автореферат диссертации по электронике, 05.27.01, диссертация на тему:Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений А3 В5

Введение.

1. Современное состояние исследований физико-химических свойств 1пР, 1пА8, ваР и диодов Шоттки на их основе.

1.1 Некоторые данные о структуре и тепловых свойствах 1пР, 1п Аб и ОаР.

1.2 Электрические свойства 1п Р, 1п Аб и ва Р.

1.3 Фотоэлектрические свойства 1п Р.

Выводы к главе 1.

2. Методика измерений.

2.1. Технология легирования фосфида индия.

2.1.1. Трудности выращивания 1пР с заданными параметрами.

2.1.2. Подготовка к синтезу 1пР с одновременным легированием.

2.1.3. Методы синтеза легированного 1пР.

2.1.4. Синтез фосфида индия дырочного типа проводимости.

2.1.5. Получение сильнокомпенсированного фосфида индия 49 электронного типа проводимости.

2.1.6. Диффузионное легирование.

2.2. Методика подготовки образцов к исследованию.

2.3. Методика получения низких регулируемых температур.

2.4. Методика измерений электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур.

2.5. Оценка погрешностей измерений.

Выводы к главе 2.

3. Результаты исследований электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур на основе 1п Р, 1п А$ и ва Р.

3.1. Диоды Шоттки на основе компенсированного р-1п Р.

3.2. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе р-1пАз.

3.3. Электрические свойства диодов Шоттки на основе Сг-п-1п Р.

3.4. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур, полученных распылением Мо на п-1п Р.

3.5. О механизмах влияния водорода на электрические свойства диодных структур Рс1-п-ОаР.

3.6. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Рс1-р-р+-1пР и изменение их в атмосфере водорода.

3.7. Зависимость фотоответа 1п Р от интенсивности света.

Рекомендации по выбору датчиков для водородосодержащих газов.

Выводы к главе 3.

Выводы и заключения.

В связи с развитием оптоэлектронных устройств, таких как лазерные диоды, лавинные фотоприемники, излучатели сверхдальних волоконно-оптических линий связи, уделяется большое внимание развитию гетероэпи

-> С таксиальных технологий полупроводниковых соединений А"'В и изучению их электрических и фотоэлектрических свойств.

Однако недостаточно изучено влияние внешних воздействий на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе 1пР, 1пАэ, ваР.

Электрофизические свойства фосфида индия позволяют использовать этот материал в качестве эффективного преобразователя солнечного света, для создания детекторов видимого и инфракрасного излучения, для обнаружения корпускулярного и глубоко проникающего излучения (например, у-лучей, для которых чувствительность 1пР в 10 раз больше, чем чувствительность фотоэлемента на основе ОаР). Благодаря электрическим характеристикам р-п-переходов, созданных на основе 1пР, этот материал может быть использован для создания диодов и триодов, работающих при повышенных температурах.

В связи с этим в настоящей работе проведено исследование влияния магнитных полей и водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе 1пР, 1пАб, ОаР с целью создания детекторов видимого и инфракрасного излучения, высоковольтных диодов.

Цель и задачи работы

Целью работы являлись экспериментальное исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур на основе полупроводниковых соединений А^В3 в широком интервале интенсивности падающего электромагнитного излучения на образцах п- и р-типа (в значительном интервале концентраций носителей тока) и разработка, на основе проведенных исследований, рекомендаций по оптимизации технологий изготовления детекторов видимого и инфракрасного излучений, а также высоковольтных диодов.

Решали следующие задачи:

1. Изучение токопрохождения и оценка высоты потенциального барьера в диодах Шоттки на основе компенсированного р-1пР.

2. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе р-1пАз.

3. Исследование электрических и фотоэлектрических свойств диодов Шоттки на основе Сг-п-1пР; выявление механизма токопрохождения при различных температурах и оценка высоты потенциального барьера для этих диодов.

4. Выявление механизма деградации границы Мо-п-1пР, зависимости электрических и фотоэлектрических свойств диодных структур Рс1-р-1пР, Рс1-п-СаР и Рс1-р-р+-1пР от атмосферы водорода и технологии нанесения тонких пленок Рс1 на полупроводниковые соединения р-1пР, п-ваР.

5. Разработка рекомендаций по созданию датчиков водородосодержа-щих газов на основе изученных диодных структур.

Научная новизна

Впервые исследованы вольтамперные (ВАХ) и вольтфарадные (ВФХ) характеристики на диодных структурах Шоттки п- и р-типа: Аи-р-1пР, Аи-р-1пАб, Сг-п-1пР, Мо-п-1пР, Рс1-р-1пР, Рё-п-ваР, Рс1-р-р+-1пР в зависимости от электрического и магнитного поля.

