-
2002
Ханин, Юрий Николаевич
Особое внимание к обнаружению и исследованиям резонансно-туннельных составляющих транспорта носителей заряда (каналов резонансного туннелирования) в GaAs/AlGaAs гетероструктурах обусловлено, в первую очередь, существенным, а часто и доминирующим, вкладом таких каналов в суммарный транспорт и возможностью практического использования явления
-
2002
Якунин, Сергей Николаевич
В последнее время для создания детекторов различных видов излучения используются полупроводниковые твердые растворы на основе соединений типа АгВб. Совсем недавно было продемонстрировано успешное применение CdxZni. хТе детекторов в рентгеновской томографии и для регистрации высокоэнергеги-ческих фотонов. Твердые растворы CdxHg!.xTe являются
-
2002
Галушко, Михаил Анатольевич
Известно [5, 9], что при превышении толщины пленки и ее НПР характерных критических значений, плотность ДН коррелирует с изменением толщины пленки и ее НПР. Кроме того, в гетероструктуре наблюдается асимметрия плотности дислокаций и их типа в плоскости гетерограниц [11]. Этот процесс перехода системы из когерентного состояния в некогерентное
-
2002
Барашев, Матвей Нестерович
Контроль качества таких структур с заданными физическими свойствами осуществляется различными способами, однако рентгеновская дифрактометрия является пока одним из наиболее экспрессных и эффективных неразрушающих методов определения параметров реальной структуры [4
-
2002
Хорин, Иван Анатольевич
Барьерные слои служат препятствием к межслойному взаимодействию и диффузии материала из верхних проводящих слоев в кремний. Обычно это сплавы тугоплавких металлов и их нитриды, Ti:W, TiN. Однако с внедрением в качестве материала проводящего слоя меди возникла необходимость в поиске новых материалов для барьерных слоев. Поэтому началось активное
-
2002
Гапонова, Дария Михайловна
Спектры фотолюминесценции, полученные при большой мощности оптического возбуждения, когда межзонная рекомбинация не ограничивается только основным переходом, а осуществляется и с возбужденных состояний размерного квантования, могут содержать информацию не только об энергетических уровнях, но и о распределении носителей по этим уровням
-
2002
Пак Хи Сок
-
2002
Никитин, Илья Владимирович
Особой проблемой, возникающей при проектировании и создании микросистем, является адекватный учет эффектов масштабирования и размерных факторов. Анализ эффектов масштабирования позволяет прогнозировать изменения функциональных параметров системы при пропорциональном изменении геометрических размеров элементов. Влияние размерных факторов может
-
2002
Дарбинян, Артур Владимирович
Сборка современных кристаллов ИС в составе однокристальных и многокристальных узлов микроэлектронной аппаратуры становится все более острой проблемой, поскольку возросла плотность монтажа кристаллов ИС на плате, количество выводных контактов кристаллов достигло 400 и более, при этом кристаллы характеризуются тактовыми частотами более 1 ГГц и
-
2002
Путря, Михаил Георгиевич
В ближайшем будущем возросшая плотность упаковки элементов и технологические ограничения предъявят еще более жесткие требования к изменению ширины линии по диаметру пластины, микрозагрузочному эффекту и привносимой дефектности
-
2002
Оболенский, Сергей Владимирович
Воздействие радиационного излучения приводит к образованию дефектов и ионизации полупроводника. Радиационные дефекты условно можно разделить на точечные (вакансия и атом в междоузлии), комплексы дефектов (например, вакансия - атом примеси) и кластеры радиационных дефектов (КРД), т.е. скопления точечных дефектов и их комплексов, образующиеся при
-
2002
Ахсахалян, Арам Давидович
Исторически оптика жесткого рентгеновского излучения (РИ) стала развиваться раньше, чем оптика мягкого РИ. Начиная с опытов Лауэ (1912 г.) в качестве отражающих элементов применялись плоские, а затем и изогнутые кристаллы. Для жесткого РИ и в настоящее время эти элементы являются основными для формирования рентгеновских пучков. Для достижения
-
2002
Филатов, Сергей Витальевич
Широта областей применения, систем обнаружения теплоизлучающих объектов (табл. 1.В) привела к необходимости разработок различных ПЛЭ, являющихся главным элементом систем
-
2002
Татаринцев, Сергей Анатольевич
Сами конверторы должны отличаться температурной и режимной стабильностью, высокими рабочими частотами, низким уровнем собственных шумов. Микроэлектронные планарные спиральные катушки индуктивности и планарные конденсаторы могут составить открытый колебательный контур, поведение которого в качестве антенны слабо изучено [7, 8]. Применение
-
2002
Фетисова, Валентина Михайловна
Впервые исследованы вольтамперные (ВАХ) и вольтфарадные (ВФХ) характеристики на диодных структурах Шоттки п- и р-типа: Аи-р-1пР, Аи-р-1пАб, Сг-п-1пР, Мо-п-1пР, Рс1-р-1пР, Рё-п-ваР, Рс1-р-р+-1пР в зависимости от электрического и магнитного поля
-
2002
Романова, Юлия Юрьевна
В настоящее время реализованы два типа CP: композиционные, т.е. CP с гетеропереходами или гетероструктуры (ГС), которые состоят из периодической последовательности двух и более полупроводников разного химического состава; и легированные CP, представляющие собой последовательности слоев п- и р- типа с возможными беспримесными слоями между ними
-
2001
Климов, Алексей Анатольевич
К настоящему времени подробно исследовано коллинеарное и неколлинеарное рассеяние света на МСВ в однородно намагниченных пленках ЖИГ [3]. Однако достигнутые характеристики оказались сравнительно невысокими: эффективность и ширина линии коллинеарного взаимодействия rj = 4. 10 %/Вт и Sf = 20.40 МГц, ширина полосы и дифракционный угол неколлинеарного
-
2001
Чебуркин, Александр Николаевич
Для диагностики воздействия на образец различных технологических факторов, а также для контроля рельефа топологического рисунка интегральных микросхем в настоящее время применяют различные методы. К ним относятся оптические методы, основанные на интерференции, дифракции, вынужденном комбинационном рассеянии, диагностика, основанная на исследовании
-
2001
Тихонов, Роберт Дмитриевич
Реализация результатов работы проведена в условиях опытного производства Научно-производственного комплекса « Технологический центр» МИЭТ, где изготовлены экспериментальные образцы МОП транзисторов, КМОП интегральных схем, демонстрирующие возможности реализации интеллектуальных силовых ключей по близкой к стандартной КМОП технологии
-
2001
Блохина, Вероника Борисовна
Одним из наиболее эффективных методов повышения надежности и выхода годных микросистем на основе СБИС является введение дополнительных элементов и функциональных возможностей сверх минимально необходимых для нормального выполнения объектом заданных функций, т.е. резервирование /2
