-
2003
Зебрев, Геннадий Иванович
Проблема моделирования процессов деградации в элементах микроэлектроники, в частности, в МОП транзисторах, носит комплексный характер. Она сводится к моделированию деградации электрофизических параметров транзисторов с последующим моделированием деградации функциональных характеристик самих транзисторов. Поэтому, моделирование процессов деградации
-
2003
Галиев, Галиб Бариевич
Возможность создания низкоразмерных структур в полупроводниках появилась после получения совершенных гетероструктур и сверхрешёток на их основе и в связи с бурным развитием современных технологий, а именно: молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), газофазной эпитаксии и нанолитографии [1-4
-
2003
Баранов, Александр Михайлович
Примером этому является переход микроэлектроники на технологию медной металлизации и диэлектрических слоев с низкой диэлектрической проницаемостью при переходе к размерам элементов 0,13 мкм и меньше, сопровождающийся изменением основных технологических процессов нанесения слоев, травления и полировки [1]. Идет разработка принципов конструирования
-
2003
Литвиненко, Дарья Александровна
Известно [3, 4, 5], что воздействие радиации на ИЭТ вызывает такие же типы повреждений. Но для параметрических радиационных дефектов характерно явление отжига, заключающееся в том, что после облучения у ПЛИ с течением времени в нормальных условиях или при повышенной температуре происходит частичное или полное восстановление электрических
-
2003
Григорьев, Максим Валентинович
Высокая яркость источников синхротронного излучения последнего поколения позволяет проводить эксперименты по неупругому и ядерному рассеянию, требующие сверхвысокого энергетического и углового разрешения. Определяющим фактором здесь является степень коллимации первичного пучка, где необходимо формировать плоскую волну с разбросом волнового вектора
-
2003
Шалимов, Олег Николаевич
В общем случае планарный р-п переход можно разбить на три области: плоскую часть, цилиндрическую и сферическую части. Последние две области нельзя описать с помощью одномерных дифференциальных уравнений. Поэтому расчет электрического поля в планарных р-п переходах сильно затруднен, так как необходимо учитывать очень сильное влияние кривизны
-
2003
Кирюшина, Ирина Васильевна
Переход технологии на использование пластин большого диаметра требует резкого увеличения расхода ультрачистых дорогостоящих химических реактивах, а безопасность и эффективность производства СБИС диктует необходимость снижения потребности в опасных химических реактивах и ДВ. Развитие производства СБИС с субмикронными размерами элементов требует
-
2003
Абрамова, Елена Александровна
В работе [5], впервые предложен способ безмасочного травления локализованным газовым разрядом, предполагающий его формирование непосредственно над теми участками поверхности, которые должны травиться. Для этого на поверхности электрода, расположенного над обрабатываемым материалом, гравируется негативное изображение требуемого рисунка травления
-
2003
Килиба, Юрий Владимирович
Одним из перспективных путей создания датчиков физических величин с широким частотным диапазоном, устойчивых к значительным механическим и электрическим нагрузкам, к воздействиям высоких температур и высоких уровней радиации, является использование объемных и многослойных композиционных магнитоэлектрических (МЭ) материалов. Керамическая технология
-
2003
Неудобнов, Николай Александрович
Целые классы систем достаточно инерционны и используют редко применяемые в настоящее время специализированные протоколы и линии передачи данных, из-за чего возникает необходимость стыковки новых систем обработки с устаревшими или нестандартными линиями передачи
-
2003
Гудков, Александр Львович
Возникшая ситуация привела к активному поиску новых конструкций джозефсоновских переходов с меньшей емкостью, а также к разработкам джозефсоновских переходов на основе тугоплавких сверхпроводников и особенно ниобия. Предложенная Лихаревым конструкция джозефсоновского перехода в виде металлического мостика переменной толщины, хотя и была лишена
-
2003
Руднев, Андрей Валерьевич
Исторически изобретение первой интегральной схемы (ИС) было сделано Джеком С. Килби в 1958 [14], первая монолитная коммерческая ИС появилась на рынке в 1961, ИС на МОП-структурах (металл - окисел
-
2003
Семенов, Геннадий Алексеевич
Вместе с тем, для ряда системных применений, таких как частотная селекция на промежуточной частоте (ПЧ), ППРЧ, обработка широполосных сигналов, межсимвольная интерференция, плотность информационных каналов, требуется достижение предельных высокоизбирательных характеристик фильтров на ПАВ с высоким коэффициентом прямоугольности и малым уровнем
-
2003
Кокин, Александр Александрович
Элементарной квантовой операцией в этом случае является поворот вектора состояния всей Z-кубитовой системы в гильбертовом пространстве, для выполнения этой операции на классическом компьютере потребовалось бы выполнить 2L элементарных шагов по вычислению всех коэффициентов суперпозиции. При любой мыслимой скорости элементарных операций это
-
2003
Гомжин, Иван Васильевич
Производство СБИС с уровнем интеграции 4М и выше требует создания микроструктур сложной архитектоники, что приводит к необходимости решения такой сложной технологической проблемы, как формирование в монокристаллическом кремнии канавок с глубиной порядка 5 -г 10 мкм и вертикальными стенками
-
2003
Трунин, Дмитрий Александрович
Расчет конструкции полупрозрачных зеркал с максимальным общим коэффициентом пропускания света на основе применения интерференционных покрытий и изменения поляризации света
-
2003
Малюков, Сергей Павлович
В настоящее время все еще широко используются так называемая монолитная головка, сердечник которой выполнен из массивного ферритового материала. Однако, магнитная индукция насыщенного феррита (около 0,6 Тл) недостаточна для насыщения высоко коэрцитивного носителя Не >80к А/м. С применением тонкопленочных магнитных головок решаются многие проблемы
-
2003
Жуков, Андрей Александрович
В устройствах микроэлектроники, микромеханики и микросенсорики одним из распространенных материалов являются полиимиды, обладающие высокими тепло- и термостойкостью, уникальными физико-механическими и электроизоляционными свойствами и использующиеся в сочетании с металлами и неорганическими диэлектриками в качестве элементов конструкции - мембран
-
2002
Черных, Анатолий Васильевич
Наряду с использованием диэлектрических подложек, в работе исследована возможность создания монокристаллических наноструктур из W на практически значимых полупроводниковых подложках GaAs(OOl). Ранее предпринимались попытки вырастить эпитаксиальные пленки тугоплавких металлов на поверхности полупроводников, но качество их было низким [24-26]. В
-
2002
Иржак, Дмитрий Вадимович
Уникальные свойства рентгеновского излучения (высокая проникающая способность и чувствительность к искажениям кристаллической решетки) делают возможным исследование поля деформации кристалла, при распространении по его поверхности ПАВ, что является важным не только с точки зрения создания новых акустоэлектронных устройств, но так же может дать