Установлен механизм токопрохождения, определены высоты барьеров во всех изученных диодах Шоттки.

Обнаружено возникновение инверсного слоя на свободной поверхности р-1пАз в магнитном поле и его влияние на токопрохождение.

В диодных структурах Мо-п-1пР обнаружена деградация границы пленки Мо - полупроводник. Показано, что в тонком межфазном слое образуется набор дефектных состояний акцепторного типа, приводящих к образованию высокоомного слоя. Выявлены закономерности токопрохождения через образовавшуюся высокоомную область.

Установлено, что в механизме токопрохождения через диодную структуру Сг-п-1пР приходится учитывать не только термоэлектронный ток, но и генерационно-рекомбинационный, который становится преобладающим при Т=104 К.

Изучено влияние атмосферы водорода и технологии осаждения палладия на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Рё-р-1пР, Р(3-р-р+-1пР. Обнаружено, что в исследуемых образцах наблюдался рост фото-ЭДС в атмосфере водорода. Изменение фото-ЭДС на барьере рекомендовано использовать как метод регистрации водородосодержащих газов.

Научная и практическая значимость работы

Полученные результаты по электрическим и фотоэлектрическим свойствам диодов Шоттки позволили расширить наши представления о физических свойствах гетероструктур на основе: 1пАз, СаР, 1пР.

Эти данные могут быть использованы при оптимизации технологий получения эффективных преобразователей солнечного света, для создания детекторов видимого и инфракрасного излучений, для создания диодов, работающих при повышенных температурах. Результаты внедрены на заводе «Янтарь». Разработаны рекомендации по оптимизации технологии изготовления датчиков водородосодержащих газов.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Вольтамперные и вольтфарадные характеристики диодных структур Шоттки Аи-р-1пР, Аи-р-1пА8, Сг-п-1пР, Мо-п-1пР, Рс1-р-1пР, Рс1-п-СаР, Рё-р-р+-1пР в зависимости от электрического, и магнитного поля и температуры.

2. Результаты исследований фотопроводимости п- и р-образцов в зависимости от интенсивности освещения и подсветки. 7

3. Механизм токопрохождения и значения высот потенциальных барьеров в изученных диодах Шоттки.

4. Закономерности влияния атмосферы водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Рё-р-1пР и Рё-р-р+-1пР и Рё-п-ОаР.

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научно-технической конференции, посвященной 50-летию Северо-Кавказского государственного технологического университета в 1981 г. в г. Орджоникидзе, на ежегодных научно-технических конференциях СКГТУ (1992-2000 гг.), на заседаниях научных семинаров в СОГУ и СКГТУ г. Владикавказа, на международной научно-практической конференции «Пленки 2002» (г. М.,2002.)

Публикации

Результаты диссертационной работы отражены в 8 публикациях, в том числе 6 в центральных журналах.

Личный вклад автора заключается в проведении основного объема экспериментальных исследований.

Введение

Соединения А3ВЭ получили широкое распространение в качестве материалов для изготовления различных полупроводниковых приборов. Под соединениями А3В5 понимают вещества, полученные путем синтеза элементов III и V групп периодической системы элементов. К ним относятся: AIP, AI As, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, которые обладают наиболее интересными полупроводниковыми свойствами. Изучение свойств этих соединений привело к открытию ряда явлений и к созданию принципиально новых приборов. Наиболее существенной особенностью этих полупроводников является их способность изменять свои свойства в чрезвычайно широких пределах под влиянием различных воздействий (температура, освещение, электрические, магнитные поля и т.д.), что и обусловило применение этих полупроводников в технике. Чувствительность к температуре лежит в основе действия таких приборов как термисторы. На большой чувствительности полупроводников к свету основано действие полупроводниковых фотоприемников. Чувствительность к слабым сигналам электрического напряжения позволила создать различные полупроводниковые диоды и триоды. Чувствительность к магнитному полю используют при создании полупроводниковых приборов для измерения весьма слабых величин напряженности магнитного поля. В InP, InAs, GaP удачно сочетаются значения таких важных величин, как подвижность носителей и большая ширина запрещенной зоны, что ставит их в ряд ценных полупроводниковых материалов.

Полупроводниковые соединения нашли применения для изготовления солнечных батарей, необходимых при энергоснабжении космических аппаратов и при конструировании энергосистемы в южных и засушливых районах. Основными материалами для изготовления солнечных батарей является кремний и арсенид галлия. Для высокотемпературных применений удобно использовать GaP, реальные значения КПД которого составляют в лучших образцах 15-20%. Ширина запрещенной зоны InP, InAs и GaP очень близка к величине, обеспечивающей максимальное значение КПД преобразователей солнечной энергии. Изготовленные на основе фосфида индия фотоэлементы имеют КПД более 7% [1], что значительно превышает КПД произведенных на основе многих других элементов.

