. г Тишин Ю.И. Оптический микроскоп с датчиком на ПЗС//Тез. докл. IV конф. с междунар. участием "Приборы с зарядовой связью и системы на их основе".-Геленджик, 27.09-2.10, 1992.-С.109.

125. Steven Mechels, Matt Young. Video microscope with submicrometer resolution//Applied optics.-1991.-Vol. 30, № 16.-P. 2202-2211.

126. Кокин С.А., Тишин Ю.И. Установка для измерения линейных размеров с датчиком на ПЗС//Тез. докл. Всесоюзной научно-технической конф. "Метрологические проблемы микроэлектроники".-Менделеево, моек, обл., июль 1991.-С. 44-45.

127. Cohen D.K., Cochran E.R., Ayres J.D. Development of an automatic focusing mechanism for an interference microscope//SPIE. Surface Characterization and Testing.II.-1989.-Vol.1164. -P. 128-133.

128. Pomposo Т., Awamura D., Ode T. Vertical Profiling, CD measurement, and 3D surface profiling with a Confocal Laser Scanning Microscope//SPIE. Surface Characterization and Testing II.-1989.-Vol. 1164. -P. 191-202.

129. Тишин Ю.И. Новые разработки элементной базы для информационно-вычислительных сетей//Электросвязь.-1998.-№7.-С.35-37.

130. Reports.-1997.-№.168.-P. 5 . 14 3. B.A.Abtohomob, B.M. Крупенниковr В.Б.Пушкарев,

131. Ю.И.Тишин. Чем штриховые коды полезны за рубежом и у нас//Путь к успеху.-1994.-№.1.-С.70-71.

132. Максимовский A.C. Штриховое кодирование товаров-М: "ТОО "Интерштрихкод", 1996.

133. Патент РФ 2071102. МКИ НОЗ К 5/02. Считыватель штриховых кодов./ Автономов В.А., Бекирев У.А., Полторацкий Э.А.Г Самсонов Н.С., Тишин Ю.И. Эаявл. 5.05.1993 г.; Опубл. 1997 г.; Бюл. №5.

134. Зеши руководителя И/Я ІГІ6331. JbOpSCOB1. TQPR Гв

135. Продприяше ц/я А-І63І передано 1Ш GO Ш ¿ издолші ШШ (ш~ податний форщрашголь сигналов изобішешш) лдя использования в снсзешх нвцороїшя полошшя пучка часішд в дешршгашхн&шшяслж п уегройсгвах ддашоошкп шшш*

136. MI. Седанов ВЛЗвЙІЕИТШ ¿l)* ¿'¿o ХІІіЗШл.1. Ii. Ношкевтеля предприятия1. Б.С.Борисов 1987 г.предприятия п/я А-І63І

137. В настоящее время предприятием п/я Р-632^ блок изготовлен и находится в стадии лабораторных испытаний.

138. Настоящий акт не является основанием для финансовых расчетов

139. Начальник отделения 8 Жуу^ ^ В.В.Ракитинж1. Начал шшо удела1. А.М .Панов1. Нач.лаб-МЗ1. Ю.И.Тяшинв &иженер лаб.813 ^¡(Л В.И.Зубков1. О ?< / .

140. КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО точного ЭЛЕКТРОННОГО МАШИНОСТРОЕНИЯ (КБТЭМ)1. Директору НИИФП Iим. Ф.В.Лукина т.Самсонову Н.С. 103460, г.Москва (Зеленоград)220763, г.Минск27 06 90г. № 124/3-^?^'• №

141. По вопросу поставки МФЇЇ-І

142. На Ваш исх.№ 13-81-03/755 от 25.04.90г.

143. Для исследования характеристик приборов МФП-І в составе разрабатываемого оборудования прошу поставить 3 прибора МФЇЇ-І в Ш кв.1990г. и 2 прибора в I кв. 1991г.

144. Оплату гарантируем. Наш расчетный счет 263016 в горуправлениі Промстройбанка г.Минска МФО 400462 ' п/и 220600.

145. В случае положительных результатов применения МФП-І ориентировочная потребность в этих приборах на 1992 год составит 20шт.

146. Главный инженер Главный бухгалтер

147. В.А.Зенькович Л.Н.Борисевич001995 *

148. Директору ГОСНИИФП САМСОНОВУ Н.С.103460, г.Москва

149. Зав. кафедрой ПКИМС д.т.н., арофессор1. Нач. НПК-1,г.н.1С " 1996 г.¡//^Г.ГЖазеннов

150. Ю.И. Тишин .'им**. 1996 г.1. V' ьи^ыА 1996 г.1. В.Н.Перминов1. УТВЕРЖДАЮ

151. Директор ГосНИИФП, .н., профессор4ЕГС.Сй!ИС«Ш>В1999г.1. АКТвнедрения результатов диссертационной работы Ю.И.Тишина "Приборы с зарядовой связью со встроенной обработкой сигналов".

152. Начальник НТО ГосНИИФП Гл. конструктор НИОКР Гл. Инженер ГосНИИФП1. Считыватель"1. О. Л. Ко лесник1. А.Г.Сафонов1999г. " С( " ОС1999г. " ¿У, Лх ОС1. Ю.И.Тишин 1999г.