-
2002
Супрунова, Елена Федоровна
Предметом исследований выбран диод Ганна (ДГ) на основе арсенида галлия (GaAs), так как в нем имеет место [5] та малость времени жизни свободных носителей заряда (< 10 ~ 8 с), которая существенно определяет влияние генерационно - рекомбинационных процессов при воздействии модулированного света высокими частотами и СВЧ, а также СВЧ полей на
-
2002
Гусятников, Виктор Николаевич
Основное внимание при исследовании полупроводниковых наноструктур уделяется изучению явлений в квантовых структурах, которые последние годы называют структурами с пониженной размерностью. К настоящему времени в квантовых структурах открыто и изучено большое число различных явлений, связанных с их квантовыми свойствами
-
2002
Филипенко, Наталья Андреевна
Поэтому в технологии ИС важное место занимают методы геттерирования электрически активных дефектов, позволяющие существенно снижать плотность дефектов в областях локализации активных элементов ИС кремниевых подложек, в слоях подзатворного окисла, в пассивирующих пленках и т. д., и способствующих, тем самым, формированию ИС с улучшенными
-
2002
Земляков, Валерий Евгеньевич
За такими анализаторами в настоящее время закрепилось название «электронный нос» (E-NOSE) [2].Такой прибор может быстро установить принадлежность исследуемого вещества к одному из известных, то есть он распознает вещество как бы по запаху или по вкусу, как это делает опытный дегустатор. Датчики, входящие в решетку электронного носа, могут не
-
2002
Стахин, Вениамин Георгиевич
В общем случае, помехоустойчивость ипом.тах является одним из основных стандартных параметров логических ИС и характеризует способность микросхем сохранять нормальное функционирование при максимальном воздействии помех одновременно по всем выводам основной и соседних с ней схем [5]. Так как логическая ИС может находиться в одном из двух устойчивых
-
2002
Сушко, Татьяна Ивановна
Поставленные задачи решались методами: металлографии, просвечивающей и растровой электронной микроскопии, газофазной кристаллизации, равновесной термодинамики
-
2002
Трушин, Сергей Александрович
Несмотря на большое число работ, посвященных исследованиям в данной области, физические принципы формирования и закономерности изменения свойств системы в зависимости от условий ионной имплантации к началу выполнения данной работы (1998 г.) оставались слабо изученными. Исследования в основном были направлены на выяснения механизмов ФЛ [6-11], а
-
2002
Аверкин, Сергей Владимирович
-
2002
Савкин, Алексей Владимирович
Необходимость поддержания в производственных помещениях высокой чистоты объясняется тем, что влага, кислоты, пыль и другие загрязнения, попавшие на подложки или полупроводниковые структуры, в процессе изготовления полупроводниковых приборов и ИМС, могут привести к появлению дефектов, что снижает их качество или приводит к выходу из строя. В
-
2002
Поярков, Вячеслав Николаевич
К сожалению, сложным и дорогостоящим является процесс выращивания «шарикового» контакта, а прижимной характер контакта увеличивает его сопротивление, вызывает повышенное число дефектов типа «обрыв» вывода при эксплуатации приборов, особенно при вибрации и ударной нагрузке
-
2002
Аболдуев, Игорь Михайлович
При разработке и производстве ОаАэ полевых транзисторов с барьером Шоттки стояли задачи, не решенные ранее на стадии разработки и выпуска кремниевых полевых транзисторов ввиду сильных различий в конструкции и принципе их работы. В связи с этим необходимо было
-
2002
Голишников, Александр Анатольевич
СВЧ - плазменные системы тоже отличаются более низким рабочим давлением, низкой энергией бомбардирующих подложку ионов и высокой концентрацией радикалов. Недостатком этих систем является сложность эффективного ввода СВЧ - мощности в плазменный разряд, особенно при его большом объеме
-
2002
Лемешко, Сергей Владимирович
Однако широкое использование методов СЗМ с проводящими кантилеверами сдерживается рядом существующих проблем. В частности, одним из наиболее критичных элементов в данных методах являются проводящие кантилеверы, от характеристик которых в значительной степени зависят результаты измерений. В настоящее время существующие конструктивно
-
2002
Исоян, Артак Айказович
Для улучшения основных параметров зонных пластинок - разрешающей способности и пиковой интенсивности в фокальном пятне - могут быть использованы составные зонные пластинки, позволяющие собирать в общий фокус различные дифракционные порядки. Использование таких рентгенооптических элементов в разных схемах передачи изображения в высокоразрешающей
-
2002
Шутов, Дмитрий Геннадьевич
Несмотря на неопределенность показателей преломления и поглощения п0 и к0 чистой алюминиевой пленки, выявлена возможность использования эллипсометрического метода для контроля качества контактной системы транзисторных структур в условиях производства
-
2002
Миннебаев, Вадим Минхатович
Прогресс в шумовых характеристиках арсенид-галлиевых полевых транзисторов, которые в последние 20-30 лет планомерно вытесняют из КВЧ диапазона малошумящие параметрические усилители и смесители на диодах Шоттки очевиден. В качестве примера отметим, что если в 1980г шумовая температура Тш=20К на частоте Г=4,75ГГц бьша измерена при температуре
-
2002
Курин, Владислав Викторович
Одним из возможных применений эффекта Джозефсона является создание генераторов электромагнитного излучения. Перспективность джозефеоновских генераторов связана с принципиально высокой предельной частотой, ограниченной только величиной щели сверхпроводников и возможность электронной перестройки частоты, следующей из Джозефсоновского соотношения Нш
-
2002
Дудников, Анатолий Сергеевич
Поведение классических полупроводников и диэлектриков в сильных электрических полях исследовано достаточно хорошо и имеется обширный как экспериментальный материал, так и теоретические модели, адекватно описывающие не только процессы в материалах, но и в полупроводниковых структурах. Вместе с тем вопрос о поведении тонких полупроводниковых и
-
2002
Пугачев, Андрей Алексеевич
Благодоря ряду своих уникальных свойств ФПЗС являются наиболее многофункциональными и миниатюрными приемниками изображения. По своей разрешающей способности ФПЗС постепенно приближаются к уровню стандартных малоформатных фотографических материалов, дающих возможность регистрировать до з^^о'^ элементов изображения на площади 24x36 ммА
-
2002
Парафин, Алексей Евгеньевич
К 1986 году за 75 лег с момента открытия этого явления были реализованы яркие применения сверхпроводимости: мощные магниты, применяемые в медицинской томографии (1982г.) и ускорителях частиц (1985г.), и очень чувствительные детекторы магнитного поля (1962г.). Однако реализация других не менее эффективных применений даже не рассматривалась