Полупроводниковые фотоприемники широко применяются для задач автоматики, телемеханики, космической техники, приборов ночного видения и т.д. Современные полупроводниковые фотоприемники реагируют на тепловое (инфракрасное) излучение предметов, находящихся на расстояниях более 1000 км от наблюдателя. Попадание ядерной частицы в область р-п- перехода вызывает появление электрического импульса, который может быть усилен и зарегистрирован, поэтому р-п- переход может быть использован и для детекторов ядерных излучений. Фосфид индия, легированный соответствующими примесями, становится чувствительным к ИК-излучению и температуре, что дает возможность использовать его для изготовления приемников ИК-излучения и термосопротивлений [2].

То обстоятельство, что р-п- переходы в 1пР, ¡пАэ и ваР имеют высокую чувствительность, позволяет использовать их в качестве материалов для детекторов корпускулярного и у-излучений [1, 3].

Лабораторные образцы диодов, изготовленных из фосфида индия, обладают высокими коэффициентами выпрямления, их пробивное напряжение превышает 200-300В, рабочая температура составляет 300К [4].

Большой интерес представляют исследования электрофизических свойств 1пР, СаР, т.к. они позволяют получить ряд ценных сведений о параметрах полупроводника, оценить возможные границы практического применения.

Исследование свойств 1пР отстает от исследования таких полупроводниковых соединений группы А3ВЭ, как, 1пБЬ, ваАэ, ваР и ТпАб и др. Это обстоятельство объясняется сложностью технологии получения фосфида индия, высоким требуемым давлением паров фосфора над расплавом (25 - 30 атм.), а также значительной активностью фосфора при высокой температуре

10 плавления 1пР (~1070°С). 1пР является одним из перспективных материалов в гетероэпитаксиальной технологии для создания оптоэлектронных устройств, таких, как лазерные диоды, лавинные фотоприемники и т.д.

Полупроводниковые источники света основаны на способности носителей при рекомбинации излучать энергию, полученную ими при генерации. При этом генерация носителей происходит любым способом, в том числе и за счет инжекции токов, протекающих через р-п-переход. Спектр излучения определяется свойствами полупроводника, шириной запрещенной зоны и родом легирующих примесей, КПД полупроводниковых источников света гораздо выше чем у ламп накаливания. Главное их достоинство - безынерцион-ность. Наиболее перспективными для изготовления светодиодов является фосфид галлия (красное, желтое свечение), арсенид галлия (свечение в инфракрасной области). При определенных условиях излучение света диодов становится когерентным, это приводит к колоссальному увеличению яркости и КПД. Световой поток при этом становится узконаправленным. Такие устройства являются полупроводниковыми лазерами. Лазеры эффективно используются в технике, а узкая направленность лазерного луча обеспечивает связь на сверхдальние космические расстояния. Большая частота света дает возможность пропускать по одной линии лазерной связи на длине волны 1мкм около 10 ООО телевизионных каналов. 1пР используется как подложечный материал при разработке излучателей сверхдальних волоконно-оптических линий связи. Из-за высокого внутреннего квантового выхода (90%) и низкой скорости рекомбинации в п-1пР повышается роль эффектов многопроходное™ и переизлучения, которые играют важную роль в оптоэлектронных приборах [5]. Благодаря этим эффектам в п-1пР осуществляется эффективный перенос возбуждения, что не требует строгого положения р-п-перехода.

Использование п-1пР, обладающего низкой скоростью поверхностной рекомбинации, составляющий 2-10 см/с (для сравнения в п- ОаА8-3-Ю5см/с

11

6]), позволяет создать фотоприемники с высокой чувствительностью в ультрафиолетовой области [7].

Диоды Шоттки, использующие выпрямляющие свойства контакта металл-полупроводник, находят все большее распространение в качестве выпрямительных импульсных и сверхвысокочастотных полупроводниковых диодов. Наибольшее преимущество перед диодами с р-п- переходом диоды Шоттки имеют при выпрямлении больших токов высокой частоты, что обусловлено их лучшими частотными свойствами (в процессе токопрохождения принимают участие только основные носители), меньшим напряжением при прямом смещении, лучшим отводом тепла от выпрямляющего перехода, относительной простотой изготовления. Однако при создании диодов Шоттки с требуемыми параметрами возникают определенные трудности при выборе металла барьера Шоттки для получения определенной величины потенциального барьера. В связи с развитием оптоэлектронных устройств, таких как лазерные диоды, лавинные фотоприемники, излучатели сверхдальних воло-коннооптических линий связи, большое внимание уделяется развитию гете-роэпитаксиальных технологий с участием полупроводниковых соединений АЛВ5 и изучению их электрических и фотоэлектрических свойств в широком интервале падающего электромагнитного излучения и в широком интервале концентрации носителей тока в образцах п- и р-типа.

К настоящему времени влияние внешних воздействий на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе 1пР, 1пАб, ваР изучены недостаточно. В связи с этим в настоящей работе изучается влияние магнитных полей, атмосферы водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе 1пР, 1пАб, ваР.

Выводы и заключения

1. Разработаны методики измерения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур на основе полупроводниковых со

3 5 единении А В в атмосфере водорода, в электрическом и магнитном полях.

2. Исследованы диоды Шоттки на основе компенсированного р-1пР

20 3 с р=(2-г7)'10 м" . Выяснено, что в механизме токопрохождения помимо термоэлектронного необходимо учитывать генерационно-рекомбинационный ток, который при 104 К становится преобладающим. Определена высота барьера, которая равна 0,5-Ю,6 эВ, и показано, что её большая величина определяется образованием окисного слоя.

3. Выявлены особенности спектральной фоточувствительности в собственной области поглощения при 104 К и объяснены с учетом вклада в полный ток генерационно-рекомбинационной компоненты и вкладом в фото-ток фотоносителей из спин-орбитально расщепленной валентной подзоны, дополнительная генерация электронов из которой, вносит свой вклад в увеличение фотоответа.

4. Обнаружен инверсный слой на свободной поверхности диода Аи-р-1пАз и его влияние на величину фотоответа в магнитном поле, увеличение которого связано с вкладом фотомагнитной ЭДС, генерированной носителями при поглощении света с преобладанием диффузионной компоненты тока.

114

5. При исследовании диодов Шоттки Сг-п-1пР показано, что механизм токопрохождения характеризуется вкладом нескольких видов тока и в различных температурных интервалах может изменяться в зависимости от параметров диодной структуры.

6. Сделаны выводы о том, что высота барьера Шоттки Мо-п-1пР мала, так как заметного влияния его на механизм токопрохождения не выявлено из-за отсутствия эмиссионных токов обусловленных барьером фв. Токопро-хождение обеспечивается инжекцией основных носителей в у-область

7. Исследования диодных структур Рс1-р-1пР и Рс1-р-ОаР показали, что может быть несколько причин изменений электрических и фотоэлектрических свойств в атмосфере водорода (высота барьера фв, наличие промежуточного слоя, плотность центров захвата в слое истощения, степень инжек-ции палладиевого и омического контактов, наличие инжекционных компонент тока), связанных со свойствами кристаллов и технологии диодных структур.

8. Исследованы диодные структуры Рс1-р-р+-1пР, в которых выявлен механизм токопрохождения, объясняемый процессами двойной инжекцией носителей в слой р-1пР. Обнаружены изменения тока в атмосфере водорода на 1ч-1,5 порядка.

Выражаю глубокую благодарность д.ф.-м.н., профессору Созаеву Виктору Адыгеевичу за повседневное руководство при написании этой работы и сотрудникам кафедры физики СКГТУ за помощь в оформлении настоящей работы. Считаю своим долгом особо поблагодарить д.ф.-м.н., ведущего научного сотрудника отдела лаборатории электронных полупроводников ФТИ им. А.И. Иоффе РАН Слободчикова Семена Вавиловича и безвременно ушедшую из жизни доцента Ковалевскую Галину Григорьевну за ту неоценимую помощь, которую они оказывали при выполнении работы.

115

1. Addamiano A. On the preparation of the phosphides of aluminium, gallium and indium //Journ. Amer. Chen. Soc, 1960, v.82, p. 1537.

2. Ормонт А.Б., Елисеев П.Г. //ФТП, 1968, в.2, с.639.

3. Didchenko R., Patent U.S. 3, 010, 792/cb, 203-204, of izz, U.9, Patent office, 1961, XIV, 772, №4, 1099.

4. Метревели С.Г. Получение и исследование диффузионных р-n- переходов в фосфиде индия. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н., Ленинград: ЛПИ, 1967.

5. Гарбузов Д.З., Агаев В.В., Гореленок А.Т. Эффективная излучательная рекомбинация (г^НЮ'/о, Т=300К) и процессы переизлучения в объемных кристаллах n-InP //ФТП, 1982, т. 16, в.9, с. 1538-1542.

6. Гарбузов Д.З. Агафонов В.Г., Агаев В.В., Лантратов В.М., Чудинов А.В. Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при фотолюминесценции InGa AsP/InP //ФТП, 1983, т. 17, в.2, с.2168-2172.

7. Горюнова Н.И. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Советское радио, 1968, с. 78-83.

8. Hecht М.Н., Bell L.D., Kaiser W.J. Ballistic electron - emission microscopy of subsurface defects at the Au-GaAs (100) in-terface. // Appl. Surf. Sci., 1981, v. 4142, p. 17-24.116

9. O.Lee B.W., Wang D.S., Ni R.K., Xu R.K., Rowe M. Структурная модель барьера Шоттки на полупроводниках А3В\ //J.Vac.Sci, Technol., 1982, v.21(2), p.557-584.

10. П.Ковалевская Г.Г. Фотопроводимость и фотомагнитный эффект фосфида индия. Диссертация на соискание ученой степени к.ф.м.н. Ленинград: ЛГГТИ, 1964.

11. Tung R.T. Формирование барьера Шоттки на границе двух монокристаллических фаз металл-полупроводник. //Phys. Rev. Lett, 1984, v.52 (6), p. 461-464.

12. Сиукаев H.B. /Ученые записки Каб. Балкарского Loc. Университета, 1965, в.24.

13. Нашельский А .Я., Островская В.В., Якобсон C.B. //Журнал физ. химия, 1964, т.38, в.4, с.891.

14. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. М-Л.: Наука, 1972.

15. Берг А., Дин П. Светодиоды. М.: Мир,1979, 686 с.

16. Родерик Э.Х. Контакты металл полупроводник. М.: Радио исвязь, 1982, с. 35, 64-65, 72, 74-75.

17. Малинин А.Ю, Рарба Л.С., Соколов Е.Б., Иванютин Л.А. Состояние работ и перспективы развития материалов для твердотельных диодов спонтанного излучения (обзоры по электронной технике) //ЦНИИ электроника, 1977, в.1, с.446.

18. Мастеров В.Ф., Саморуков Б.Е. Глубокие центры в соединениях типа (обзор) // ФТП, 1978, т. 12, в.4, с.625.

19. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир, 1984, ч. 1, с.455.

20. Арсенид галлия в микроэлектронике /Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена. М.: Мир, 1988, с.556.117

21. УгайЯ.А., Авербах Е.М., Фогельсон Р.Л., Гольдфарб В.А. Некоторые свойства тонких слоев фосфида индия. //Изв. АН ССР t.XXVIII №6, сер.физич., 1964, с.997.

22. Jordan A. S„ von Neida A. R., Caruso R., DiDomenico M., Jr., Red photoluminescent efficiency and minority-carrier lifetime of GaP(Zn,0) pulled from nonstoichiometric melts // Appl. Phys. Lett., 1971, v. 19, p.394.

23. Saul R. H., Roccasecca D. D., Vapour doped multislice LPE for efficient GaP green LEDs, J. elektrochem. Soc., 1973,v.20, p.l 128.

24. Galginaitis S. V., Barnett A. M., Heumann F. K., Selected liquid epitaxy of GaP, Proc. 3rd int. Symp. on GaAs, Inst. Phys., Phys. Soc. London, Conf. Series 1970, v.9, p. 80—85.

25. Метревели С.Г., Кундухов P.M. Электронно-дырочные переходы в фосфиде индия. // Известие высших учебных заведений. Физика, №3, 1966, с.151-154.

26. Newman N., Kendelevicr Т., Bowman L., Spicer W.E. Electrical study of Schottky barrier heights on atomically clean and air exposed n-InP (110) surfaces. //Appl. Phys. Lett., 1985, v.46 (12), p.l 176-1177.

27. Song Y.P., Meirhaeghe Yan, Laflere W.H., Cardon F. On the influence of the thin interfacial oxide layer on the electrical and photovoltaic properties of Au /axide/ p-InP diodes. //Semicond. Sci. Technol., 1987, v.2 (11), p.736-741.

28. Hattori K., Izumi Y. The elekctrical characteristics of degenerate InP Schottky diodes with an interfacial layer //J. Apll. Phys., 1982, v.53(10), p.6906-6910.

29. Newman N., Spicer W.E. Mechanism for annealing induced changes in the electrical characteristics of all GaAs and Al/InP Schottky cantacts //J. Vac. Sci. Technol., 1987, v. 5, p. 1020-1029.

30. Борковская О.Ю., Дмитрук H.JI., Конакова P.В., Литовченко B.F. Радиационное упорядочение на границе раздела металл-InP //ФТП, 1986, в.20(2), с.326-329.118

31. Коротченков Г.С., Блаже В.А. Закономерности временной трансформации характеристик барьеров Шоттки Ag-n-InP //Микроэлектроника, 1986, в. 15(5), с.415-421.

32. Sanchez-Dehesa J., Flores F., Ortega J., Dow J.D. Schottky barrier formation in defect-free metal /III-V semiconductor juctions //J. Vac.Sei. Technol., 1983, v.l, p.819-824.

33. Caron-Popowich R., Washburn J. Sands, Kaplan A.S. Phase formation in the Pd-InP //Apll. Phys., 1988, v.64, p. 4909-4913.

34. Shapira Y., Brillson L.J. Auger depth profiling studies of interdiffusion and chemistal trapping at metal-InP interfaces //J. Vac. Sei. Technol., v.l, p.618-622.

35. Newman N., Spicer W.E. Weder E.R. Mechanism for annealing induced changes in the electrical chracteritics of Al-GaAs and Al-InP Schottky contacts //J. Vac. Sei. Technol., 1987, v.5, p.1020-1029.

36. Саргунас В., Зубауская Г. Влияние дефектности полупроводника на взаимные реакции в Au-InP при отжиге //Лит. физ. сб., 1990, в.30, с.79-83.

37. Esser N. Rockzgel М., Sarma R., Resch U., Zain D.R., Richter W., Stephens C., Hunermann M. Termaly stability and Schottky barrier of Sb overlayers on GaAs(l 10) fnd InP(llO) // J. Vac. Sei. Technol., 1990, v.8, p.680-685.

38. Имангулиев Г.А., Мередов М.М., Ковалевская Г.Г., Слободчиков С.В. Электрические свойства Au-p-InP диодов Шоттки, выдержанных на воздухе //Изв. Ан ТССР, Сер. Физ.-мат., тех., хим., геол., наук,1991, №1, с.96-99.

39. Yamada Masuo, Wahi Anita К., Kendelewicz Tom, Spicer William E. Large Schottky Barrier Heights on n-InP. A model approach //Apll. Phys., 1991, v.58(23), p.2701-2703.

40. Palau J.M., Dumas M. Essais d'accroissement de la barriere du contact metal /InP type n par l'introduction arificille d'etats acceptors //J.Phys. Sec.3, 1992, v.2, p.921-931.

41. Fhrenreich H. //J. Appl. Phys., 1961, v.25, p.l 142.119

42. Sea С.J., Meiners L.G. Schottky barrier heights of Hg, Cd and Zn on n- type InP (100). //Appl. Phys. Lett., 1986, v.48 (26), pp. 1796-1798.

43. Басов Н.Г. и др. //ФТТ, 1966, т.8, с.2611.

44. Brillson L. J., Brucker C.F., Katnani A.D., Staffel N.G., Daniels R., Margaritonto G. Химическая структура и барьеры Шоттки на границе раздела полупроводниковых соединений с металлом. //Surface. Sei, 1983, v.132 (1-3), p. 212-232.

45. Кильчинская С.С., Литвиненко C.B., Скрышевский В.А., Стриха В.И., Толстой В.П. Влияние изменения промежуточного слоя при нанесения металла на электрофизические свойства контакта металл-полупроводник. //Изв. вузов. Физика, 1988, №9, с. 86-90.

46. Ковалевская Г.Г., Руссу Е.В., Слободчиков C.B., Филаретова Г.М. Диоды Шоттки с промежуточным слоем на основе n-InP. //ФТП, 1982, т. 16, в.4, с.587-591.

47. Вдовенко В.А., Зубков A.M., Короткова Н.В. Исследование контактов InP п-типа с металлами (Mo, Au, Ag, Al) //Электр, техн. Полупров. приб., серия 2, 1982, в.5, с.15-19.

48. Schowartz G.P., Gualtieri G.J. Schottky barrier heght variations on the polar (111) faces of n-GaP. //J. Appl.Phys., 1985, v.58 (12), p.4621-4625.

49. Блаже B.A., Коротченков Г.С., Цвиидинский В.И. Влияние химической активности металлов на временную стабильность характеристик контактов M-n-InP. //Электр. Техн., сер.2. Полупроводн. приб., 1986, в.4, с. 67-69.

50. Reynolds W.N., Lilburne М.Т., Dell R.M.//Progr. Phys. Soc., 1958, v.71, p.416.

51. Агаев Я., Слободчиков C.B.// Изв. Туркм. СССР. Сер. физ-техн., хим., и геологических наук, 1963, в.6, с.102.

52. Moss T.S., Walton A.K. //Physical, 1959, v.25, p.l 142.

53. Glicksman M. //J. Phys. Chem. Solids, 1959, v.8, p.511.

54. Уханов Ю.И., Мальцев Ю.В. Зависимость эффективной массы электронов в3 5полупроводниках типа А В от температуры. //Изв. АН ССР, 1964, t.XXYIII №6, с.989-992.

55. Phillips J.C. //Phys. Rev., 1962, v.125, р.1931.

56. Cardona M. //Phys. Chem. Sol., 1963, v.24, p. 1543.

57. Brust D., Phillips J.C. Bassani J.C. //Phys. Rev. Lett., 1962, v.9, p.94.

58. Fisher F.E. //Phys. Rev., 1966, v. 142, p.519.

59. Turner W.J., Reese W.E., Pettit G.D. //Phys. Rev., 1967, v. 136, №5a, p. 1467.

60. Галкин Г.H., Боброва E.А., Вавилов B.C., Епифанов M.С., СабановаЛ.Д. Рекомбинация в нелегированных эпитаксиальных пленках арсенида галлия при высоком уровне возбуждения //ФТП, 1974, т. 8, вып. 5, с. 898.

61. Гарбузов Д. 3., Копьев П. С., Мишурный В. А. Свободный экситон в спектрах излучения нелегированного GaP, а также GaP : In и GaP : Al // ФТП, 1974, т. 8, вып. 2, с. 418.

62. Леванюк А.П., Осипов В.В. Теория люминесценции сильнолегированных компенсированных невырожденных полупроводников //ФТП, 1973, т. 7, вып. 6, с. 1058.

63. Пасынков В.В., Сорокин B.C. Материалы электронной техники. М.: Издательство ДМК, 2002, 366 с.

64. Абагян С. А., Крупышев Р. С., Кузнецов Ю. Н., Ослабление света примесными преципитатами в GaP. //ФТП, 1978, т. 12, вып 5, с. 837.

65. Ангелова Л. А., Вавилов В. С., Юнович А. Э. Излучательная рекомбинация в фосфиде галлия при возбуждении током и электронным пучком // ФТТ, 1966, т. 8, вып. 5, с. 1608.

66. Ангелова Л. А., Вавилов В. С., Выборны 3., Юнович А. Э. Электролюминесценция диодов из фосфида галлия //ФТП, 1967, т. 1, вып. 7, с. 1051.

67. Антошин М. К., Спивак Г. В., Юнович А. Э. Исследование катодолюминесценции р-п-переходов в фосфиде галлия в растровом электронном микроскопе //ФТП, 1972, т. 6, вып. 11, с. 2123.

68. Ашкинадзе Б. М., Рыбкин С. М., Ярошецкий И. Д. Термическая и ударная ионизация экситонов в ваР при двухфотонном возбуждении //ФТП, 1969, т. 3, вып. 4, с. 535.

69. Баранский П. П., Городничий А. П., Савчук А. У. Определение эффективной массы плотности состояний электронов и количества основных минимумов энергии в зоне проводимости в фосфиде галлия //ФТП, 1976, т. 10, вып. 8, с. 1567.

70. Басецкий В. Я., Горюнова Н. А., Песков О. Г. Электро- и фотолюминесценция фосфида галлия, легированного цинком и бором //ФТП, 1968, т. 2, вып. 7, с. 1028.

71. Берндт В., Копылов А. А., Пихтин А. Н. Оптическое поглощение и структура акцепторных центров в фосфиде галлия // ФТП, 1977, т. 11, вып. 9, с. 1782.

72. Вишневская Б. П., Корнеев В. М., Коган Л. М., Юнович А. Э. Зависимость спектров электролюминесценции ОаР, легированного азотом, от температуры //ФТП, 1972, т. 6, вып. 8, с. 1591.

73. Евстропов В. В., Калинин Б. Н., Царенков Б. В. Температурная зависимость квантового выхода электролюминесценции в ОаР р-п-структурах // ФТП, 1975, т. 9, вып. 8, с. 1460.122

74. Иващенко А. П., Икизли М. IT., Саморуков Б. Е., Слободчиков С. В., Соломонов А. И. О многозарядности кислорода в GaP. — ФТП, 1978, т. 12, вып. 1, с. 87.

75. Копылов А. А., Пихтин А. Н. Непараболичность зоны проводимости и структура донорных центров в фосфиде галлия //ФТП, 1977, т. 11, вып. 5, с. 867.

76. Радауцан С. П., Максимов Ю. П., Негрескул В. В., Пышкин С. JI. Фосфид галлия // Кишинев: АН МолдССР, 1970.

77. Андрушко А.И., Ковалевская Г.Г., Слободчиков C.B. Кинетика релаксации фотопроводимости в кристаллах InP<Fe> и 1пР<Сг>. //ЖТФ, 1980, т. 14, №15, с. 958-960.

78. Chvrier J., Haber A., Einh N.T. Zn doped vapor grown InP. //J.Appl.Phys., 1980, v.51 (1), p.815.

79. Hokelek E., Robinson G.Y. //Appl. Phys. Lett, 1982, v.4, p.426.

80. Губанов А.И. О роли диффузии в адгезии двух кристаллов. //ФТТ, 1978, №1, с.267-269.8 6. Кун духов P.M., Метревели С.Г., Сиукаев Н.В. //ФТТ, 1967, т.1, в.6, с.924.123

81. Фетисова В.М., Алюшииа В.И., Ковалевская Г.Г. Зависимость фотоответа InP от интенсивности света //Научно-техническая конференция, посвященная 50-летию СКГМИ, 1981, с. 145-147.

82. Ковалевская Г.Г., Руссу Е.В., Слободчиков C.B., Смирнов В.Г., Фетисова

83. B.М., Филаретова Г.М. Диоды Шоттки на основе компенсированного р-1пР //ФТП, 1984, Т.18, в.4, с.600-603.

84. Малинин Ю.Г., Слободчиков C.B., Фетисова В.М., Филаретова Г.М. Влияние магнитного поля на фотоэффект диодов Шоттки на основе p-InAs //ФТП, 1985,т.19,в.6, с.1119-1122.

85. Имангулиев Г.А., Мередов М.М., Слободчиков C.B., Фетисова В.М. Электрические свойства диодов Шоттки Cr-n-InP //Известия Академии наук Туркменской ССР,1988, в.З, с.86-88.

86. Мередов М.М., Имангулиев Г.А., Ковалевская F.F., Слободчиков C.B., Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур полученных распылением Mo на n-InP //Известия АНТССР сер.физ.тех.геолог.наук, 1989, в.1, с.92-94.

87. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Пенцов A.B., Руссу Е.В., Слободчиков C.B., Фетисова В.М. О механизмах влияния водорода на электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p(n)-InP и Pd-n-GaP //ЖТФ, 1991, т.61, В.9, с.173-175.

88. Ковалевская Г.Г., Мередов М.М., Руссу Е.В., Салихов Х.М., Слободчиков

89. C.B., Фетисова В.М. Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур Pd-p-p+-InP и изменение их в атмосфере водорода //1992, т.26, в. 10, с.1750-1754.

90. Fogelberd J., Fundstrom I., Patersson F.-G. // Phys. Scripta, 1987, v.35, p.702. 95.1nuishi M., Wessels B.W. HL Electron. Fett., 1981, v. 17, p.685.

91. Shaklee K.Z., Polak F.H., Cardona M. //Phys. Rev. Fett., 1965, v. 15, №23, p.883-885.124

92. Ming-Jong Tsai, Fahrenbruch A.Z. and Bube R.H. // J. Appl. Phys., 1980, v.51, v.5, p.2696-2705.

93. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973,1. Т.2.

94. Ковалевская Г.Г., Кратена Л., Мередов М.М. и др. //Письма в ЖТФ, 1989, Т.15, с.55-58.

95. Ковалевская Г.Г., Кратена Л., Мередов М.М., Маринова A.M., Слободчиков C.B. //Письма в ЖТФ, 1989, в15, с.55.

96. Ковалевская Г.Г., Маринова A.M., Слободчиков C.B. Фотоэдс структур Pd-n-InP с промежуточным слоем в атмосфере водорода или водяных паров. //ЖТФ, 1989, в.59, с.155-158.

97. Yousuf M., Kuliev В., Talevic В., Poteat T.L. // Sol. St. Electron. 1982, v.25, p.753.

98. Goodman A. M. //J Appl. Phys., 1963, v.34, p.329.

99. Адирович Э.И., Карагеоргий Л.М., Алкалаев, Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках, М.: Мир, 1978, в.73.

100. Лейдерман А.Ю. и др. О природе темновых токов в структурах с борьером Шоттки на аморфном гидрованном кремнии. //ФТП, 1984, №2, с. 1373-1377.

101. Dannetun H., Lundstrom I., Petersson L.G. Surf Sei, 1988, v. 193, p. 109.

102. Слободчиков C.B., Салихов X.M. Диодные структуры n (р) 1пР-п-In203-P205-~Pd как потенциальные сенсоры ближнего ИК излучения, влажности и водорода. //ПЖТФ, 1999, т.25, в.24, с. 72-79.

103. Слободчиков C.B., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Долговременные изменения электрических и фотоэлектрических характеристик диодных структур Pd-p-InP // ФТП, 2002, т.36, в.4, с.500.